JP2745443B2 - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JP2745443B2 JP2745443B2 JP5083838A JP8383893A JP2745443B2 JP 2745443 B2 JP2745443 B2 JP 2745443B2 JP 5083838 A JP5083838 A JP 5083838A JP 8383893 A JP8383893 A JP 8383893A JP 2745443 B2 JP2745443 B2 JP 2745443B2
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レジストパターンの
倒れを有効に防止できるレジストパターン形成方法に関
する。
倒れを有効に防止できるレジストパターン形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＵＬＳＩの高集積化の要求と共に、極限
的な微細レジストパターンの形成が求められている。現
在最小寸法０．２〜０．３μｍのレジストパターンの形
成が盛んに検討されており、先端的な研究では、０．１
μｍを対象にしているものもある。またもう一つの流れ
として、膜厚が厚く且つ微細なパターンの要求もある。
例えば、マイクロマシン作製のため、膜厚の厚いレジス
ト（例えば１００μｍ）を用いてアスペクト比の極めて
高いレジストパターンを形成する技術開発も進められて
いる。
的な微細レジストパターンの形成が求められている。現
在最小寸法０．２〜０．３μｍのレジストパターンの形
成が盛んに検討されており、先端的な研究では、０．１
μｍを対象にしているものもある。またもう一つの流れ
として、膜厚が厚く且つ微細なパターンの要求もある。
例えば、マイクロマシン作製のため、膜厚の厚いレジス
ト（例えば１００μｍ）を用いてアスペクト比の極めて
高いレジストパターンを形成する技術開発も進められて
いる。
【０００３】レジストパターンの露光方法としては、ｇ
線，ｉ線等の紫外光、ＫｒＦ，ＡｒＦ等のエキシマレー
ザ光、Ｘｅ−Ｈｇランプ等による遠紫外光、電子線、荷
電粒子、Ｘ線等種々線源が用いられているが、その現像
には液体である現像液を用いたウェット現像方法が主に
用いられている。一方、シリル化反応等を利用し、液体
処理を不要にしたドライ現像方法も一部検討されている
が、スループットの低さ、処理装置の価格の高さ、及び
塵埃、汚染、プラズマダメージによる欠陥発生率の高さ
からドライ現像方法は本格使用に至っていない。従って
ウェット現像は、工程の簡便さというメリットと共に、
リンス液による洗浄を伴うため、クリーンな処理になる
ことから、今後も用いられる方向で検討が進められてい
る。
線，ｉ線等の紫外光、ＫｒＦ，ＡｒＦ等のエキシマレー
ザ光、Ｘｅ−Ｈｇランプ等による遠紫外光、電子線、荷
電粒子、Ｘ線等種々線源が用いられているが、その現像
には液体である現像液を用いたウェット現像方法が主に
用いられている。一方、シリル化反応等を利用し、液体
処理を不要にしたドライ現像方法も一部検討されている
が、スループットの低さ、処理装置の価格の高さ、及び
塵埃、汚染、プラズマダメージによる欠陥発生率の高さ
からドライ現像方法は本格使用に至っていない。従って
ウェット現像は、工程の簡便さというメリットと共に、
リンス液による洗浄を伴うため、クリーンな処理になる
ことから、今後も用いられる方向で検討が進められてい
る。
【０００４】図４に従来のレジストパターンの形成方法
を示す。同図（ａ）に示すように、基板１上にレジスト
２を塗布する。同図（ｂ）に示すように、マスク３を用
いて所望のパターンを露光する。その露光々としては、
紫外光、遠紫外光、Ｘ線、電子線、荷電粒子線等が用い
られる。次に同図（ｃ）に示すように、レジスト２を現
像液４に浸す。感光領域と非感光領域におけるレジスト
２の現像液４に対する溶解速度差を利用して、レジスト
パターン２ａを形成する。そして、同図（ｄ）に示すよ
うに、リンス液５により現像液４及びこの現像液４に溶
解したレジスト２を洗い流す。このリンス液５として
は、一般に２０〜２５℃の水が用いられる。更に同図
（ｅ）に示すように、リンス液５を乾燥させて、レジス
トパターン２ａが完成する。この乾燥工程では、普通ウ
ェハを高速で回転するスピン乾燥が用いられる。
を示す。同図（ａ）に示すように、基板１上にレジスト
２を塗布する。同図（ｂ）に示すように、マスク３を用
いて所望のパターンを露光する。その露光々としては、
紫外光、遠紫外光、Ｘ線、電子線、荷電粒子線等が用い
られる。次に同図（ｃ）に示すように、レジスト２を現
像液４に浸す。感光領域と非感光領域におけるレジスト
２の現像液４に対する溶解速度差を利用して、レジスト
パターン２ａを形成する。そして、同図（ｄ）に示すよ
うに、リンス液５により現像液４及びこの現像液４に溶
解したレジスト２を洗い流す。このリンス液５として
は、一般に２０〜２５℃の水が用いられる。更に同図
（ｅ）に示すように、リンス液５を乾燥させて、レジス
トパターン２ａが完成する。この乾燥工程では、普通ウ
ェハを高速で回転するスピン乾燥が用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のような方法で形
成されるレジストパターンでは、大きなレジストパター
ンにおけるパターン倒れは生じないものの、微細パター
ン（例えば０．２μｍ）は倒れるといった問題があっ
た。またアスペクト比（レジスト高さ／レジストパター
ン幅）の高いパターンでも、該パターン倒れが生じてい
る。これらのパターン倒れは、図５に示すように、近接
したパターン２ａが密集し、もたれ掛かるような倒れで
ある。
成されるレジストパターンでは、大きなレジストパター
ンにおけるパターン倒れは生じないものの、微細パター
ン（例えば０．２μｍ）は倒れるといった問題があっ
た。またアスペクト比（レジスト高さ／レジストパター
ン幅）の高いパターンでも、該パターン倒れが生じてい
る。これらのパターン倒れは、図５に示すように、近接
したパターン２ａが密集し、もたれ掛かるような倒れで
ある。
【０００６】このようなパターン倒れは所望のレジスト
パターン形成ができないことを意味し、作ろうとしてい
る製品の歩留り低下、信頼性低下に直結する。素子を高
密度に集積し、或いはコンパクトな製品を作ろうとする
と、微細なパターンが必要になると共に、微細なパター
ンを微細な間隔で配置する必要があるが、パターン倒れ
により、目標とするような高集積或いはコンパクトな製
品を作ることができなくなる。
パターン形成ができないことを意味し、作ろうとしてい
る製品の歩留り低下、信頼性低下に直結する。素子を高
密度に集積し、或いはコンパクトな製品を作ろうとする
と、微細なパターンが必要になると共に、微細なパター
ンを微細な間隔で配置する必要があるが、パターン倒れ
により、目標とするような高集積或いはコンパクトな製
品を作ることができなくなる。
【０００７】本発明は従来技術の以上のような問題に鑑
み創案されたもので、前記レジストパターン形成時にパ
ターン倒れを有効に防止できる方法を検討し、特に密集
した微細なレジストパターン、或いは高アスペクトなレ
ジストパターンがそのパターン倒れなしに形成できるレ
ジストパターン形成方法を提供せんとするものである。
み創案されたもので、前記レジストパターン形成時にパ
ターン倒れを有効に防止できる方法を検討し、特に密集
した微細なレジストパターン、或いは高アスペクトなレ
ジストパターンがそのパターン倒れなしに形成できるレ
ジストパターン形成方法を提供せんとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そのため本発明は、レジ
ストに対して所望のパターンを露光し、該レジストを現
像した後、リンスすると共に、リンス液を乾燥させてレ
ジストパターンを形成するレジストパターン形成方法に
おいて、前記現像処理とリンス処理の間に、又はリンス
処理中に、液中でレジスト全体の強度を上げる処理を行
うことを基本的特徴としている。このレジストの強度を
上げる処理としては、例えばレジスト全体の架橋度を上
げる処理がある。ここでレジストの強度とは、外力が加
わった時の変形のしにくさ及びその外力に対するレジス
ト破壊強度の強さを言う。即ち弾性変形、塑性変形を含
めた変形に対する強度である。
ストに対して所望のパターンを露光し、該レジストを現
像した後、リンスすると共に、リンス液を乾燥させてレ
ジストパターンを形成するレジストパターン形成方法に
おいて、前記現像処理とリンス処理の間に、又はリンス
処理中に、液中でレジスト全体の強度を上げる処理を行
うことを基本的特徴としている。このレジストの強度を
上げる処理としては、例えばレジスト全体の架橋度を上
げる処理がある。ここでレジストの強度とは、外力が加
わった時の変形のしにくさ及びその外力に対するレジス
ト破壊強度の強さを言う。即ち弾性変形、塑性変形を含
めた変形に対する強度である。
【０００９】本発明で液中にて行われるレジスト全体の
架橋度を上げる処理とは、前記レジストにネガ型レジス
トを用いている場合には、該レジストの感光々を照射す
ることであり、また該レジストが化学増幅系レジストで
ある場合には、架橋を促進する温度に液温を上昇せしめ
ることであり、更にレジストが酸触媒架橋促進型レジス
トである場合には、酸性液中で処理することであり、こ
の場合には架橋を促進する温度に液温を上昇せしめて酸
性液中における処理を行うと更に良い。以上は架橋型の
レジストを用いた場合の処理であるが、ベンゼン環を基
体とした樹脂をベースにしたポジ型レジスト、例えばノ
ボラック樹脂やポリヒドロキシスチレン樹脂をベースと
したポジ型レジストに対しても同様な処理を行なうこと
ができる。即ち該レジストを用いた場合は、強力な紫外
光或いは遠紫外光を照射すると、このベース樹脂が架橋
し、レジスト全体の強度が増すことになる。
架橋度を上げる処理とは、前記レジストにネガ型レジス
トを用いている場合には、該レジストの感光々を照射す
ることであり、また該レジストが化学増幅系レジストで
ある場合には、架橋を促進する温度に液温を上昇せしめ
ることであり、更にレジストが酸触媒架橋促進型レジス
トである場合には、酸性液中で処理することであり、こ
の場合には架橋を促進する温度に液温を上昇せしめて酸
性液中における処理を行うと更に良い。以上は架橋型の
レジストを用いた場合の処理であるが、ベンゼン環を基
体とした樹脂をベースにしたポジ型レジスト、例えばノ
ボラック樹脂やポリヒドロキシスチレン樹脂をベースと
したポジ型レジストに対しても同様な処理を行なうこと
ができる。即ち該レジストを用いた場合は、強力な紫外
光或いは遠紫外光を照射すると、このベース樹脂が架橋
し、レジスト全体の強度が増すことになる。
【００１０】このようなレジストの架橋度を上げる処理
の他、第２発明として、前記現像処理とリンス処理の間
に、又はリンス処理中に、液中でレジストの重合度を上
げる処理を行うことにより、その強度を高めることが可
能である。
の他、第２発明として、前記現像処理とリンス処理の間
に、又はリンス処理中に、液中でレジストの重合度を上
げる処理を行うことにより、その強度を高めることが可
能である。
【００１１】
【作用】レジストパターン倒れは現像液の滴下からリン
ス液の乾燥までの工程の内に生ずることは明かである。
但し、どの工程で生ずるかは明らかになっていなかっ
た。そこで詳細に調べた結果、リンス液が乾燥する時に
リンス液の表面張力によりレジストパターン間に吸引力
が働き、パターン倒れが生ずることが分かった。従って
リンス液乾燥前まではパターン倒れを生じていない。ま
た架橋型レジストやノボラック樹脂をベースにしたポジ
型レジストの場合は、架橋率を向上させる程レジスト全
体の強度が増すことになるし、その他レジストの重合度
を上げることによってもその強度が増大し、パターン曲
がりやパターン折れを起こしにくくなる。そこで本発明
では、レジストパターン形成後に液中で全体の架橋度又
は重合度を増進させてパターン強度を高め、リンス液乾
燥による表面張力に耐え得るようにしてパターン倒れを
防止するようにしている。現像後（パターン形成後）に
強度を高める処理を行うので、この処理によりパターン
解像度の劣化や形状不良を起こすことはない。また請求
項９及び１０に記載された処理は、通常の強度を向上せ
しめる処理ではなく 弾性変形率を高めて、変形により
破壊を防ぐようにするものである。
ス液の乾燥までの工程の内に生ずることは明かである。
但し、どの工程で生ずるかは明らかになっていなかっ
た。そこで詳細に調べた結果、リンス液が乾燥する時に
リンス液の表面張力によりレジストパターン間に吸引力
が働き、パターン倒れが生ずることが分かった。従って
リンス液乾燥前まではパターン倒れを生じていない。ま
た架橋型レジストやノボラック樹脂をベースにしたポジ
型レジストの場合は、架橋率を向上させる程レジスト全
体の強度が増すことになるし、その他レジストの重合度
を上げることによってもその強度が増大し、パターン曲
がりやパターン折れを起こしにくくなる。そこで本発明
では、レジストパターン形成後に液中で全体の架橋度又
は重合度を増進させてパターン強度を高め、リンス液乾
燥による表面張力に耐え得るようにしてパターン倒れを
防止するようにしている。現像後（パターン形成後）に
強度を高める処理を行うので、この処理によりパターン
解像度の劣化や形状不良を起こすことはない。また請求
項９及び１０に記載された処理は、通常の強度を向上せ
しめる処理ではなく 弾性変形率を高めて、変形により
破壊を防ぐようにするものである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例につき詳述す
る。図１は本発明の一実施例として行なわれたレジスト
パターンの形成工程を示しており、同工程では、基本的
に前記従来例で示した図４の工程と略同じ工程でレジス
トパターンの形成を行なっている。
る。図１は本発明の一実施例として行なわれたレジスト
パターンの形成工程を示しており、同工程では、基本的
に前記従来例で示した図４の工程と略同じ工程でレジス
トパターンの形成を行なっている。
【００１３】即ち、図１（ａ）に示すように、基板１上
に１μｍ厚のレジスト２を塗布した後、熱処理する。本
実施例では、このレジスト２として架橋進行型のネガ型
レジスト（アジドを架橋剤の主成分とした材料がその代
表である）である日立化成社のＢＬＥＳＴＩＶ−７Ｓ
（商品名）を用いた。そして同図（ｂ）に示すように、
マスク３を用いてＸ線を照射し、所望のパターンを露光
する。その露光光としては、Ｘ線に限らず、レジストが
感光する光であれば良く、紫外光、遠紫外光、電子線、
荷電粒子線等による露光でも良い。その後同図（ｃ）に
示すように、２．３８％テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド水溶液４を用いて、レジスト２を現像す
る。そして、同図（ｄ）に示すように、水をリンス液５
としてリンスを行い、現像液４及びこの現像液４に溶解
したレジスト２を洗い流す。その水を切らないうちに、
同図（ｅ）に示すように、感光々を全面照射した。ここ
ではＨｇ−Ｘｅランプを用いて紫外光から遠紫外光に及
ぶ光を照射した。但しこれは一実施条件であり、感光々
であれば問題なく、例えば感光々であるｉ線（波長３６
５ｎｍ）でも良い。最後にスピン乾燥を行なって、同図
（ｆ）に示すようにリンス液５を除去し、レジストパタ
ーン２ａを完成させる。
に１μｍ厚のレジスト２を塗布した後、熱処理する。本
実施例では、このレジスト２として架橋進行型のネガ型
レジスト（アジドを架橋剤の主成分とした材料がその代
表である）である日立化成社のＢＬＥＳＴＩＶ−７Ｓ
（商品名）を用いた。そして同図（ｂ）に示すように、
マスク３を用いてＸ線を照射し、所望のパターンを露光
する。その露光光としては、Ｘ線に限らず、レジストが
感光する光であれば良く、紫外光、遠紫外光、電子線、
荷電粒子線等による露光でも良い。その後同図（ｃ）に
示すように、２．３８％テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド水溶液４を用いて、レジスト２を現像す
る。そして、同図（ｄ）に示すように、水をリンス液５
としてリンスを行い、現像液４及びこの現像液４に溶解
したレジスト２を洗い流す。その水を切らないうちに、
同図（ｅ）に示すように、感光々を全面照射した。ここ
ではＨｇ−Ｘｅランプを用いて紫外光から遠紫外光に及
ぶ光を照射した。但しこれは一実施条件であり、感光々
であれば問題なく、例えば感光々であるｉ線（波長３６
５ｎｍ）でも良い。最後にスピン乾燥を行なって、同図
（ｆ）に示すようにリンス液５を除去し、レジストパタ
ーン２ａを完成させる。
【００１４】本実施例において行なった実験では、感光
々の全面照射を行わない通常の方法では、０．２μｍラ
イン＆スペースパターンがパターン倒れを起こしたが、
上記のように全面照射を行った本発明法では、パターン
倒れが起こらなかった。
々の全面照射を行わない通常の方法では、０．２μｍラ
イン＆スペースパターンがパターン倒れを起こしたが、
上記のように全面照射を行った本発明法では、パターン
倒れが起こらなかった。
【００１５】次に本発明者等はレジストの架橋率を向上
せしめることができる他の実施例を検証するため、図２
に示す工程からなるレジストパターン形成処理を実施し
た。即ち、同図（ａ）から（ｄ）の処理は前記第１実施
例と同じ処理を行っている。但しレジスト２としては、
感光部が熱架橋していくタイプのレジストであればよ
く、本実施例ではシップレー社の化学増幅型ネガ型レジ
ストＳＡＬ６０１（商品名）を用いた。そしてリンス液
５を乾燥させる前に、同図（ｅ）に示すように、該リン
ス液５を加温した。ここでは９０℃に加温したが、より
架橋を進行させるため加圧しながら１２０℃程度の温度
とすると更に良い。また感光々を照射しながら加温する
のも効果があった。この場合、感光々としては紫外光か
ら遠紫外光を使用すると良い。最後にスピン乾燥を行な
って、同図（ｆ）に示すようにリンス液５を除去し、レ
ジストパターン２ａを形成した。
せしめることができる他の実施例を検証するため、図２
に示す工程からなるレジストパターン形成処理を実施し
た。即ち、同図（ａ）から（ｄ）の処理は前記第１実施
例と同じ処理を行っている。但しレジスト２としては、
感光部が熱架橋していくタイプのレジストであればよ
く、本実施例ではシップレー社の化学増幅型ネガ型レジ
ストＳＡＬ６０１（商品名）を用いた。そしてリンス液
５を乾燥させる前に、同図（ｅ）に示すように、該リン
ス液５を加温した。ここでは９０℃に加温したが、より
架橋を進行させるため加圧しながら１２０℃程度の温度
とすると更に良い。また感光々を照射しながら加温する
のも効果があった。この場合、感光々としては紫外光か
ら遠紫外光を使用すると良い。最後にスピン乾燥を行な
って、同図（ｆ）に示すようにリンス液５を除去し、レ
ジストパターン２ａを形成した。
【００１６】本実施例において行なった実験では、リン
ス液の加温を行わない通常の方法では、０．２μｍライ
ン＆スペースパターンがパターン倒れを起こしたが、上
記のようにリンス液の加温を行った本発明法では、パタ
ーン倒れが起こらなかった。
ス液の加温を行わない通常の方法では、０．２μｍライ
ン＆スペースパターンがパターン倒れを起こしたが、上
記のようにリンス液の加温を行った本発明法では、パタ
ーン倒れが起こらなかった。
【００１７】加えて本発明者等はレジストの架橋率を向
上せしめることができる更に他の実施例を検証するた
め、図３に示す工程からなるレジストパターン形成処理
を実施した。即ち、同図（ａ）から（ｄ）の処理は前記
第１及び第２実施例と同じ処理を行っている。但しレジ
スト２としては、酸触媒反応架橋型レジストであればよ
く、本実施例ではヘキスト社のＡＺ−ＰＮ１００（商品
名）を用い、その膜厚は、０．８５μｍとした。そして
リンス液５を乾燥させずに、同図（ｅ）に示すように、
酸性液６に浸した。ここでは該酸性液６として稀酢酸液
を用いたが、稀塩酸液や稀硫酸液等を用いることもでき
る。またこの酸性液６を加温しておくと更に良い。その
後同図（ｆ）に示すように、水５ａでリンスし、最後に
スピン乾燥を行なって、同図（ｇ）に示すようにこのリ
ンス液５ａを除去し、レジストパターン２ａを形成し
た。
上せしめることができる更に他の実施例を検証するた
め、図３に示す工程からなるレジストパターン形成処理
を実施した。即ち、同図（ａ）から（ｄ）の処理は前記
第１及び第２実施例と同じ処理を行っている。但しレジ
スト２としては、酸触媒反応架橋型レジストであればよ
く、本実施例ではヘキスト社のＡＺ−ＰＮ１００（商品
名）を用い、その膜厚は、０．８５μｍとした。そして
リンス液５を乾燥させずに、同図（ｅ）に示すように、
酸性液６に浸した。ここでは該酸性液６として稀酢酸液
を用いたが、稀塩酸液や稀硫酸液等を用いることもでき
る。またこの酸性液６を加温しておくと更に良い。その
後同図（ｆ）に示すように、水５ａでリンスし、最後に
スピン乾燥を行なって、同図（ｇ）に示すようにこのリ
ンス液５ａを除去し、レジストパターン２ａを形成し
た。
【００１８】本実施例において行なった実験では、酸性
液中に浸さない通常の方法では、０．１５μｍライン＆
スペースパターンがパターン倒れを起こしたが、上記の
ように酸性液に浸す本発明法では、パターン倒れが起こ
らなかった。
液中に浸さない通常の方法では、０．１５μｍライン＆
スペースパターンがパターン倒れを起こしたが、上記の
ように酸性液に浸す本発明法では、パターン倒れが起こ
らなかった。
【００１９】一方本発明者等はレジストの架橋率を向上
せしめることができる別の実施例を検証するため、ナフ
トキノンジアジドとノボラック樹脂からなるポジ型レジ
ストを用いてレジストパターン形成を行なった。そのう
ちリンス処理までは前記第１乃至第３実施例と同じ処理
を行っている。但しレジスト２としては、上記のポジ型
レジストを用い、その膜厚は、１μｍとした。そしてリ
ンス液５を乾燥させる前に、Ｈｇ−Ｘｅランプを用いて
遠紫外光を含む光をレジスト２全面に照射した。その照
射量は１ｋＪ／ｃｍ2とした。最後にスピン乾燥を行な
ってリンス液５を除去し、レジストパターン２ａを形成
した。
せしめることができる別の実施例を検証するため、ナフ
トキノンジアジドとノボラック樹脂からなるポジ型レジ
ストを用いてレジストパターン形成を行なった。そのう
ちリンス処理までは前記第１乃至第３実施例と同じ処理
を行っている。但しレジスト２としては、上記のポジ型
レジストを用い、その膜厚は、１μｍとした。そしてリ
ンス液５を乾燥させる前に、Ｈｇ−Ｘｅランプを用いて
遠紫外光を含む光をレジスト２全面に照射した。その照
射量は１ｋＪ／ｃｍ2とした。最後にスピン乾燥を行な
ってリンス液５を除去し、レジストパターン２ａを形成
した。
【００２０】本実施例において行なった実験では、遠紫
外光の全面照射を行わない通常の方法では、０．２μｍ
ライン＆スペースパターンがパターン倒れを起こした
が、上記のように全面照射を行った本発明法では、その
照射によってノボラック樹脂の架橋度が増し、パターン
倒れが起こらなかった。
外光の全面照射を行わない通常の方法では、０．２μｍ
ライン＆スペースパターンがパターン倒れを起こした
が、上記のように全面照射を行った本発明法では、その
照射によってノボラック樹脂の架橋度が増し、パターン
倒れが起こらなかった。
【００２１】尚、リンス液５乾燥前のレジスト２のヤン
グ率を、パターン寸法が０．１５μｍレベルで１０9ｄ
ｙｎ／ｃｍ2以上、また０．１μｍレベルで５×１０9ｄ
ｙｎ／ｃｍ2以上にすると、パターン倒れが防止でき
た。
グ率を、パターン寸法が０．１５μｍレベルで１０9ｄ
ｙｎ／ｃｍ2以上、また０．１μｍレベルで５×１０9ｄ
ｙｎ／ｃｍ2以上にすると、パターン倒れが防止でき
た。
【００２２】
【発明の効果】以上詳述した本発明法によれば、レジス
トパターン、特に密集した微細なレジストパターンや高
アスペクトなレジストパターンの場合に、近接した同士
のパターン倒れを防止することができる。そのため、本
発明法により形成されたレジストパターンを基に製造さ
れる製品の歩留りが飛躍的に向上することになる。尚、
本発明法をリソグラフィに用いる場合は、光、電子線、
Ｘ線、荷電粒子線等のいずれのリソグラフィにも適用で
きる。
トパターン、特に密集した微細なレジストパターンや高
アスペクトなレジストパターンの場合に、近接した同士
のパターン倒れを防止することができる。そのため、本
発明法により形成されたレジストパターンを基に製造さ
れる製品の歩留りが飛躍的に向上することになる。尚、
本発明法をリソグラフィに用いる場合は、光、電子線、
Ｘ線、荷電粒子線等のいずれのリソグラフィにも適用で
きる。
【図１】本発明の一実施例に係るレジストパターン形成
工程の説明図である。
工程の説明図である。
【図２】本発明の第２実施例に係るレジストパターン形
成工程の説明図である。
成工程の説明図である。
【図３】本発明の第３実施例に係るレジストパターン形
成工程の説明図である。
成工程の説明図である。
【図４】従来のレジストパターン形成工程の説明図であ
る。
る。
【図５】代表的なレジストパターン倒れの状態を示す説
明図である。
明図である。
１ 基板 ２ レジスト ２ａ レジストパターン ３ マスク ４ 現像液 ５、５ａ リンス液 ６ 酸性液
Claims (10)
- 【請求項１】 レジストに対して所望のパターンを露光
し、該レジストを現像した後、リンスすると共に、リン
ス液を乾燥させてレジストパターンを形成するレジスト
パターン形成方法において、前記現像処理とリンス処理
の間に、又はリンス処理中に、液中でレジスト全体の強
度を上げる処理を行うことを特徴とするレジストパター
ン形成方法。 - 【請求項２】 レジストに対して所望のパターンを露光
し、該レジストを現像した後、リンスすると共に、リン
ス液を乾燥させてレジストパターンを形成するレジスト
パターン形成方法において、前記現像処理とリンス処理
の間に、又はリンス処理中に、液中でレジスト全体の架
橋度を上げる処理を行うことを特徴とするレジストパタ
ーン形成方法。 - 【請求項３】 レジストに対して所望のパターンを露光
し、該レジストを現像した後、リンスすると共に、リン
ス液を乾燥させてレジストパターンを形成するレジスト
パターン形成方法において、前記現像処理とリンス処理
の間に、又はリンス処理中に、該レジストの感光々を照
射することでレジスト全体の架橋度を上げることを特徴
とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項４】 レジストに対して所望のパターンを露光
し、該レジストを現像した後、リンスすると共に、リン
ス液を乾燥させてレジストパターンを形成するレジスト
パターン形成方法において、前記レジストが化学増幅系
レジストである場合に、前記現像処理とリンス処理の間
に、又はリンス処理中に、架橋を促進する温度に液温を
上昇せしめてレジスト全体の架橋度を上げることを特徴
とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項５】 レジストに対して所望のパターンを露光
し、該レジストを現像した後、リンスすると共に、リン
ス液を乾燥させてレジストパターンを形成するレジスト
パターン形成方法において、前記レジストが酸触媒架橋
促進型レジストである場合に、前記現像処理とリンス処
理の間に、又はリンス処理中に、酸性液中で処理するこ
とによってレジスト全体の架橋度を上げることを特徴と
する請求項第２項記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項６】 請求項第５項記載のレジストパターン形
成方法において、架橋を促進する温度に液温を上昇せし
めて酸性液中で処理することによりレジスト全体の架橋
度を上げることを特徴とする請求項第５項記載のレジス
トパターン形成方法。 - 【請求項７】 レジストに対して所望のパターンを露光
し、該レジストを現像した後、リンスすると共に、リン
ス液を乾燥させてレジストパターンを形成するレジスト
パターン形成方法において、前記レジストが、ベンゼン
環を基体とした樹脂をベースにしたポジ型レジストであ
る場合に、前記現像処理とリンス処理の間に、又はリン
ス処理中に、該レジストに対し紫外光又は遠紫外光を照
射することで該ベース樹脂を架橋させることを特徴とす
るレジストパターン形成方法。 - 【請求項８】 レジストに対して所望のパターンを露光
し、該レジストを現像した後、リンスすると共に、リン
ス液を乾燥させてレジストパターンを形成するレジスト
パターン形成方法において、前記現像処理とリンス処理
の間に、又はリンス処理中に、液中でレジストの重合度
を上げる処理を行うことを特徴とするレジストパターン
形成方法。 - 【請求項９】 レジストに対して所望のパターンを露光
し、該レジストを現像した後、リンスすると共に、リン
ス液を乾燥させてレジストパターンを形成するレジスト
パターン形成方法において、レジストのヤング率を１０
９ｄｙｎ／ｃｍ２以上とし、且つ０．１５μｍ以上の寸
法パターンとすることを特徴とするレジストパターン形
成方法。 - 【請求項１０】 請求項第９項記載のレジストパターン
形成方法において、レジストのヤング率を５×１０９ｄ
ｙｎ／ｃｍ２以上とし、且つ０．１μｍ以上の寸法パタ
ーンとすることを特徴とする請求項第９項記載のレジス
トパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5083838A JP2745443B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-03-19 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-26012 | 1993-01-22 | ||
| JP2601293 | 1993-01-22 | ||
| JP5083838A JP2745443B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-03-19 | レジストパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275514A JPH06275514A (ja) | 1994-09-30 |
| JP2745443B2 true JP2745443B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=26363735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5083838A Expired - Fee Related JP2745443B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-03-19 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2745443B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3077648B2 (ja) | 1997-11-06 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 化学増幅系レジストのパターン形成方法 |
| US7486377B2 (en) | 2003-12-02 | 2009-02-03 | Tokyo Electron Limited | Developing method and developing apparatus |
| JP2006059918A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608495B2 (ja) * | 1979-11-30 | 1985-03-04 | 積水化学工業株式会社 | レジスト膜の硬膜処理方法 |
| JPS608496B2 (ja) * | 1979-11-30 | 1985-03-04 | 積水化学工業株式会社 | レジスト膜の硬膜処理方法 |
| JP2506637B2 (ja) * | 1985-08-02 | 1996-06-12 | 三菱電機株式会社 | パタ−ン形成方法 |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP5083838A patent/JP2745443B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06275514A (ja) | 1994-09-30 |
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