KR970052747A - 반도체 소자 제조용 감광막 현상 방법 - Google Patents
반도체 소자 제조용 감광막 현상 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자 제조용 감광막 현상방법에 관한 것으로, 현상액에 함유된 유기물 성분을 완전히 제거하기 위하여 현상 공정후 오존(O3)기포가 발생되는 순수(DI)를 이용하여 세정시키므로서 후속 공정에서 유기물의 잔류로 인해 발생되는 불량을 방지하여 소자의 수율이 향상될 수 있도록 한 반도체소자 제조용 감광막 현상방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (3)
- 소정의 층이 형성된 웨이퍼상에 감광막을 도포하고, 소정의 마스크를 이용하여 상기 감광막을 노광시킨 후 상기 노광된 감광막을 현상시키기 위한 반도체소자 제조용 감광막 현상방법에 있어서, 상기 웨이퍼를 회전시키면서 상기 웨이퍼상에 현상액이 공급되도록 하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 감광막의 현상이 완료되면, 상기 현상액에 함유된 유기물 성분을 제거하기 위한 오존(O3)기포가 발생되는 순수(DI)를 이용하여 상기 웨이퍼의 표면을 1차 세정시키는 단게와, 상기 단계로부터 세정 효과를 증대시키기 위하여 순수 (DI)를 이용하여상기 웨이퍼의 표면을 2차세정시킨 후 상기 웨이퍼의 표면을 건조시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 감광막 현상 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 세정공정은 20 내지 40초동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 감광막 현상방법.
- 제1항에 있어서, 상기 오존(O3)기포가 발생되는 순수(DI)의 농도는 1내지 2PPM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감광막 현상 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065648A KR970052747A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자 제조용 감광막 현상 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065648A KR970052747A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자 제조용 감광막 현상 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052747A true KR970052747A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66622688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950065648A KR970052747A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자 제조용 감광막 현상 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052747A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990035508A (ko) * | 1997-10-31 | 1999-05-15 | 윤종용 | 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법 |
| KR20010085421A (ko) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 가네꼬 히사시 | 레지스트현상방법 |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065648A patent/KR970052747A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990035508A (ko) * | 1997-10-31 | 1999-05-15 | 윤종용 | 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법 |
| KR20010085421A (ko) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 가네꼬 히사시 | 레지스트현상방법 |
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