KR100717773B1 - 폴리머의 제거방법 및 그것의 처리장치 - Google Patents

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Abstract

기판(W)상에 형성된 에칭된 금속배선층(73)의 측벽에 부착된 폴리머(76)의 제거방법은, 기판(W) 표면에 약액을 공급하여 폴리머를 용해시키는 단계 및 기판(W) 표면에 순수를 공급하여 기판(W)에서 약액을 린스하는 단계를 포함하고, 적어도 단계(a)의 일부는 산화성분위기에서 수행된다.
반도체웨이퍼, 폴리머, 금속배선층, 레지스트, 알루미늄배선층, 린스, 약액

Description

폴리머의 제거방법 및 그것의 처리장치{Method of removing polymer and apparatus for doing the same}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른, 반도체장치의 제조에서 폴리머 제거장치의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 장치의 다른 단면도이다.
도 3은 도 1에서 선Ⅲ-Ⅲ을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 1 내지 3에서 도시된 장치에서 처리된 폴리머 제거방법의 공정도이다.
도 5a 내지 5f는 기판 및 그 위에 형성된 층들의 단면도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1:폴리머제거장치 5:로터
7:외측챔버 8:내측챔버
20:제1밀폐공간 30:제2밀폐공간
25:순수공급원 31:토출노즐
35:약액공급원 45:제1배기포트
46:제2배기포트 54:불활성가스공급원
57:산소함유가스공급원 70:제어기
72:배리어층 73:알루미늄배선층
74:레지스트층 76:폴리머층
본 발명은, 예컨대 반도체장치의 제조공정에서 폴리머를 제거하는 방법 및 그것을 행하기 위한 장치에 관한 것이다.
예컨대 반도체장치의 제조방법은, 대개 반도체웨이퍼의 표면에 금속배선층을 형성하는 단계를 포함한다.
특히, 금속배선층은 다음과 같이 형성된다.
우선, 반도체웨이퍼 상에 금속층 및 배리어층이 순차적으로 형성된다. 그 다음, 반도체웨이퍼 위에 레지스트가 성막된 후 패턴화된다. 그 다음, 금속층 및 배리어층이 마스크로 사용된 패턴화된 레지스트로 건식에칭된다. 금속층이 건식에칭될 때 금속층의 에칭된 부분들의 측벽에 폴리머층을 형성함으로써, 금속층을 높은 이방성 및 레지스트패턴에 따라 정확히 건식에칭할 수 있다. 그 다음, 건식에싱에 의해 레지스트가 제거된다. 그 다음, 금속층에 잔존하는 레지스트 및 에칭된 금속층의 측벽에 부착된 폴리머층이 약액에 의해 용해된다. 그 다음, 약액은 린스처리된다.
그러나, 상술된 폴리머층의 제거방법은, 금속층이 알루미늄(Al)으로 이루어진 경우, 약액이 순수(pure water)로 린스될 때, 약액 및 순수가 서로 반응하고, 그 결과 알루미늄을 부식시키는 용액이 생성되는 문제점이 수반된다. 예컨대, 알루미늄은, 약 30%의 불화암모늄(NH4F)을 함유하는 용액으로 가장 잘 용해된다.
약액이 희석된 경우에도, 알루미늄은 쉽게 부식되기 때문에, 알루미늄은 순수에도 용해될 수 있다. 또한, 알루미늄금속층이 그 안에 구리를 함유하는 경우, 순수를 사용한 약액의 린스시에 전지효과(cell effect)에 의해 구리를 핵으로 하여 알루미늄이 함께 용해될 수 있다. 또한, 이렇게 용해된 알루미늄은 금속불순물과 같은 오염물로서 반도체웨이퍼에 부착될 수 있다.
금속층을 이루는 알루미늄이 용해된다면, 금속층은 얇아지거나 반도체웨이퍼에 오염물로서 부착되어, 반도체장치의 제조수율을 저하시키게 된다.
폴리머층을 제거하는 기존의 방법에서 상술된 문제점들을 감안하여, 본 발명은, 금속층이 얇아지고 반도체웨이퍼에 오염물로서 부착되는 것을 방지하는 폴리머층 제거방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 또한, 이를 행하는 장치인 폴리머층의 제거장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1측면으로, 기판에 형성된 에칭된 금속층의 측벽에 부착된 폴리머를 제거하는 방법에 있어서, (a) 기판표면에 약액을 공급함으로써 폴리머를 용해시키는 단계 및 (b) 기판표면에 순수를 공급함으로써 기판에서 약액을 린스하는 단 계를 포함하며, 적어도 단계(a)의 일부는 산화성분위기에서 행해지는 폴리머의 제거방법이 제공된다.
이 방법에 따라, 산화성분위기의 산소는 에칭된 금속층의 측벽에 접촉하게 된다. 그 결과, 측벽표면에 산화피막이 형성된다. 예컨대, 금속층이 알루미늄으로 이루어진 경우, 측벽표면에 산화알루미늄(Al2O3)이 형성되고, 그 결과 알루미늄은 약 30%의 불화암모늄(NH4F)을 함유하는 용액에도 용해되기 어렵다. 약액은, 에칭된 알루미늄층의 측벽표면에 산화피막이 형성되어 있는 상태에서 린스되기 때문에, 약액이 순수로 린스되는 경우에도 알루미늄은 용해되지 않는다. 따라서, 알루미늄층이 얇아지거나 반도체웨이퍼에 오염물로서 부착되는 것을 방지할 수 있어서, 반도체장치의 제조수율의 저하를 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 측면으로, (a) 적어도 하나의 기판을 유지하는 기판홀더 (b) 기판홀더를 분위기에 노출시키기 위하여, 기판홀더 주위의 제1밀폐공간을 구획하는 제1위치와 기판홀더로부터 떨어져 있는 제2위치 사이에서 기판홀더에 대하여 이동가능한 외측챔버 (c) 기판홀더를 분위기에 노출시키기 위하여 기판홀더 주위의 제2밀폐공간을 구획하는 제1위치와 기판홀더로부터 떨어져 있는 제2위치 사이에서 기판홀더 및 외측챔버 둘 다에 대하여 이동가능하고 외측챔버의 내측에 위치되는 내측챔버 (d) 폴리머를 용해시키는 약액을 포함하는 약액공급원 (e) 순수를 포함하는 순수공급원 (f) 산소함유가스를 포함하는 산소함유가스공급원 및 (g) 외측 및 내측챔버들의 이동, 및 약액 및 순수의 유동을 제어하는 제어기를 포함하며, 제어기는 우선 내측챔버를 제1위치에 유지하고 기판표면 위에 약액을 제공하는 것에 의해 산화성분위기에서 폴리머를 용해시키기 위하여 산소함유가스가 내측챔버로 흐르도록 하고, 그 후 그것의 제2위치로 내측챔버를 이동시키고 기판표면 위에 순수를 공급하는 것에 의해 기판에서 약액을 린스하기 위하여 외부챔버를 그것의 제1위치에 유지하는, 기판에 형성된 에칭된 금속층의 측벽에 부착된 폴리머를 제거하는 장치가 제공된다.
도 1 및 2는 본 발명의 실시예에 따라 반도체장치의 제조시 폴리머를 제거하는 장치(1)의 단면도이다. 도 1에서 내측챔버(8)는 외측챔버(7) 내부에 도입되고, 도 2에서 내측챔버(8)는 외측챔버(7)의 외부로 이동된다. 도 3은 도 1의 선Ⅲ-Ⅲ을 따라 자른 단면도이다. 도 3은, 외측챔버(7) 및 내측챔버(8)간의 위치관계를 보여준다.
장치(1)는, 수직으로 세워진 지지벽(2), 지지벽(2)에 고정되고 수평으로 연장된 회전축(4)을 가지는 모터(3), 모터(3)의 회전축(4)에 고정된 로터(5), 지지벽(2)에 수평으로 고정되고 모터(3)와 회전축(4)을 둘러싸는 케이싱(6), 케이싱(6)으로 지지되고 로터(5)를 둘러싸는 외측챔버(7), 및 도 1에 보인 바와 같이 외측챔버(7) 내부에 위치되는 경우 약액에 의해 폴리머가 제거되는 내측챔버(8)를 포함한다.
외측챔버(7)는, 로터(5) 주위의 제1밀폐공간(20, 도 2참조)을 외측챔버(7)가 정하는 제1위치와 외측챔버(7)가 로터(5)에서 떨어져 있는 제2위치 사이에서 로터(5)에 대하여 이동가능하도록 설계된다. 도 1은 외측챔버(7)를 그것의 제1위치 에서 보여준다.
마찬가지로, 내측챔버(8)는, 내측챔버(8)가 로터(5) 주위의 제2밀폐공간(30, 도 1 참조)을 구획하는 제1위치와 내측챔버(8)가 로터(5)에서 떨어져 있는 제2위치 사이에서 로터(5)에 대하여 이동가능하도록 설계된다. 도 1은 내측챔버(8)를 그것의 제1위치에서 보여주고, 도 2는 내측챔버(8)를 그것의 제2위치에서 보여준다. 도 1에서 보인 바와 같이, 외측 및 내측챔버들(7 및 8)은 그것들의 제1위치들에 있는 경우, 서로 중첩한다.
모터(3)의 회전축(4)은, 베어링(미도시)을 통해 외측챔버(7)의 수직벽(7a)을 관통하여 외측챔버(7) 내에 투입된다. 로터(5)는 그 선단부가 회전축(4)에 고정된다.
로터(5)는, 소정의 간격을 둔 한 쌍의 원판들(5a 및 5b), 및 원판들(5a 및 5b) 사이에 고정된 여섯 개의 홀더들(10)을 포함한다. 홀더들(10) 각각은, 그것의 모서리에 웨이퍼(W)가 삽입되는 복수의 홈들(미도시)로 형성되므로, 로터(5)는 각각 수직으로 세워진 복수의 웨이퍼들(W)(예컨대, 26개의 웨이퍼들)을 수평방향으로 배치되도록 지지할 수 있다. 모터(3)가 동작되는 경우, 로터(5)는 웨이퍼들(W)과 함께 회전한다.
절환기구(11)는, 로터(5)가 웨이퍼들(W)을 선택적으로 유지하도록 하거나 웨이퍼들(W)을 해제하도록 하기 위하여 수직벽(7a)에 형성된다.
도 1 및 2에서 보는 바와 같이, 외측챔버(7)는, 모터(3)에 더 가깝게 위치된 수직벽(7a), 모터(3)에서 더 멀리 위치된 수직벽(7b), 및 로터(5)에서 소정 간격만 큼 떨어져 있는 원통형벽(7c)을 포함한다. 봉지재(15)는, 회전축(4)과 외측챔버(7) 사이의 밀봉을 확보하기 위하여 수직벽(7a)의 중간에 형성된다. 웨이퍼들(W)이 로터(5) 위에 유지될 때, 외측챔버(7)는 원통형벽(7c)이 케이싱(6)을 둘러싸는 그것의 제2위치(도 1 및 2에서의 오른쪽)로 이동된다.
내측챔버(8)는, 외측챔버(7)의 원통형벽(7c)의 직경보다 작은 직경을 가지는 원통형벽(8c)을 포함한다. 전술한 바와 같이, 원통형벽(8c)은, 도 1에 도시된 제1위치와 도 2에 도시된 제2위치 사이에서 이동한다. 제1위치에서, 원통형벽(8c)은 외측챔버(7)의 수직벽들(7a 및 7b)과 함께 제2밀폐공간(30)을 구획한다. 원통형벽(8c)은 도 2에 도시된 그것의 제2위치에 위치되고, 외측챔버(7)는 제1밀폐공간(20)을 구획한다.
제1 및 제2밀폐공간들(20 및 30)은 봉지재(15)에 의해 밀봉된다. 후술될 바와 같이, 제2밀폐공간(30)에서 폴리머가 제거되고 웨이퍼들(W)이 회전되며, 제1밀폐공간(20)에서 약액이 린스되고 웨이퍼들(W)이 건조된다.
두 개의 토출노즐들(21)은, 제1밀폐공간(20)의 상부에서 원통형벽(7c)이 연장한 방향으로 연장한다. 도 1 및 2에서 보는 바와 같이, 토출노즐들(21) 각각은 수평으로 배열된 복수의 토출구들(22)을 가지도록 설계된다. 도 2에서 보는 바와 같이, 토출노즐들(21)은 제1도관(24)을 통해 순수공급원(25)에 접속된다. 순수는 순수공급원(25)으로부터 제1도관(24)을 통해 공급되어, 토출구들(22)을 통하여 웨이퍼들(W)쪽으로 토출된다. 토출노즐들(21)과 순수공급원(25) 사이에는 선택기밸브(26)가 배치된다.
두 개의 토출노즐들(31)은, 제2밀폐공간(30)의 상부에서 원통형벽(8c)이 연장한 방향으로 연장한다. 도 1 및 2에서 보는 바와 같이, 토출노즐들(31) 각각은 수평으로 배열된 복수의 토출구들(32)을 가지도록 설계된다. 도 2에서 보는 바와 같이, 토출노즐들(31)은 제2도관(34)을 통해 약액공급원(35)에 접속된다. 약액은 약액공급원(35)으로부터 제2도관(34)을 통해 공급되어 토출구들(32)을 통해 웨이퍼들(W)쪽으로 토출된다. 토출노즐들(31)과 약액공급원(35) 사이에는 선택기밸브(36)가 배치된다.
토출노즐들(31)을 통해 토출된 약액은 레지스트, 폴리머층 및/또는 금속을 용해시킨다. 본 실시예에서는, 약액으로서 불화암모늄(NH4F)이 사용된다.
외측챔버(7)의 수직벽(7b)에는, 외측 및 내측챔버들(7 및 8)이 그것들의 제1위치들에 있을 때, 제2밀폐공간(30)으로부터 사용된 약액이 배출되는 통로인 제1액체배출포트(41)가 형성된다. 제1액체배출포트(41)의 하부에는, 도 2에서 보는 바와 같이 외측챔버(7)가 그것의 제1위치에 있고 내측챔버(8)가 그것의 제2위치에 있을 때, 제1밀폐공간(20)으로부터 사용된 순수가 배출되는 통로인 제2액체배출포트(42)가 형성된다.
사용된 약액은 제1액체배출포트(41)를 통하여 제1액체배출도관(43)으로 배출되고, 사용된 순수는 제2액체배출포트(42)를 통하여 제2액체배출도관(44)으로 배출된다.
도 1에서 보는 바와 같이, 수직벽(7b)의 상부에는, 외측 및 내측챔버들(7 및 8)이 그것들의 제1위치들에 있을 때, 제2밀폐공간(30)으로부터 가스가 배기되는 통로인 제1배기포트(45)가 형성된다. 제1배기포트(45) 위에는, 도 2에서 보는 바와 같이, 외측챔버(7)가 그것의 제1위치에 있고 내측챔버(8)가 그것의 제2위치에 있을 때, 제1밀폐공간(20)으로부터 가스가 배출되는 통로인 제2배기포트(46)가 형성된다. 외측 및 내측챔버들(7 및 8)이 제1위치들에 있을 때, 가스는 제2배기포트(46)를 통하여 원통형벽들(7c 및 8c) 사이에 끼어있는 공간(20a) 외부로 배기될 수 있다.
가스는 제1배기포트(45)를 통하여 제1배기도관(47)으로 배기되고, 제2배기포트(46)를 통하여 제2배기도관(48)으로 배기된다.
수직벽(7b)의 중앙부에는, 질소(N2)와 같은 불활성가스가 불활성가스공급원(54)으로부터 불활성가스도관(53)을 통해 제2밀폐공간(30)으로 공급되는 통로인 제1포트(51), 및 공기와 같은 산소함유가스가 산소함유가스공급원(57)으로부터 산소함유가스도관(56)을 통해 제2밀폐공간(30)으로 공급되는 통로인 제2포트(52)가 형성된다.
히터들(53a 및 56a)은 불활성가스도관(53) 및 산소함유가스도관(56)에 각각 부착된다. 히터들(53a 및 56a)은 제2밀폐공간(30)에 공급된 불활성가스 및 산소함유가스를 가열함으로써, 외측챔버(7) 내의 온도를 상승시켜 약액에 의한 폴리머의 용해를 촉진시킬 수 있다.
질량유량제어기들(55 및 58)은, 불활성가스도관(53) 및 산소함유가스도관(56)을 통하여 각각 공급된 불활성가스 및 산소함유가스의 유량을 제어한다. 따라서, 제2밀폐공간(30) 내의 산화성분위기를 제어할 수 있다.
불활성가스도관(61)은 불활성가스도관(53)에서 분기되어, 선택기밸브(36)에 접속된다. 히터(61a)는 불활성가스도관(61)을 통해 공급된 불활성가스를 가열한다.
선택기밸브(36)를 스위칭함으로써, 약액이 약액공급원(35)으로부터 토출노즐들(31) 및 제2도관(34)을 통하여 제2밀폐공간(30) 내로 뿌려지거나, 가열된 불활성가스가 불활성가스공급원(54)으로부터 불활성가스도관(53), 불활성가스도관(61) 및 제2도관(34)을 통하여 제2밀폐공간(30) 내로 도입된다.
질량유량제어기들(63)은 불활성가스도관(61)을 통하여 공급된 불활성가스의 유량을 제어한다. 따라서, 토출노즐들(31)을 통하여 제2밀폐공간(30) 내로 공급되는 불활성가스의 공급량을 제어할 수 있다.
불활성가스도관(66)은, 히터(61a) 및 질량유량제어기(63)의 하류에서 불활성가스도관(61)으로 분기되어 선택기밸브(26)에 접속된다. 따라서, 선택기밸브(26)를 스위칭함으로써, 순수가 순수공급원(25)으로부터 토출노즐들 및 제1도관(24)을 통하여 제1밀폐공간(20) 내로 공급되거나, 가열된 불활성가스가 순수공급원(25)으로부터 불활성가스도관(61), 불활성가스도관(66) 및 제1도관(24)을 통해 제1밀폐공간(20) 내로 공급된다.
질량유량제어기(63)는 불활성가스도관(61)을 통해 공급되는 불활성가스의 유량을 제어한다. 따라서, 토출노즐들(21)을 통해 제1밀폐공간(20) 내로 공급되는 불활성가스의 양을 제어할 수 있다.
질량유량제어기들(55, 58 및 63)은 제어기(70)에 의해 동작이 제어된다. 선택기밸브들(26 및 36)은 제어기(70)에 의해 도관의 개폐가 제어된다.
이하에서는 상술된 장치(1)에서 행해지는, 반도체장치 제조시의 폴리머의 제거방법에 대하여 설명된다.
도 4는 폴리머 제거방법에서 행해지는 단계들을 보여주는 흐름도이다. 도 4에서 보는 바와 같이, 이 방법은, 웨이퍼들(W)에 약액을 공급하여 폴리머를 용해시키는 단계(단계 S1), 약액을 튀기게 하여 제거하는 단계(단계 S2), 웨이퍼들(W)에 순수를 공급함으로써 잔존하는 약액을 린스하는 단계(단계 S3) 및 웨이퍼들(W)을 건조하는 단계(단계 S4)를 포함한다.
도 5a 내지 5f는 이 방법으로 처리되는 단계들을 보여준다.
우선, 도 5a에서 보는 바와 같이, 실리콘웨이퍼(W)상에 제1배리어층(72a), 알루미늄층(73) 및 제2배리어층(72b)이 형성된다. 그 다음, 제2배리어층(72b)상에 소망되는 배선패턴을 가진 레지스트층(74)이 형성된다. 알루미늄층(73)은 그 안에 구리(Cu)을 포함, 즉 알루미늄-구리 합금으로 이루어질 수 있다.
그 다음, 도 5b에서 보는 바와 같이, 제2배리어층(72b) 및 알루미늄층(73)은 마스크로 사용하는 패턴화된 레지스트층(74)을 플라즈마에칭에 의해 에칭된다. 플라즈마에칭을 수행함으로써, 에칭가스의 성분들로 인해 에칭부(75)의 측벽에 폴리머층(76)이 형성된다. 플라즈마에칭시, 폴리머층(76)이 보호층으로 작용하여 높은 이방성의 에칭이 가능하다.
도 5c에서 보는 바와 같이, 에칭은 실리콘웨이퍼(W)의 표면이 보일 때까지 진행된다. 에칭시, 에칭부(75)의 측벽에 폴리머층(76)이 형성된다.
그 다음, 레지스트층(74)은 건식에싱에 의해 제거된다. 그 결과, 도 5d에서 보는 바와 같이, 알루미늄층(73)의 상면은 제2배리어층(72)으로 덮이고, 알루미늄층(73)의 측벽은 폴리머층(76)으로 덮인다. 그 다음, 폴리머층(76)을 제거하기 위하여 제거장치(1)에 웨이퍼(W)가 반입된다.
우선, 외측 및 내측챔버들(7 및 8)은, 그것들의 제2위치들로 이동되어 로터(5)가 외부로 노출된다. 그 다음, 복수의 웨이퍼들(W)은 반송수단(미도시)에 의해 로터(5)에 장착되어, 웨이퍼들(W)은 홀더들(10)에 의해 유지된다. 이 때, 압력센서(미도시)에 의해 웨이퍼들(W)에 작용되는 압력을 측정하면서, 웨이퍼들(W)이 로터(5)에 장착되는 것이 바람직하다. 이것은 웨이퍼들(W)이 파괴되는 것을 방지한다.
그 다음, 외측 및 내측챔버들(7 및 8)은 그것들의 제1위치들로 이동됨으로써, 도 1에서 보는 바와 같이 제2밀폐공간(30)을 구획한다.
그 다음, 불활성가스는, 불활성가스공급원(54)으로부터 불활성가스도관(53) 및 제1포트(51)를 통하여 제2밀폐공간(30) 내로 도입됨으로써, 제2밀폐공간(30)을 산소를 포함하지 않는 불활성가스분위기로 되도록 한다.
제2밀폐공간(30) 내로 불활성가스가 도입되는 경우, 제어기(70)는 질량유량제어기(55)에 제어명령을 전송하여, 불활성가스가 불활성가스도관(53)을 통과하여 제1포트(51)를 통해 토출되도록 한다. 불활성가스가 제1포트(51)를 통해 제2밀폐공간(30) 내로 도입되는 경우, 제2밀폐공간(30)내에 존재하는 가스는 제1배기포트(45)를 통하여 배출됨으로써, 제2밀폐공간(30)내의 분위기는 불활성가스분위기로 바뀐다.
그 다음, 웨이퍼들(W)에 약액을 공급함으로써 폴리머층(76)은 용해제거된다(도 4의 단계 S1). 약액은 웨이퍼들(W)에 약 5 내지 10분간 뿌려진다. 모터(3)에 의해 로터(5) 및 웨이퍼들(W)은 1 내지 500rpm으로 회전되면서, 약액은 폴리머층(76)을 용해시키기 위하여 토출노즐(31)을 통해 웨이퍼들(W)에 토출된다.
폴리머층(76)을 제거하기 위하여, 약액은 수십초간 토출노즐들(31)을 통하여 공급된다. 약액이 공급되는 동안, 웨이퍼들(W)과 함께 로터(5)가 1 내지 500rpm으로 회전됨으로써, 뿌려진 약액은 웨이퍼들(W) 표면들에 확산된다.
약액의 점도에 따라 로터(5)의 회전속도를 제어함으로써, 약액이 웨이퍼들(W) 표면에 균일하게 확산될 수 있고, 그래서 폴리머층(76)을 균일하게 용해시킬 수 있다. 예컨대, 약액이 비교적 높은 점도를 가지는 경우에 로터(5)는 1 내지 500rpm 범위에서 비교적 높은 회전속도로 회전되는 반면, 약액이 비교적 낮은 점도를 가지는 경우에 로터(5)는 상기 범위에서 비교적 낮은 회전속도로 회전된다. 이것은, 약액이 웨이퍼들(W)에 균일하게 확산될 수 있도록 한다.
폴리머층(76)의 용해 후, 용해된 폴리머층(76)을 가진 약액은 웨이퍼들(W) 표면에 잔류한다. 용해된 폴리머층(76)을 이미 포함한 약액은 낮은 반응속도를 가진다. 따라서, 용해된 폴리머층(76)을 이미 포함한 약액이 웨이퍼들(W)에 다량 잔류하는 경우에는, 일시적으로 약액의 뿌림이 정지되고, 가열된 불활성가스가 토출노즐들(31)을 통하여 수초동안 토출된다. 또한, 로터(5)는, 로터(5)에 유지된 웨이 퍼들(W)에 약액이 뿌려질 때에 로터가 회전된 회전속도보다 높은 회전속도로 회전된다. 구체적으로, 로터(5)는 약 100 내지 1200rpm으로 회전된다. 따라서, 용해된 폴리머층(76)을 이미 포함한 약액은, 불활성가스가 내측챔버(8) 내에 공급될 때의 압력 및 로터(5)의 회전에 의한 원심력에 의해 제거된다.
폴리머층(76)과 이미 반응된 약액을 효과적으로 제거하기 위하여, 로터(5)가 회전되는 회전속도는 약액의 점도에 따라 제어되는 것이 바람직하다. 웨이퍼들(W)밖으로 튀기어진 약액은 제1액체배출포트(41)를 통하여 배출된다.
폴리머층(76)과 반응된 약액을 웨이퍼들(W)의 표면들로부터 제거한 후, 로터(5)는 감소된 회전속도로 회전된다. 구체적으로, 로터(5)는 1 내지 500rpm으로 회전된 후, 토출노즐들(31)을 통하여 제2밀폐공간(30)내로 새로운 약액이 도입된다.
제2밀폐공간(30) 내로 약액을 도입하는 단계 및 폴리머층(76)과 반응된 약액을 제거하는 단계는 수회 내지 수천회 정도 반복하여 수행된다. 이것은, 높은 반응성을 가진 새로운 약액이 웨이퍼들(W) 표면들에 항상 접촉되도록 하여, 폴리머층(76)이 효율적으로 제거될 수 있도록 한다.
웨이퍼들(W)에 약액을 뿌리기 위하여, 제어기(70)는 선택기밸브(36)에 제어명령을 전송하여, 약액이 약액공급원(35)으로부터 제2도관(34)을 통해 토출노즐들(31)로 공급되게 한다. 약액공급원(35)으로부터 토출노즐들(31)로 공급된 약액은 토출구들(32)을 통해 내측챔버(8) 내로 뿌려진다.
가열된 불활성가스가 웨이퍼들(W)에 뿌려진 경우, 제어기(70)는 선택기밸브(36)에 제어명령을 전송하여, 불활성가스도관(61) 및 제2도관(34)이 서로 접속되게 한다. 그 다음, 질량유량제어기(63)에 의해 유량이 제어된 가열된 불활성가스가, 불활성가스공급원(54)으로부터 불활성가스도관(53), 불활성가스도관(61) 및 제2도관(34)을 통해 토출노즐들(31)로 공급된 후, 토출구들(32)을 통해 뿌려진다.
폴리머층(76)을 용해시키는 단계 및 폴리머층(76)과 반응된 약액을 제거하는 단계를 반복하여 수행함으로써, 도 5e에서 보는 바와 같이, 알루미늄층(73) 표면의 일부가 노출된다. 그 다음, 산소함유가스는, 산소함유가스공급원(57)으로부터 산소함유가스도관(56) 및 제2포트(52)를 통하여 제2밀폐공간(30) 내로 도입된다.
따라서, 제2밀폐공간(30)이 소정의 산소농도를 가진 산화성분위기로 되도록 한다. 폴리머층(76)과 반응된 약액이 웨이퍼들(W)로부터 제거되는 경우, 산소분위기의 산소는 알루미늄층(73)의 노출표면과 접촉된다. 그 결과, 알루미늄층(73)은 그것의 표면이 산화알루미늄(Al2O3)으로 산화된다. 따라서, 도 5f에서 보는 바와 같이, 알루미늄층(73) 표면에 산화피막(78)이 형성된다.
폴리머층(76)과 반응된 약액을 반복하여 제거함으로써, 신선한 산소는 알루미늄층(73) 표면에 반복적으로 접촉하게 된다. 따라서, 약액에 의한 폴리머층(76)의 용해단계의 종료 전에, 알루미늄층(73) 표면에 충분한 두께를 가진 산화피막(78)이 형성된다.
제2밀폐공간(30) 내로 산소함유가스를 도입하기 위하여, 제어기(70)가 질량 유량제어기(58)에 제어명령을 전송하여, 산소함유가스가 산소함유가스도관(56)을 통하여 공급되고, 제2포트(52)를 통하여 내측챔버(8) 내로 도입되게 한다. 제2밀폐공간(30)이 소정의 산소농도를 가진 산화성분위기로 되도록 하기 위해, 제어기(70)는 질량유량제어기(58)에 제어명령을 전송하여, 제2밀폐공간(30) 내의 산소농도가 상승하도록 산소함유가스가 조정되게 한다. 제2밀폐공간(30)의 산소농도가 소정 농도를 초과하여 증가되는 경우, 제어기(70)는 질량유량제어기(55)에 제어명령을 전송하여 제2밀폐공간(30)의 산소농도를 감소하도록 불활성가스의 유량이 제어되게 한다.
상술한 바와 같이, 질량유량제어기(55 및 58)를 제어함으로써 제2밀폐공간(30)의 산소농도를 소망하는 농도로 조절할 수 있다. 제2밀폐공간(30)은 10% 이상의 산소농도를 가지는 것이 바람직하다.
또한 선택적으로 제1배기포트(45)를 통해 제2밀폐공간(30)으로부터 배기하고 제2밀폐공간(30) 내로 산소함유가스 및/또는 불활성가스를 도입함으로써, 제2밀폐공간(30)의 압력이 소정 압력을 초과하지 않도록 제어하는 것도 가능하다.
폴리머층(76)을 용해시키는 단계(도 4의 S1)가 수행된 후, 웨이퍼들(W)에서 약액을 제거하는 단계(도 4의 S2)가 개시된다. 약액의 제거단계는 약 30초 동안 수행된다.
우선, 약액이 토출노즐들(31)을 통해 내측챔버(8)로 공급되는 것이 중단된다. 그 다음, 로터(5)가 회전되어 웨이퍼들(W)이 회전됨으로써, 약액 및 잔존하는 반응생성물들이 웨이퍼들(W)에서 밖으로 튀게 된다. 웨이퍼들(W)에서 튀기어 나온 약액은 제1액체배출포트(41)를 통해 배출된다. 불활성가스, 산소함유가스 및 약액분위기는 제1배기포트(45)를 통해 배기된다.
웨이퍼들(W)에서 약액을 튀기게 하기 위해 로터(5)가 회전되는 동안, 불활성가스가 제1포트(51)를 통해 제2밀폐공간(30)으로 공급되어 제2밀폐공간(30)이 산소를 함유하지 않는 불활성가스분위기로 되도록 한다. 불활성가스가 토출노즐(21)을 통해 원통형벽들(7c 및 8c) 사이에 끼어있는 공간(20a)으로 도입됨으로써, 공간(20a)이 산소를 함유하지 않는 불활성가스분위기로 되도록 한다.
공간(20a)내로 불활성가스를 도입하는 경우, 제어기(70)가 선택기밸브(26)에 제어명령을 전송하여, 불활성가스도관(66) 및 제1도관(24)이 서로 유체접속상태에 있게 된다. 질량유량제어기(63)에 의해 유량이 제어된 불활성가스는, 불활성가스공급원(54)으로부터 불활성가스도관(53), 불활성가스도관(61), 불활성가스도관(66), 제1도관(24)을 통해 토출노즐들(21)로 공급된다. 그 다음, 가열된 불활성가스는 토출구들(22)을 통해 공간(20a) 내로 공급된다. 불활성가스가 토출노즐들(21)을 통해 공간(20a) 내로 도입되는 한편, 공간(20a) 내에 존재하는 가스는 제2배기포트(46)를 통해 배기된다. 즉, 공간(20a) 외부로 산화성분위기가 배기되는 대신, 공간(20a)은 불활성가스분위기로 된다.
상술한 바와 같이, 웨이퍼들(W)과 함께 로터(5)가 회전되어 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀기어 나가게 하는 동안, 불활성가스가 제2밀폐공간(30) 및 공간(20a) 내로 공급된다. 그 때부터, 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀게하는 단계가 종료될 때까지, 제2밀폐공간(30) 및 공간(20a)은 불활성가스분위기로 된다. 제2밀폐공간(30) 및 공 간(20a)은 서로 일체가 되어 외측챔버(7) 내의 제1밀폐공간(20)으로 구획된다. 제2밀폐공간(30) 및 공간(20a)이 불활성가스분위기로 되어 있기 때문에, 웨이퍼들(W)이 위치되어 있는 제1밀폐공간(20)도 불활성가스분위기에 있다.
그 다음, 순수가 토출노즐들(21)을 통해 웨이퍼들(W)에 뿌려짐으로써, 웨이퍼들(W)에서 약액이 린스된다(도 4의 단계 S3). 순수는 약 3 내지 10분간 뿌려진다. 웨이퍼에서 약액을 린스하는 단계는, 제1밀폐공간(20) 내에서 불활성분위기로 수행된다. 로터(5)가 웨이퍼들(W)과 함께 회전되는 동안, 순수는 토출노즐들(21)을 통해 제1밀폐공간(20)으로 토출되어 웨이퍼들(W)을 세척한다. 사용된 순수는 제2액체배출포트(42)를 통해 토출된다.
제1밀폐공간(20) 내로 순수를 도입하는 경우, 제어기(70)가 선택기밸브(26)에 제어명령을 전송하여, 순수가 순수공급원(25)으로부터 제1도관(24)을 통해 토출노즐들(31)로 공급되게 한다. 그 다음, 순수는 토출구들(22)을 통해 웨이퍼들(W)에 뿌려진다.
상술된 바와 같이, 에칭된 알루미늄층(73)의 측벽에는 산화피막(78)이 형성된다. 또한, 알루미늄층(73)에는 제2배리어층(72b)이 형성된다. 따라서, 도 5f에서 보는 바와 같이, 알루미늄층(73)은 산화피막(78) 및 제2배리어층(72b)으로 덮이고 따라서, 알루미늄층(73)을 구성하는 알루미늄은 전혀 노출되지 않는다. 따라서, 웨이퍼들(W)의 표면들에 순수가 공급되는 경우에도, 순수는 알루미늄과 접촉하지 않게 된다. 이것은, 알루미늄이 순수에 용해되지 않도록 한다.
웨이퍼들(W)로부터 잔존하는 약액을 튀기게 하는 단계 S2에서, 약액이 튀기 어 제거되지 않아 순수와 반응함으로써 알루미늄이 용해되기 쉬운 용액이 발생하는 경우에도, 알루미늄층(73)의 알루미늄이 용액과 접촉되지 않는다. 따라서, 알루미늄은 용액 중에 용해되지 않는다. 마찬가지로, 알루미늄층(73)이 그 안에 구리를 함유하고 있는 경우에도, 산화피막(78)은 알루미늄이 순수 중에 용해되지 않도록 방지한다. 따라서, 알루미늄층(73)이 얇아지는 것을 방지할 수 있다.
순수 또는 상술된 용액에 알루미늄이 용해된다면, 금속불순물과 같은 오염물이 발생되고, 이렇게 발생된 오염물들이 웨이퍼들(W)에 부착되어 반도체장치의 제조수율의 감소를 초래한다. 산화피막(78)은, 알루미늄이 순수 또는 용액에 용해되는 것을 방지하여, 반도체장치의 제조수율의 감소를 방지할 수 있다.
웨이퍼들(W)에서 약액을 린스한 후, 로터(5)를 비교적 높은 회전속도로 회전시켜 웨이퍼들(W)을 회전시킴으로써 웨이퍼들(W)은 건조된다(도 4의 단계 S4). 로터(5)를 회전시키는 단계는, 제1밀폐공간(20) 내의 불활성가스분위기에서 수행된다. 불활성가스는 토출노즐들(21)을 통해 제1밀폐공간(20)에 도입될 수도 있다.
웨이퍼들(W)이 건조된 후, 외측챔버(7)는 그것의 제2위치(내측챔버(8)는 이미 그것의 제2위치로 이동되었음)로 이동된다. 따라서, 외측 및 내측챔버들(7 및 8) 둘 다는, 원통형벽들(7c 및 8c)이 케이싱(6)을 둘러싸도록 위치된 제2위치에 있다.
그 다음, 반송수단(미도시)은 로터(5)쪽으로 이동하게 되어 로터(5)의 하측에 위치된다. 홀더들(10)은 웨이퍼들(W)을 해제하고, 그 후 웨이퍼들(W)은 반송수단으로 옮겨진다. 반송수단은 외측챔버(7)밖으로 웨이퍼들(W)을 반출한다.
상술된 폴리머의 제거방법에 따르면, 산화성분위기 중의 산소는 에칭된 알루비늄층(73)과 반응하기 때문에, 표면에 산화피막(78)이 형성된다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 순수로 세척된 경우라도, 산화피막(78)은 알루미늄이 순수에 용해되는 것을 방지한다.
또한, 알루미늄층(73)은, 순수 및 약액의 혼합물로 구성된 용액에 대하여 향상된 내성을 가질 수 있다. 게다가, 웨이퍼들(W)에서 약액을 린스하는 단계에서, 금속불순물과 같은 오염물들의 발생을 방지할 수 있다. 따라서, 알루미늄층(73)이 얇아지고 웨이퍼들(W)에 오염물들이 부착되는 것을 방지할 수 있어서, 반도체장치의 제조수율을 향상시킬 수 있다.
예컨대, 반도체웨이퍼 대신, 액정표시장치에서 기판으로 사용되는 유리기판, CD기판, 인쇄기판 또는 세라믹기판이 사용될 수도 있다.
상술된 실시예에서, 레지스트마스크는 건식에싱에 의해 제거되고, 그 후 폴리머층(76)은 약액에 의해 제거된다. 그러나 경우에 따라, 건식에싱이 생략되고, 레지스트마스크도 폴리머층(76)과 함께 약액에 의해 제거될 수 있다.
본 발명은, 상술된 장치(1)의 구성과 같은 구조를 가진 장치뿐만 아니라, 예컨대 배치형(batch-type)장치에도 적용될 수 있다.
웨이퍼들(W)과 함께 로터(5)를 회전시켜 약액을 튀게하여 제거하는 단계는, 제1밀폐공간(20) 내의 산화성분위기에서 수행될 수 있다. 예컨대, 약액에 의해 폴리머층(76)을 제거하는 단계는, 제2밀폐공간(30) 및 공간(20a)을 산화성분위기로 유지한 채 수행되고, 그 후 웨이퍼들(W)과 함께 로터를 회전시켜 약액을 튀게하여 제거하는 단계는, 제2밀폐공간(30) 및 공간(20a)이 산화성분위기에서 불활성가스분위기로 바뀜에 따라 수행된다. 그 다음, 내측챔버(8)가 그것의 제2위치로 이동됨에 따라, 웨이퍼들(W)은 제1밀폐공간(20) 내의 불활성가스분위기에 놓여진다. 그 다음, 웨이퍼들(W)에서 약액을 린스하는 단계가 수행된다.
제2밀폐공간(30) 내에 불활성가스가 도입되는 경우, 제어기(70)는 질량유량제어기(55)에 제어명령을 전송하여, 불활성가스가 불활성가스도관(53)을 통과하여 제1포트(51)를 통하여 토출되도록 한다. 불활성가스가 제1포트(51)를 통하여 제2밀폐공간(30)으로 도입되는 경우, 제2밀폐공간(30)에 존재하는 가스는 제1배기포트(45)를 통하여 배기됨으로써, 제2밀폐공간(30) 내의 분위기가 불활성가스분위기로 바뀐다.
불활성가스가 토출노즐들(21)을 통하여 제2밀폐공간(30) 내로 공급될 수도 있고, 이 경우 제1밀폐공간(20) 내로 도입되는 불활성가스의 유량은 질량유량제어기(63)에 의해 제어될 수 있다.
웨이퍼들(W)을 회전시켜 약액을 튀게하여 제거하는 경우, 제2밀폐공간(30)이 산화성분위기에서 불활성가스분위기로 치환되지만, 산화성분위기에서 불활성분위기로의 치환은, 약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계가 종료되기 전에 개시될 수도 있다. 예컨대, 에칭된 알루미늄층(73) 주위에 충분한 두께를 가진 산화피막(78)이 형성된 후, 제2밀폐공간(30)으로부터 산화성분위기가 서서히 배기되어 제2밀폐공간(30)의 산소농도를 감소시키는 동시에 제2밀폐공간(30)내에 불활성가스가 공급됨으로써, 약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계가 종료된 경우에 제2밀폐 공간(30)은 완전히 불활성가스분위기로 치환된다. 그 다음, 웨이퍼들(W)과 함께 로터(5)를 회전시켜 약액을 제거하는 단계는, 제2밀폐공간(30) 내의 불활성가스분위기에서 수행된다.
공간(20a)은, 내측챔버(8)가 그것의 제2위치로 이동되기 전에 불활성가스분위기로 치환될 수도 있다. 따라서, 공간(20a)은, 약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계가 수행되는 도중에 불활성가스분위기로 치환될 수 있다. 예컨대, 웨이퍼들(W)이 로터(5)에 장착되고 내측챔버(8)가 그것의 제1위치로 이동된 후, 공간(20a)의 산화성분위기로부터 불활성가스분위기로의 치환이 즉시 개시될 수 있다.
약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계가 종료된 시점에 제2밀폐공간(30) 및 공간(20a) 내의 산화성분위기에서 불활성가스분위기로의 치환이 종료되는 경우에는, 내측챔버(8)가 그것의 제2위치로 이동되고, 로터(5)를 회전시켜 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀게하여 제거하는 단계가 제1밀폐공간(20)내의 불활성가스분위기에서 수행될 수 있다.
상술된 실시예에서는, 약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계가 개시된 후에 산화성분위기가 이루어진다. 반면, 로터(5)를 회전시켜 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀기게 하여 제거하는 단계는, 약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계의 개시시 불활성분위기로 치환됨 없이 전 시간 산화성분위기에서 수행될 수도 있고, 이 경우 산화피막(78)이 충분히 형성될 수 있고, 또한 약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계는 간소화될 수 있다. 또한, 웨이퍼들(W)에 약액을 뿌리기 전에 불활성분위기로 이루기 위한 시간을 소비할 필요가 없기 때문에, 처리시간이 단축될 수 있어 스루풋 을 향상시킬 수 있다.
약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계(도 4의 단계 S1), 웨이퍼들(W)과 함께 로터(5)를 회전시켜 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀게하여 제거하는 단계(도 4의 단계 S2), 웨이퍼들(W)에서 약액을 린스하는 단계(도 4의 단계 S3) 및 웨이퍼들(W)을 건조하는 단계(도 4의 단계 S4)Z는 모두 산화성분위기에서 수행될 수 있고, 이 경우 제거방법이 간소화될 수 있다.
산화피막(78)은 웨이퍼들(W)에 순수를 뿌리기 전에 형성될 수 있다. 예컨대, 산화피막(78)은, 웨이퍼들(W)과 함께 로터(5)를 회전시켜 웨이퍼들(W)로부터 약액을 튀게하여 제거하는 단계를 수행한 후부터 웨이퍼들(W)에 순수를 뿌리기 전에, 웨이퍼들(W)을 회전시키지 않고 산화성분위기에서 형성될 수 있다.
산화피막(78)은, 불활성가스분위기에서 폴리머층(76)을 제거하는 단계를 수행하거나 산화성분위기에서 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀게하여 제거하는 단계를 수행함으로써 형성될 수 있다. 그러나, 약액에 의해 폴리머층(76)을 제거하는 단계는 5 내지 10분, 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀게하여 제거하는 단계는 30초, 웨이퍼들(W)에서 약액을 린스하는 단계는 3 내지 10분간 소요된다. 따라서, 웨이퍼들(W)에서 약액을 제거하는 단계가 수행되는 도중에 제2밀폐공간(30)에 산화성가스가 공급되어도, 약 30초 정도는 산화피막(78)을 충분히 형성할 수 없다. 이것은, 웨이퍼들(W)에서 약액을 린스하는 후처리단계에서 알루미늄이 부식되는 것을 방지할 수 없음을 의미한다.
산화피막(78)을 충분히 형성하기 위하여, 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀게하여 제거하는 단계가 연장될 수 있다. 그러나, 이 경우, 방법을 수행하는 전체 처리시 간도 연장되기 때문에 스루풋이 저하된다. 또한, 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀게하여 제거하는 단계가 연장된다면, 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀게하여 제거하는 단계에서 웨이퍼들(W)이 과도하게 건조된다. 그 결과, 입자들이 웨이퍼들(W)에 부착되기 쉽고, 웨이퍼들(W)에 부착된 입자들은 다음 린스단계에서도 충분히 제거될 수 없다. 이것은 제조수율의 저하를 초래한다.
게다가, 웨이퍼들(W)에서 약액을 제거하는 단계를 수행하기 위하여 모터(3)가 장시간 동작되는 경우, 모터(3) 및/또는 회전축(4)에서 다량의 먼지들(dusts)이 발생되어, 장치(1) 내의 분위기가 오염될 수 있다. 반면, 본 발명에서는, 약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계가 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀게하여 제거하는 단계보다 장시간이고, 약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계가 수행되는 도중에 제2밀폐공간(30) 내에 산소함유가스를 도입함으로써, 약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계 및 웨이퍼들(W)에서 약액의 제거단계의 처리시간을 연장하지 않고도 충분한 두께를 가진 산화피막(78)이 형성될 수 있다. 따라서, 스루풋을 저하시키지 않으면서도, 과도한 건조로 인하여 입자들이 웨이퍼들(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있고, 모터(3) 및/또는 회전축(4)에 먼지들의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 약액에 의한 폴리머층(76)의 제거단계가 수행되는 동안 제2밀폐공간(30)에 새로운 약액이 반복하여 공급되기 때문에, 입자들이 웨이퍼들(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 폴리머층(76)의 제거단계에서 산화피막(78)을 형성하는 것이 바람직하다.
로터(5)를 회전시켜 웨이퍼들(W)에서 약액을 튀게하여 제거하는 단계가 생략 될 수 있고, 이 경우, 웨이퍼들(W)에서 약액은 순수로 린스된다. 약액이 웨이퍼들(W) 표면에서 순수와 반응하여, 결과적으로 알루미늄이 용해되기 쉬운 용액이 발생되는 경우에도, 알루미늄층(73) 중의 알루미늄은 그러한 용액에 접촉되지 않아서, 용액 중에 용해되지 않는다.
본 발명에 따르면, 에칭된 금속층의 측벽표면에 산화피막이 형성된다. 따라서, 금속은, 약액을 린스하기 위해 사용된 순수에 용해되지 않는다. 또한, 그러한 피막은 약액 및 순수의 혼합용액에 대한 기판표면의 내성을 향상시킨다. 또한, 본 발명은, 약액의 린스단계시, 오염물들의 발생을 방지한다. 따라서, 본 발명은 금속층이 얇아지는 것을 방지하고, 용해된 금속이 오염물들로서 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 약액을 튀게하여 제거하기 위해 기판이 회전되는 기간을 연장하지 않고도 산화피막이 형성될 수 있다. 이것은, 스루풋의 감소를 초래하지 않고, 기판에 입자들의 부착 및 기판을 회전시키는 모터에서 먼지들의 발생을 방지할 수 있게 한다.

Claims (30)

  1. 기판에 형성된 에칭된 알루미늄층의 측벽에 부착된 폴리머를 제거하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 기판의 표면에 약액을 공급하여 상기 폴리머를 용해시키는 단계; 및
    (b) 상기 기판의 표면에 순수를 공급하여 상기 기판에서 상기 약액을 린스하는 단계를 포함하며,
    상기 단계(a)의 적어도 일부는 산화성분위기에서 수행되는 폴리머의 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단계 (a) 및 (b)는 산화성분위기에서 수행되는 폴리머의 제거방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 단계 (a)는 개시 또는 도중부터 상기 단계 (b)가 개시하기 전까지 산화성분위기에서 수행되는 폴리머의 제거방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 폴리머가 용해된 후에 상기 약액에 의해 상기 측벽이 노출될 때까지 산화성분위기가 성립되는 폴리머의 제거방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판을 회전시켜 상기 기판으로부터 원심력에 의해 상기 약액을 튀게하여 제거하는 단계 (c)를 더 포함하고, 상기 단계 (c)는 상기 단계 (a) 및 (b) 사이에 수행되는 폴리머의 제거방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 단계 (c)는 산화성분위기에서 수행되는 폴리머의 제거방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판을 건조시키는 단계 (d)를 더 포함하고, 상기 단계 (d)는 상기 단계 (b) 이후에 수행되는 폴리머의 제거방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기판을 회전시켜 상기 기판으로부터 원심력에 의해 상기 약액을 튀게하여 제거하는 단계 (c)를 더 포함하고, 상기 단계 (a)가 수행되는 기간이 상기 단계 (c)가 수행되는 기간보다 긴 경우에 상기 단계 (a)의 적어도 일부는 산화성분위기에서 수행되는 폴리머의 제거방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 단계 (c)는 산화성분위기에서 수행되는 폴리머의 제거방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 기판을 건조시키는 단계 (d)를 더 포함하고, 상기 단계 (d)는 상기 단계 (b) 이후에 수행되는 폴리머의 제거방법.
  11. 삭제
  12. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (a) 및 (b)는 반복하여 수행되는 폴리머의 제거방법.
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄층은 구리를 함유하는 폴리머의 제거방법.
  15. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 알루미늄층 상에 배리어층이 형성되는 폴리머의 제거방법.
  16. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 약액은 불화암모늄인 폴리머의 제거방법.
  17. 기판 상에 형성된 에칭된 금속층의 측벽에 부착된 폴리머를 제거하는 장치에 있어서,
    (a) 적어도 하나의 기판을 유지하는 기판홀더;
    (b) 외측챔버가 상기 기판홀더 주위에 제1밀폐공간을 구획하는 제1위치와 외측챔버가 상기 기판홀더로부터 떨어져 있는 제2위치 사이에서 상기 기판홀더에 대하여 이동가능하며 상기 기판홀더를 분위기에 노출시키기 위한 외측챔버;
    (c) 외측챔버가 상기 기판홀더 주위에 제2밀폐공간을 구획하는 제1위치와 외측챔버가 상기 기판홀더로부터 떨어져 있는 제2위치 사이에서 상기 기판홀더 및 상기 외측챔버 둘 다에 대하여 이동가능하고 상기 외측챔버의 내측에 위치되며 상기 기판홀더를 분위기 중에 노출시키기 위한 내측챔버;
    (d) 상기 폴리머를 용해시키는 약액을 담고있는 약액공급원;
    (e) 순수를 담고있는 순수공급원;
    (f) 산소함유가스를 담고있는 산소함유가스공급원;
    (g) 상기 외측 및 내측챔버들의 이동 및 상기 약액 및 상기 순수의 유동을 제어하는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는 우선 상기 내측챔버를 그것의 제1위치에 유지하고 상기 기판표면 위에 상기 약액을 공급하는 것에 의해 산화성분위기에서 상기 폴리머를 용해시키기 위하여 상기 산소함유가스가 상기 내측챔버 내로 흐르도록 하고 그 후 상기 내측챔버를 그것의 제2위치로 이동시키고 상기 기판표면 위에 상기 순수를 공급하는 것에 의해 상기 기판에서 상기 약액을 린스처리하기 위하여 상기 외측챔버를 그것의 제1위치에 유지시키는 폴리머의 제거장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제어기는 상기 약액이 린스처리되는 동안 상기 산소 함유가스가 상기 외측챔버 내로 흐르도록 하는 폴리머의 제거장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 제어기는 상기 폴리머의 용해의 개시 또는 도중에 상기 산소함유가스가 상기 내측챔버 내로 흐르도록 하는 폴리머의 제거장치.
  20. 제17항에 있어서, 상기 산화성분위기는 상기 폴리머가 상기 약액에 의해 용해된 이후에 상기 측벽이 노출될 때까지 성립되는 폴리머의 제거장치.
  21. 제17항에 있어서, 상기 기판홀더는 상기 기판에서 원심력에 의해 상기 약액을 튀게하여 제거하기 위하여 그것의 축 주위로 회전될 수 있도록 설계되는 폴리머의 제거장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 제어기는 상기 기판홀더가 회전하는 동안 상기 산소함유가스가 상기 내측챔버 내로 흐르도록 하는 폴리머의 제거장치.
  23. 제17항에 있어서, 불활성가스를 담고있는 불활성가스공급원을 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 산소함유가스가 상기 외측 및 내측챔버들에 존재하는 경우 이외에는 상기 불활성가스가 상기 외측 및 내측챔버들 내로 흐르도록 하는 폴리머의 제거장치.
  24. 제17항에 있어서, 상기 제어기는 상기 기판의 표면 위에 상기 약액을 공급함으로써 산화성분위기에서 상기 폴리머를 용해시키는 단계 및 상기 기판의 표면 위에 상기 순수를 공급함으로써 상기 기판에서 상기 약액을 린스하는 단계를 반복하여 수행하는 폴리머의 제거장치.
  25. 제17항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄층인 폴리머의 제거장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 알루미늄층은 구리를 함유하는 폴리머의 제거장치.
  27. 제17항에 있어서, 상기 금속층 상에 배리어층이 형성되는 폴리머의 제거장치.
  28. 제17항에 있어서, 상기 약액공급원은 불화암모늄을 포함하는 폴리머의 제거장치.
  29. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산화성분위기는 산소를 도입하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리머의 제거방법.
  30. 기판에 형성된 에칭된 금속층의 측벽에 부착된 폴리머를 제거하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 기판의 표면에 약액을 공급하여 상기 폴리머를 용해시키는 단계; 및
    (b) 상기 기판의 표면에 순수를 공급하여 상기 기판에서 상기 약액을 린스하는 단계를 포함하며,
    상기 단계(a)의 적어도 일부는 산화성분위기에서 수행되어 상기 에칭된 금속층 상에 산화에 의한 측벽을 형성하는 폴리머의 제거방법.
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