KR20010085421A - 레지스트현상방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 레지스트현상방법은 웨이퍼기판상에 레지스트막을 도포하는 단계, 이 레지스트막을 사전설정된 패턴으로 노광하는 단계, 이 레지스트막의 노광부를 알칼리용액으로 제거하는 단계, 및 이 패턴화된 레지스트막을 오존수로 세정하는 단계를 포함하고 있다.

Description

레지스트현상방법{Resist Development Method}
본 발명은 레지스트현상방법에 관한 것으로서, 특히 레지스트 및 현상액과 레지스트의 혼합물등의 레지스트패턴상에의 점착을 방지할 수 있는 레지스트현상방법에 관한 것이다.
화학증폭형레지스트의 해상력을 높이기 위하여, 종래의 레지스트현상방법들은 반도체웨이퍼에 도포된 레지스트막의 노광부와 미노광부 사이의 용해속도 차이를 높게 유지하기 위한 방법을 포함하고 있다. 이와같이 높은 해상력을 갖는 레지스트는 미노광부에서의 소수성이 높게된다. 종래의 레지스트현상방법에 있어서, 노광부는 알칼리현상액에 의해 제거되었다. 이 경우에, 비이온수에 의한 세정이 제거후에 채용되어 지면, 용해된 레지스트, 알칼리현상액, 비이온수, 및 그들의 혼합물들은 완전하게 세정되지 않고 레지스트의 미노광부에 점착되어 결함을 야기한다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 예를 들면, 일본공개특허공보 제9-219385호(이하, "종래예"라 칭한다)는 유기알칼리계용액으로 포토레지스트막을 박리한 후 헹굼처리를 함에 있어서 희석산성용액이 잔유알칼리에 기인되는 배선의 부식을 방지하는데 사용되는 기술을 개시하고 있다.
알칼리현상액에 의한 노광부제거의 상술한 경우에 있어서, 제거 후 비이온수에 의한 세정이 행해진다면, 용해된레지스트, 알칼리현상액, 비이온수, 및 그들의 혼합물들은 완전하게 세정되지 않고 레지스트의 미노광부에 점착하여 결함을 일으킨다. 또한, 상술한 종래예에 있어서, 희석산성용액을 사용하는 중화기술에 있어서의 문제점이 발생한다.
본 발명의 목적은 이러한 문제점들을 해결하고, 레지스트, 현상액 및 레지스트의 혼합물등과 같은 것들의 레지스트패턴에의 점착을 피할 수 있는 레지스트현상방법 및 레지스트현상장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예를 설명하는 흐름도;
도 2는 도 1에 도시된 동작을 수행하기 위한 장치의 블록도;
도 3a 내지 도 3c는 웨이퍼기판 상에서 도 1에 도시된 취급단계들을 설명하는 단면도들;
도 4는 도 2에 도시된 오존수를 생성하기 위한 장치의 블록도;
도 5a 및 도 5b는 도 4에 도시된 장치에 의한 취급의 효과들을 설명하는 그래프들; 및
도 6은 본 발명의 효과들을 설명하는 그래프이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 알칼리현상액공급장치 2 : 오존수공급장치
3 : 웨이퍼처리장치 4 : 흡착/회전장치
10 : 웨이퍼기판 11 : 소수성레지스트
12 : 레지스트표면 13 : 레지스트
14 : 레지스트혼합물 15 : 알칼리현상액
16 : 오존수 20 : 오존발생부
21 : 오존용해모듈 22 : 밸브
본 발명의 레지스트현상방법은 웨이퍼기판상에 레지스트막을 도포하는 단계, 사전설정된 패턴으로 레지스트막을 노광하는 단계, 알칼리용액으로 레지스트막의 노광부를 제거하는 단계, 및 패턴화된 레지스트막을 오존수로 세정하는 단계를 포함한다.
본 발명의 상술한 목적 및 다른목적들, 그리고 구성 및 이점들을 첨부한 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예를 설명하는 레지스트현상방법의 흐름도이다. 우선, 단계 S1에서, 레지스트막이 통상의 취급기술에 의해 반도체웨이퍼기판(10)에 도포되고, 사전설정된 패턴으로 노광되며, 노광후 열처리가 된다. 두 번째로, 단계 S2에서, 현상액이 노광 및 노광후 열처리에 의한 알칼리용액과의 화학반응에 의해 용융가능하도록 만들어진 레지스트막의 노광부를 용해하기 위하여 노광 및 노광후 열처리된 레지스트막상에 올려진다. 다음, 단계 S3에서, 레지스트막패턴을 세정하기 위하여 레지스트막의 현상된 패턴상에 오존수를 떨어뜨린다. 또한, 단계 S4에서, 세정된 웨이퍼기판은 흡착 및 회전장치에 탑재되고 현상액, 용해된 레지스트, 및 그들의 혼합물을 웨이퍼기판으로부터 제거하고 레지스트패턴을 세정하기 위하여 회전된다.
비록 세정에 사용된 오존수의 오존농도가 약 15ppm이 되도록 제어되지만, 더 낮은 농도(약 5ppm만큼 낮은)의 오존수도 효과적이다. 이 오존농도는 5ppm으로부터 20ppm의 범위에 있는 것이 바람직하다. 요약하면, 세정효과는 오존수농도와 처리기간의 관계에 의존되는 것으로 생각되고, 따라서 오존농도가 얇다면, 처리기간을 길게 함으로서 유사하게 높은 효과를 얻을 수 있다.
도 2는 이 실시예에 사용된 레지스트현상장치의 블록도이다. 이 장치는 웨이퍼기판(10)에 도포된 레지스트의 노광 후 알칼리현상액으로 노광부를 제거하기 위한 알칼리현상액공급장치(1), 웨이퍼기판(10)상의 알칼리현상액으로 제거된 레지스트막을 오존수로 세정하기 위한 오존수공급장치(2), 및 웨이퍼기판(10)을 흡착 및 회전하기 위한 흡착/회전장치(4)를 구비하는 웨이퍼처리장치(3)를 포함하고 있다.
도 3a 내지 도 3c는 이 실시예의 웨이퍼기판(10)의 처리상태들을 처리단계들의 순서대로 설명하는 단면도들이다. 우선, 도 3a는 소수성레지스트(11)가 웨이퍼기판(10)상에 도포되고, 이 레지스트(11)가 사전설정된 패턴으로 노광되며, 이 레지스트(11)가 알칼리현상액(15)을 도포함에 의해 용해되는 상태를 보여준다. 이 경우에 있어서, 용해된 레지스트(13)는 소수성레지스트(11) 가운데 그대로 남는다. 이러한 상태 하에서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 비록 알칼리현상액(15)이 제거 되지만, 용해된 레지스트(13) 및 알칼리현상액(15)을 포함하는 레지스트혼합물(14)은기판(10)상의 소수성레지스트(11)에 남는다. 그러므로, 도 3c에 도시된 바와 같이, 남아 있는 레지스트혼합물을 세정하기 위하여 남이 있는 레지스트혼합물을 포함하는 레지스트(11)상에 오존수를 떨어뜨린다. 이 경우에, 소수성레지스트(11)의 레지스트표면(12)은, 이하에 기재되는 바와 같이, 소수성이 저감되고 오존수(16)에 의한 OH에 기인하여 친수성으로 되기 때문에, 레지스트혼합물(14)이 레지스트패턴에 점착없이 제거될 수 있다.
즉, 시판되고 있는 오존수생성장치(2)는 두 방법 중 하나를 채택하고 있고, 이 두 방법들 모두 물(H2O)에 오존(O3)가스를 용해하는 것을 포함하고 있으나 그들의 용해방법에 있어 차이가 있다. 하나는 용해모듈의 사용을 포함하고 있고 도 4는 이 구조를 보여준다. 가스용해막을 통해 O3가스가 H2O에 용해된다. 가스용해막이 액체에는 불투과성이고 단지 가스에만 투과성이기 때문에, O3가스는 용해막을 통과하고 이 막의 양면상에 접촉하도록 H2O 및 O3가스를 공급함에 의해 H2O속에 용해되며 이러한 현상에 의해 O3용해수가 생성될 수 있다. 한편, 다른 방법은 H2O가 압축펌퍼에 의해 압축되어 진공상태로 된 다음 고농도의 O3가스를 H2O속으로 도입하여 O3를 H2O에 혼합하는 소위 이젝트방법이라 불리우는 방법이다.
또한, O3가스를 생성하기 위한 두 방법들이 가능하다. 하나는 H2O의 전기분해방식이다. 통상의 H2O전기분해에 의하면, 산소와 수소가 생성된다. 그러나, 산소 대신 O3가스를 발생할 수 있는 전해촉매 및 전해질을 사용함에 의해 O3가스가 산소 대신 생성될 수 있다. 다른 방법은 교류고압이 인가되는 전극들 사이에 산소를 통과시킴에 의해 O3가스를 생성하는 무성방전방법이다.
도 4는 오존수생성장치(2)의 일실시예에 대한 블록도이다. 이 장치(2)는 밸브(22)를 통해 오존발생부(20)안으로 도입된 H2O의 전기분해에 의해 H2가스 및 O3가스를 발생하고, 수소연소촉매부(23)안에서 H2가스를 연소하며, 오존용해모듈(21)에 의해 가스용해막을 통해 H2O에 O3가스를 용해한다.
이 예에 있어서, 현상액은 노광 및 노광 후 열처리에 의한 알칼리용액과의 화학반응에 의해 용융가능하도록 만들어진 레지스트노광부를 용해하기 위하여 노광 및 노광후 열처리된 레지스트막상에 올려진다. 또한, 오존수는 현상된 레지스트패턴상에 떨어지고 웨이퍼는 현상액, 용해된 레지스트, 및 그들의 혼합물을 웨이퍼로부터 제거하기 위하여 회전된다.
이 경우에, 레지스트는 노광 및 노광후 열처리에 의한 화학반응에 의해 노광부 및 미노광부 사이의 용해속도의 차이가 제공됨에 의해 패턴화된다.
특히, 화학증폭형 포지티브레지스트는 알칼리용해성수지인 폴리하이드록시스티렌(polyhydroxystyrene)을 부분적으로 높은 소수성을 갖는 t-BOC(tert-butoxycarbonyl)로 대체함에 의해 알칼리용액에 용해되지 않도록 만들어진다.
구체적으로, 노광 또는 노광 및 노광후열처리(PEB)에 의해, t-BOC와 같은 치환기는 폴리하이드록시스티렌(polyhydroxystyrene)으로부터 분리되고 광조사를 받는 부분은 알칼리용해성으로 된다. 일반적으로, KrF 화학증폭계레지스트는 보호기를 갖는 수지, 산발생제, 및 첨가제로 이루어지고, 이 레지스트수지(PHS 또는 폴리하이드록시스티렌)는 말단(표면)에 있어서 OH에 기인하여 친수성이고 전체수지의 20% 내지 40%로 H기를 소수성보호기 t-BOC로 대체함에 의해 소수성의 레지스트로 변경될 수 있다.
이 레지스트는 웨이퍼기판상에 피칙되고, 노광을 위한 광에 의해 산발생제로부터 산이 발생되어 수지의 보호기와 반응하고 이 보호기는 수지로부터 탈리된다. 이러한 방법으로, 노광광의 주사를 받는 부분은 보호기의 탈리에 기인하여 친수성으로 되고, 노광광이 주사되지 않는 부분은 보호기에 기인하여 소수성인 채로 유지된다. 보호기가 탈리되지 않은 부분은 현상액에 용해되지 않고, 보호기가 탈리된 부분은 용해된다. 이처름, 레지스트상은 이러한 용해콘트라스트에 기초하여 형성될 수 있다.
보호기의 특성은 1)소수성이고, 2)산과의 반응에 의해 수지로부터의 탈리성이 있다. 도 5a 및 도 5b는 결함수와 보호율 사이의 관계 및 해상력과 보호율 사이의 관계를 설명하는 그래프들이다. 즉, 보호율이 증가하면, 특정보호율 이상에서 결함수가 급격히 증가하고, 반대로 보호율이 특정율 미만이면, 결함수가 급격히 감소하는 것으로 나타났다. 한편, 해상력은 보호율의 증가에 따라 더 높게되고 보호율에 비례하여 순차 증가된다. 결과적으로, 보호율을 결함수가 급격히 증가하는 특정값 보다 약간 적게 설정함에 의해, 해상력을 소정레벨로 유지하면서 결함수를 줄일 수가 있다.
도 6은 오존수로 헹굼처리함에 의한 결함수의 차이에 대한 그래프로서 본 발명의 효과를 설명하고 있다. 즉, 이 그래프는 저해상력레지스트 및 고해상력레지스트들 A, B, C 각각을 사용한 경우에 있어서, 오존수로 헹굼처리를 한 경우와 하지않은 경우의 개구불량결함수 및 기타 결함수를 조사한 결과를 보여주고 있다. 이 조사에 있어서, 저해상력레지스트를 사용한 경우에 있어서는 개구불량결함수가 오존수로 헹굼처리를 한 경우나 하지 아니한 경우 모두 단지 한 개였다. 한편, 고해상력레지스트들(A, B, C)을 사용한 경우에 있어서는, 개구불량결함수가 헹굼처리를 하지 않았을 때 각각 696, 230, 및 451이었으나, 오존수로 헹굼처리를 한 경우에 개구불량결함수는 각각 2, 1, 및 4로 감소되었다. 표면찌꺼기와 같은 다른 결함수도 모든 경우에 있어서 약 3 내지 10이었다. 결과적으로, 오존수에 의한 헹굼처리가 개구불량결함을 감소하는데 효과적이였다는 것이 명백하게 되었다.
상술한 바와 같이, 본 발명에따르면, 패턴으로 형성된 레지스트막의 노광된 레지스트부분이 용해되고 이 용해된 레지스트가 오존수로 세정되기 때문에, 레지스트의 표면층의 소수성이 저감되고, 이 용해된 레지스트, 알칼리현상액, 및 그들의 혼합물이 레지스트패턴에 점착됨이 없이 제거될 수가 있다.
비록 본 발명은 특정의 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 이 설명이 본 발명의 구성을 제한하는 의미는 아니다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 개시된 실시예의 다양한 변경이 이루어질 수 있음은 자명하다.따라서, 특허청구의 범위는 본 발명의 범위내에서 어떤 변경들이나 다른 실시예들도 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 레지스트현상방법에 있어서,
    웨이퍼기판상에 레지스트막을 도포하는 단계;
    상기 레지스트막을 사전설정된 패턴으로 노광하는 단계;
    상기 레지스트막의 노광부를 알칼리용액으로 제거하는 단계; 및
    상기 패턴화된 레지스트막을 오존수로 세정하는 단계를 포함하는 레지스트현상방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오존수의 오존농도는 5ppm으로부터 20ppm의 범위내에 있도록 제어되는 것을 특징으로 하는 레지스트현상방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 오존수로 세정하는 단계는 세정을 위한 상기 레지스트막상에 오존수를 떨어뜨림에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 레지스트현상방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 레지스트현상방법은 상기 오존수로 세정 후 상기 웨이퍼기판을 회전하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트현상방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 레지스트막은 화학증폭계레지스트인 것을 특징으로 하는 레지스트현상방법.
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