JPS61296350A - 感光性組成物 - Google Patents

感光性組成物

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Publication number
JPS61296350A
JPS61296350A JP13794085A JP13794085A JPS61296350A JP S61296350 A JPS61296350 A JP S61296350A JP 13794085 A JP13794085 A JP 13794085A JP 13794085 A JP13794085 A JP 13794085A JP S61296350 A JPS61296350 A JP S61296350A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
resin
heat resistance
photosensitive composition
trifluoroacetoxymethyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13794085A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyonobu Onishi
大西 廉伸
Akiko Hirao
明子 平尾
Kunihiro Isori
五十里 邦弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP13794085A priority Critical patent/JPS61296350A/ja
Publication of JPS61296350A publication Critical patent/JPS61296350A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 花 本発明は、新奇な感光性組成物に関し、更に詳しくは、
耐熱性を有するレジスト材料として使用するのに適した
感光性組成物に関するものである。
[発明の技術的背景とその問題点] 感光性組成物は、半導体デバイス製造を含む多くの基板
プロセスに利用されている。アルカリ溶液で現像を行な
うフェノール骨格を有する樹脂を含む感光性組成物とし
ては、アルカリ可溶性のノボラック樹脂と置換0−ナフ
トキノンジアジドのようなアルカリ不溶性の溶解制御剤
との混合物あるいはポリビニルフェノールと芳香族アジ
ド化合物があげられる。
これらの組成物は光を照射することにより、アルカリ溶
液に対する溶解度の差が光の照射されない部分と照射さ
れた部分て生じ、画像がアルカリ現像剤による処理によ
って得られる。得られた画像の耐熱性は、用いたアルカ
リ可溶性の樹脂に大きく関係している。ノボラック樹脂
は一般にその軟化点が100°C〜130°C程度であ
り、ポリビニルフェノールは、一般に 160℃〜18
0℃である。そのためその温度以下では、画像の流れ、
ゆがみを生じるおそれがある。すなわちパターンの流れ
出す温度は樹脂の種類及び感光剤により異なる。耐熱性
が悪いとパターン形成後、熱処理をすることにより、パ
ターンが原型をとどめずに、流れ出し丸くなってしまう
ということがある。耐熱性が高いパターンを得るために
は、樹脂の流れる温度を上げるか、又は感光剤との組み
合わせで流れを防ぐ方法がとられている。ノボラック樹
脂とナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからな
る、広く用いられているポジ型レジストにおいては、ノ
ボラック樹脂の軟化点が120℃付近のものでは、パタ
ーンが140°Cで熱処理することにより丸くなること
がある。樹脂の軟化点を上げようとすると、解像性が劣
るという欠点があった。ポリビニルフェノールを用いた
ポジ型レジストでは樹脂の軟化点が200°C付近のも
のでは、140℃〜150℃で大きなパターンが丸くな
ることがあり、又軟化点を高くしたものでは解像性が劣
るという欠点があった。感光剤をナフトキノンジアンパ
ドではなく、アジド化合物とした、いわゆるネガ型レジ
ストでは、同様の樹脂を用いた時よりも耐熱性が向上す
るが、パターンの耐熱性がポジ型と同様に樹脂の軟化点
に関係している。
[発明の1]的コ 本発明は、耐熱性の改善された、アルカリ現像型の感光
性組成物を提供することを目的としたものであって、分
子中にマレイミド構造を有するため、解像性と耐熱性の
バランスがとれたものが得られる。
[発明の概要] 本発明の感光性組成物は、アルカリ溶液で現像を行なう
、フェノール骨格ををする樹脂を含む感光性組成物にお
いて、フェノール骨格に、トリフルオロアセトキシメチ
ル基あるいはホルミルオキシメチル基の少なくとも1つ
が置換した化合物を含むことを特徴とする。
本発明に用いられるポリマーは、フェノール骨格を有す
るアルカリ溶液に可溶なものならばいかなるものでも用
いられる。例えば、ノボラック樹脂類、ヒドロキシル化
ポリスチレンのホモポリマー又は、メタクソル酸メチル
等とのコポリマー、ヒドロキシル化ポリ2−メチルスチ
レンのホモポリマー又はアクリロニトル、スチレン等と
のコポリマーか使用可能である。用いるポリマーとして
は、1種若しくは2種以−Lのものを任意に用いること
が出来る。
フェノール骨格にトリフルオロアセトキシメチル基ある
いはホルミルオキシメチル基の少なくとも1つが置換し
た化合物としては、レゾール樹脂のメチロール基の一部
あるいは全部がトリフルオロアセチル化又はホルミル化
されたもの、メチロール化ポリビニルフェノールのトリ
フルオロアセチル又は、ホルミル化物、2.6−ジメチ
ロールのトリフルオロアセチル化又はホルミル化物等が
あり、これらのものから1種若しくは2種以上のものが
選ばれる。
トリフルオロアセトキシメチル基あるいはホルミルオキ
シメチル基の導入法は、例えば先ず、フェノール性化合
物に塩基触媒でホルマリンを作用させ、メチロール基の
導入を行なう。次いでトリフルオロアセチル化又はホル
ミル化を行なう。トリフルオロアセチル化又はホルミル
化の条件は[テトラヘドロン、第6巻、 269頁19
59年ITtrahcdron、6,269 (195
9) ]に述べられている。メチロール基のトリフルオ
ロアセチル化率又はホルミル化率は、用いられるメチロ
ール化フェノール化合物の種類フェノール骨格を有する
樹脂の種類、樹脂に対する配合化溶媒の種類、現像液と
して用いられるアルカリ溶液等により、異なり、感度、
コントラスト、保存安定性等のバランスから決定される
。例えば、2.6−シメチロールフエノールのホルミル
化物においては、ポリマーとしての一タレゾールノボラ
ック樹脂を用いると、そのホルミル化率は20〜100
%好ましくは50〜100%である。
樹脂に対する配合量は1〜40重量パーセント好ましく
は2〜20重量パーセントである。
本発明の感光性組成物は、感光剤としてネガ形レジスト
に通常用いられているアジド化合物又はポジ形レジスト
に用いられているナフトキノンシアシト化合物等が用い
られる。
次に、本発明の感光性組成物の使用例を具体的に説明す
ると、感光性組成物を溶剤例えば、シフノロヘキサノン
、オチルセロソルフセアセテート、メチルエチルケトン
に溶かし支持体例えばシリコンウェハなどの上に、例え
ば回転塗布、乾燥後(50℃〜 180℃、好ましくは
70℃〜 120℃、30秒間〜90分間、好ましくは
1分〜60分間)常法に従がい紫外線露光し例えばマス
クを通して適性波長領域の光を露光させる。ついて適性
アルカリ溶液により現像が行なわれる。その後乾燥(1
00℃〜200°C1好ましくは 120°C〜180
℃、30秒間〜120分間、好ましくは1分〜90分間
)を行ない、支持体、例えばシリコンウェハは、エツチ
ング及びメタル化などの通常の段階により処理される。
[発明の効果コ 上記したように本発明組成物は、フェノール樹脂にアル
カリ可溶性の樹脂を添加することにより、耐熱性かすぐ
れ、パターン歪みの極めて少ないパターンを形成するこ
とが可能であるという特徴を有する。
[発明の実施例] 以下に実施例を挙げ詳しく説明する。
実施例1 m、p−クレゾールノボラック樹脂(軟化点120℃)
20g、 1.2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホン酸−ジ(2,3,4−トリヒドロキジベンゾフ
エノンノエステル6 g、 2.4.6−トリメチロー
ルフエノールのンホルミル化物4g1エチルセロソルブ
アセテ−1・70gからなる感光液を調整し、シリコン
ウェハー上にスピナーにより塗布、ホットプレート上乾
燥(906C,2分)−F3.1.5μmの膜厚の感光
1膜を形成した。ついでこの基盤を、250Wの高圧水
銀灯を用い、石英基板のクロムマスクを介して4秒間露
光した。このようにして露光した基板を21℃の3.0
%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液
に1分間浸漬して現像を行なった。次いで水により洗浄
、ホットプレート上乾燥(140℃、5分間)したとこ
ろ、1μmのラインとスペースから成るパターンが形成
された。このパターンはホットプレート上 160°C
30分間加熱しても、パターンの形状に変化がなかった
。2.4.6−ドリメチ0−ルフェノールのジホルミル
化物を加えないものについて同様の実験を行なったとこ
ろ、160℃で30分間加熱すると、パターンの形状に
変化がみとめられた。
実施例2 ポリ(P−ビニルフェノール)(軟化点160℃)20
g、3−3−ジアジドジフェニルスルホン4g1メチロ
ール化ポリ (P−ビニルフェノール)のトリフルオロ
アセチル化物(メチロール導入率ビニルフェノール1に
対して0.2.  l−リフルオロアセチル化率80%
)4g、シクロへキサノン72gからなる感光液を調整
し実施例1と同様に500Wのキセノン水銀灯を用い露
光を行ない、1 、4 !”、、;のテトラメチルアン
モニウムヒドロオキシド水溶液により現像を行ない、1
50°Cで5分間乾燥を行なった。
180℃で30分間加熱したところパターンに変化は生
じなかった。なお比較のためメチロール化ポリ(P−ビ
ニルフェノール)のトリフルオロアセチル化物を加えな
いものについて同様に実験を行なったところ、 180
℃でパターンに変化が生じた。
以−り述べた用に本発明の感光性を用いれば、耐熱性の
良いパターンを得ることが出来る。
代理人 弁理士  則 近 憲 佑 (ほか1名)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アルカリ溶液で現像を行なう、フェノール骨格を有する
    樹脂を含む感光性組成物において、フェノール骨格にト
    リフルオロアセトキシメチル基あるいはホルミルオキシ
    メチル基の少なくとも1つが置換した化合物を含むこと
    を特徴とする感光性組成物
JP13794085A 1985-06-26 1985-06-26 感光性組成物 Pending JPS61296350A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63273619A (ja) * 1987-04-30 1988-11-10 Daikin Ind Ltd 含フツ素ノボラツク及びその誘導体
JPS6456714A (en) * 1987-05-08 1989-03-03 Neos Kk Fluorine-containing phenolic resin precursor
JPH06282067A (ja) * 1992-09-14 1994-10-07 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性平版印刷版

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63273619A (ja) * 1987-04-30 1988-11-10 Daikin Ind Ltd 含フツ素ノボラツク及びその誘導体
JPS6456714A (en) * 1987-05-08 1989-03-03 Neos Kk Fluorine-containing phenolic resin precursor
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