KR19990035508A - 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법 - Google Patents

반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법 Download PDF

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윤종용
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Abstract

본 발명은 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법에 관한 것이다.
본 발명은, 오존(O3)수 세정공정; 상기 오존수 세정공정을 거친 후 SC-1(Standard Cleaning-1) 세정공정; 상기 SC-1 세정공정을 거친 후 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 세정공정; 상기 HQDR 세정공정을 거친 후 최종수세(F/R : Final Rinse)공정; 및
상기 최종수세조 세정공정을 거친 후 이소프로필알콜 증발건조(I/D : Isoprophyl Alchol Vapor Dry) 공정을 순서적으로 수행하여 이루어진다.
따라서, 식각공정이 끝난 후 잔량으로 남아있는 포토레지스트 및 폴리머를 완전히 제거할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법
본 발명은 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법에 관한 것이다.
광미세가공기술(Photo Lithography)은 반도체 집적회로의 원하는 회로를 미세하게 가공하여 고집적도를 달성하는 반도체 제조의 핵심기술이다. 광미세가공기술에서 포토레지스트는 빛에 의해 화학반응이 일어나 일반적으로 용해도 따위가 변화되는 감광성 고분자이다. 즉, 미세회로가 그려진 포토마스크를 통하여 빛이 조사된 부분에서 화학반응이 일어나 빛이 조사되지 않은 부분에 비하여 더욱 가용성이 되거나 또는 불가용성이 되어 이를 적당한 현상액으로 현상하면 각각 포지티브 또는 네가티브형 미세패턴이 형성된다.
현재 광미세가공기술은 광원에 따라 16Mb DRAM, 64Mb DRAM, 나아가서 256Mb 및 1Gb DRAM 이상의 반도체소자 제조공정에 이용되고있다. 상기와 같이 반도체의 집적도를 증가시키려면 최소미세회로선폭(minimum feature size)의 해상도를 대폭 향상시켜야 한다. 그러므로, 광원의 종류에 따라 상기와 같은 해상도를 갖는 포토레지스트는 반도체소자 제조공정의 핵심적인 기술재료이다. 따라서, 상기 포토레지스트에 맞는 제거공정의 개발도 더불어 중요하다. 상기 포토레지스트의 정확한 제거는 다음 공정에 민감하게 영향을 미치므로 상당히 중요하다.
도1은 종래의 방법에 의한 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법을 보여주는 공정 순서도이다.
도1에서 보는 바와 같이 처음은 웨트스테이션의 로더에 포토레지스트가 도포되고 광미세가공기술에 의해 포토레지스트 패턴이 형성되고 상기 포토레지스트패턴을 식각마스크로 식각하여 패턴이 형성되어 있는 웨이퍼가 적재되어 있는 웨이퍼 카세트가 적재되면, 상기 카세트는 핸들러에 의해 황산(H2SO4)와 과산화수소(H2O2)가 중량비 6 : 1 로 혼합된 혼합물이 담긴 케미컬배쓰로 옮겨져 포토레지스트가 제거되는 공정(2)이 수행된다. 다음 상기 포토레지스트 제거공정(2)를 수행한 카세트는 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 세정공정(4)으로 HQDR 배쓰로 옮겨져 탈이온수의 샤워(Shower) 및 오버플로어(Over Flow) 등을 통해 상기 웨이퍼를 세정한다. 다음은 암모니아(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 탈이온수가 차례로 중량비 0.2 : 1 : 10 로 혼합된 혼합물이 담긴 케미컬배쓰로 옮겨져 파티클 및 유기물을 세정하는 SC-1(Standard Cleaning-1) 세정공정(6)를 거친다. 다음은 다시 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 세정공정(8)으로 HQDR 배쓰로 옮겨져 탈이온수의 샤워(Shower) 및 오버플로어(Over Flow) 등을 통해 상기 웨이퍼를 세정한다. 다음은 상기 웨이퍼 건조 직전의 세정공정인 최종수세(Final Rinse)공정(10)은 다시 한번 탈이온수로 상기 웨이퍼를 세정한다. 다음은 이소프로필알콜(IPA)이 담긴 배쓰에 상기 카세트를 담구었다가 꺼내 상기 이소프로필알콜의 고증발성을 이용하여 상기 웨이퍼표면의 수분을 건조시키는 이소프로필알콜 증발 건조(I/D : Isoprophyl Alchol Vapor Dry)공정(12)을 거친다. 다음 카세트는 언로더(Unloader)로 옮겨져 전공정을 마감한다.
현재 사용중인 상기와 같은 제거공정을 거친 포토레지스트의 제거방법은 제거공정이 끝난 후 패턴의 밑바닥에 제거되지 않고 남아있는 잔량의 포토레지스트와 폴리머를 관찰할 수 있다. 상기와 같은 잔량은 다음 공정에 민감하게 악영향을 미치는 문제점을 일으켜 왔다. 또한, 상기 공정에 사용되는 H2SO4및 H2O2는 강산성의 화학약품으로 환경적인 측면, 고온으로 인한 장비의 부식과 안전측면 및 비용측면에 의한 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 포토레지스트의 패턴을 식각마스크로 하여 식각공정이 끝난 후 잔량으로 남아있는 포토레지스트 및 폴리머 제거공정 수행시 상기 포토레지스트 및 폴리머의 완벽한 제거방법을 제공하는데 있다.
도1은 종래의 방법에 의한 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법을 보여주는 공정 순서도이다.
도2는 본 발명에 의한 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법을 보여주는 공정 순서도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 ; 오존수 세정공정 22 ; SC-1 세정공정
24 ; HQDR 세정공정 26 ; 최종수세공정
28 ; 이소프로필알콜 증발 건조공정
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법은 오존수 세정공정을 수행하여 이루어진다.
상기 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법은 오존수 세정공정 다음에 SC-1 세정공정을 수행하는 것이 바람직하다.
상기 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법은, 오존수 세정공정, 상기 오존수 세정공정을 거친 후 HQDR 세정공정, 상기 HQDR 세정공정을 거친 후 SC-1 세정공정을 수행하는 것이 바람직하다.
상기 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법은, 상기 오존수 세정공정을 거친 후 SC-1 세정공정, 상기 SC-1 세정공정을 거친 후 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 공정, 상기 HQDR 세정공정을 거친 후 최종수세(F/R : Final Rinse)공정 및 상기 최종수세조 세정공정을 거친 후 이소프로필알콜 증발 건조(I/D : Isoprophyl Alchol Vapor Dry)공정을 순서적으로 수행하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2는 본 발명에 의한 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법을 보여주는 공정 순서도이다.
도2에서 보는 바와 같이 처음은 웨트스테이션의 로더에 포토레지스트가 도포되고 광미세가공기술에 의해 포토레지스트 패턴이 형성되고 상기 포토레지스트패턴을 식각마스크로 식각하여 패턴이 형성되어 있는 웨이퍼가 웨이퍼 카세트가 적재되면 상기 카세트는 핸들러에 의해 오존(O3)수가 담긴 케미컬배쓰로 옮겨져 포토레지스트가 제거되는 공정(20)이다. 다음 상기 포토레지스트 제거공정(20)를 수행한 카세트는 암모니아(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 탈이온수가 차례로 중량비 0.2 : 1 : 10 로 혼합된 혼합물이 담긴 케미컬배쓰로 옮겨져 파티클 및 유기물을 세정하는 SC-1(Standard Cleaning-1) 세정공정(22)를 거친다. 다음은 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 세정공정(24)으로 HQDR 배쓰로 옮겨져 탈이온수의 샤워(Shower) 및 오버플로어(Over Flow) 등을 통해 상기 웨이퍼를 세정한다. 다음은 상기 웨이퍼 건조 직전의 세정공정인 최종수세(Final Rinse)공정(26)으로 탈이온수로 상기 웨이퍼를 세정한다. 다음은 이소프로필알콜(IPA)이 담긴 배쓰에 상기 카세트를 담구었다가 꺼내 상기 웨이퍼를 상기 이소프로필알콜의 고증발성을 이용하여 상기 웨이퍼표면의 수분을 건조시키는 이소프로필알콜 증발건조(I/D : Isoprophyl Alchol Vapor Dry) 공정(28)을 거친다. 다음 카세트는 언로더(Unloader)로 옮겨져 전공정을 마감한다.
상기와 같은 공정을 거친 웨이퍼는 잔량의 포토레지스트 및 폴리머가 없는 깨끗한 패턴이 형성되었다.
상기와 같은 순서에 의한 공정방법은 반도체 장치 제조방법과 유사한 LCD(Liquid Crystal Display) 제조공정에도 적용되는 것은 바람직하다.
따라서, 본 발명에 의하면 상술한 바와 같이 종래의 공정순서인 황산(H2SO4) 수용액 세정공정, HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 세정공정, SC-1 세정공정, HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 세정공정, 최종수세(F/R : Final Rinse)공정 및 이소프로필알콜 건조(I/D : Isoprophyl Alchol Dry) 공정에서 본 발명의 공정순서인 오존(O3)수 세정공정, SC-1 세정공정, HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 세정공정, 최종수세조(F/R : Final Rinse) 세정공정 및 이소프로필알콜 증발 건조(I/D : Isoprophyl Alchol Vapor Dry)공정으로 변경하므로써 식각공정이 끝난 후 잔량으로 남아 있는 포토레지스트 및 폴리머를 완전히 제거하는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (6)

  1. 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머의 제거방법에 있어서,
    오존(O3)수 세정공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 오존(O3)수 세정공정 다음에 SC-1(Standard Cleaning -1) 세정공정을 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 오존(O3)수 세정공정 다음에 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 세정공정; 및
    SC-1(Standard Cleaning -1) 세정공정을 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 SC-1(Standard Cleaning -1) 세정공정 다음에 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 세정공정;
    상기 HQDR 세정공정을 거친 후 최종수세(F/R : Final Rinse)공정; 및
    상기 최종수세조 세정공정을 거친 후 이소프로필알콜 증발 건조(I/D : Isoprophyl Alchol Vapor Dry) 공정;
    을 순서적으로 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 및 폴리머의 하부층은 산화막, 폴리막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 및 폴리머의 하부층은 금속막인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법.
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