JP3702108B2 - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3702108B2 JP3702108B2 JP28521598A JP28521598A JP3702108B2 JP 3702108 B2 JP3702108 B2 JP 3702108B2 JP 28521598 A JP28521598 A JP 28521598A JP 28521598 A JP28521598 A JP 28521598A JP 3702108 B2 JP3702108 B2 JP 3702108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- developer
- developing
- exposure
- development
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体デバイスや露光マスクの製造プロセスにおけるリソグラフイプロセスのレジストパターン形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの高集積化により微細パターンの形成が必要とされてきている。とくに製造コストを押さえる意味で、その一世代前から使用している露光装置でできる限りの微細化を図ることが望まれている。レジストパターン形成時に要求される条件として、露光量やフォーカスが変動しても寸法変動が少ないこと、次のエッチング工程からの要求としてパターン形状が矩形であることが挙げられる。
【0003】
図8は露光量と現像速度との関係を示す図であり、横軸は露光量、縦軸は現像速度である。図8において、一定の露光量を越えたところから現像速度は露光量に比例しており、その傾きをθとすると、溶解特性のγ値はγ=tanθで表される。図9はこのγ値と露光量余裕度、フォーカス余裕度との関係を示す図であり、横軸は露光量余裕度、縦軸はフォーカス余裕度を示し、実線・破線・一点鎖線の順にγ=2,6,12の場合をそれぞれ示している。図9から分かるように、γ値を上げることにより露光量余裕度、フォーカス余裕度ともに向上する。従って、露光量やフォーカス変動に対してはレジストの現像時におけるγ値を上げればよいことが分かる。
【0004】
また矩形形状にするためには、レジスト上部に行くに従い現像液に溶けにくくすることが知られており、レジスト材料からの取り組みや、g線やi線レジストに一般に使われているナフトキノン−ノボラックレジストの場合、露光前に現像液で処理することで表面不溶層を形成する手法が知られている。レジスト表面の不溶層はレジストパターンの矩形化に対しては必須だが、レジスト層の膜厚方向で現像速度の差がつくにつれ露光量やフォーカスマージンの低下が見られることがわかった。
【0005】
図10はレジスト表面とレジスト膜全体の溶解速度を模式的に表した図である。図10に示すように、矩形形状のレジストパターンにおいて、その表面部分での溶解速度をr1 とし、レジスト膜全体の平均溶解速度をr2 とすると、一般的にr1 <r2 の関係が成立する。ここで、これらr1 とr2 の比をn=r1 /r2 とおく。この場合のn値と露光量余裕度、フォーカス余裕度との関係を図11に示す。横軸は露光量余裕度、縦軸はフォーカス余裕度であり、実線・破線・一点鎖線の順に、n=0.2,0.5,1の場合を示す。図11から分かるように、n値が大きくなるに従い露光量余裕度、フォーカス余裕度が大きくなる。この図11より、レジストパターンの矩形性とマージンの双方を満足させるためには、レジスト材料の改善とあわせて、現像時間にしたがって溶解速度を変化させるような手法を取り入れれば良いことがわかる。
【0006】
そこで、現像速度を時間により変化させる方法として、最初濃い現像液で現像し、ついで薄い現像液で現像する方法が特開平2−184373号公報、特開平4−314002号公報にあげられている。しかしながら、これら公報に記載された方法のように、単純に濃度の異なる現像液で順次処理するだけでは、実質的な現像液置換に時間がかかるため矩形形状とマージンの向上は図れない。
【0007】
一方、表面に不溶層を有するレジストについて現像速度を変える方法として、溶解性の大きい現像液で先に処理し次に溶解性の小さな現像液で処理する方法が考えられる。具体的には、レジストの難溶部を溶解しやすい第一の現像液で処理する工程と第一の現像液に比べて溶解しがたく、かつ組成の異なる第二の現像液で現像する工程を含む現像方法が特公平7−21640号公報にあげられている。しかしながら、この場合でも、迅速な現像液の置換を行っているわけではない。すなわち、化学増幅型レジストのようにγ値が高いレジストの場合、溶解性の大きな現像液を使用すると現像は1〜2秒でレジスト下部まで進行するため、マージンを確保するためには1秒以内に直ちに次の溶解性の小さな現像液に置き換わっている必要がある。このことは一見可能のように思えるが、溶液を1秒以内に再現性良く置き換えることは困難である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように従来のレジストパターン形成方法では、露光量やフォーカスが変動しても寸法変動が少ないこと、次のエッチング工程からの要求としてパターン形状が矩形であることが必要とされていることより、最初濃い現像液で現像し、次いで薄い現像液で現像する方法や、溶解性の大きい現像液で先に処理して次に溶解性の小さな現像液で処理する方法が考えられているが、迅速な現像液の置換を行うことは困難である。
【0009】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、断面形状が矩形でかつ露光量余裕度とフォーカス余裕度の広い現像プロセスが可能となるレジストパターン形成方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るレジストパターン形成方法は、基板上に形成された化学増幅型ポジレジスト膜を露光する工程と、前記ベークされたレジスト膜表面に強アルカリの蒸気を晒して強アルカリの物質を吸着させる工程と、前記強アルカリの蒸気に比較して弱現像作用の現像液を用いて前記レジスト膜全体を現像する工程とを含み、前記強アルカリの蒸気は、前記弱現像作用の現像液より、アルカリ成分が濃厚な現像液であるか、強アルカリ物質である脂肪族アミン化合物の蒸気であることを特徴とする。
【0011】
本発明の望ましい形態を以下に示す。
(1)強アルカリの物質をレジスト膜表面に吸着させる工程は、強アルカリの蒸気にレジスト膜を晒すことにより行う。
(2)現像液が、レジストの表層で未露光の部分を溶解させない現像液である。(3)レジストは化学増幅型ポジレジストである。
【0012】
(作用)
本発明では、最初強現像作用のある強アルカリの物質を吸着させついで現像液により弱現像処理を行う。これによって、強現像作用のある物質はレジスト表面の不溶層のみ短時間作用し、しかも再現性良く強現像作用から弱現像作用に置換することができるため、矩形性を保持したまま露光量余裕度及びフォーカス余裕度の向上が図れる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
(第1実施形態)
図1〜図6は本発明の第1実施形態に係るレジストパターン形成方法を説明するための図である。図1は本実施形態に係るレジストパターン形成方法の工程断面図である。以下、図1に沿って説明する。
【0014】
まず、シリコンウェハ1上にSiO2 膜2を膜厚500nmで形成した後、有機塗布型反射防止膜3(DUV30:Brewer Science社製)を塗布現像装置ACT8(東京エレクトロン社製)で膜厚55nmでスピンコートし、190℃で90秒間ベークする。次いで、化学増幅型ポジレジスト4(KRF S150G:JSR株式会社製)を膜厚390nmでスピンコートし、100℃で60秒ベークする。
【0015】
次に、露光装置NSR−S202A(ニコン社製)を用いて所望のパターンを持つ光5を照射することにより露光(NA=0.6、σ=0.75、クロムマスク)を行い、さらに100℃で90秒ベークを行う(図1(a))。
【0016】
次いで、ACT8のアドヒージョンユニットを用いHMDSの代わりに25%TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキシド)水溶液により、60℃で1分間処理を行う。具体的には、TMAH水溶液の蒸気6に化学増幅型レジスト4を晒すことにより、レジスト膜表面のみに強現像処理を行い、TMAHをレジスト膜表面に吸着させる(図1(b))。その後0.15Nテトラメチルアンモニウムハイドロオキシド(TMAH)水溶液を滴下して60秒間現像を行い、0.15μmL&Sパターンを形成する(図1(c))。
【0017】
以上の工程により形成された0.15μmL&SパターンをSEMで観察し、露光量とフォーカスを変動させた個所の線幅を測定する。また、以上の工程により形成された0.15μmL&Sパターンとの比較のため、0.15NTMAH水溶液と0.27NTMAH水溶液で現像速度の測定を行い、さらにパターン形成を0.15NTMAHでは60秒現像、0.27NTMAHでは5秒現像で行う。
【0018】
以上に示した条件における現像速度曲線を図2に示す。横軸は露光量、縦軸は現像速度を、実線は0.15NTMAH水溶液、破線は0.27NTMAH水溶液を示す。0.15N現像液を使用する方が、露光量が少ない領域での現像速度が遅い。また、図2において所定の露光量を超えたところから比例関係となるが、この比例関係にある直線の傾きをθとした場合のtanθで表されるγ値も、0.15NTMAH水溶液を用いた場合のほうが大きい。
【0019】
次に、図3に各現像方法での露光量に対するレジストパターン線幅を示す。横軸は規格化された露光量を、縦軸はレジストパターンの線幅であり、実線・破線・一点鎖線の順に、本実施形態、0.15NTMAH水溶液、0.27NTMAH水溶液の場合を示す。図3では、露光量に対するレジストパターン線幅を示す曲線の傾きにより、露光量余裕度が分かる。傾きの絶対値が大きければわずかな露光量の変動に対して線幅が大きく変動するために露光量余裕度が小さく、傾きの絶対値が小さければ露光量が多少変動しても線幅の変動が小さいため、露光量余裕度が大きいといえる。従って、0.15N現像液では露光量に対する線幅変動(露光量余裕度)が大きく、0.27N現像液と本実施形態の手法では本実施形態の場合が露光量余裕度が優れていることがわかる。
【0020】
次に、各現像方法での露光量余裕度とフォーカス余裕度を図4に示す。横軸は露光量余裕度、縦軸はフォーカス余裕度であり、実線・破線・一点鎖線の順に、0.15NTMAH水溶液、0.27NTMAH水溶液、本実施形態の場合を示す。図4より、0.15NTMAH現像液が露光量およびフォーカスともに余裕度が小さく、本発明と0.27NTMAH現像液では本発明の方が露光量およびフォーカスともに余裕度が大きいことがわかる。
【0021】
次に、各現像方法でのレジストパターン形状の横断面図を図5〜図7に示す。各図において、斜線部がレジストが残存した領域を示す。図5は0.15NTMAH現像液の場合のレジストパターン形状であり、レジスト上層部が溶け残っているのがわかる。図6は0.27NTMAHで5秒間現像を行った場合のレジストパターン形状、図7は本実施形態でのパターン形状である。0.27N現像液の場合は5秒という短時間現像にもかかわらず膜が減り、レジストの高さが低くなっているのがわかる。また、図示はしないが0.27N現像液を用いて1秒間現像を行った場合は、ウェハ面内でパターンができていない(抜けていない)部分があり、実用的でなかった。これに対して強アルカリの蒸気でのレジスト膜表面への吸着による現像処理を行い、その後弱現像を行った図7の場合、レジストの上層部の溶け残りはなく、かつレジストの膜減りも生じず、所望のレジストパターン形状が得られるのが分かる。
【0022】
以上の結果より、濃いTMAHをレジスト表面に吸着させ次いで薄いTMAH水溶液を用い現像を行う本実施形態によれば、レジスト表面の溶け難い部分を制御良く現像しかつγ値の高い条件の現像液で現像することが可能となり、レジストパターン形状の矩形性を保ったまま、露光量余裕度およびフォーカス余裕度の拡大が図れる。
【0023】
(第2実施形態)
本実施形態は、第1実施形態とは異なる現像処理を行う実施形態に関する。第1実施形態と共通する部分についての詳細な説明は省略する。また、第1実施形態と同様に図1に沿って工程を説明する。
【0024】
まず、シリコンウェハ1上にSiO2 膜2を膜厚500nmで形成した後、有機塗布型反射防止膜3(AR3:Shipley 社製)を塗布現像装置ACT8(東京エレクトロン社製)で膜厚60nmでスピンコートし、190℃で90秒間ベークする。引き続き化学増幅型ポジレジスト4(KRF M20G:JSR株式会社製)を膜厚400nmでスピンコートし、140℃で60秒ベークする。次に露光装置NSR−S202A(ニコン社製)を用い露光(NA=0.6、σ=0.75、クロムマスク)を行いさらに140℃で90秒ベークを行う(図1(a))。
【0025】
次いで、ACT8のアドヒージョンユニットを用いHMDSの代わりに25%TMAH水溶液を用い、60℃で1分間処理を行う。具体的には、TMAH水溶液の蒸気にレジストを晒すことにより、レジスト膜表面のみに強現像処理を行い、TMAHをレジスト膜表面に吸着させる(図1(b))。その後0.21N TMAH水溶液で60秒間現像を行い、0.15μmL&Sパターンを形成する(図1(c))。
【0026】
その後0.15μmL&SパターンをSEMで観察し、露光量とフォーカスを変動させた個所の線幅を測定する。比較のためパターン形成を0.21NTMAHでは60秒現像、0.33NTMAHでは5秒現像で行う。露光量余裕度およびフォーカス余裕度、レジストパターン形状ともに本発明の現像方法が0.21N現像液、0.33N現像液を使用するよりも優れていた。
【0027】
(第3実施形態)
本実施形態は、第1,2実施形態とは異なる現像処理を行う実施形態に関する。第1,2実施形態と共通する部分についての詳細な説明は省略する。また、第1,2実施形態と同様に図1に沿って工程を説明する。
【0028】
シリコンウェハ1上にSiO2 膜2を膜厚500nmで形成した後、有機塗布型反射防止膜3(AR3:Shipley 社製)を塗布現像装置ACT8(東京エレクトロン社製)で膜厚60nmでスピンコートし、190℃で90秒間加熱乾燥させる。引き続き化学増幅型ポジレジスト4(KRF M20G:JSR株式会社製)を膜厚40nmでスピンコートし、140℃で60秒間加熱乾燥させる。次にKrF露光装置NSR−S202A(ニコン社製)を用いて露光(NA=0.6,σ=0.75,Crマスク)を行いさらに140℃で90秒間加熱する(図1(a))。
【0029】
次いで、ジイソプロピルアミンが入った容器に窒素ガスをバブリングすることにより、ジイソプロピルアミンの蒸気を容器につけられた管を通して送出させ、上記露光後加熱の終了したウェハ上に2分間導入し蒸気6を吸着させる(図1(b))。その後0.21Nテトラメチルアンモニウムハイドロオキシド(TMAH)水溶液で60秒間現像を行う。その後0.15μmL&Sパターンをウェハ全面にわたって寸法SEMで線幅を測定したところ、線幅のばらつきが3σで8nmであった。
【0030】
比較のためパターン形成を0.33NTMAH水溶液で2秒間、0.12NTMAH水溶液で40秒間現像を行ったところ、線幅のばらつきが3σで25nmであった。従って、本実施形態を適用することにより、線幅のばらつきが大幅に低減できることが分かる。
【0031】
本発明は上記実施形態に限定されるものではない。レジスト膜表面の強現像処理をTMAH水溶液で処理する場合を示したが、例えばトリエタノールアミン等の強アルカリの物質であれば何でもよく、上記実施形態と同様の効果を奏する。また、蒸気に晒すことにより現像処理を行ったが、例えばスプレーによりレジスト膜表面に強アルカリの溶媒を噴射する場合でもよい。また、化学増幅型でなくてもノボラック系レジストにも適用可能であり、またポジレジストに限らずネガレジストにも適用可能である。
【0032】
さらに、強アルカリとして常温・常圧でガス状のものから、液状、固体状のものまで使用することができる。ガス状のものはそのままレジスト上に吸着させ、液状のものは例えば温度コントロールされた窒素ガスをバブルさせることにより蒸気を発生させ、レジストに吸着させる。固体状のものは加熱することで蒸気を発生させる。蒸気を発生させる代わりにレジストが溶解しにくい溶媒に溶解させ、レジスト上に噴霧して吸着させてもよい。
【0033】
以下、吸着による強現像処理に用いられる強アルカリの物質を列挙する。
無機アルカリとしては例えば水酸化カリウムや水酸化ナトリウム等のアルコール溶液やカリウムエトキシドやナトリウムエトキシド等のアルコール溶液が使用できる。
【0034】
有機アルカリとしてはアミン化合物が使用できる。例えば脂肪族アミン化合物としてモノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、モノプロピルアミン、ジプロピルアミン、トリプロピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、モノイソブチルアミン、ジイソブチルアミン、モノ−s−ブチルアミン、ジ−s−ブチルアミン、1,2−ジアミノプロパン、1,3−ジアミノプロパン、t−ブチルアミン、モノアリルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、モノ(2−エチル−1−ヘキシル)アミン、ジ(2−エチル−1−ヘキシル)アミン、トリ(2−エチル−1−ヘキシル)アミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、トリエチレンジアミン等があげられる。
【0035】
また、アニリン類として、アニリン、p−アニシジン、o−アニシジン、p−アミノアセトアニリド、2−アミノ−4−クロロフェノール、p−アミノフェノール、m−アミノフェノール、p−アミノベンズアルデヒド、n−エチルアニリン等があげられる。
【0036】
さらにピリジン誘導体として、ピリジン、2−メチルピリジン、3−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−フェニルピリジン、3−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン等があげられる。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、現像処理を強現像処理と弱現像処理の2段階に分け、かつ強現像処理工程を強アルカリの物質を用いたレジスト膜表面への吸着により行うことにより、強現像処理工程から弱現像処理工程への置き換えが短時間にでき、高い露光量余裕度およびフォーカス余裕度により断面形状が矩形のレジストパターンを得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係るレジストパターン形成方法の工程断面図。
【図2】同実施形態におけるレジストパターン形成方法の比較のために行った現像処理における現像速度曲線を示す図。
【図3】同実施形態における露光量に対するレジストパターン線幅を示す図。
【図4】同実施形態における露光量余裕度とフォーカス余裕度を示す図。
【図5】0.15NTMAH現像液の場合のレジストパターン形状を示す図。
【図6】0.27NTMAH現像液の場合のレジストパターン形状を示す図。
【図7】本実施形態の場合のレジストパターン形状を示す図。
【図8】露光量と現像速度から求まる解像性パラメータγを示す図。
【図9】γ値と露光量余裕度、フォーカス余裕度との関係を示す図。
【図10】レジスト表面とレジスト膜全体の溶解速度を模式的に表した図。
【図11】n値と露光量余裕度、フォーカス余裕度との関係を示す図。
【符号の説明】
1…シリコンウェハ
2…SiO2 膜
3…反射防止膜
4…化学増幅型ポジレジスト
5…光
6…蒸気
Claims (1)
- 基板上に形成された化学増幅型ポジレジスト膜を露光する工程と、前記露光されたレジスト膜をベークする工程と、前記ベークされたレジスト膜表面に強アルカリの蒸気を晒して強アルカリの物質を吸着させる工程と、前記強アルカリの蒸気に比較して弱現像作用の現像液を用いて前記レジスト膜全体を現像する工程とを含み、
前記強アルカリの蒸気は、前記弱現像作用の現像液より、アルカリ成分が濃厚な現像液であるか、強アルカリ物質である脂肪族アミン化合物の蒸気であることを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28521598A JP3702108B2 (ja) | 1998-10-07 | 1998-10-07 | レジストパターン形成方法 |
US09/413,543 US6225033B1 (en) | 1998-10-07 | 1999-10-06 | Method of forming a resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28521598A JP3702108B2 (ja) | 1998-10-07 | 1998-10-07 | レジストパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000112146A JP2000112146A (ja) | 2000-04-21 |
JP3702108B2 true JP3702108B2 (ja) | 2005-10-05 |
Family
ID=17688606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28521598A Expired - Lifetime JP3702108B2 (ja) | 1998-10-07 | 1998-10-07 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6225033B1 (ja) |
JP (1) | JP3702108B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6824879B2 (en) | 1999-06-10 | 2004-11-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
KR100804873B1 (ko) | 1999-06-10 | 2008-02-20 | 얼라이드시그날 인코퍼레이티드 | 포토리소그래피용 sog 반사방지 코팅 |
EP1472574A4 (en) | 2001-11-15 | 2005-06-08 | Honeywell Int Inc | ANTI-REFLECTIVE COATINGS DESIGNED TO BE INSTALLED BY ROTATION FOR PHOTOLITHOGRAPHY |
US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
JP4999161B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2012-08-15 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8642246B2 (en) | 2007-02-26 | 2014-02-04 | Honeywell International Inc. | Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof |
US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
JP6159746B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2017-07-05 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、処理剤、電子デバイス及びその製造方法 |
JP6268113B2 (ja) * | 2015-03-05 | 2018-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
EP3194502A4 (en) | 2015-04-13 | 2018-05-16 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4342917A (en) * | 1978-01-16 | 1982-08-03 | The Perkin-Elmer Corporation | X-ray lithography apparatus and method of use |
US4215192A (en) * | 1978-01-16 | 1980-07-29 | The Perkin-Elmer Corporation | X-ray lithography apparatus and method of use |
JPH02184373A (ja) | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Seiko Epson Corp | スタンパの製造方法 |
US5244759A (en) * | 1991-02-27 | 1993-09-14 | At&T Bell Laboratories | Single-alignment-level lithographic technique for achieving self-aligned features |
JPH04314002A (ja) | 1991-04-12 | 1992-11-05 | Stanley Electric Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
JPH0721640A (ja) | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Sony Corp | 電子機器用弾性押圧体及び電子機器 |
-
1998
- 1998-10-07 JP JP28521598A patent/JP3702108B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-10-06 US US09/413,543 patent/US6225033B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000112146A (ja) | 2000-04-21 |
US6225033B1 (en) | 2001-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11467497B2 (en) | Method of forming mask | |
JP3727335B2 (ja) | フォトレジスト用底部反射防止塗料における金属イオンの低減 | |
JP2919004B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP3702108B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
WO2003040831A1 (fr) | Procede de formation d'un motif fin | |
JPS61200537A (ja) | 蒸気拡散画像反転によりポジのホトレジストの画像の質を高める方法 | |
US20050260527A1 (en) | Methods of patterning photoresist | |
JP4810237B2 (ja) | フォトレジストパターンコーティング用組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子 | |
JPH1048831A (ja) | レジスト・パターン形成方法 | |
JP3363079B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP2008218866A (ja) | パターン形成方法およびパターン形成装置 | |
JP2003218009A (ja) | エッチングパターン形成方法、及び微細パターン加工品 | |
JP2024535798A (ja) | Euvレジストのハイブリッド現像 | |
JP2002184673A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JPS63200531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20050221019A1 (en) | Method of improving the uniformity of a patterned resist on a photomask | |
US20090208852A1 (en) | Pattern forming method, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus | |
US7468227B2 (en) | Method of reducing the average process bias during production of a reticle | |
JPH09134862A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JPH07253676A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JPH04131857A (ja) | フォトレジストの現像方法 | |
JP3354901B2 (ja) | 微細パターンの形成方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPH09171951A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JP2658859B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JP2578930B2 (ja) | パターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050315 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050715 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100722 Year of fee payment: 5 |