JP2000241990A

JP2000241990A - フォトレジストパターンの形成方法

Info

Publication number: JP2000241990A
Application number: JP4392399A
Authority: JP
Inventors: Toshiro Itani; 俊郎井谷
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-02-22
Filing date: 1999-02-22
Publication date: 2000-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】化学増幅系ポジ型フォトレジストを用いたフ
ォトレジストパターンの形成方法において、保護基の脱
保護反応を速やかに進行させて良好なレジストパターン
を得る。【解決手段】開示されているフォトレジストパターン
の形成方法は、露光後の化学増幅系ポジ型フォトレジス
トからなるフォトレジスト膜を、常温の純水で、１〜３
０秒間、リンスしてからＰＥＢ処理を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、フォトレジスト
パターンの形成方法に係り、より詳しくは、化学増幅系
ポジ型フォトレジストを用いるフォトレジストパターン
の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩ（大規模集積回路）で代表される
半導体装置の製造では、半導体基板上に形成した酸化シ
リコン膜、窒化シリコン膜等の絶縁膜、又はアルミニウ
ム合金膜、銅合金膜等の導電膜を含む各種薄膜を所望の
形状にパターニングするために、フォトリソグラフィ技
術が欠かせない。このフォトリソグラフィ技術では、従
来から、紫外線に感光するフォトレジストを用いて薄膜
上に塗布してフォトレジスト膜を形成した後、このフォ
トレジスト膜にマスクパターンを介して紫外線を照射
（露光）して、紫外線照射領域を可溶化（ポジ型）、あ
るいは紫外線非照射領域を不溶化（ネガ型）に変質させ
ることが行われている。そして、次に、フォトレジスト
膜を現像処理して可溶化領域を溶剤により部分的に除去
してレジストパターンを形成した後、このレジストパタ
ーンをマスクとして薄膜を選択的にエッチングさせて、
薄膜をパターニングするようにしている。

【０００３】ここで、上述のフォトレジストの材料とし
ては一般に、従来から、ポジ型のノボラック系フォトレ
ジストが用いられている。ポジ型のフォトレジストはネ
ガ型のそれに比較して解像度が優れている特長を有して
いるので、この種のフォトレジストはほとんどポジ型が
用いられている。一方、フォトレジストの露光光源とし
ては、高圧水銀灯を用いてこれから発生されるｇ線（波
長が略４３６ｎｍ）、ｉ線（波長が略３６５ｎｍ）等の
紫外線が利用されている。

【０００４】ところで、ＬＳＩの集積化の向上につれ
て、より微細加工が可能なフォトリソグラフィ技術が要
求されるようになり、これに伴ってフォトレジストの露
光光源は、高解像度が得られるより短い波長の紫外線を
用いる方向に向かっている。この結果、上述のｉ線より
波長の短い遠紫外線を発生するエキシマレーザを光源
（例えば、ＫｒＦ（フッ化クリプトン）をレーザ媒質と
して用いた場合、波長が略２４８ｎｍ）として用いるフ
ォトリソグラフィ技術が実現されてきている。

【０００５】しかしながら、上述のようなＫｒＦエキシ
マレーザ光源によって前述のノボラック系フォトレジス
トを露光した場合、ノボラック系フォトレジストは光吸
収が大きい性質を有しているので、良好なレジストパタ
ーンを得るのが困難になる。それゆえ、上述のような遠
紫外線が得られる光源と組み合わせて、より微細加工が
可能なフォトリソグラフィ技術を実現し得るフォトレジ
ストとして、例えば特公平２−２７６６０号公報に記載
されているような化学増幅系フォトレジストが提供され
るに至っている。

【０００６】化学増幅系レジストは、上記公報に記載さ
れているように、酸触媒反応を応用したフォトレジスト
に係り、所定の部位に保護基が結合した状態ではアルカ
リ不溶化となり、保護基が離脱した状態ではアルカリ可
溶化となるポリヒドロキシスチレン（ＰＨＳ：Polyhydr
oxystyrene）等のベース樹脂と、光が当たると酸を発生
する光酸発生剤と、性能調整のための微量の添加物と、
スピナ塗布法のための有機溶剤とから概略なっている。

【０００７】この化学増幅系フォトレジストを、半導体
基板上に塗布し乾燥固化した後、得られた半導体基板上
のフォトレジスト膜にエキシマレーザを光源とする遠紫
外線を照射すると、光酸発生剤から化学増幅の開始種と
なる酸が発生する。この酸が、露光後に実施される熱処
理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）過程で、ベース樹脂
に結合している保護基に作用し、保護基が脱離すること
で、アルカリ不溶化の状態のフォトレジストを、アルカ
リ可溶化の状態に変化させると共に、この際、副次的に
酸が発生するため、連鎖反応的にベース樹脂から保護基
を脱離させる反応が進行する。この反応は、酸触媒増感
反応と呼ばれ、この酸触媒増感反応により、このフォト
レジストの溶解選択性が増大するため、高感度の感光特
性を実現できることとなる。それゆえ、露光後、このフ
ォトレジストをアルカリ性現像液で現像すれば、所望の
微細なレジストパターンを得ることができる。

【０００８】図７は、上述の化学増幅系フォトレジスト
を用いた、従来のフォトレジストパターンの形成方法を
工程順に示す工程図である。以下、同図を参照して、同
フォトレジストパターンの形成方法について工程順に説
明する。まず、図７の工程（ａ）に示すように、所望の
薄膜が形成された半導体基板上に、スピナ塗布法によ
り、化学増幅系フォトレジストとして例えばアセタール
基を保護基に持つＰＨＳをベース樹脂とするポジ型フォ
トレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成する。次
に、工程（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜をプリ
ベークしてフォトレジスト膜内の溶剤を除去する。

【０００９】次に、工程（ｃ）に示すように、例えばＫ
ｒＦエキシマレーザ光源を用いて、フォトレジスト膜に
所望のパターンが描かれたマスクパターンを介して遠紫
外線を照射して露光する。次に、工程（ｄ）に示すよう
に、フォトレジスト膜のアセタール基の脱保護反応（酸
触媒増感反応）を促進するため、フォトレジスト膜にＰ
ＥＢ処理を施す。次に、工程（ｅ）に示すように、フォ
トレジスト膜をアルカリ現像液で現像処理してレジスト
パターンを形成した後、工程（ｆ）に示すように、レジ
ストパターンを構成しているフォトレジスト膜をポスト
ベークして現像処理による水分を除去する。続いて、上
述のレジストパターンをマスクとして半導体基板上の薄
膜を選択的にエッチングすることにより、薄膜をパター
ニングする。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の従来
のフォトレジストパターンの形成方法では、化学増幅系
フォトレジスト膜を露光した後にすぐにＰＥＢ処理を施
しているので、このＰＥＢ処理雰囲気中の水分が不足し
て、保護基の脱保護反応が速やかに進行しなくなり、良
好なレジストパターンが得られない、という問題があ
る。すなわち、ＰＥＢ処理は露光後のフォトレジスト膜
内の保護基の脱保護反応を促進するために行う熱処理で
あり、その反応過程で水分を必要とするが、水分が不足
すると、光酸発生剤から発生した酸が保護基に作用して
保護基に脱離することが十分に行われなくなるので、現
像時にフォトレジスト膜にアルカリ性現像液に難溶にな
る部分が生じて、レジストパターン形成後に欠陥として
残るようになる。したがって、このような欠陥が残って
いるレジストパターンをマスクとして薄膜のパターニン
グを行うと、パターニング不良が生ずるようになる。通
常、露光後のフォトレジスト膜内にはわずかながら水分
が存在するので、パターニングが全くできないことはな
く、これまで、この水分の不足がパターニング不良の原
因とは考えられていなかった。

【００１１】化学増幅系フォトレジストが出現する以前
の従来のフォトレジストを用いたフォトレジストパター
ンの形成方法では、現像時のフォトレジスト膜に対する
現像液のぬれ性を改善するために、現像前に予めフォト
レジスト膜に対して表面親水化処理を行うことは、例え
ば特開平９−１０６０８１号公報に記載されているよう
に一般に知られている。しかしながら、化学増幅系フォ
トレジストを用いたフォトレジストパターンの形成方法
で、現像処理の段階ではなくＰＥＢ処理の段階におい
て、前述したような保護基の脱保護反応を速やかに進行
させるための手段は、従来において全く知られていな
い。したがって、保護基の脱保護反応を速やかに進行さ
せて、良好なレジストパターンが得られる具体的手段が
望まれている。

【００１２】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、化学増幅系ポジ型フォトレジストを用いたフォ
トレジストパターンの形成方法において、保護基の脱保
護反応を速やかに進行させて良好なレジストパターンを
得ることができるようにしたフォトレジストパターンの
形成方法を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、基板上に化学増幅系ポジ型
フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成した
後、該フォトレジスト膜をフォトリソグラフィ技術を用
いて所望の形状にパターニングするフォトレジストパタ
ーンの形成方法に係り、上記フォトレジスト膜を露光し
た後、該フォトレジスト膜を純水でリンスしてからＰＥ
Ｂ処理を施すことを特徴としている。

【００１４】請求項２記載の発明は、基板上に化学増幅
系ポジ型フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を
形成した後、該フォトレジスト膜を露光し、次に該フォ
トレジスト膜に含まれている保護基の脱保護反応を促進
するためにＰＥＢ処理を施して、上記フォトレジスト膜
を所望の形状にパターニングするフォトレジストパター
ンの形成方法であって、上記ＰＥＢ処理を施す前に、上
記フォトレジスト膜を純水でリンスすることを特徴とし
ている。

【００１５】請求項３記載の発明は、基板上に化学増幅
系ポジ型フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を
形成した後、該フォトレジスト膜を露光し、次に該フォ
トレジスト膜に含まれている保護基の脱保護反応を促進
するためにＰＥＢ処理を施し、次に上記フォトレジスト
膜を現像処理して、上記フォトレジスト膜を所望の形状
にパターニングするフォトレジストパターンの形成方法
であって、上記ＰＥＢ処理を施す前に、上記現像処理に
おいて行うリンスで用いる純水と同様な純水を用いて上
記フォトレジスト膜をリンスすることを特徴としてい
る。

【００１６】請求項４記載の発明は、請求項１、２又は
３記載のフォトレジストパターンの形成方法であって、
上記ＰＥＢ処理前のリンスを、常温の純水を用いて行う
ことを特徴としている。

【００１７】請求項５記載の発明は、請求項４記載のフ
ォトレジストパターンの形成方法であって、上記リンス
を、１〜３０秒間行うことを特徴としている。

【００１８】請求項６記載の発明は、請求項３乃至５の
いずれか１に記載のフォトレジストパターンの形成方法
であって、現像処理における現像液として、アルカリ性
現像液を用いることを特徴としている。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は実施例を用いて
具体的に行う。 ◇第１実施例図１は、この発明の第１実施例であるフォトレジストパ
ターンの形成方法を工程順に示す工程図、図２〜図４は
同フォトレジストパターンの形成方法の主要工程を具体
的に示す図である。以下、図１〜図４を参照して、同フ
ォトレジストパターンの形成方法について工程順に説明
する。まず、図１の工程（ａ）に示すように、所望の薄
膜が形成された半導体基板上に、スピナ塗布法により、
化学増幅系ポジ型フォトレジストとして、化１に示すよ
うにアセタール基２を保護基に持つＰＨＳ３をベース樹
脂とするポジ型フォトレジスト１を塗布して、フォトレ
ジスト膜を形成する。

【００２０】

【化１】

【００２１】次に、図１の工程（ｂ）に示すように、上
述のように塗布されたフォトレジスト膜を、９０〜１１
０℃で、６０〜９０秒間、大気中でプリベークして、フ
ォトレジスト膜内の溶剤を除去する。

【００２２】次に、図１の工程（ｃ）に示すように、例
えばＫｒＦエキシマレーザ光源を用いて、フォトレジス
ト膜に所望のパターンが描かれたマスクパターンを介し
て遠紫外線を照射して露光する。

【００２３】次に、図１の工程（ｄ）に示すように、フ
ォトレジスト膜を常温の純水を用いて、リンスする。図
２は、このリンス工程を具体的に示す図である。図２に
示すように、レジスト現像装置内の現像槽１５に設けら
れてモータ１６により回転駆動される支持板１７上に、
表面にフォトレジスト膜１４が形成されている半導体基
板１３を支持させて、半導体基板１３をモータ１６によ
り１００〜３００ｒｐｍ（Revolution Per Minute）回
転させる。この状態で、第１のノズル１８から常温の純
水を、１リットル／分の流量で半導体基板１３にスピン
吐出して、フォトレジスト膜１４を１〜３０秒間、好ま
しくは１〜１０秒間、リンスする。このリンスにより、
露光後のフォトレジスト膜１４には十分の量の水分が供
給されて、この後のＰＥＢ処理雰囲気中の水分が補われ
るようになる。第２のノズル１９からは、この時点では
何も吐出させないでおく。次に、半導体基板１３を１８
００〜２２００ｒｐｍで、５〜１５秒間スピン乾燥す
る。

【００２４】次に、図１の工程（ｅ）に示すように、フ
ォトレジスト膜のアセタール基の脱保護反応を促進する
ため、フォトレジスト膜にＰＥＢ処理を施す。図３は、
このＰＥＢ処理工程を具体的に示す図である。図３に示
すように、レジスト現像装置内に設けられているホット
プレー２１上に半導体基板１３を移動して、９０〜１２
０℃で、８０〜１００秒間熱処理する。このＰＥＢ処理
時に、フォトレジスト膜１４には前述のリンスにより十
分な水分が供給されているので、フォトレジスト膜１４
内のアセタール基の脱保護反応が促進される。したがっ
て、光酸発生剤から発生した酸によるアセタール基の脱
離が十分に行われるようになる。

【００２５】次に、図１の工程（ｆ）に示すように、フ
ォトレジスト膜を現像処理する。図４は、この現像処理
工程を具体的に示す図である。図４に示すように、半導
体基板１３を再び現像槽１５の支持板１７上に移動した
後、第２のノズル１９からアルカリ性現像液をフォトレ
ジスト膜１４上にスピン吐出する。第１のノズル１８か
らは、この時点では何も吐出させないでおく。次に、ア
ルカリ性現像液のスピン吐出を停止した後、第１のノズ
ル１８から工程（ｄ）で用いた純水と同様な純水を半導
体基板１３にスピン吐出して、５〜２０秒間フォトレジ
スト膜１４をリンスし、続いて半導体基板１３を１８０
０〜２２００ｒｐｍで、５〜１５秒間スピン乾燥して現
像処理を終了させる。以上の現像処理により、フォトレ
ジスト膜１４の可溶化領域はアルカリ性現像液により除
去されて、前述のマスクパターンに応じた所望の形状の
レジストパターンが形成される。

【００２６】次に、図１の工程（ｇ）に示すように、１
１０〜１２０℃で、１２０〜２４０秒間、レジストパタ
ーンを構成しているフォトレジスト膜を、大気中でポス
トベークして現像処理による水分を除去する。続いて、
上述のレジストパターンをマスクとして半導体基板上の
薄膜を選択的にエッチングすることにより、薄膜をパタ
ーニングする。

【００２７】この例の構成によるフォトレジストパター
ンの形成方法を、８インチ径のシリコン基板に適用する
ことにより、従来では略１００個発生していたレジスト
パターンの欠陥を、略１０個に抑制することができた。
これに伴って、製造歩留を１０％以上向上させることが
できるようになった。

【００２８】このように、この例の構成によれば、露光
後の化学増幅系ポジ型フォトレジストからなるフォトレ
ジスト膜を、常温の純水で、１〜３０秒間、リンスして
からＰＥＢ処理を施すようにしたので、フォトレジスト
膜には十分の量の水分が供給されるため、ＰＥＢ処理雰
囲気中の水分が補われるようになる。したがって、化学
増幅系ポジ型フォトレジストを用いたフォトレジストパ
ターンの形成方法において、保護基の脱保護反応を速や
かに進行させて良好なレジストパターンを得ることがで
きる。

【００２９】◇第２実施例図５は、この発明の第２実施例であるフォトレジストパ
ターンの形成方法を工程順に示す工程図である。この例
の半導体装置の製造方法の構成が、上述した第１実施例
の構成と大きく異なるところは、化学増幅系ポジ型フォ
トレジストとして他の種類のフォトレジストを用いるよ
うにした点である。すなわち、図５の工程（ａ）に示す
ように、所望の薄膜が形成された半導体基板上に、スピ
ナ塗布法により、化学増幅系ポジ型フォトレジストとし
て、化２に示すようにターシャリブトキシカルボニル基
（ｔ−ＢＯＣ基）５を保護基に持つＰＨＳ６をベース樹
脂とするポジ型フォトレジスト４を塗布して、フォトレ
ジスト膜を形成する。

【００３０】

【化２】

【００３１】次に、図５の工程（ｂ）〜（ｇ）について
は、それぞれ図１の工程（ｂ）〜（ｇ）と略同様な条件
で行って、最終的にレジストパターンを形成する。した
がって、図５において、図１の構成部分と対応する部分
には同一の符号を付してその説明を省略する。この例の
構成によるフォトレジストパターンの形成方法によって
も、第１実施例と略同様な効果を得ることができる。こ
のように、この例の構成によっても、第１実施例におい
て述べたのと略同様な効果を得ることができる。

【００３２】◇第３実施例図６は、この発明の第３実施例であるフォトレジストパ
ターンの形成方法を工程順に示す工程図である。この例
の半導体装置の製造方法の構成が、上述した第１実施例
の構成と大きく異なるところは、化学増幅系ポジ型フォ
トレジストとして他の種類のフォトレジストを用いるよ
うにした点である。すなわち、図６の工程（ａ）に示す
ように、所望の薄膜が形成された半導体基板上に、スピ
ナ塗布法により、化学増幅系ポジ型フォトレジストとし
て、化３に示すようにターシャリブチル基８を保護基に
持つ、ターシャリブチルアクリレート９とＰＨＳ１０と
ポリスチレン１１との共重合樹脂１２をベース樹脂とす
るポジ型フォトレジスト（いわゆるアニーリング型レジ
スト樹脂）７を塗布して、フォトレジスト膜を形成す
る。

【００３３】

【化３】

【００３４】次に、図６の工程（ｂ）に示すように、上
述のように塗布されたフォトレジスト膜を、１４０〜１
６０℃で、６０〜９０秒間、大気中でプリベークして、
フォトレジスト膜内の溶剤を除去する。

【００３５】次に、図６の工程（ｃ）、（ｄ）について
は、それぞれ図１の工程（ｃ）、（ｄ）と略同様な条件
で行う。

【００３６】次に、図６の工程（ｅ）に示すように、フ
ォトレジスト膜のターシャリブチル基の脱保護反応を促
進するため、１５０〜１６０℃で、７０〜１００秒間熱
処理する。このＰＥＢ処理工程の具体的方法は、第１実
施例の図３に示した方法と略同様な方法で行なう。この
ＰＥＢ処理時に、フォトレジスト膜にはリンスにより十
分な水分が供給されているので、フォトレジスト膜内の
ターシャリブチル基の脱保護反応が促進される。したが
って、光酸発生剤から発生した酸によるターシャリブチ
ル基の脱離が十分に行われるようになる。

【００３７】次に、図６の工程（ｆ）、（ｇ）について
は、それぞれ図１の工程（ｆ）、（ｇ）と略同様な条件
で行なって、最終的にレジストパターンを形成する。こ
の例の構成によるフォトレジストパターンの形成方法に
よっても、第１実施例と略同様な効果を得ることができ
る。このように、この例の構成によっても、第１実施例
において述べたのと略同様な効果を得ることができる。

【００３８】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更等があってもこの発明に含まれる。例えば、化学増幅
系ポジ型フォトレジストを用いたフォトレジストパター
ンの形成は、半導体基板を対象とする例に限らずに、フ
ォトマスク基板等の他の基板を対象とする場合にも適用
することができる。また、化学増幅系ポジ型フォトレジ
ストの露光光源にエキシマレーザを用いる場合には、Ｋ
ｒＦをレーザ媒質とするものに限らずに、ＡｒＦ（フッ
化アルゴン：波長が略１９３ｎｍ）等の他のレーザ媒質
を用いることもできる。

【００３９】また、化学増幅系ポジ型フォトレジストは
例示したものに限らずに他の種類の材料を用いることが
でき、また、プリベーク、ＰＥＢ処理、ポストベーク等
における温度、時間等の条件は一例を示したものであ
り、用途、目的等によって変更することができる。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、この発明のフォト
レジストパターンの形成方法によれば、露光後の化学増
幅系ポジ型フォトレジストからなるフォトレジスト膜を
純水でリンスしてからＰＥＢ処理を施すようにしたの
で、フォトレジスト膜には十分の量の水分が供給される
ため、ＰＥＢ処理雰囲気中の水分が補われるようにな
る。したがって、化学増幅系ポジ型フォトレジストを用
いたフォトレジストパターンの形成方法において、保護
基の脱保護反応を速やかに進行させて良好なレジストパ
ターンを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例であるフォトレジストパ
ターンの形成方法を工程順に示す工程図である。

【図２】同フォトレジストパターンの形成方法の主要工
程を具体的に示す図である。

【図３】同フォトレジストパターンの形成方法の主要工
程を具体的に示す図である。

【図４】同フォトレジストパターンの形成方法の主要工
程を具体的に示す図である。

【図５】この発明の第２実施例であるフォトレジストパ
ターンの形成方法を工程順に示す工程図である。

【図６】この発明の第３実施例であるフォトレジストパ
ターンの形成方法を工程順に示す工程図である。

【図７】従来のフォトレジストパターンの形成方法を工
程順に示す工程図である。

【符号の説明】

１、４、７ポジ型フォトレジスト（化学増幅系フ
ォトレジスト）２アセタール基（保護基）３、６、１０ＰＨＳ（ポリヒドロキシスチレン）
樹脂（ベース樹脂）５ターシャリブトキシカルボニル基（保護基）８ターシャリブチル基（保護基）９ターシャリブチルアクリレート樹脂（ベース樹
脂）１１ポリスチレン樹脂（ベース樹脂）１２共重合樹脂（アニーリング型レジスト）１３半導体基板１４フォトレジスト膜１５現像槽２１ホットプレート

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に化学増幅系ポジ型フォトレジス
トを塗布してフォトレジスト膜を形成した後、該フォト
レジスト膜をフォトリソグラフィ技術を用いて所望の形
状にパターニングするフォトレジストパターンの形成方
法であって、前記フォトレジスト膜を露光した後、該フ
ォトレジスト膜を純水でリンスしてからＰＥＢ処理を施
すことを特徴とするフォトレジストパターンの形成方
法。
【請求項２】基板上に化学増幅系ポジ型フォトレジス
トを塗布してフォトレジスト膜を形成した後、該フォト
レジスト膜を露光し、次に該フォトレジスト膜に含まれ
ている保護基の脱保護反応を促進するためにＰＥＢ処理
を施して、前記フォトレジスト膜を所望の形状にパター
ニングするフォトレジストパターンの形成方法であっ
て、前記ＰＥＢ処理を施す前に、前記フォトレジスト膜を純
水でリンスすることを特徴とするフォトレジストパター
ンの形成方法。
【請求項３】基板上に化学増幅系ポジ型フォトレジス
トを塗布してフォトレジスト膜を形成した後、該フォト
レジスト膜を露光し、次に該フォトレジスト膜に含まれ
ている保護基の脱保護反応を促進するためにＰＥＢ処理
を施し、次に前記フォトレジスト膜を現像処理して、前
記フォトレジスト膜を所望の形状にパターニングするフ
ォトレジストパターンの形成方法であって、前記ＰＥＢ処理を施す前に、前記現像処理において行う
リンスで用いる純水と同様な純水を用いて前記フォトレ
ジスト膜をリンスすることを特徴とするフォトレジスト
パターンの形成方法。
【請求項４】前記ＰＥＢ処理前のリンスを、常温の純
水を用いて行うことを特徴とする請求項１、２又は３記
載のフォトレジストパターンの形成方法。
【請求項５】前記リンスを、１〜３０秒間行うことを
特徴とする請求項４記載のフォトレジストパターンの形
成方法。
【請求項６】前記現像処理における現像液として、アル
カリ性現像液を用いることを特徴とする請求項３乃至５
のいずれか１に記載のフォトレジストパターンの形成方
法。