JP2003218009A

JP2003218009A - エッチングパターン形成方法、及び微細パターン加工品

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Publication number: JP2003218009A
Application number: JP2002013676A
Authority: JP
Inventors: Toshinao Shinpo; 俊尚新保
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-01-23
Filing date: 2002-01-23
Publication date: 2003-07-31
Anticipated expiration: 2022-01-23
Also published as: JP4206669B2

Abstract

(57)【要約】【課題】パターン形成の工程を短縮し簡略化するとと
もに、製造コストを低減する。【解決手段】Ｓｉ基板１の表面に形成された酸化膜２
上に、ポジ型フォトレジストによってレジスト層３を形
成する。このレジスト層３に対して露光、現像及びポス
トベークを順に行うことで第１レジストパターンを形成
し、この第１レジストパターンを用いて酸化膜２に対す
るエッチング処理を行う。これにより、１層目の段差パ
ターン２ａを作製する。第１レジストパターンによるエ
ッチング処理の後、残存するレジスト層３に対して露
光、現像及びポストベークを再度行うことで第２レジス
トパターン３ｂを形成し、この第２レジストパターン３
ｂを用いて酸化膜２に対するエッチング処理を行う。こ
れにより、２層目の段差パターン２ｂを作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィ技術を用いて、複数種類の微細パターンをレジスト層
に形成するエッチングパターン形成方法、及び、微細パ
ターン加工品に関する。

【０００２】

【従来の技術】フォトリソグラフィ技術は、半導体の製
造工程等に広く用いられており、近年ではマイクロマシ
ンの製造等の微細加工技術にも応用されている。例え
ば、基板に厚さの異なる複数部位を形成するための加工
（所謂集中パターニング）に用いられている。この集中
パターニングでは、厚さの異なる複数部位を有する加工
膜を用いている。そして、この段差付きの加工膜を作製
するにあたり、レジストの塗布、露光、現像、レジスト
層の除去からなる一連の工程を、厚さの異なる部位毎に
繰り返して行っていた。

【０００３】例えば、２段の凹部を有する加工膜を作製
する場合について説明する。この場合、まず、基板表面
にフォトレジストを塗布してレジスト層を形成し、この
レジスト層に対して１段目の微細パターンを露光する。
その後、レジスト層を現像して１段目の微細パターンを
形成し、この微細パターンを用いたエッチングによって
基板に１段目の凹部を形成する。１段目の凹部を形成し
たならばレジスト層を除去する。次に、基板表面にフォ
トレジストを再度塗布してレジスト層を形成し、このレ
ジスト層に対して２段目の微細パターンを露光する。そ
の後、レジスト層を現像して２段目の微細パターンを形
成し、この微細パターンを用いたエッチングによって基
板に２段目の凹部を形成する。２段目の凹部を形成した
ならばレジスト層を除去する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記方法では、レジス
トの塗布、露光、現像、レジスト層の除去からなる一連
の工程を、厚さの異なる部位毎に繰り返して行うので、
微細パターンの形成に手間が掛かかってしまうという問
題があった。また、新しいフォトレジストをその都度塗
布するので、製造コストが増大するという問題もあっ
た。さらに、複数の微細パターンを位置合わせするため
のアラインメントマークが次に形成したレジスト層によ
って埋められてしまうので、アラインメント精度が低下
し易いという問題もあった。

【０００５】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、厚さが異なる複数部位を備えた微細パターンをエッ
チング対象物に形成する際において、その工程が簡略化
できるとともに、製造コストを低減可能なエッチングパ
ターン形成方法、及び、微細パターン加工品を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために提案されたものであり、請求項１に記載の発
明は、エッチング対象物の表面に設けられたポジ型フォ
トレジスト層に対して露光、現像及びポストベークを順
に行うことで微細パターンを形成し、該微細パターンに
よるエッチング対象物へのエッチング処理の後に、この
エッチング処理で用いたレジスト層に対して露光、現像
及びポストベークを再度行うことで新たな微細パターン
を形成することを特徴とするエッチングパターン形成方
法である。

【０００７】請求項２に記載の発明は、前記レジスト層
の厚さを８０００Å〜１５０００Åに設定したことを特
徴とする請求項１に記載のエッチングパターン形成方法
である。

【０００８】請求項３に記載の発明は、前記ポストベー
クの温度を１００℃〜１４０℃に設定し、ポストベーク
の時間を５分〜１５分に設定したことを特徴とする請求
項１又は請求項２に記載のエッチングパターン形成方法
である。

【０００９】請求項４に記載の発明は、前記エッチング
対象物がＳｉ基板表面に形成された加工膜であることを
特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のエッ
チングパターン形成方法である。

【００１０】請求項５に記載の発明は、前記加工膜がＣ
ＶＤ法又は熱拡散法等の薄膜形成方法により形成されて
いることを特徴とする請求項４に記載のエッチングパタ
ーン形成方法である。

【００１１】請求項６に記載の発明は、前記エッチング
対象物がＳｉ基板であることを特徴とする請求項１から
請求項３の何れかに記載のエッチングパターン形成方法
である。

【００１２】請求項７に記載の発明は、前記エッチング
対象物が金属基板であることを特徴とする請求項１から
請求項３の何れかに記載のエッチングパターン形成方法
である。

【００１３】請求項８に記載の発明は、基板表面に形成
された加工膜上にポジ型フォトレジスト層を設け、該レ
ジスト層に対して露光、現像及びポストベークを順に行
うことで微細パターンを形成し、該微細パターンを用い
て前記加工膜へのエッチング処理を行う工程と、当該エ
ッチング処理の後に、このエッチング処理で使用したレ
ジスト層に対して露光、現像及びポストベークを再度行
うことで新たな微細パターンを形成し、該新たな微細パ
ターンを用いて前記加工膜へのエッチング処理を行い、
該加工膜に厚さの異なる複数部位を形成する工程と、前
記レジスト層を除去した後、加工膜をマスクにして基板
のエッチング処理を行う工程と、前記加工膜における膜
厚の薄い部位を選択的に除去し、除去後の加工膜をマス
クにして基板の厚さ方向の途中までエッチング処理を行
う工程とを経て製造されることを特徴とする微細パター
ン加工品である。

【００１４】請求項９に記載の発明は、基板表面に設け
られたポジ型フォトレジスト層に対して露光、現像及び
ポストベークを順に行うことで微細パターンを形成し、
該微細パターンを用いて前記基板へのエッチング処理を
行う工程と、当該エッチング処理の後に、このエッチン
グ処理で使用したレジスト層に対して露光、現像及びポ
ストベークを再度行うことで新たな微細パターンを形成
し、該新たな微細パターンをマスクにして基板の厚さ方
向の途中までエッチング処理を行う工程とを経て製造さ
れることを特徴とする微細パターン加工品である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。まず、図１及び図２に基づき、基
板表面の加工膜（本発明のエッチング対象物の一種）に
対してエッチングを施し、この加工膜に厚さの異なる複
数部位を形成する一連の工程について説明する。なお、
この実施形態では、表面が（１１０）面とされたシリコ
ンウエハーを基板（以下、Ｓｉ基板と称する。）として
用いている。

【００１６】まず、洗浄後のＳｉ基板１の表面に酸化膜
（ＳｉＯ_２膜）２を形成する。この酸化膜２は、Ｓｉ基
板１に対するエッチング時に用いる加工膜として機能す
ると共に、レジスト層３の現像時における保護膜として
機能する。なお、この酸化膜２は任意の方法で形成する
ことができるが、ＣＶＤ法や熱拡散法等の薄膜形成方法
が好ましい。これは、均一膜厚の酸化膜２を高い精度で
形成できるからである。そして、酸化膜２を形成したな
らば、そのＳｉ基板１を洗浄し、不活性ガス中で十分に
乾燥させる。

【００１７】Ｓｉ基板１に対する洗浄・乾燥が終了した
ならば、酸化膜２上にレジスト層３を均一厚さで形成す
る。本実施形態では、このレジスト層３を、光照射によ
って光化学反応が起き、その反応により高分子チェーン
が分解して現像液に可溶性となるポジ型フォトレジスト
を用いて形成する。このポジ型フォトレジストとして
は、例えば、Ｏ−ナフトキノンジアジトとアルカリ可溶
性フェノール樹脂との混合樹脂等が挙げられる。

【００１８】このレジスト層３の厚さは、８０００〜１
５０００Å（１０^−１０ｍ）に設定することが好まし
い。ここで、レジスト層３の厚さ上限を１５０００Åに
設定したのは、レジスト層３が１５０００Åより厚い
と、後述する露光工程において、光がレジスト層３の最
下部まで到達する前に減衰し、膜下部が露光されずに現
像不良となってしまうからである。また、レジスト層３
の厚さ下限を８０００Åに設定したのは、レジスト層３
が８０００Åより薄いと、後述する第２レジストパター
ンの形成時においてレジスト層３の膜厚が過度に薄くな
り、露光エッジ部の形状の直線性が損なわれて歩留まり
が低下するからである。なお、このレジスト層３の形成
方法としては、スピンコートが好適に用いられる。

【００１９】レジスト層３を形成したならば、次にプリ
ベークを行い、このレジスト層３に含まれる溶剤を蒸発
させる。このプリベークは、例えば、８０〜９０℃の温
度で３０分程度行う。

【００２０】プリベークを行ったならば、微細パターン
が形成されたフォトマスク（図示せず）を用いてレジス
ト層３上にマスキングを施し、その後、水銀ランプ等の
光源を用いて露光する。なお、フォトマスクとしては、
写真乾板と同様の構造のエマルジョンマスクの他、クロ
ムや酸化クロム等の薄膜をパターンニングしたハードマ
スクを用いることができる。また、露光方式としては、
フォトマスクとレジスト層３とを密着させて露光する密
着露光の他、フォトマスクをレジスト層３に密着させ
ず、フォトマスクの微細パターンをレジスト層３に投影
する投影露光を用いることができる。

【００２１】露光処理を行ったならば、露光後のレジス
ト層３を現像する。この現像には、例えば、珪酸ソーダ
やリン酸ソーダ等を含むアルカリ性現像液を用いる。そ
して、この現像処理により、図１（ｂ）に示すように、
レジスト層３における露光部分が除去され、第１の微細
パターン３ａ（以下、第１レジストパターン３ａと称す
る。）が形成される。なお、この現像工程において、残
存する未露光のレジスト層３の膜厚も多少減少する。

【００２２】現像処理が終了したならば、第１レジスト
パターン３ａが形成されたレジスト層３をポストベーク
し、Ｓｉ基板１との密着性を高める。その際、ポストベ
ークは、１００〜１４０℃の温度で、５〜１５分程度の
時間行うことが好ましい。ここで、ポストベークの温度
上限を１４０℃に設定したのは、ポストベーク温度が１
４０℃より高いと、後工程での感光特性が劣化し、所望
の寸法精度が得られなくなるからである。また、ポスト
ベークの温度下限を１００℃に設定したのは、ポストベ
ーク温度が１００℃より低いと、ベーク後のエッチング
時にレジスト層３とＳｉ基板１との密着性が低くなり、
アンダーエッチ（レジスト層下に生じるエッチング）の
量が局部的に大きくなるからである。さらに、ポストベ
ーク時間の上限を１５分に設定したのは、ポストベーク
時間が１５分より長いと、ポストベーク温度が高い場合
と同様の現象が生じるからである。また、ポストベーク
時間の下限を５分に設定したのは、ワークが温まる時間
を考慮する必要があり、ポストベーク時間が５分より短
いと、ポストベーク温度が低い場合と同様にアンダーエ
ッチが発生し易いからである。

【００２３】ポストベークが終了したならば、ＨＦ溶液
等の溶解液により酸化膜２を膜厚の途中までエッチング
（１段目段差エッチング）する。この１段目段差エッチ
ングにより、酸化膜２における第１レジストパターン３
ａからの露出部分が除去され、図１（ｃ）に示すような
１層目の段差パターン２ａが形成される。なお、この段
差パターン２ａの深さはエッチング時間で制御する。例
えば、酸化膜２内を厚さ方向に貫通させるために必要な
エッチング時間が１２分であった場合、エッチング時間
を６分に設定することで、段差パターン２ａの深さを基
板厚さの略中間にすることができる。同様に、エッチン
グ時間を４分に設定することで、段差パターン２ａの深
さを基板厚さの略１／３にすることができる。そして、
本実施形態では、エッチング時間を６分に設定して厚さ
方向の略中間でエッチングを停止させている。

【００２４】１段目段差エッチングが終了したならば、
このエッチング処理で使用したレジスト層３に対して露
光、現像及びポストベークを再度行うことで新たな微細
パターンを形成する。

【００２５】ここでは、まず、残存する未感光のレジス
ト層３、即ち、第１レジストパターン３ａが形成された
レジスト層３の上にマスキングを施して露光する。その
際、１回目の露光処理で付けたアラインメントマークを
２回目の露光におけるアラインメントに使用する。この
ようにすると、アラインメントマークが共通なのでアラ
インメント精度が向上する。また、上記したように、最
初に塗布するレジスト層３の厚さの下限を８０００Åに
定めているので、露光エッジ部における形状の直線性を
良好に保つことができる。

【００２６】露光処理を行ったならば、露光後のレジス
ト層３を現像する。この現像処理により、図２（ａ）に
示すように、レジスト層３における露光部分が除去さ
れ、第２の微細パターン３ｂ（以下、第２レジストパタ
ーン３ｂと称する。）が形成される。そして、現像を行
ったならば、第１レジストパターン３ａを形成した時と
同様の条件でポストベークを行う。

【００２７】ポストベークを行ったならば、この第２レ
ジストパターン３ｂを用いてＨＦ溶液等により、酸化膜
２をエッチング（２段目段差エッチング）する。本実施
形態において、この２段目段差エッチングは、１層目の
段差パターン２ａが膜厚方向に丁度貫通するまで行う。
例えば、この２段目段差エッチングにおけるエッチング
時間を６分間に設定する。これにより、図２（ｂ）に示
すように、酸化膜２には厚さの異なる複数部位が形成さ
れる。即ち、第１レジストパターン３ａに対応する１層
目の段差パターン（貫通部分）２ａと、第２レジストパ
ターン３ｂに対応する２層目の段差パターン（薄肉部
分）２ｂと、第１レジストパターン３ａ及び第２レジス
トパターン３ｂの両方で未露光とされた未露光部分に対
応する厚肉部分２ｃとが形成される。

【００２８】２段目段差エッチングを行ったならば、図
２（ｃ）に示すように、酸化膜２の表面に残存している
レジスト層３（即ち、第２レジストパターン３ｂが形成
されたレジスト層３）を剥離除去し、純水等で洗浄す
る。このレジスト層３の除去は、例えば、Ｈ_２ＳＯ_４／
Ｈ_２Ｏ_２等の酸性溶液によって行う。

【００２９】このように、本実施形態では、レジスト層
３をポジ型フォトレジストにより形成し、このレジスト
層３に微細パターンを形成した後の未露光部分を用いて
新たな微細パターンを形成している。このため、従来の
ように、微細パターン毎にレジスト層３の形成及び除去
を繰り返す必要がなく、１層のレジスト層３を用いて複
数種類の微細パターンを形成できる。従って、工程が簡
略化され、製造効率を向上させることができる。また、
フォトレジストの塗布回数を減らすことができるので、
製造コストを低減することができる。

【００３０】次に、図３及び図４に基づき、上記工程で
作製された段差付きの酸化膜２を加工膜としたエッチン
グ処理（集中パターニング）により、Ｓｉ基板１から微
細パターン加工品を作製する一連の工程について説明す
る。

【００３１】図３（ａ），（ｂ）に示すように、まず、
上記の加工膜（酸化膜）２が形成されたＳｉ基板１をＫ
ＯＨ等のアルカリ溶液に浸し、１段目のエッチングを行
う。この１段目のエッチングにより、Ｓｉ基板１におけ
る１層目の段差パターン２ａに対応する部分が浸食され
る。このとき、Ｓｉ基板１の異方性によって浸食方向は
板厚方向となり、当該部分に１段目凹部１ａが形成され
る。そして、このエッチングは、Ｓｉ基板１における厚
さ方向の途中まで行う。本実施形態では、この１段目凹
部１ａの深さをエッチング時間によって制御している。

【００３２】１段目凹部１ａが所望の深さに形成される
まで１段目のエッチングを行ったならば、２層目の段差
パターン２ｂに対応する新たなエッチングパターンを作
製する。即ち、１段目のエッチングが終了した加工膜付
きのＳｉ基板１をＨＦ溶液等に浸すなどして、図３
（ｃ）に示すように、加工膜２における薄肉部分２ｂを
除去する。この場合、加工膜２は全体的に厚さが薄くな
るので、溶液に浸す時間を適宜調整することで加工膜２
の薄肉部分２ｂのみを選択的に除去し、厚肉部分２ｃを
残す。

【００３３】新たなエッチングパターンを形成したなら
ば、このエッチングパターンをマスクにして２段目のエ
ッチングを行う。即ち、このエッチングパターンが形成
されたＳｉ基板１をＫＯＨ溶液に浸す。この２段目エッ
チングにより、図４（ａ）に示すように、２層目の段差
パターン２ｂに対応する部分が浸食され、Ｓｉ基板１に
２段目凹部１ｂが形成される。このとき、上記した１段
目凹部１ａも同様に浸食されるので、Ｓｉ基板１には、
１段目凹部１ａと２段目凹部１ｂとからなる段差凹部が
形成される。そして、２段目凹部１ｂを、板厚方向の途
中であって所望の深さまで形成したならば、Ｓｉ基板１
をＫＯＨ溶液から引き上げてエッチングを停止させる。

【００３４】このようにしてＳｉ基板１に段差凹部１
ａ，１ｂを形成したならば、図４（ｂ）に示すように、
残存している加工膜２（厚肉部分２ｃ）を除去し、微細
パターン加工品を得る。この加工膜２の除去は、例え
ば、ＨＦ溶液等に浸すことで行う。加工膜２を除去した
ならば、必要に応じてＳｉ基板１の表面全体に酸化膜２
を形成する。

【００３５】ところで、上記の第１実施形態では、Ｓｉ
基板表面の加工膜（酸化膜）２を本発明におけるエッチ
ング対象物としていたが、本発明はこの形態に限定され
るものではない。例えば、基板を本発明のエッチング対
象として基板表面にポジ型フォトレジスト層を設け、こ
のフォトレジスト層を用いたエッチングにより、基板に
厚さの異なる複数部位を形成してもよい。以下、図５に
基づき、この方法を採った第２実施形態について説明す
る。

【００３６】この第２実施形態では、まず図５（ａ）に
示すように、金属基板１１の表面にポジ型フォトレジス
トを塗布してレジスト層１２を形成する。このレジスト
層１２の厚さは、先に説明したレジスト層３と同様に８
０００Å〜１５０００Åとすることが好ましい。レジス
ト層１２を形成したならば、このレジスト層１２に対し
て対して露光、現像及びポストベークを順に行い、図５
（ｂ）に示すように、第１の微細パターン（第１レジス
トパターン１２ａ）を形成する。なお、この第１レジス
トパターン１２ａの形成条件も、先の第１実施形態と同
様である。

【００３７】レジスト層１２に第１レジストパターン１
２ａを形成したならば、この第１レジストパターン１２
ａをマスクにして金属基板１１に対するエッチング処理
を行う。これにより、図５（ｃ）に示すように、金属基
板１１における第１レジストパターン１２ａに対応した
部分が浸食され、当該部分に１段目凹部１１ａが形成さ
れる。そして、本実施形態では、１段目凹部１１ａが金
属基板１１を貫通する前にこのエッチング処理を停止す
る。

【００３８】第１レジストパターン１２ａによるエッチ
ング処理が終了したならば、この第１レジストパターン
１２ａが形成されたレジスト層１２に対して新たな微細
パターン（第２レジストパターン１２ｂ）を形成する。
即ち、このレジスト層１２における未感光部分に対し
て、露光、現像及びポストベークを再度行うことで、図
５（ｄ）に示すように、第２レジストパターン１２ｂを
形成する。

【００３９】レジスト層１２に第２レジストパターン１
２ｂを形成したならば、この第２レジストパターン１２
ｂをマスクにして金属基板１１に対するエッチング処理
を行う。これにより、図５（ｅ）に示すように、金属基
板１１における第２レジストパターン１２ｂに対応した
部分が浸食され、当該部分に２段目凹部１１ｂが形成さ
れる。このとき、上記した１段目凹部１１ａも同様に浸
食されるので、金属基板１１には、１段目凹部１１ａと
２段目凹部１１ｂとからなる段差凹部が形成される。そ
して、２段目凹部１１ｂが板厚方向途中の所望の深さに
形成されたならば、このエッチング処理を停止する。本
実施形態では、１段目凹部１１ａが金属基板１１を貫通
する前にエッチング処理を停止している。

【００４０】このようにして金属基板１１に段差凹部１
１ａ，１１ｂを形成したならば、図５（ｆ）に示すよう
に、残存しているレジスト層１２を除去し、微細パター
ン加工品を得る。

【００４１】このように、本実施形態でも、レジスト層
１２をポジ型フォトレジストにより形成し、このレジス
ト層１２に微細パターン１２ａを形成した後の未露光部
分を用いて新たな微細パターン１２ｂを形成している。
このため、１層のレジスト層１２を用いて複数種類の微
細パターンが形成でき、製造効率の向上が図れる。ま
た、フォトレジストの塗布回数を減らせるので、製造コ
ストの低減が図れる。

【００４２】なお、この第２実施形態において、エッチ
ング対象物は金属基板１１に限定されるもではない。例
えば、Ｓｉ基板をエッチング対象物としても同様に実施
できる。

【００４３】ところで、本発明は、上記各実施形態に限
定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づい
て種々の変形が可能である。例えば、上記各実施形態で
は、１つのレジスト層３，１２に対して露光、現像及び
ポストベークの一連の処理を２回繰り返して行っていた
が、この一連の処理を３回以上繰り返して行ってもよ
い。

【００４４】また、微細パターン加工品は、マイクロマ
シンの構成部品以外であってもよい。例えば、インクジ
ェット式記録ヘッドにおけるインク流路を形成するため
の流路形成基板でもよい。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、以
下の効果を奏する。即ち、エッチング対象物の表面に設
けられたポジ型フォトレジスト層に対して露光、現像及
びポストベークを順に行うことで微細パターンを形成
し、該微細パターンによるエッチング対象物へのエッチ
ング処理の後に、このエッチング処理で用いたレジスト
層に対して露光、現像及びポストベークを再度行うこと
で新たな微細パターンを形成するので、１層のレジスト
層を用いて複数種類の微細パターンが形成できる。これ
により、厚さが異なる複数部位を備えた微細パターンを
エッチング対象物に形成する際において、工程の簡略化
が図れると共に、製造コストの低減が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態のパターン形成方法を示す概略図
であり、（ａ）は酸化膜が形成されたＳｉ基板上にレジ
スト層を設けた状態を説明する図、（ｂ）はレジスト層
に第１レジストパターンを形成した状態を説明する図、
（ｃ）は第１レジストパターンによるエッチングを説明
する図である。

【図２】第１実施形態のパターン形成方法を示す概略図
であり、（ａ）はレジスト層に第２レジストパターンを
形成した状態を説明する図、（ｂ）は第２レジストパタ
ーンによるエッチングを説明する図、（ｃ）はレジスト
層を除去した状態を説明する図である。

【図３】第１実施形態のパターン形成方法を示す概略図
であり、（ａ）は加工膜が形成されたＳｉ基板を説明す
る図、（ｂ）は加工膜による１段目のエッチングを説明
する図、（ｃ）は加工膜における薄肉部を除去した状態
を説明する図である。

【図４】第１実施形態のパターン形成方法を示す概略図
であり、（ａ）は加工膜による２段目のエッチングを説
明する図、（ｂ）は加工膜を除去した状態を説明する図
である。

【図５】（ａ）〜（ｆ）は、第２実施形態におけるパタ
ーン形成方法を示す概略図である。

【符号の説明】

１Ｓｉ基板１ａ１段目凹部１ｂ２段目凹部２酸化膜（加工膜）２ａ１層目の段差パターン（貫通部分）２ｂ２層目の段差パターン（薄肉部分）２ｃ厚肉部分３レジスト層３ａ第１レジストパターン３ｂ第２レジストパターン１１金属基板１１ａ１段目凹部１１ｂ２段目凹部１２レジスト層１２ａ第１レジストパターン１２ｂ第２レジストパターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エッチング対象物の表面に設けられたポ
ジ型フォトレジスト層に対して露光、現像及びポストベ
ークを順に行うことで微細パターンを形成し、該微細パターンによるエッチング対象物へのエッチング
処理の後に、このエッチング処理で用いたレジスト層に
対して露光、現像及びポストベークを再度行うことで新
たな微細パターンを形成することを特徴とするエッチン
グパターン形成方法。
【請求項２】前記レジスト層の厚さを８０００Å〜１
５０００Åに設定したことを特徴とする請求項１に記載
のエッチングパターン形成方法。
【請求項３】前記ポストベークの温度を１００℃〜１
４０℃に設定し、ポストベークの時間を５分〜１５分に
設定したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
のエッチングパターン形成方法。
【請求項４】前記エッチング対象物がＳｉ基板表面に
形成された加工膜であることを特徴とする請求項１から
請求項３の何れかに記載のエッチングパターン形成方
法。
【請求項５】前記加工膜がＣＶＤ法又は熱拡散法等の
薄膜形成方法により形成されていることを特徴とする請
求項４に記載のエッチングパターン形成方法。
【請求項６】前記エッチング対象物がＳｉ基板である
ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載
のエッチングパターン形成方法。
【請求項７】前記エッチング対象物が金属基板である
ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載
のエッチングパターン形成方法。
【請求項８】基板表面に形成された加工膜上にポジ型
フォトレジスト層を設け、該レジスト層に対して露光、
現像及びポストベークを順に行うことで微細パターンを
形成し、該微細パターンを用いて前記加工膜へのエッチ
ング処理を行う工程と、当該エッチング処理の後に、このエッチング処理で使用
したレジスト層に対して露光、現像及びポストベークを
再度行うことで新たな微細パターンを形成し、該新たな
微細パターンを用いて前記加工膜へのエッチング処理を
行い、該加工膜に厚さの異なる複数部位を形成する工程
と、前記レジスト層を除去した後、加工膜をマスクにして基
板のエッチング処理を行う工程と、前記加工膜における膜厚の薄い部位を選択的に除去し、
除去後の加工膜をマスクにして基板の厚さ方向の途中ま
でエッチング処理を行う工程とを経て製造されることを
特徴とする微細パターン加工品。
【請求項９】基板表面に設けられたポジ型フォトレジ
スト層に対して露光、現像及びポストベークを順に行う
ことで微細パターンを形成し、該微細パターンを用いて
前記基板へのエッチング処理を行う工程と、当該エッチング処理の後に、このエッチング処理で使用
したレジスト層に対して露光、現像及びポストベークを
再度行うことで新たな微細パターンを形成し、該新たな
微細パターンをマスクにして基板の厚さ方向の途中まで
エッチング処理を行う工程とを経て製造されることを特
徴とする微細パターン加工品。