JP2001244164A - レジスト現像方法およびレジスト現像装置 - Google Patents
レジスト現像方法およびレジスト現像装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】レジスト、現像液レジストの混合物などが半導
体基板上のレジストパターンへの付着を防ぐようにす
る。 【解決手段】ウェハ基板上にレジストパターンを形成す
る際に、前記ウェハ基板上に塗布されたレジスト膜を露
光後（Ｓ１）、可溶性となったレジスト膜の露光部をア
ルカリ現像液で除去したのち（Ｓ２）、パターン形成さ
れたレジスト膜をオゾン水で洗浄することにより（Ｓ
３）、除去したレジスト、現像液レジストの混合物など
のレジストパターン上への付着を防ぐことを特徴とす
る。
体基板上のレジストパターンへの付着を防ぐようにす
る。 【解決手段】ウェハ基板上にレジストパターンを形成す
る際に、前記ウェハ基板上に塗布されたレジスト膜を露
光後（Ｓ１）、可溶性となったレジスト膜の露光部をア
ルカリ現像液で除去したのち（Ｓ２）、パターン形成さ
れたレジスト膜をオゾン水で洗浄することにより（Ｓ
３）、除去したレジスト、現像液レジストの混合物など
のレジストパターン上への付着を防ぐことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト現像方法お
よびレジスト現像装置に関し、特にレジスト、現像液レ
ジストの混合物などのレジストパターン上への付着を防
ぐようにしたレジスト現像方法およびレジスト現像装置
に関する。
よびレジスト現像装置に関し、特にレジスト、現像液レ
ジストの混合物などのレジストパターン上への付着を防
ぐようにしたレジスト現像方法およびレジスト現像装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレジスト現像方法として、化学増
幅型レジストの解像力を上げるためには、半導体ウェハ
上に塗布されたレジスト膜の露光部と未露光部の溶解速
度の差を大きくもたせるという方法がある。これにより
高い解像力を持ったレジストは、未露光部の疎水性は高
くなる。従来のレジスト現像方法では、アルカリ現像液
による露光部の除去が行われていた。この場合、その後
の非イオン水による洗浄を用いた場合、溶解したレジス
ト、アルカリ現像液、非イオン水、それらの混合物など
がすべて洗浄されずレジスト未露光部に付着し欠陥とな
る。
幅型レジストの解像力を上げるためには、半導体ウェハ
上に塗布されたレジスト膜の露光部と未露光部の溶解速
度の差を大きくもたせるという方法がある。これにより
高い解像力を持ったレジストは、未露光部の疎水性は高
くなる。従来のレジスト現像方法では、アルカリ現像液
による露光部の除去が行われていた。この場合、その後
の非イオン水による洗浄を用いた場合、溶解したレジス
ト、アルカリ現像液、非イオン水、それらの混合物など
がすべて洗浄されずレジスト未露光部に付着し欠陥とな
る。
【０００３】この問題を解決するために、例えば、特開
平９―２１９３８５号公報（以下従来例という）では、
有機アルカリ系溶液でフォトレジスト膜を剥離した後の
リンス処理において、残留アルカリによる配線の腐食を
防止するために、希釈酸性溶液によりリンスする技術が
示されている。
平９―２１９３８５号公報（以下従来例という）では、
有機アルカリ系溶液でフォトレジスト膜を剥離した後の
リンス処理において、残留アルカリによる配線の腐食を
防止するために、希釈酸性溶液によりリンスする技術が
示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したアルカリ現像
液により露光部を除去した場合、その後の非イオン水に
よる洗浄を用いた場合、溶解したレジスト、アルカリ現
像液、非イオン水、それらの混合物などがすべて洗浄さ
れずレジスト未露光部に付着し欠陥となる。また、上記
従来例の場合、希釈酸性溶液による中和技術が問題とな
る。
液により露光部を除去した場合、その後の非イオン水に
よる洗浄を用いた場合、溶解したレジスト、アルカリ現
像液、非イオン水、それらの混合物などがすべて洗浄さ
れずレジスト未露光部に付着し欠陥となる。また、上記
従来例の場合、希釈酸性溶液による中和技術が問題とな
る。
【０００５】本発明の目的は、これらの問題を解決し、
レジスト、現像液レジストの混合物などのレジストパタ
ーン上への付着を防ぐようにしたレジスト現像方法およ
びレジスト現像装置を提供することにある。
レジスト、現像液レジストの混合物などのレジストパタ
ーン上への付着を防ぐようにしたレジスト現像方法およ
びレジスト現像装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト現像方
法の構成は、ウェハ基板上にレジストパターンを形成す
る際に、前記ウェハ基板上に塗布されたレジスト膜を露
光後、可溶性となったレジスト膜の露光部をアルカリ現
像液で除去したのち、パターン形成されたレジスト膜を
オゾン水で洗浄することにより、除去したレジスト、現
像液レジストの混合物などのレジストパターン上への付
着を防ぐようにしたことを特徴とする。
法の構成は、ウェハ基板上にレジストパターンを形成す
る際に、前記ウェハ基板上に塗布されたレジスト膜を露
光後、可溶性となったレジスト膜の露光部をアルカリ現
像液で除去したのち、パターン形成されたレジスト膜を
オゾン水で洗浄することにより、除去したレジスト、現
像液レジストの混合物などのレジストパターン上への付
着を防ぐようにしたことを特徴とする。
【０００７】本発明において、レジスト膜が、化学増幅
型レジストであり、パターン形成された疎水性のレジス
ト膜に、オゾン水が滴下されることにより、そのレジス
ト膜表面が親水性になり、溶解したレジストやアルカリ
現像液のどの混合物が容易に除去されるようにすること
ができる。
型レジストであり、パターン形成された疎水性のレジス
ト膜に、オゾン水が滴下されることにより、そのレジス
ト膜表面が親水性になり、溶解したレジストやアルカリ
現像液のどの混合物が容易に除去されるようにすること
ができる。
【０００８】また、本発明のレジスト現像装置の構成
は、ウェハ基板上に塗布されたレジスト膜を露光後、そ
の露光部をアルカリ現像液で除去するアルカリ現像液供
給装置と、前記アルカリ現像液で除去したレジスト膜を
オゾン水で洗浄するオゾン水供給装置と、そのオゾン水
で洗浄したウェハ基板を脱水する回転装置とをを備えた
ことを特徴とする。
は、ウェハ基板上に塗布されたレジスト膜を露光後、そ
の露光部をアルカリ現像液で除去するアルカリ現像液供
給装置と、前記アルカリ現像液で除去したレジスト膜を
オゾン水で洗浄するオゾン水供給装置と、そのオゾン水
で洗浄したウェハ基板を脱水する回転装置とをを備えた
ことを特徴とする。
【０００９】本発明において、オゾン水供給装置は、水
を電気分解して水素とオゾンとを発生させ、オゾン溶解
モジュールを用いて前記水に発生したオゾンを溶解させ
るものとすることができる。
を電気分解して水素とオゾンとを発生させ、オゾン溶解
モジュールを用いて前記水に発生したオゾンを溶解させ
るものとすることができる。
【００１０】さらに、本発明において、洗浄するオゾン
水の濃度は、５ｐｐｍ以上とすることができる。
水の濃度は、５ｐｐｍ以上とすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に図面により本発明を詳細に説
明する。図１は本発明の一実施形態を説明するレジスト
現像方法のフロー図である。まづ、ステップＳ１で、通
常の処理技術に従って半導体ウェハ基板（１０）上にレ
ジスト膜を塗布し、このレジスト膜を所定パターンで露
光し、その露光後の熱処理をする。次にステップＳ２
で、このレジスト膜の露光および露光後の熱処理をされ
たレジスト膜上に現像液を盛る。この露光と露光後の熱
処理による化学反応で可溶となったレジスト膜の露光部
をアルカリ液によって溶解させる。次にステップＳ３
で、現像されたレジスト膜のパターン上にオゾン水を滴
下し洗浄する。さらにステップＳ４で、洗浄したウェハ
基板を吸着・回転装置に取次け回転させることにより、
現像液、溶解したレジスト、それらの混合物などをウェ
ハ基板上から除去し、レジストパターンを清浄化する。
明する。図１は本発明の一実施形態を説明するレジスト
現像方法のフロー図である。まづ、ステップＳ１で、通
常の処理技術に従って半導体ウェハ基板（１０）上にレ
ジスト膜を塗布し、このレジスト膜を所定パターンで露
光し、その露光後の熱処理をする。次にステップＳ２
で、このレジスト膜の露光および露光後の熱処理をされ
たレジスト膜上に現像液を盛る。この露光と露光後の熱
処理による化学反応で可溶となったレジスト膜の露光部
をアルカリ液によって溶解させる。次にステップＳ３
で、現像されたレジスト膜のパターン上にオゾン水を滴
下し洗浄する。さらにステップＳ４で、洗浄したウェハ
基板を吸着・回転装置に取次け回転させることにより、
現像液、溶解したレジスト、それらの混合物などをウェ
ハ基板上から除去し、レジストパターンを清浄化する。
【００１２】なお、この洗浄の際のオゾン水の濃度は１
５ｐｐｍ程度としたが、もっと薄い濃度（５ｐｐｍ程
度）でも、効果があると思われる。要は、オゾン水濃度
と処理時間の関係と思われるので、オゾン濃度が薄くて
も処理時間を長くすれば同様の効果が得られる。
５ｐｐｍ程度としたが、もっと薄い濃度（５ｐｐｍ程
度）でも、効果があると思われる。要は、オゾン水濃度
と処理時間の関係と思われるので、オゾン濃度が薄くて
も処理時間を長くすれば同様の効果が得られる。
【００１３】図２は本実施形態に用いられるレジスト現
像装置のブロック図である。この装置は、ウェハ基板１
０上に塗布されたレジスト膜を露光後、その露光部をア
ルカリ現像液で除去するアルカリ現像液供給装置１と、
ウェハ基板１０のアルカリ現像液で除去されたレジスト
膜などをオゾン水で洗浄するオゾン水供給装置２と、ウ
ェハ基板１０を吸着回転させる吸着回転装置４を含むウ
ェハ処理装置３とから構成される。
像装置のブロック図である。この装置は、ウェハ基板１
０上に塗布されたレジスト膜を露光後、その露光部をア
ルカリ現像液で除去するアルカリ現像液供給装置１と、
ウェハ基板１０のアルカリ現像液で除去されたレジスト
膜などをオゾン水で洗浄するオゾン水供給装置２と、ウ
ェハ基板１０を吸着回転させる吸着回転装置４を含むウ
ェハ処理装置３とから構成される。
【００１４】また、図３は本実施形態のウェハ基板１０
の処理状態を工程順に説明する断面図である。まず、図
３（ａ）はウェハ基板１０上に疎水性のレジスト１１を
塗布し、このレジスト１１を所定パターンに露光してア
ルカリ現像液１５を付着させてレジスト１１を溶解させ
た状態である。この場合、疎水性のレジスト１１の間に
溶解したレジスト１３がある。この状態で、図３（ｂ）
のように、アルカリ現像液１５を脱水させるが、基板１
０上の疎水性のレジスト１１上には、溶解したレジスト
（１３）やアルカリ現像液（１５）を含むレジスト混合
物１４が残存することになる。そこで、図３（ｃ）のよ
うに、レジスト混合物１４の残存したレジスト１１上に
オゾン水１６を滴下し、洗浄する。この場合、オゾン水
１６により疎水性のレジスト１１のレジスト表面１２
は、後述のように疎水性が低減されＯＨによる親水性と
なるので、レジスト混合物１４がレジストパターンへ付
着することなく、除去できる。
の処理状態を工程順に説明する断面図である。まず、図
３（ａ）はウェハ基板１０上に疎水性のレジスト１１を
塗布し、このレジスト１１を所定パターンに露光してア
ルカリ現像液１５を付着させてレジスト１１を溶解させ
た状態である。この場合、疎水性のレジスト１１の間に
溶解したレジスト１３がある。この状態で、図３（ｂ）
のように、アルカリ現像液１５を脱水させるが、基板１
０上の疎水性のレジスト１１上には、溶解したレジスト
（１３）やアルカリ現像液（１５）を含むレジスト混合
物１４が残存することになる。そこで、図３（ｃ）のよ
うに、レジスト混合物１４の残存したレジスト１１上に
オゾン水１６を滴下し、洗浄する。この場合、オゾン水
１６により疎水性のレジスト１１のレジスト表面１２
は、後述のように疎水性が低減されＯＨによる親水性と
なるので、レジスト混合物１４がレジストパターンへ付
着することなく、除去できる。
【００１５】なお、市販されているオゾン水製造装置２
は２通りの方法があり、両方法とも水（Ｈ2 Ｏ）中にオ
ゾン（Ｏ3 ）ガスを溶解させるもので、その溶解の方法
に違いがある。一つは、溶解モジュールを使用した方法
であり、図３その装置構造が示される。ガス溶解膜を通
してＨ2 Ｏ中にＯ3 ガスを溶解させる。このガス溶解膜
は、液体を通さず、気体のみを通過させる性質を持つ
為、膜の両側にＨ2 ＯとＯ3 ガスを接触させると、Ｏ3
ガスが溶解膜を通過し、Ｈ2 Ｏに溶け込み、この現象に
より、Ｏ3 溶解水が生成される。この他の方法として、
エゼクタ方式と呼ばれるものがあり、Ｈ2 Ｏを加圧ポン
プにより加圧して真空状態を作り、そこに高濃度のＯ3
ガスを吸引して、混合させる方法である。
は２通りの方法があり、両方法とも水（Ｈ2 Ｏ）中にオ
ゾン（Ｏ3 ）ガスを溶解させるもので、その溶解の方法
に違いがある。一つは、溶解モジュールを使用した方法
であり、図３その装置構造が示される。ガス溶解膜を通
してＨ2 Ｏ中にＯ3 ガスを溶解させる。このガス溶解膜
は、液体を通さず、気体のみを通過させる性質を持つ
為、膜の両側にＨ2 ＯとＯ3 ガスを接触させると、Ｏ3
ガスが溶解膜を通過し、Ｈ2 Ｏに溶け込み、この現象に
より、Ｏ3 溶解水が生成される。この他の方法として、
エゼクタ方式と呼ばれるものがあり、Ｈ2 Ｏを加圧ポン
プにより加圧して真空状態を作り、そこに高濃度のＯ3
ガスを吸引して、混合させる方法である。
【００１６】また、Ｏ3 ガスの生成方法も２通りあり、
一つは、Ｈ2 Ｏ電気分解方式であり、通常のＨ2 Ｏ電気
分解では酸素と水素が発生するが、酸素の替わりにＯ3
を発生させる様な電極触媒と電解質を使用する事によ
り、酸素ではなく、Ｏ3 を生成する。この他の方法は、
無声放電方式であり、交流・高電圧をかけた電極間に酸
素を流す事により生成するものである。
一つは、Ｈ2 Ｏ電気分解方式であり、通常のＨ2 Ｏ電気
分解では酸素と水素が発生するが、酸素の替わりにＯ3
を発生させる様な電極触媒と電解質を使用する事によ
り、酸素ではなく、Ｏ3 を生成する。この他の方法は、
無声放電方式であり、交流・高電圧をかけた電極間に酸
素を流す事により生成するものである。
【００１７】図４はオゾン水製造装置２の一例のブロッ
ク図である。この装置２は、バルブ２２からＨ2 Ｏを導
入し、オゾン発生部２０で電気分解により、Ｈ2 ガスと
Ｏ3ガスを発生し、Ｈ2 ガスは水素燃焼触媒部２３で燃
焼され、Ｏ3 ガスはオゾン溶解モジュール２３により、
ガス溶解膜を通してＨ2 Ｏ中にＯ3 ガスを溶解させるも
のである。
ク図である。この装置２は、バルブ２２からＨ2 Ｏを導
入し、オゾン発生部２０で電気分解により、Ｈ2 ガスと
Ｏ3ガスを発生し、Ｈ2 ガスは水素燃焼触媒部２３で燃
焼され、Ｏ3 ガスはオゾン溶解モジュール２３により、
ガス溶解膜を通してＨ2 Ｏ中にＯ3 ガスを溶解させるも
のである。
【００１８】本実施形態では、露光および露光後の熱処
理をされたレジスト膜上に現像液を盛り、露光と露光後
の熱処理による化学反応で可溶となったレジスト露光部
をアルカリ液によって溶解させる。さらに、オゾン水を
現像されたレジストパターン上に滴下し、ウェハを回転
させることにより、現像液、溶解したレジスト、それら
の混合物などをウェハ上から除去している。
理をされたレジスト膜上に現像液を盛り、露光と露光後
の熱処理による化学反応で可溶となったレジスト露光部
をアルカリ液によって溶解させる。さらに、オゾン水を
現像されたレジストパターン上に滴下し、ウェハを回転
させることにより、現像液、溶解したレジスト、それら
の混合物などをウェハ上から除去している。
【００１９】この際、レジストは、露光と露光後の熱処
理による化学反応によって、露光部と未露光部の溶解速
度の差をもたせ、パターンを形成する。特に化学増幅型
ポジレジストは、アルカリ可溶の樹脂ポリヒドロキスシ
チレンの一部を疎水性の高いｔ−ＢＯＣ（ターシャルブ
トキシカルボニル）などで置換し、アルカリ不溶として
いる。
理による化学反応によって、露光部と未露光部の溶解速
度の差をもたせ、パターンを形成する。特に化学増幅型
ポジレジストは、アルカリ可溶の樹脂ポリヒドロキスシ
チレンの一部を疎水性の高いｔ−ＢＯＣ（ターシャルブ
トキシカルボニル）などで置換し、アルカリ不溶として
いる。
【００２０】さらに詳細に説明すると、露光または、露
光と露光後の熱処理（ＰＥＢ）によってｔ−ＢＯＣなど
の置換基がポリヒドロキスシチレンから解離し光照射を
受けた部分がアルカリ可溶となる。通常、ＫｒＦ化学増
幅型レジストは、樹脂＋保護基、酸発生剤、添加剤から
成り、このレジスト樹脂（ＰＨＳ又は、ポリヒドロキス
シチレン）の末端（表面）は、ＯＨであるため親水性
で、樹脂全体の２〜４割を疎水性の保護基ｔ−ＢＯＣ基
などでＨ基と置換してやることにより、疎水性のレジス
トとなる。
光と露光後の熱処理（ＰＥＢ）によってｔ−ＢＯＣなど
の置換基がポリヒドロキスシチレンから解離し光照射を
受けた部分がアルカリ可溶となる。通常、ＫｒＦ化学増
幅型レジストは、樹脂＋保護基、酸発生剤、添加剤から
成り、このレジスト樹脂（ＰＨＳ又は、ポリヒドロキス
シチレン）の末端（表面）は、ＯＨであるため親水性
で、樹脂全体の２〜４割を疎水性の保護基ｔ−ＢＯＣ基
などでＨ基と置換してやることにより、疎水性のレジス
トとなる。
【００２１】ウェハ基板上にレジストを塗布し、露光光
により酸発生剤から酸が発生し、樹脂の保護基と反応
し、保護基が樹脂から脱離する。このようにして、露光
光が照射された部分は、保護基が脱離し親水性となり、
露光光の照射を受けなかった部分は、保護基によって、
疎水性のまま残る。保護基が脱離しなかった部分は、現
像液に溶解せず、保護基が脱離した部分は溶解する。こ
の溶解コントラストによって、レジスト像が形成され
る。
により酸発生剤から酸が発生し、樹脂の保護基と反応
し、保護基が樹脂から脱離する。このようにして、露光
光が照射された部分は、保護基が脱離し親水性となり、
露光光の照射を受けなかった部分は、保護基によって、
疎水性のまま残る。保護基が脱離しなかった部分は、現
像液に溶解せず、保護基が脱離した部分は溶解する。こ
の溶解コントラストによって、レジスト像が形成され
る。
【００２２】この保護基の特徴は、１）疎水性であり、
２）酸と反応し樹脂から脱離することにあり、図５
（ａ）（ｂ）には、欠陥数と保護率の関係、解像力と保
護率の関係を説明するグラブである。すなわち、保護率
が高くなると、ある保護率以上では欠陥数が急に増加す
るが、その保護率未満では欠陥数が急に少なくなる。ま
た解像力は保護率の増加に従い、順次解像力が増加する
比例関係にある。従って、欠陥数が急に増加する直前の
ある保護率に設定すれば、解像力をある程度保持しなが
ら欠陥数も少くすることができる。
２）酸と反応し樹脂から脱離することにあり、図５
（ａ）（ｂ）には、欠陥数と保護率の関係、解像力と保
護率の関係を説明するグラブである。すなわち、保護率
が高くなると、ある保護率以上では欠陥数が急に増加す
るが、その保護率未満では欠陥数が急に少なくなる。ま
た解像力は保護率の増加に従い、順次解像力が増加する
比例関係にある。従って、欠陥数が急に増加する直前の
ある保護率に設定すれば、解像力をある程度保持しなが
ら欠陥数も少くすることができる。
【００２３】図６は本発明の効果を示すオゾン水のリン
ス処理による欠陥数の差を示している。すなわち、低解
像力レジストと、高低解像力レジストＡ，Ｂ，Ｃを用い
た場合で、オゾン水でリンス処理した時と、リンス処理
しない時の開口不良欠陥数とゴミその他の欠陥数を調査
した結果を示す。この場合、低解像力レジストでは、オ
ゾン水でリンス処理した時も、リンス処理しない時も開
口不良欠陥数は１個で殆どなかった。一方、高低解像力
レジストＡ，Ｂ，Ｃではリンス処理しない時は開口不良
欠陥数がそれぞれ６９６，２３０，４５１個であった
が、オゾン水でリンス処理した時は、開口不良欠陥数が
それぞれ２，１，４個と殆どなくなっている。なお、ゴ
ミその他の欠陥数は、いずれの場合も３〜１０個程度で
あった。従って、オゾン水でリンス処理した時の開口不
良欠陥の減少は明かであった。
ス処理による欠陥数の差を示している。すなわち、低解
像力レジストと、高低解像力レジストＡ，Ｂ，Ｃを用い
た場合で、オゾン水でリンス処理した時と、リンス処理
しない時の開口不良欠陥数とゴミその他の欠陥数を調査
した結果を示す。この場合、低解像力レジストでは、オ
ゾン水でリンス処理した時も、リンス処理しない時も開
口不良欠陥数は１個で殆どなかった。一方、高低解像力
レジストＡ，Ｂ，Ｃではリンス処理しない時は開口不良
欠陥数がそれぞれ６９６，２３０，４５１個であった
が、オゾン水でリンス処理した時は、開口不良欠陥数が
それぞれ２，１，４個と殆どなくなっている。なお、ゴ
ミその他の欠陥数は、いずれの場合も３〜１０個程度で
あった。従って、オゾン水でリンス処理した時の開口不
良欠陥の減少は明かであった。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パ
ターン形成されたレジスト膜のレジスト露光部を溶解さ
せたのち、溶解したレジストをオゾン水で洗浄している
ので、レジスト表層の疎水性が低減され、溶解したレジ
スト、アルカリ現像液、これらの混合物がレジストパタ
ーンへ付着することなく、除去できる効果がある。
ターン形成されたレジスト膜のレジスト露光部を溶解さ
せたのち、溶解したレジストをオゾン水で洗浄している
ので、レジスト表層の疎水性が低減され、溶解したレジ
スト、アルカリ現像液、これらの混合物がレジストパタ
ーンへ付着することなく、除去できる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施形態を説明するフロー図。
【図２】図１の動作を実施する装置のブロック図。
【図３】図１の処理工程をウェハ基板上で説明する断面
図。
図。
【図４】図２のオゾン水製造装置の構成図。
【図５】図４の処理の効果を説明するグラフ。
【図６】本発明の効果を説明するグラフ。
１ アルカリ現像液供給装置 ２ オゾン水供給装置 ３ ウェハ処理装置 ４ ウェハ吸着回転装置 １０ ウェハ基板 １１ レジスト（疎水性） １２ レジスト表面 １３ 溶解したレジスト １４ レジスト混合物 １５ アルカリ現像液 １６ オゾン水 ２０ オゾン発生部 ２１ オゾン溶解モジュール ２２ バルブ ２３ 水素燃焼触媒部
Claims (6)
- 【請求項１】 ウェハ基板上にレジストパターンを形成
する際に、前記ウェハ基板上に塗布されたレジスト膜を
露光後、可溶性となったレジスト膜の露光部をアルカリ
現像液で除去したのち、パターン形成されたレジスト膜
をオゾン水で洗浄することにより、除去したレジスト、
現像液レジストの混合物などのレジストパターン上への
付着を防ぐようにしたことを特徴とするレジスト現像方
法。 - 【請求項２】 洗浄するオゾン水の濃度は、５ｐｐｍ以
上である請求項１記載のレジスト現像方法。 - 【請求項３】 レジスト膜が、化学増幅型レジストであ
り、パターン形成された疎水性のレジスト膜に、オゾン
水が滴下されることにより、そのレジスト膜表面が親水
性になり、溶解したレジストやアルカリ現像液のどの混
合物が容易に除去されるようにした請求項１記載のレジ
スト現像方法。 - 【請求項４】 ウェハ基板上に塗布されたレジスト膜を
露光後、その露光部をアルカリ現像液で除去するアルカ
リ現像液供給装置と、前記アルカリ現像液で除去したレ
ジスト膜をオゾン水で洗浄するオゾン水供給装置と、そ
のオゾン水で洗浄したウェハ基板を脱水する回転装置と
を備えたことを特徴とするレジスト現像装置。 - 【請求項５】 洗浄するオゾン水の濃度は、５ｐｐｍ以
上である請求項４記載のレジスト現像装置。 - 【請求項６】 オゾン水供給装置は、水を電気分解して
水素とオゾンとを発生させ、オゾン溶解モジュールを用
いて前記水に発生したオゾンを溶解させるものである請
求項４記載のレジスト現像装置。
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