JPS608495B2 - レジスト膜の硬膜処理方法 - Google Patents
レジスト膜の硬膜処理方法Info
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- JPS608495B2 JPS608495B2 JP15601379A JP15601379A JPS608495B2 JP S608495 B2 JPS608495 B2 JP S608495B2 JP 15601379 A JP15601379 A JP 15601379A JP 15601379 A JP15601379 A JP 15601379A JP S608495 B2 JPS608495 B2 JP S608495B2
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- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- maleic anhydride
- resist
- hardening
- polyvinyl alcohol
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はしジスト膜の硬膜処理方法に関し、詳しくは、
光架橋したポリビニルアルコール樹脂レジスト膜のエッ
チング時における耐水性を高めるための硬膜処理方法に
関する。
光架橋したポリビニルアルコール樹脂レジスト膜のエッ
チング時における耐水性を高めるための硬膜処理方法に
関する。
ポリビニルアルコール樹脂に感光剤を組合わせたレジス
ト水溶液材料は既に知られている。
ト水溶液材料は既に知られている。
このレジスト材料は、通常、平均重合度５００〜２００
ｕケン化度８０〜１００モル％の水落性ポリビニルアル
コール樹脂水溶液に感光剤を添加したもので、感光剤と
しては、４ージアゾジフヱニルアミン、２，５−ジメト
キシー４ートルイルメルカプトベンゼンジアゾニウム塩
、２，５ージメトキシフエニルモルホリンー４−ジジア
ゾニウム塩等のジアゾニウム塩とホルムアルデヒドとの
縮合物や、４′ーアジドー４ーアジドベンザルアセトフ
エノンー２ースルホン酸ナトリウム、４，４′ージアジ
ドスチルベン−Ｑーカルボン酸、ジー（４−アジドー２
′−ヒドロキシベンサル）アセトン−２ースルホン酸等
の芳香族アジド化合物が用いられている。このポリビニ
ルアルコール樹脂レジスト材料は、テレビジョンのシャ
ドーマスク製造における金属の精密加工や製版に広く用
いられている。例ｏえば、レジスト材料の皮膜を形成し
た金属基材にマスクを介して露光させると、露光部にお
いて光分解した感光剤によってポリビニルアルコール樹
脂が架橋、不熔化するので、未露光部を現像によって除
去すれば、光姿勢喬したポリビニルアルコータル樹脂が
基材上に画像を形成する。このレジスト画像を残して基
材をエッチングして目的とする金属加工を行なうのであ
るが、ポリビニルアルコールの光架橋により形成された
レジスト膜は、このままでは、エッチング時における耐
水性が十分で０はないので、従来は、基材上のレジスト
膜を無水クロム酸に浸潰した後、加熱する所謂硬膜処理
を施こして、レジスト膜の耐水性を高めている。しかし
ながら、このような無水クロム酸を用いる硬膜処理はク
ロム公害の原因ともなり、好まし夕し、方法ではない。
そこで、本発明者らは従来の方法に代わる磯腰処理方法
を鋭意研究した結果、光架橋したポリビニルァルコール
樹脂レジスト膜に無水マィレン酸を付加させた後、加熱
することによって簡単且つ効果的に硬膜処理できること
を見出し、本発明を完成したものである。本発明のレジ
スト膜の硬膜処理方法は、光架橋させたポリビニルアル
コール樹脂レジスト膜を加熱した無水マィレン酸非水客
液に浸潰してレジスト膜に無水マィレン酸を付加させた
後、加熱することを特徴とする。
ｕケン化度８０〜１００モル％の水落性ポリビニルアル
コール樹脂水溶液に感光剤を添加したもので、感光剤と
しては、４ージアゾジフヱニルアミン、２，５−ジメト
キシー４ートルイルメルカプトベンゼンジアゾニウム塩
、２，５ージメトキシフエニルモルホリンー４−ジジア
ゾニウム塩等のジアゾニウム塩とホルムアルデヒドとの
縮合物や、４′ーアジドー４ーアジドベンザルアセトフ
エノンー２ースルホン酸ナトリウム、４，４′ージアジ
ドスチルベン−Ｑーカルボン酸、ジー（４−アジドー２
′−ヒドロキシベンサル）アセトン−２ースルホン酸等
の芳香族アジド化合物が用いられている。このポリビニ
ルアルコール樹脂レジスト材料は、テレビジョンのシャ
ドーマスク製造における金属の精密加工や製版に広く用
いられている。例ｏえば、レジスト材料の皮膜を形成し
た金属基材にマスクを介して露光させると、露光部にお
いて光分解した感光剤によってポリビニルアルコール樹
脂が架橋、不熔化するので、未露光部を現像によって除
去すれば、光姿勢喬したポリビニルアルコータル樹脂が
基材上に画像を形成する。このレジスト画像を残して基
材をエッチングして目的とする金属加工を行なうのであ
るが、ポリビニルアルコールの光架橋により形成された
レジスト膜は、このままでは、エッチング時における耐
水性が十分で０はないので、従来は、基材上のレジスト
膜を無水クロム酸に浸潰した後、加熱する所謂硬膜処理
を施こして、レジスト膜の耐水性を高めている。しかし
ながら、このような無水クロム酸を用いる硬膜処理はク
ロム公害の原因ともなり、好まし夕し、方法ではない。
そこで、本発明者らは従来の方法に代わる磯腰処理方法
を鋭意研究した結果、光架橋したポリビニルァルコール
樹脂レジスト膜に無水マィレン酸を付加させた後、加熱
することによって簡単且つ効果的に硬膜処理できること
を見出し、本発明を完成したものである。本発明のレジ
スト膜の硬膜処理方法は、光架橋させたポリビニルアル
コール樹脂レジスト膜を加熱した無水マィレン酸非水客
液に浸潰してレジスト膜に無水マィレン酸を付加させた
後、加熱することを特徴とする。
無水マィレン酸の付加率は光架橋したポリピニルアルコ
ール樹脂レジスト膜の１〜１の重量％が好ましい。
ール樹脂レジスト膜の１〜１の重量％が好ましい。
１重量％より少ないと、レジスト膜の耐水性がなお、十
分ではなく、一方、１位重量％より多くても耐水性に劣
るようになる。
分ではなく、一方、１位重量％より多くても耐水性に劣
るようになる。
無水マィレン酸客液の溶剤はしジスト膜を溶解しないこ
とが必要であり、好ましくは、アセトン、メチルエチル
ケトン、ジエチルケトン、メチルィソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン類、ギ酸エチル、酢酸エチル
、酢酸ブチル等のヱステル類、ジェチルェーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類が用いられ
る。
とが必要であり、好ましくは、アセトン、メチルエチル
ケトン、ジエチルケトン、メチルィソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン類、ギ酸エチル、酢酸エチル
、酢酸ブチル等のヱステル類、ジェチルェーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類が用いられ
る。
無水マィレン酸をレジスト膜に付加させるに当って、触
媒は必らずしも必要ではないが、所望ならば、硫酸、塩
酸、リン酸、ｐ−トルェンスルホン酸、酢酸ナトリウム
等を用いてもよい。無水マィレン酸客液の温度は、レジ
スト膜への無水マィレン酸の付加速度を早める見地から
は高温である程よいが、作業性の点から、通常、５０ｑ
ｏ以上、特に、８０〜１００ｏｏが適当である。
媒は必らずしも必要ではないが、所望ならば、硫酸、塩
酸、リン酸、ｐ−トルェンスルホン酸、酢酸ナトリウム
等を用いてもよい。無水マィレン酸客液の温度は、レジ
スト膜への無水マィレン酸の付加速度を早める見地から
は高温である程よいが、作業性の点から、通常、５０ｑ
ｏ以上、特に、８０〜１００ｏｏが適当である。
無水マィレン酸客液へのレジスト膜の浸債時間は、浸債
温度にもよるが、通常、数分乃至数十分である。無水マ
ィレン酸を付加させた後の加熱処理はしジスト膜に付加
しているマィレン酸半ェステルによるレジスト膜の架橋
を高めるためには高温である程よいが、作業上の制約や
実性からみて、通常、１５０〜２５０ｑｏ、好ましくは
１８０〜２００ｑｏであり、また、加熱時間は通常、５
〜３び分程度でよい。本発明の方法は、以上のように、
光架橋したポリビニルアルコール樹脂レジスト膜に無水
マィレン酸を付加させた後、加熱処理するものであり、
簡単且つ効果的にレジスト膜の耐水性を高めることがで
きると共に、従来の硬膜処理と異なり、クロム公害と無
縁である。以下に実施例を挙げて本発明を説明する。
温度にもよるが、通常、数分乃至数十分である。無水マ
ィレン酸を付加させた後の加熱処理はしジスト膜に付加
しているマィレン酸半ェステルによるレジスト膜の架橋
を高めるためには高温である程よいが、作業上の制約や
実性からみて、通常、１５０〜２５０ｑｏ、好ましくは
１８０〜２００ｑｏであり、また、加熱時間は通常、５
〜３び分程度でよい。本発明の方法は、以上のように、
光架橋したポリビニルアルコール樹脂レジスト膜に無水
マィレン酸を付加させた後、加熱処理するものであり、
簡単且つ効果的にレジスト膜の耐水性を高めることがで
きると共に、従来の硬膜処理と異なり、クロム公害と無
縁である。以下に実施例を挙げて本発明を説明する。
尚、以下において部及び％は明記ない限りはそれぞれ重
量部及び重量％を表わす。実施例 平均重合度１０００、ケン化度８８．５モル％のポリビ
ニルアルコール樹脂の５％水溶液１０暁部‘こ４ージア
ゾジフェニルァミンーホルムァルデヒド縮合物２．５部
を添加、溶解し、レジスト材料を調製した。
量部及び重量％を表わす。実施例 平均重合度１０００、ケン化度８８．５モル％のポリビ
ニルアルコール樹脂の５％水溶液１０暁部‘こ４ージア
ゾジフェニルァミンーホルムァルデヒド縮合物２．５部
を添加、溶解し、レジスト材料を調製した。
このレジスト材料をステンレス鋼板に塗布し、乾燥厚さ
３仏の塗眼を形成した後、この塗膜に４００Ｗ高圧水銀
灯を用いて２０伽の距離から１分間紫外線照射して、試
験片を作製した。
３仏の塗眼を形成した後、この塗膜に４００Ｗ高圧水銀
灯を用いて２０伽の距離から１分間紫外線照射して、試
験片を作製した。
次に、８５『０の温度に加熱した５０％無水マィレン酸
ジオキサン溶液に上記試験片を５分間浸潰した後、１８
０午０のオーブン中で１び分間加熱した。
ジオキサン溶液に上記試験片を５分間浸潰した後、１８
０午０のオーブン中で１び分間加熱した。
この浸債前後の重量変化から求めた無水マィレン酸のレ
ジスト膜への付加率は５重量％であった。この試験片を
５０ｏｏの４６％塩化第二鉄水溶液に１０分間浸潰した
が、レジスト膜の膨潤も剥離も起こらなかった。比較の
ために、紫外線照射後の試験片を無水マィレン酸客液に
浸潰することなく、上記と同様に熱処理のみを行なって
、上記塩化第二鉄水溶液に浸債すると、レジスト膜は全
体に膨潤し、部分的に鋼板から剥離した。
ジスト膜への付加率は５重量％であった。この試験片を
５０ｏｏの４６％塩化第二鉄水溶液に１０分間浸潰した
が、レジスト膜の膨潤も剥離も起こらなかった。比較の
ために、紫外線照射後の試験片を無水マィレン酸客液に
浸潰することなく、上記と同様に熱処理のみを行なって
、上記塩化第二鉄水溶液に浸債すると、レジスト膜は全
体に膨潤し、部分的に鋼板から剥離した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光架橋させたポリビニルアルコール樹脂レジスト膜
を加熱した無水マイレン酸非水容液に浸漬してレジスト
膜に無水マイレン酸を付加させた後、加熱することを特
徴とするレジスト膜の硬膜処理方法。 ２ レジスト膜の１〜１０重量％の無水マイレン酸をレ
ジスト膜に付加させることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のレジスト膜の硬膜処理方法。 ３ レジスト膜に無水マイレン酸を付加させた後、レジ
スト膜を１５０〜２５０℃の温度に加熱することを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載のレジスト
膜の硬膜処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15601379A JPS608495B2 (ja) | 1979-11-30 | 1979-11-30 | レジスト膜の硬膜処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15601379A JPS608495B2 (ja) | 1979-11-30 | 1979-11-30 | レジスト膜の硬膜処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5678836A JPS5678836A (en) | 1981-06-29 |
| JPS608495B2 true JPS608495B2 (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=15618403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15601379A Expired JPS608495B2 (ja) | 1979-11-30 | 1979-11-30 | レジスト膜の硬膜処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608495B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018096262A (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | 三菱重工業株式会社 | Ｅｇｒシステムおよびディーゼルエンジン |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2745443B2 (ja) * | 1993-01-22 | 1998-04-28 | 株式会社ソルテック | レジストパターン形成方法 |
-
1979
- 1979-11-30 JP JP15601379A patent/JPS608495B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018096262A (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | 三菱重工業株式会社 | Ｅｇｒシステムおよびディーゼルエンジン |
| WO2018110239A1 (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | 三菱重工業株式会社 | Ｅｇｒシステムおよびディーゼルエンジン |
| KR20190064658A (ko) | 2016-12-12 | 2019-06-10 | 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤 | Egr 시스템 및 디젤 엔진 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5678836A (en) | 1981-06-29 |
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