JPH04131857A - フォトレジストの現像方法 - Google Patents
フォトレジストの現像方法Info
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- JPH04131857A JPH04131857A JP25180290A JP25180290A JPH04131857A JP H04131857 A JPH04131857 A JP H04131857A JP 25180290 A JP25180290 A JP 25180290A JP 25180290 A JP25180290 A JP 25180290A JP H04131857 A JPH04131857 A JP H04131857A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、フォトレジストの現像方法に関するものであ
り、特に、半導体ウェハのフォトリソグラフィ工程にお
いてフォトレジストを現像する際に好適に適用すること
ができるフォトレジストの現像方法に関するものである
。
り、特に、半導体ウェハのフォトリソグラフィ工程にお
いてフォトレジストを現像する際に好適に適用すること
ができるフォトレジストの現像方法に関するものである
。
（従来の技術）
フォトリソグラフィ工程を用いて半導体ウェハ表面に各
種パターンを形成する場合、半導体ウェハ表面にフォト
レジストを塗布し、該フォトレジストを所望のマスクパ
ターンを介して露光した後、該フォトレジストに現像液
を付けて、露光部あるいは未露光部のフォトレジストを
熔解して、パターンを形成するようにしている。フォト
レジスト表面に現像液を付ける方法としては、現像液を
霧状にして吹き付けるスプレー法や、フォトレジスト表
面に現像液を液盛するパドル法がある。
種パターンを形成する場合、半導体ウェハ表面にフォト
レジストを塗布し、該フォトレジストを所望のマスクパ
ターンを介して露光した後、該フォトレジストに現像液
を付けて、露光部あるいは未露光部のフォトレジストを
熔解して、パターンを形成するようにしている。フォト
レジスト表面に現像液を付ける方法としては、現像液を
霧状にして吹き付けるスプレー法や、フォトレジスト表
面に現像液を液盛するパドル法がある。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、現在、半導体装置のパターン形成に使用
しているフォトレジストは、レジスト材料そのものが疎
水性であるため、通常の現像方法では、ウェハに塗布し
たフォトレジスト表面に均一に現像液を塗布するのは困
難であった。特に、近年は半導体ウェハが大口径化して
きており、現像液をウェハ表面に形成したフォトレジス
トの全面に、均一に塗布するためには、多量の現像液を
使わなくてはならない。
しているフォトレジストは、レジスト材料そのものが疎
水性であるため、通常の現像方法では、ウェハに塗布し
たフォトレジスト表面に均一に現像液を塗布するのは困
難であった。特に、近年は半導体ウェハが大口径化して
きており、現像液をウェハ表面に形成したフォトレジス
トの全面に、均一に塗布するためには、多量の現像液を
使わなくてはならない。
フォトレジスト表面に均一に現像液を塗布するために、
現像液を２度塗りすることが考えられるが、２度塗りす
ると、時間と手間がかかると共に、多量の現像液を使わ
ざるを得ず、コスト高を招くという問題がある。
現像液を２度塗りすることが考えられるが、２度塗りす
ると、時間と手間がかかると共に、多量の現像液を使わ
ざるを得ず、コスト高を招くという問題がある。
また、フォトレジストの現像に先立って、フォトレジス
トに対する現像液のヌレ性を良くするため、現像液を塗
布すると同時に水をフォトレジスト表面にあてるプリウ
ェット処理を行うこともある。しかし、プリウェット処
理によると、ウェハ表面で現像液が水によって希釈され
るため、現像液の濃度分布が悪くなり、均一幅の微細パ
ターンを得られなくなるという問題がある。特開昭６１
−１２３１３６号公報には、このプリウェット処理によ
る問題を解決する手段として、フォトレジストの現像の
前に、フォトレジスト表面をアルゴンスバンタを行うこ
とが開示されている。しかしながら、ウェハの大口径化
に伴い均一にスパッタ処理することが難しく、スパッタ
処理を過度に行なった場合には精密なパターンが形成で
きないという問題がある。
トに対する現像液のヌレ性を良くするため、現像液を塗
布すると同時に水をフォトレジスト表面にあてるプリウ
ェット処理を行うこともある。しかし、プリウェット処
理によると、ウェハ表面で現像液が水によって希釈され
るため、現像液の濃度分布が悪くなり、均一幅の微細パ
ターンを得られなくなるという問題がある。特開昭６１
−１２３１３６号公報には、このプリウェット処理によ
る問題を解決する手段として、フォトレジストの現像の
前に、フォトレジスト表面をアルゴンスバンタを行うこ
とが開示されている。しかしながら、ウェハの大口径化
に伴い均一にスパッタ処理することが難しく、スパッタ
処理を過度に行なった場合には精密なパターンが形成で
きないという問題がある。
本発明は、このような問題点に鑑みて、大口径の半導体
ウェハについても、現像液の量を増やすことなく、ウェ
ハ表面に形成したフォトレジストに均一に現像液を塗布
することができるフォトレジストの現像方法を提供しよ
うとするものである。
ウェハについても、現像液の量を増やすことなく、ウェ
ハ表面に形成したフォトレジストに均一に現像液を塗布
することができるフォトレジストの現像方法を提供しよ
うとするものである。
（課題を解決するための手段及び作用）上記課題を解決
するため、本願第１発明のフォトレジストの現像方法は
、フォトレジストの表面を疎水性から親水性に変える処
理を施した後に、該フォトレジストを現像するフォトレ
ジストの現像方法において、前記フォトレジストの表面
に、現像液を用いてヘーパ処理を施すことによって、前
記フォトレジスト表面を疎水性から親水性に変えること
を特徴とするものである。
するため、本願第１発明のフォトレジストの現像方法は
、フォトレジストの表面を疎水性から親水性に変える処
理を施した後に、該フォトレジストを現像するフォトレ
ジストの現像方法において、前記フォトレジストの表面
に、現像液を用いてヘーパ処理を施すことによって、前
記フォトレジスト表面を疎水性から親水性に変えること
を特徴とするものである。
本願第１発明においては、上述した通り、ウェハ表面に
塗布したフォトレジストに現像液を付ける前に、レジス
ト表面にヘーパ処理を施して、フォトレジスト表面の性
質を疎水性から親水性に変えるようにしている。このた
め、現像液とフォトレジスト表面のヌレ性が改善され、
多量の現像液の量を使用することなく、フォトレジスト
表面に均一に現像液を付けることができる。
塗布したフォトレジストに現像液を付ける前に、レジス
ト表面にヘーパ処理を施して、フォトレジスト表面の性
質を疎水性から親水性に変えるようにしている。このた
め、現像液とフォトレジスト表面のヌレ性が改善され、
多量の現像液の量を使用することなく、フォトレジスト
表面に均一に現像液を付けることができる。
また、本願第２発明のフォトレジストの現像方法は、フ
ォトレジストの表面を疎水性から親水性に変える処理を
施した後に、該フォトレジストを現像するフォトレジス
トの現像方法において、前記フォトレジストの表面にオ
ゾン処理を施すことによって、前記フォトレジスト表面
を疎水性から親水性に変えることを特徴とするものであ
る。
ォトレジストの表面を疎水性から親水性に変える処理を
施した後に、該フォトレジストを現像するフォトレジス
トの現像方法において、前記フォトレジストの表面にオ
ゾン処理を施すことによって、前記フォトレジスト表面
を疎水性から親水性に変えることを特徴とするものであ
る。
同様に、本願第２発明においては、ウェハ表面に塗布し
たフォトレジストを現像する前に、レジスト表面にオゾ
ン処理を施して、フォトレジスト表面の性質を疎水性か
ら親水性に変えるようにしている。このため、現像液と
フォトレジスト表面のヌレ性が改善され、多量の現像液
を使用することなく、ウェハ表面に均一に現像液を付け
ることができる。
たフォトレジストを現像する前に、レジスト表面にオゾ
ン処理を施して、フォトレジスト表面の性質を疎水性か
ら親水性に変えるようにしている。このため、現像液と
フォトレジスト表面のヌレ性が改善され、多量の現像液
を使用することなく、ウェハ表面に均一に現像液を付け
ることができる。
（実施例）
本願第１発明の一実施例を以下に説明する。
直径６インチのシリコンうエバ上に、フォトレジスト０
ＦＰＲ８６００（商品名）を、１．２３μｍの厚さで塗
布し、このウェハを約１１０°Ｃの温度でソフトヘーク
して、ウェハ上に塗布されたフォトレジスト中から有機
溶剤を揮発させる。
ＦＰＲ８６００（商品名）を、１．２３μｍの厚さで塗
布し、このウェハを約１１０°Ｃの温度でソフトヘーク
して、ウェハ上に塗布されたフォトレジスト中から有機
溶剤を揮発させる。
次いで、フォトレジストを塗布したウェハ上に、フォト
マスクプレートを載せ、Ｈｇ−ｇ線を１５０ｍＷ／ｃｍ
”のパワーで照射して、所望のパターンをフォトレジス
トに焼き付ける。
マスクプレートを載せ、Ｈｇ−ｇ線を１５０ｍＷ／ｃｍ
”のパワーで照射して、所望のパターンをフォトレジス
トに焼き付ける。
次いで、ＴＭＡＨ（テトラ メチル アンモニウム ハ
イドロオキサイド： ｔｅｔｒａ ｍｅｔｈｙｌ ａｍ
ｍｏｎｉｕｍｈｙｄｒｏｘｉｄｅ ）の５％水溶液中に
窒素（Ｎ２）ガスを１分間に３１の割合で、バブリング
して、窒素をキャリアとしてＴＭＡＨガスを発生させる
。このＴＭＡＨガスに、ウェハ上に形成したフォトレジ
スト膜を１１０°Ｃに加熱したホットプレート上で約３
０秒間さらしてヘーバ処理を施す。
イドロオキサイド： ｔｅｔｒａ ｍｅｔｈｙｌ ａｍ
ｍｏｎｉｕｍｈｙｄｒｏｘｉｄｅ ）の５％水溶液中に
窒素（Ｎ２）ガスを１分間に３１の割合で、バブリング
して、窒素をキャリアとしてＴＭＡＨガスを発生させる
。このＴＭＡＨガスに、ウェハ上に形成したフォトレジ
スト膜を１１０°Ｃに加熱したホットプレート上で約３
０秒間さらしてヘーバ処理を施す。
さらに、現像液としてＴＭＡＨの２．３％水溶液４Ｑｃ
ｃを、フォトレジスト表面に液盛して、約６０秒間静置
してフォトレジストを現像する。
ｃを、フォトレジスト表面に液盛して、約６０秒間静置
してフォトレジストを現像する。
従来の現像方法で、すなわち、フォトレジストをＴＭＡ
Ｈガスにさらすことなく、直径６インチのシリコンウェ
ハ表面に塗布したレジスト膜を現像する場合、約５０〜
６０ｃｃの現像液を必要としていたが、本願第１発明に
よるフォトレジストの現像方法によれば、ウェハ表面に
形成したフォトレジストをＴＭＡＨガスにさらして、も
ともとは疎水性であるフォトレジスト表面を親水性に変
えているため、約４０ｃｃの現像液で、ウェハ表面に形
成したフォトレジスト表面に均一に液盛して現像するこ
とが可能である。
Ｈガスにさらすことなく、直径６インチのシリコンウェ
ハ表面に塗布したレジスト膜を現像する場合、約５０〜
６０ｃｃの現像液を必要としていたが、本願第１発明に
よるフォトレジストの現像方法によれば、ウェハ表面に
形成したフォトレジストをＴＭＡＨガスにさらして、も
ともとは疎水性であるフォトレジスト表面を親水性に変
えているため、約４０ｃｃの現像液で、ウェハ表面に形
成したフォトレジスト表面に均一に液盛して現像するこ
とが可能である。
次に、本願第２発明の一実施例を説明する。
第１実施例と同様に、直径６インチのシリコンウェハ上
に、フォトレジスト０ＦＰＲ８６００（商品名）を、１
．２３μｍの厚さで塗布し、このウェハを約１１０°Ｃ
の温度でソフトヘークして、ウェハ上に塗布されたフォ
トレジスト中から有機溶剤を揮発させる。
に、フォトレジスト０ＦＰＲ８６００（商品名）を、１
．２３μｍの厚さで塗布し、このウェハを約１１０°Ｃ
の温度でソフトヘークして、ウェハ上に塗布されたフォ
トレジスト中から有機溶剤を揮発させる。
次いで、フォトレジストを塗布したウェハ上ニー、フォ
トマスクプレートを載せ、Ｈｇ−ｇ線を１５０ｍＷ／ｃ
ｍ”のパワーで照射して、所望のパターンをフォトレジ
ストに焼き付ける。
トマスクプレートを載せ、Ｈｇ−ｇ線を１５０ｍＷ／ｃ
ｍ”のパワーで照射して、所望のパターンをフォトレジ
ストに焼き付ける。
次いで、濃度１％のオゾン雰囲気中にフォトレジストを
塗布したウェハを１１０°Ｃに加熱したホットプレート
上で約６０秒間さらして、ウェハのフォトレジスト面に
オゾン処理を施し、フォトレジスト面を親水性に変える
。
塗布したウェハを１１０°Ｃに加熱したホットプレート
上で約６０秒間さらして、ウェハのフォトレジスト面に
オゾン処理を施し、フォトレジスト面を親水性に変える
。
さらに、現像液としてＴＭＡＨの２．３％水溶液４０ｃ
ｃを、フォトレジスト表面に液盛して、約６０秒間静置
してフォトレジストを現像する。
ｃを、フォトレジスト表面に液盛して、約６０秒間静置
してフォトレジストを現像する。
上述した通り、従来の現像方法で、すなわち、フォトレ
ジストをオゾン雰囲気中ににさらすことなく、直径６イ
ンチのシリコンウェハ表面に塗布したレジスト膜を現像
する場合、約５０〜６０ｃｃの現像液を必要としていた
。これに対して、本願第２発明によるフォトレジストの
現像方法によれば、ウェハ表面に形成したフォトレジス
トにオゾン処理を施すことによって、もともとは疎水性
であるフォトレジスト表面を親水性に変えているため、
約４０ｃｃの現像液を、ウェハ表面に形成したフォトレ
ジスト表面に均一に液盛して現像することが可能である
。
ジストをオゾン雰囲気中ににさらすことなく、直径６イ
ンチのシリコンウェハ表面に塗布したレジスト膜を現像
する場合、約５０〜６０ｃｃの現像液を必要としていた
。これに対して、本願第２発明によるフォトレジストの
現像方法によれば、ウェハ表面に形成したフォトレジス
トにオゾン処理を施すことによって、もともとは疎水性
であるフォトレジスト表面を親水性に変えているため、
約４０ｃｃの現像液を、ウェハ表面に形成したフォトレ
ジスト表面に均一に液盛して現像することが可能である
。
（発明の効果）
このように、本発明のフォトレジストの現像方法によれ
ば、半導体ウェハ上に形成したフォトレジスト表面を疎
水性から親水性に変えているため、現像液とフォトレジ
ストのヌレ性が改善され、現像液の量を増やす事なく、
フォトレジストを塗布したウェハの全面に均一に現像液
を液盛することができる。したがって、フォトレジスト
の現像に使用する現像液の量をｖＪ滅することができ、
現像コストの低減、ひいては半導体装置の製造コストの
低減を図ることができる。
ば、半導体ウェハ上に形成したフォトレジスト表面を疎
水性から親水性に変えているため、現像液とフォトレジ
ストのヌレ性が改善され、現像液の量を増やす事なく、
フォトレジストを塗布したウェハの全面に均一に現像液
を液盛することができる。したがって、フォトレジスト
の現像に使用する現像液の量をｖＪ滅することができ、
現像コストの低減、ひいては半導体装置の製造コストの
低減を図ることができる。
同
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フォトレジストの表面を疎水性から親水性に変える
処理を施した後に、該フォトレジストを現像するフォト
レジストの現像方法において、前記フォトレジストの表
面に、現像液を用いてベーパ処理を施すことによって、
前記フォトレジスト表面を疎水性から親水性に変えるこ
とを特徴とするフォトレジストの現像方法。 ２、フォトレジストの表面を疎水性から親水性に変える
処理を施した後に、該フォトレジストを現像するフォト
レジストの現像方法において、前記フォトレジストの表
面にオゾン処理を施すことによって、前記フォトレジス
ト表面を疎水性から親水性に変えることを特徴とするフ
ォトレジストの現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25180290A JPH04131857A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | フォトレジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25180290A JPH04131857A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | フォトレジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04131857A true JPH04131857A (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=17228145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25180290A Pending JPH04131857A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | フォトレジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04131857A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010085421A (ko) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 가네꼬 히사시 | 레지스트현상방법 |
| JP2002246290A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP25180290A patent/JPH04131857A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010085421A (ko) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 가네꼬 히사시 | 레지스트현상방법 |
| JP2002246290A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| JP4564186B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
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