JP2000241989A - ホトリソグラフィー構造の製造方法 - Google Patents
ホトリソグラフィー構造の製造方法Info
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容易に構成でき、遠紫外線範囲のパターン化
に適しているホトリゾグラフィー構造を提供する。 【解決手段】 脱保護下で反応性部位を生じる保護活性
部位を含んでいる基体樹脂と化学線照射に感応し易い光
活性成分とを含有するホトレジストを生成し、前記ホト
レジストを基板に塗布し、前記ホトレジストの選択的に
パターン化された部分を前記の化学線照射の有効線量に
露光させ、前記ホトレジストを現像剤にさらしてパター
ン化ホトレジストを創り出し、前記基体樹脂の保護活性
部位を脱保護して化学的に反応性部位を生成させ、前記
工程で生じる反応性部位を芳香族環含有のエッチ保護剤
と反応させてエッチ保護剤を基体樹脂の構造中に組み入
れ、当該基板をエッチングする。
に適しているホトリゾグラフィー構造を提供する。 【解決手段】 脱保護下で反応性部位を生じる保護活性
部位を含んでいる基体樹脂と化学線照射に感応し易い光
活性成分とを含有するホトレジストを生成し、前記ホト
レジストを基板に塗布し、前記ホトレジストの選択的に
パターン化された部分を前記の化学線照射の有効線量に
露光させ、前記ホトレジストを現像剤にさらしてパター
ン化ホトレジストを創り出し、前記基体樹脂の保護活性
部位を脱保護して化学的に反応性部位を生成させ、前記
工程で生じる反応性部位を芳香族環含有のエッチ保護剤
と反応させてエッチ保護剤を基体樹脂の構造中に組み入
れ、当該基板をエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路製造の分
野におけるホトリソグラフィーに関し、より詳細には、
前述のホトリソグラフィーに用いられるホトレジストの
エッチング耐性を改善する方法に関する。
野におけるホトリソグラフィーに関し、より詳細には、
前述のホトリソグラフィーに用いられるホトレジストの
エッチング耐性を改善する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ホトリソグラフィーは、コンピュータ及
びその他の関連用途に使用される集積回路の製造におい
て共通に用いられる技術である。ホトリソグラフィーで
は、例えば、シリコンウェハのような基板上にホトレジ
スト層を形成する。次いで、基板上に蝕刻（エッチン
グ）すべきである、透明及び不透明部分のパターンを包
含しているマスクでそのホトレジストを覆う。次いで、
そのマスクは、マスクの透明部分を透過してホトレジス
トの対応領域で化学反応を生じる、紫外線（ＵＶ）、ｘ
−線、電子ビーム、等のような、化学線照射に露光させ
る。ネガ型ホトレジストでは、ホトレジストの照射を受
けた部分は現像溶媒に不溶となる。例えば、照射によっ
て、架橋、連鎖成長、光凝結、又はその他ホトレジスト
中に化学変化を生じるような反応が起こり得る。ポジ型
ホトレジストでは、照射を受けた部分は現像溶媒に比較
的可溶になる。例えば、その照射は、ホトレジストの分
子構造の光劣化を引き起こす可能性がある。照射露光
後、ホトレジストを現像溶剤にさらして現像する。この
処理でホトレジストの可溶部分が洗い流されてパターン
が残る。このパターン化処理の後、例えば、ウェットエ
ッチ処理では、酸に、又は、例えば、ドライエッチ処理
では、イオンビームに、その基板をさらして行うエッチ
ングプロセスを実行する。残存ホトレジストで覆われて
いる基板の部分は、エッチングされないで残る。最後
に、適当な溶剤又はその他従来の除去方法によって残存
しているホトレジストを除去すれば、パターンがエッチ
ングされた基板を得ることができる。
びその他の関連用途に使用される集積回路の製造におい
て共通に用いられる技術である。ホトリソグラフィーで
は、例えば、シリコンウェハのような基板上にホトレジ
スト層を形成する。次いで、基板上に蝕刻（エッチン
グ）すべきである、透明及び不透明部分のパターンを包
含しているマスクでそのホトレジストを覆う。次いで、
そのマスクは、マスクの透明部分を透過してホトレジス
トの対応領域で化学反応を生じる、紫外線（ＵＶ）、ｘ
−線、電子ビーム、等のような、化学線照射に露光させ
る。ネガ型ホトレジストでは、ホトレジストの照射を受
けた部分は現像溶媒に不溶となる。例えば、照射によっ
て、架橋、連鎖成長、光凝結、又はその他ホトレジスト
中に化学変化を生じるような反応が起こり得る。ポジ型
ホトレジストでは、照射を受けた部分は現像溶媒に比較
的可溶になる。例えば、その照射は、ホトレジストの分
子構造の光劣化を引き起こす可能性がある。照射露光
後、ホトレジストを現像溶剤にさらして現像する。この
処理でホトレジストの可溶部分が洗い流されてパターン
が残る。このパターン化処理の後、例えば、ウェットエ
ッチ処理では、酸に、又は、例えば、ドライエッチ処理
では、イオンビームに、その基板をさらして行うエッチ
ングプロセスを実行する。残存ホトレジストで覆われて
いる基板の部分は、エッチングされないで残る。最後
に、適当な溶剤又はその他従来の除去方法によって残存
しているホトレジストを除去すれば、パターンがエッチ
ングされた基板を得ることができる。
【０００３】より強力なマイクロプロセッサ類を開発す
るためには、そのチップにより多くの電子コンポーネン
トを組み込まなければならない。チップの物理的面積は
制限される故、このことは、基板にエッチングされるパ
ターンが、より高い分解能をもってますます微細になら
ざるを得ないことを意味する。現在の技術では、パター
ンは、ホトレジストを露光するのに使用される光の波長
が重要な要因となっているような微細さであり、波長が
短ければ短いほど、より高い分解能の画像が得られる。
るためには、そのチップにより多くの電子コンポーネン
トを組み込まなければならない。チップの物理的面積は
制限される故、このことは、基板にエッチングされるパ
ターンが、より高い分解能をもってますます微細になら
ざるを得ないことを意味する。現在の技術では、パター
ンは、ホトレジストを露光するのに使用される光の波長
が重要な要因となっているような微細さであり、波長が
短ければ短いほど、より高い分解能の画像が得られる。
【０００４】別の要因は、ホトレジスト層の厚みであ
る。ホトレジストが薄い程、画像はシャープになる。し
かし、ホトレジストが比較的薄くなればなるほど、エッ
チングプロセスに耐えることがますますできなくなる。
ホトレジストは、それらの組成中にある種の芳香族化合
物を含有させることにより、エッチングに比較的強くす
ることができる。しかし、これらの化合物は、露光処理
で望まれる比較的短い照射波長に対するホトレジストの
感度を低減させる。例えば、１９３０Å ＵＶ照射用に
設計されたホトレジストは芳香族含量を含み得ない。
る。ホトレジストが薄い程、画像はシャープになる。し
かし、ホトレジストが比較的薄くなればなるほど、エッ
チングプロセスに耐えることがますますできなくなる。
ホトレジストは、それらの組成中にある種の芳香族化合
物を含有させることにより、エッチングに比較的強くす
ることができる。しかし、これらの化合物は、露光処理
で望まれる比較的短い照射波長に対するホトレジストの
感度を低減させる。例えば、１９３０Å ＵＶ照射用に
設計されたホトレジストは芳香族含量を含み得ない。
【０００５】Ｓｅｚｉ等に対する米国特許第５，１７
３，３９３号は、アミン基を有する試薬でホトレジスト
を処理することによりハロゲン含有プラズマに対する高
いエッチング耐性が与えられるホトレジスト系を開示し
ている。Ｓｅｚｉ等は、試薬のアミン基と反応し得ると
ころの、無水物の官能性のような、特殊な反応性基がそ
の分子構造中に組み込まれたホトレジストを使用してい
る。
３，３９３号は、アミン基を有する試薬でホトレジスト
を処理することによりハロゲン含有プラズマに対する高
いエッチング耐性が与えられるホトレジスト系を開示し
ている。Ｓｅｚｉ等は、試薬のアミン基と反応し得ると
ころの、無水物の官能性のような、特殊な反応性基がそ
の分子構造中に組み込まれたホトレジストを使用してい
る。
【０００６】必要とされるものは、ホトレジストのエッ
チング耐性を高めて、様々な種類のホトレジストの使用
を可能にするシステムである。
チング耐性を高めて、様々な種類のホトレジストの使用
を可能にするシステムである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ホト
リゾグラフィー構造を製造する方法を提供することであ
る。
リゾグラフィー構造を製造する方法を提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題は、 （ａ）脱保護下で反応性部位を生成するところの保護活
性部位を含んでいる基体樹脂（ｂａｓｅ ｒｅｓｉｎ）
と化学線照射に感応し易い光活性成分とを含有するホト
レジストを生成することと； （ｂ）そのホトレジストを基板に塗布することと； （ｃ）そのホトレジストの選択的にパターン化された部
分を前記の電磁的照射の有効線量に露光させることと； （ｄ）そのホトレジストを現像剤にさらしてパターン化
ホトレジストを創り出すことと； （ｅ）基体樹脂の保護活性部位を脱保護して反応性部位
を生成させることと； （ｆ）工程（ｅ）で生じる反応性部位を芳香族環含有の
エッチ保護剤と反応させてエッチ保護剤を基体樹脂の構
造中に組み入れることと； （ｇ）当該基板をエッチングすること を包含するホトリゾグラフィー構造を製造する方法によ
り解決される。
性部位を含んでいる基体樹脂（ｂａｓｅ ｒｅｓｉｎ）
と化学線照射に感応し易い光活性成分とを含有するホト
レジストを生成することと； （ｂ）そのホトレジストを基板に塗布することと； （ｃ）そのホトレジストの選択的にパターン化された部
分を前記の電磁的照射の有効線量に露光させることと； （ｄ）そのホトレジストを現像剤にさらしてパターン化
ホトレジストを創り出すことと； （ｅ）基体樹脂の保護活性部位を脱保護して反応性部位
を生成させることと； （ｆ）工程（ｅ）で生じる反応性部位を芳香族環含有の
エッチ保護剤と反応させてエッチ保護剤を基体樹脂の構
造中に組み入れることと； （ｇ）当該基板をエッチングすること を包含するホトリゾグラフィー構造を製造する方法によ
り解決される。
【０００９】本発明の方法は、パターン化照射に対する
ホトレジストの感度を維持しながらそのホトレジストの
エッチング耐性を有利に改善する。さらに、同方法は、
任意の種類のホトレジストの使用も可能にする。ホトレ
ジストの脱保護は、当該方法のプロセス処理で達成さ
れ、従って、特別調製のホトレジストの必要性を排除す
るものである。
ホトレジストの感度を維持しながらそのホトレジストの
エッチング耐性を有利に改善する。さらに、同方法は、
任意の種類のホトレジストの使用も可能にする。ホトレ
ジストの脱保護は、当該方法のプロセス処理で達成さ
れ、従って、特別調製のホトレジストの必要性を排除す
るものである。
【００１０】ここに記載の、エッチング耐性のあるホト
レジスト系は、適切に構造化でき且つ約２５００Åを下
回る波長を有する電磁照射に応答するホトレジストを包
含する。現像後、ホトレジストと反応させるのにエッチ
保護剤を用いて、ホトレジスト中に芳香族基を組み込ん
でそのエッチング耐性を高める。エッチ保護剤は、好ま
しくは、水に溶解して水溶液を生成する、芳香族ポリカ
ルボン酸、無水酸、又は酸クロリドの反応物である。
レジスト系は、適切に構造化でき且つ約２５００Åを下
回る波長を有する電磁照射に応答するホトレジストを包
含する。現像後、ホトレジストと反応させるのにエッチ
保護剤を用いて、ホトレジスト中に芳香族基を組み込ん
でそのエッチング耐性を高める。エッチ保護剤は、好ま
しくは、水に溶解して水溶液を生成する、芳香族ポリカ
ルボン酸、無水酸、又は酸クロリドの反応物である。
【００１１】より詳細には、ホトレジストは、ポジ型又
はネガ型ホトレジストであってよい。ホトレジストは、
基体樹脂と光反応性成分（即ち、光酸発生子（ｐｈｏｔ
ｏａｃｉｄ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）とを包含していて、
通常、適当な溶剤に溶けた基体樹脂と光反応性成分の溶
液の形で提供される。ホトレジストをマスクを通して画
像様（ｉｍａｇｅｗｉｓｅ）に化学線照射（例えば、Ｕ
Ｖ照射、Ｘ−線、又は電子ビーム照射）露光すると、ホ
トレジストの露光部分において光酸発生子から酸が放出
される。ネガ型ホトレジストでは、露光部分は、例え
ば、基体樹脂の高分子鎖の架橋結合のため、現像剤中で
溶解しにくくなる。ポジ型ホトレジストでは、露光部分
は、例えば、減成（ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ）により即
ち分子鎖上で比較的可溶性の基が生成するため、より可
溶性になる。芳香族基は、特に比較的短波長の、ＵＶ照
射の透過を阻止する傾向がある。故に、２０００Å〜２
５００ÅのＵＶ照射で使用するには、芳香族含量で０％
〜約２０質量％の範囲の低量の芳香族基を含んでいなけ
ればならない。２０００Å未満の波長を有するＵＶ照射
で使用するには、ホトレジスト中の基体樹脂は、実質的
に、芳香族基を含んでいないことが必要である。
はネガ型ホトレジストであってよい。ホトレジストは、
基体樹脂と光反応性成分（即ち、光酸発生子（ｐｈｏｔ
ｏａｃｉｄ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）とを包含していて、
通常、適当な溶剤に溶けた基体樹脂と光反応性成分の溶
液の形で提供される。ホトレジストをマスクを通して画
像様（ｉｍａｇｅｗｉｓｅ）に化学線照射（例えば、Ｕ
Ｖ照射、Ｘ−線、又は電子ビーム照射）露光すると、ホ
トレジストの露光部分において光酸発生子から酸が放出
される。ネガ型ホトレジストでは、露光部分は、例え
ば、基体樹脂の高分子鎖の架橋結合のため、現像剤中で
溶解しにくくなる。ポジ型ホトレジストでは、露光部分
は、例えば、減成（ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ）により即
ち分子鎖上で比較的可溶性の基が生成するため、より可
溶性になる。芳香族基は、特に比較的短波長の、ＵＶ照
射の透過を阻止する傾向がある。故に、２０００Å〜２
５００ÅのＵＶ照射で使用するには、芳香族含量で０％
〜約２０質量％の範囲の低量の芳香族基を含んでいなけ
ればならない。２０００Å未満の波長を有するＵＶ照射
で使用するには、ホトレジスト中の基体樹脂は、実質的
に、芳香族基を含んでいないことが必要である。
【００１２】基体樹脂は、活性部位、又は活性基を含ん
でおり、これらの部位は、ここでのプロセスの後の脱保
護処理で除去されて反応基を生じる、保護基によって最
初は保護されているものである。有用な反応基には、ヒ
ドロキシル（−ＯＨ）、カルボキシル（−ＣＯＯＨ）、
メルカプト（−ＳＨ）、アミノ（−ＮＨ2）、アルキル
アミノ（−ＮＨＲ）、イミノ（−ＮＨ−）、ホルミル
（−ＣＨＯ）、スルホ（−ＳＯ3Ｈ）、及びホスホノ
（−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）2）がある。ヒドロキシル及びカ
ルボキシルが望ましい。その活性部位を、保護基を有す
る適当なブロック剤で保護することができる。適当な保
護基には、例えば、ベンジルオキシカルボニル、トリフ
ルオロアセチル、ベンジルエステル、ｔ−ブチルエステ
ル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエステル、等があ
る。ここに記載の方法に好ましいブロック剤には、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニル基（ｔ−ＢＯＣ）が含まれ
る。
でおり、これらの部位は、ここでのプロセスの後の脱保
護処理で除去されて反応基を生じる、保護基によって最
初は保護されているものである。有用な反応基には、ヒ
ドロキシル（−ＯＨ）、カルボキシル（−ＣＯＯＨ）、
メルカプト（−ＳＨ）、アミノ（−ＮＨ2）、アルキル
アミノ（−ＮＨＲ）、イミノ（−ＮＨ−）、ホルミル
（−ＣＨＯ）、スルホ（−ＳＯ3Ｈ）、及びホスホノ
（−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）2）がある。ヒドロキシル及びカ
ルボキシルが望ましい。その活性部位を、保護基を有す
る適当なブロック剤で保護することができる。適当な保
護基には、例えば、ベンジルオキシカルボニル、トリフ
ルオロアセチル、ベンジルエステル、ｔ−ブチルエステ
ル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエステル、等があ
る。ここに記載の方法に好ましいブロック剤には、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニル基（ｔ−ＢＯＣ）が含まれ
る。
【００１３】例として、ポジ型又はネガ型ホトレジスト
用の基体樹脂は、ポリヒドロキシスチレン、ポリメタク
リル酸メチル、ポリ（ｔ−ブチル）メタクリル酸、ポリ
ビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリノルボ
ルネン、ポリ（ｐ−ホルミル）オキシスチレン、ポリ
（ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）、ポリビニ
ルピロリドン、ポリメチルイソプレニルケトン、フェノ
ールーホルムアルデヒド高分子類、メラミンーホルムア
ルデヒド高分子類、及びこれらの樹脂の共重合体、混合
体及び誘導体から選択してよい。市販のポジ型ホトレジ
ストの例としては、日本のＪＳＲ Ｃｏ．から入手可能
なＭ２ＯＧとＳｈｉｐｌｅｙ Ｃｏ．から市販されてい
るＵＶ２ＨＳがある。市販のネガ型ホトレジストの例に
は、Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｃｏ．から入手可能なＤＶ３０Ｎ
がある。
用の基体樹脂は、ポリヒドロキシスチレン、ポリメタク
リル酸メチル、ポリ（ｔ−ブチル）メタクリル酸、ポリ
ビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリノルボ
ルネン、ポリ（ｐ−ホルミル）オキシスチレン、ポリ
（ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）、ポリビニ
ルピロリドン、ポリメチルイソプレニルケトン、フェノ
ールーホルムアルデヒド高分子類、メラミンーホルムア
ルデヒド高分子類、及びこれらの樹脂の共重合体、混合
体及び誘導体から選択してよい。市販のポジ型ホトレジ
ストの例としては、日本のＪＳＲ Ｃｏ．から入手可能
なＭ２ＯＧとＳｈｉｐｌｅｙ Ｃｏ．から市販されてい
るＵＶ２ＨＳがある。市販のネガ型ホトレジストの例に
は、Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｃｏ．から入手可能なＤＶ３０Ｎ
がある。
【００１４】光反応性成分は、例えば、ジアリールヨー
ドニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、及び置換ア
リールジアゾニウム塩のような光酸発生子を含み、前記
塩は、テトラフルオホウ酸塩、ヘキサフルオロアンチモ
ン酸塩、ヘキサフルオロヒ酸塩、及びヘキサフルオロリ
ン酸塩のような対イオンを含むものである。その他の光
酸発生子は、ハロメタン類、トリクロロトリアジン、ａ
−ナフトール、ニトロベンズアルデヒド及びポリビニル
クロリドである。ホトレジストは、従来のレジスト調剤
に用いられる補充物質を含んでもよい。これらの補充物
質は、例えば、さらなる高分子類、増感剤類、架橋結合
剤類、速度エンハンサー類、屈曲性エンハンサー類、粘
性エンハンサー類、熱抵抗エンハンサー類、及び界面活
性剤類を包含してよい。前述の成分は、当分野で周知で
ある。増感剤類の例は、ナフトキノン−（１，２）−ジ
アジドスルホン酸エステル類のようなジアゾキノン類で
あり、特に、ジアゾナフトキノンの５−スルホン酸エス
テルである。調合済みのホトレジスト及びホトレジスト
成分は、市場の供給会社から広く入手することができ
る。
ドニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、及び置換ア
リールジアゾニウム塩のような光酸発生子を含み、前記
塩は、テトラフルオホウ酸塩、ヘキサフルオロアンチモ
ン酸塩、ヘキサフルオロヒ酸塩、及びヘキサフルオロリ
ン酸塩のような対イオンを含むものである。その他の光
酸発生子は、ハロメタン類、トリクロロトリアジン、ａ
−ナフトール、ニトロベンズアルデヒド及びポリビニル
クロリドである。ホトレジストは、従来のレジスト調剤
に用いられる補充物質を含んでもよい。これらの補充物
質は、例えば、さらなる高分子類、増感剤類、架橋結合
剤類、速度エンハンサー類、屈曲性エンハンサー類、粘
性エンハンサー類、熱抵抗エンハンサー類、及び界面活
性剤類を包含してよい。前述の成分は、当分野で周知で
ある。増感剤類の例は、ナフトキノン−（１，２）−ジ
アジドスルホン酸エステル類のようなジアゾキノン類で
あり、特に、ジアゾナフトキノンの５−スルホン酸エス
テルである。調合済みのホトレジスト及びホトレジスト
成分は、市場の供給会社から広く入手することができ
る。
【００１５】使用される化学線照射は、好ましくは、約
２４８０Åの波長を有する短波紫外線であり、より好ま
しくは、約２０００Å未満の波長を有する遠紫外線（例
えば、１９３０Å ＵＶ）である。（約１００Å未満の
波長を有する）Ｘ−線、及び電子ビーム照射も有用であ
る。
２４８０Åの波長を有する短波紫外線であり、より好ま
しくは、約２０００Å未満の波長を有する遠紫外線（例
えば、１９３０Å ＵＶ）である。（約１００Å未満の
波長を有する）Ｘ−線、及び電子ビーム照射も有用であ
る。
【００１６】
【実施例】本発明の方法は、以下の工程に従い実現され
る。
る。
【００１７】ホトレジストは、従来法でシリコンのよう
な基板に塗布する。通常、ホトレジスト溶液をシリコン
ウェハに塗布し、その後、それを回転させてホトレジス
トをウェハ上に平坦層の形で分布させる。次いで、ホト
レジストを軽く加熱して溶剤を蒸発させる。ホトレジス
ト層の好ましい厚さは、好ましくは、約１ミクロン以
下、より好ましくは、約０．８ミクロン以下、さらによ
り好ましくは、０．５ミクロン以下、そして最も好まし
くは、約０．３ミクロン以下である。図１は、シリコン
ウェハ基板１の上に堆積したホトレジスト層２を示した
ものである。
な基板に塗布する。通常、ホトレジスト溶液をシリコン
ウェハに塗布し、その後、それを回転させてホトレジス
トをウェハ上に平坦層の形で分布させる。次いで、ホト
レジストを軽く加熱して溶剤を蒸発させる。ホトレジス
ト層の好ましい厚さは、好ましくは、約１ミクロン以
下、より好ましくは、約０．８ミクロン以下、さらによ
り好ましくは、０．５ミクロン以下、そして最も好まし
くは、約０．３ミクロン以下である。図１は、シリコン
ウェハ基板１の上に堆積したホトレジスト層２を示した
ものである。
【００１８】その後、ホトレジストは、以下のようにパ
ターン化する。最初に、ホトレジストにマスクを載せ
る。そのマスクは、１．０ミクロン未満、好ましくは、
０．５ミクロン未満、そしてより好ましくは、０．３ミ
クロン未満の分解能以内の線及びその他の特徴点を含ん
でいてよい。次いで、そのホトレジストは、マスクのパ
ターンを通して、典型的には、約５０〜２００ ｍＪ／
ｃｍ2の、十分な線量の化学線照射で電磁照射露光させ
る。次に、現像剤にさらしてそのホトレジストをパター
ン化する。適当な現像溶液の例は、（Ｈｏｅｃｈｓｔ
ＡＧから入手可能な）現像液 ＡＺ ４００Ｋとアンモ
ニアの水溶液である。パターン化したホトレジストは、
その後、軽く加熱して乾燥させる。
ターン化する。最初に、ホトレジストにマスクを載せ
る。そのマスクは、１．０ミクロン未満、好ましくは、
０．５ミクロン未満、そしてより好ましくは、０．３ミ
クロン未満の分解能以内の線及びその他の特徴点を含ん
でいてよい。次いで、そのホトレジストは、マスクのパ
ターンを通して、典型的には、約５０〜２００ ｍＪ／
ｃｍ2の、十分な線量の化学線照射で電磁照射露光させ
る。次に、現像剤にさらしてそのホトレジストをパター
ン化する。適当な現像溶液の例は、（Ｈｏｅｃｈｓｔ
ＡＧから入手可能な）現像液 ＡＺ ４００Ｋとアンモ
ニアの水溶液である。パターン化したホトレジストは、
その後、軽く加熱して乾燥させる。
【００１９】現像後、パターン化したホトレジストを脱
保護処理にかけて、エッチ保護剤と反応できるよう基体
樹脂の活性部位を露出させる。脱保護は、（２５００Å
未満の）深ＵＶ照射に対するパターン化ホトレジストの
潤沢露光、それに続く加熱処理、又はベーキング処理に
よって達成される。ＵＶの適用量は、例えば、約２０ｍ
Ｊ／ｃｍ2〜約５０ｍＪ／ｃｍ2であってよいが、その他
の適用量も適当と見なされる場合は用いてもよい。深Ｕ
Ｖ照射の下で、当該組成の光酸成分から酸が発生され
る。その酸が、今度は、加熱処理中、活性基（例えば、
ヒドロキシル、カルボキシル、等）を露出させることに
より基体樹脂を脱保護する。このようにして、露出活性
基は、エッチ保護剤との反応に使えるようになり、そし
て後者は、活性基との反応に続いて、基体樹脂の高分子
構造中に化学的に組み込まれた状態になる。脱保護を達
成する熱活性化は、約１００℃〜約１５０℃の温度で且
つ約１分〜約５分に及ぶ時間の間、実行される。図２
は、基板１上にパターン化構造３を有するこのプロセス
段階でのパターン化ホトレジストを示す。
保護処理にかけて、エッチ保護剤と反応できるよう基体
樹脂の活性部位を露出させる。脱保護は、（２５００Å
未満の）深ＵＶ照射に対するパターン化ホトレジストの
潤沢露光、それに続く加熱処理、又はベーキング処理に
よって達成される。ＵＶの適用量は、例えば、約２０ｍ
Ｊ／ｃｍ2〜約５０ｍＪ／ｃｍ2であってよいが、その他
の適用量も適当と見なされる場合は用いてもよい。深Ｕ
Ｖ照射の下で、当該組成の光酸成分から酸が発生され
る。その酸が、今度は、加熱処理中、活性基（例えば、
ヒドロキシル、カルボキシル、等）を露出させることに
より基体樹脂を脱保護する。このようにして、露出活性
基は、エッチ保護剤との反応に使えるようになり、そし
て後者は、活性基との反応に続いて、基体樹脂の高分子
構造中に化学的に組み込まれた状態になる。脱保護を達
成する熱活性化は、約１００℃〜約１５０℃の温度で且
つ約１分〜約５分に及ぶ時間の間、実行される。図２
は、基板１上にパターン化構造３を有するこのプロセス
段階でのパターン化ホトレジストを示す。
【００２０】次に、反応性エッチ保護剤を水に溶解して
製造した反応溶液でホトレジストを処理する。エッチ保
護剤は、基体樹脂上の活性な、即ち、脱保護された、化
学基との反応に適した基で官能化された芳香性環を含有
している化合物である。ここで使用する場合に、用語”
芳香性”（ａｒｏｍａｔｉｃ）は、単環及び複合環含有
化合物を表し、その分子構造に芳香性環（群）と脂肪族
化合物（群）の両方を有するものも含む。芳香性環含有
エッチ保護剤は、基体樹脂の活性基と反応することにな
る少なくとも１つの基を含むことになろう。従って、例
えば、基体樹脂が遊離ヒドロキシル基を含む時、エッチ
保護剤上の反応性基は、エステル結合によってエッチ保
護剤をそこに結合するべく基体樹脂のヒドロキシル基と
反応することになる、例えば、カルボン酸、無水カルボ
ン酸又はカルボン酸クロリド基であってよい。適当なエ
ッチ保護剤には、フタル酸、無水フタル酸、イソフタル
酸、テレフタル酸、フタル酸クロリド、ナフタル酸、無
水ナフタル酸、ナフチル酢酸及びアントラセンジプロピ
オン酸が含まれる。多官能性酸は、ホトレジスト構造に
芳香族構造を与えることと、架橋結合を強化することに
より高いエッチング耐性をもたらすものである。適当な
水性反応溶液は、典型的に、約０．２〜約２０質量％
の、より好ましくは、約０．５〜約５質量％の、エッチ
保護剤を含有する。
製造した反応溶液でホトレジストを処理する。エッチ保
護剤は、基体樹脂上の活性な、即ち、脱保護された、化
学基との反応に適した基で官能化された芳香性環を含有
している化合物である。ここで使用する場合に、用語”
芳香性”（ａｒｏｍａｔｉｃ）は、単環及び複合環含有
化合物を表し、その分子構造に芳香性環（群）と脂肪族
化合物（群）の両方を有するものも含む。芳香性環含有
エッチ保護剤は、基体樹脂の活性基と反応することにな
る少なくとも１つの基を含むことになろう。従って、例
えば、基体樹脂が遊離ヒドロキシル基を含む時、エッチ
保護剤上の反応性基は、エステル結合によってエッチ保
護剤をそこに結合するべく基体樹脂のヒドロキシル基と
反応することになる、例えば、カルボン酸、無水カルボ
ン酸又はカルボン酸クロリド基であってよい。適当なエ
ッチ保護剤には、フタル酸、無水フタル酸、イソフタル
酸、テレフタル酸、フタル酸クロリド、ナフタル酸、無
水ナフタル酸、ナフチル酢酸及びアントラセンジプロピ
オン酸が含まれる。多官能性酸は、ホトレジスト構造に
芳香族構造を与えることと、架橋結合を強化することに
より高いエッチング耐性をもたらすものである。適当な
水性反応溶液は、典型的に、約０．２〜約２０質量％
の、より好ましくは、約０．５〜約５質量％の、エッチ
保護剤を含有する。
【００２１】この処理には付加的な手段を何ら必要とし
ない故、この処理は、例えば、スプレー、こね混ぜ（ｐ
ｕｄｄｌｅ）、又は浸漬現像機のような簡単な装置で、
室温で、行ってよい。エッチ保護基の反応基は、ホトレ
ジストの反応部位と化学反応を始め、その結果、エッチ
保護剤がホトレジストへ結合されることになる。エッチ
保護剤の芳香族構造の結果として、ホトレジストは、特
に、ハロゲン含有プラズマに対する、高いエッチング耐
性が付与されることになる。
ない故、この処理は、例えば、スプレー、こね混ぜ（ｐ
ｕｄｄｌｅ）、又は浸漬現像機のような簡単な装置で、
室温で、行ってよい。エッチ保護基の反応基は、ホトレ
ジストの反応部位と化学反応を始め、その結果、エッチ
保護剤がホトレジストへ結合されることになる。エッチ
保護剤の芳香族構造の結果として、ホトレジストは、特
に、ハロゲン含有プラズマに対する、高いエッチング耐
性が付与されることになる。
【００２２】次に、図３を参照して説明すると、パター
ン化ホトレジスト構造３は、芳香性基が組み込まれる化
学的に改質された表面領域４を包含する。表面領域４
は、未改質領域より大きいエッチング耐性を有する。
ン化ホトレジスト構造３は、芳香性基が組み込まれる化
学的に改質された表面領域４を包含する。表面領域４
は、未改質領域より大きいエッチング耐性を有する。
【００２３】次いで、ホトレジストと基板は、ウェット
エッチング又は、好ましくは、プラズマエッチングのよ
うな既知のエッチング工程にかけられる。ウェットエッ
チングは、通常、フッ化水素酸のような酸性エッチング
用腐食液を使って達成される。しかし、ウェットエッチ
ングは、それが等方性プロセスである故、約３ミクロン
未満の線及び空間のエッチングには向いていない。即
ち、エッチングは、基板を通して側面にも進行し、従っ
て、ホトレジストをアンダーカットすることになる。こ
れが、高分子ホトレジストの膨潤又はリフトオフの原因
となることがある。
エッチング又は、好ましくは、プラズマエッチングのよ
うな既知のエッチング工程にかけられる。ウェットエッ
チングは、通常、フッ化水素酸のような酸性エッチング
用腐食液を使って達成される。しかし、ウェットエッチ
ングは、それが等方性プロセスである故、約３ミクロン
未満の線及び空間のエッチングには向いていない。即
ち、エッチングは、基板を通して側面にも進行し、従っ
て、ホトレジストをアンダーカットすることになる。こ
れが、高分子ホトレジストの膨潤又はリフトオフの原因
となることがある。
【００２４】プラズマエッチングは、それがシャープな
エッジプロフィルを残す異方性プロセスで実施し得る
故、好ましいものである。プラズマエッチングは、ハロ
ゲン含有のエッチングガスを使って達成することができ
る。ハロゲンは、基板と反応してエッチング処理を増進
する。従って、フッ素含有のエッチングガスは、シリコ
ン基板をエッチングするのに使われ、そして塩素含有ガ
スは、アルミニウム基板のエッチングに使用される。図
４は、基板にトレンチ群５がエッチングされた基板１を
示したものである。
エッジプロフィルを残す異方性プロセスで実施し得る
故、好ましいものである。プラズマエッチングは、ハロ
ゲン含有のエッチングガスを使って達成することができ
る。ハロゲンは、基板と反応してエッチング処理を増進
する。従って、フッ素含有のエッチングガスは、シリコ
ン基板をエッチングするのに使われ、そして塩素含有ガ
スは、アルミニウム基板のエッチングに使用される。図
４は、基板にトレンチ群５がエッチングされた基板１を
示したものである。
【００２５】すでに述べたように、プラズマエッチング
もホトレジストを劣化させることがある。しかし、ホト
レジスト中の芳香性構造は、プラズマエッチングには比
較的耐性がある。故に、芳香性ホトレジストをより薄い
層に形成することができ、これがまた、よりシャープな
像を作り出し得るのである。
もホトレジストを劣化させることがある。しかし、ホト
レジスト中の芳香性構造は、プラズマエッチングには比
較的耐性がある。故に、芳香性ホトレジストをより薄い
層に形成することができ、これがまた、よりシャープな
像を作り出し得るのである。
【００２６】反応物での処理もまた、レジスト構造の膨
潤を生じる。反応物処理に起因する膨潤は、それが、比
較的厚い層厚のためエッチング留保領域（ｒｅｓｅｒｖ
ｅ）を作り出す制御可能な成長層をもたらすという点に
おいて、さらなるプラスの利益となり得るものである。
このように、レジストは、十分な分解能をもった薄膜層
に構成させることができ且つ反応物により適切なエッチ
ング耐性まで厚くすることができる。又、ホトマスク
は、プリント構造の目標サイズに対してマイナス側に偏
らせて設定することができる。ホトレジストを故意に過
度露光し且つ芳香族基を付加することによって、プリン
ト構造の最終目標サイズを得ることができる。この処置
は、プロセス手順により大きい柔軟性を付与するもので
ある。
潤を生じる。反応物処理に起因する膨潤は、それが、比
較的厚い層厚のためエッチング留保領域（ｒｅｓｅｒｖ
ｅ）を作り出す制御可能な成長層をもたらすという点に
おいて、さらなるプラスの利益となり得るものである。
このように、レジストは、十分な分解能をもった薄膜層
に構成させることができ且つ反応物により適切なエッチ
ング耐性まで厚くすることができる。又、ホトマスク
は、プリント構造の目標サイズに対してマイナス側に偏
らせて設定することができる。ホトレジストを故意に過
度露光し且つ芳香族基を付加することによって、プリン
ト構造の最終目標サイズを得ることができる。この処置
は、プロセス手順により大きい柔軟性を付与するもので
ある。
【００２７】ここに記載の実施例に対して種々の修正を
行い得ることは、理解されるであろう。それ故、上記の
記述は、制限するものではなく、単に好ましい実施例の
例証と解釈されるべきである。熟練した当業者は、ここ
に添付された特許請求の範囲の範囲内でその他の修正を
考えるであろう。
行い得ることは、理解されるであろう。それ故、上記の
記述は、制限するものではなく、単に好ましい実施例の
例証と解釈されるべきである。熟練した当業者は、ここ
に添付された特許請求の範囲の範囲内でその他の修正を
考えるであろう。
【図１】本発明による方法の第１の処理後の構造の断面
図である。
図である。
【図２】本発明による方法の第２の処理後の構造の断面
図である。
図である。
【図３】本発明による方法の第３の処理後の構造の断面
図である。
図である。
【図４】本発明による方法の第４の処理後の構造の断面
図である。
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 399035836 1730 Ｎｏｒｔｈ Ｆｉｒｓｔ Ｓｔｒｅ ｅｔ、Ｓａｎ Ｊｏｓｅ、ＣＡ、ＵＳＡ (72)発明者 ウヴェ パウル シュレーダー アメリカ合衆国 ニューヨーク ポーキー プシー ヴァルキル ドライヴ 29 (72)発明者 ゲルハルト クンケル アメリカ合衆国 ニューヨーク フィッシ ュキル ホースローン コート 22 (72)発明者 アロイス グートマン アメリカ合衆国 ニューヨーク ポーキー プシー ゲリー ロード 23
Claims (21)
- 【請求項１】 ホトリゾグラフィー構造を製造する方法
において： （ａ）脱保護下で反応性部位を生じる保護活性部位を含
んでいる基体樹脂と化学線照射に感応し易い光活性成分
とを含有するホトレジストを生成する工程と； （ｂ）前記ホトレジストを基板に塗布する工程と； （ｃ）前記ホトレジストの選択的にパターン化された部
分を前記の化学線照射の有効線量に露光させる工程と； （ｄ）前記ホトレジストを現像剤にさらしてパターン化
ホトレジストを創り出す工程と； （ｅ）前記基体樹脂の保護活性部位を脱保護して化学的
に反応性部位を生成させる工程と； （ｆ）工程（ｅ）で生じる反応性部位を芳香族環含有の
エッチ保護剤と反応させてエッチ保護剤を基体樹脂の構
造中に組み入れる工程と； （ｇ）当該基板をエッチングする工程とから成ることを
特徴とするホトリゾグラフィー構造を製造する方法。 - 【請求項２】 前記化学線照射が、２５００Åを下回る
波長を有するＵＶ照射であることを特徴とする請求項１
記載の方法。 - 【請求項３】 前記化学線照射が、２０００Åを下回る
波長を有するＵＶ照射であることを特徴とする請求項１
記載の方法。 - 【請求項４】 前記基体樹脂が、０〜２０質量％の芳香
族含量を有することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 前記基体樹脂が、実質的に芳香族基を含
有していないことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 前記ホトレジストがポジ型ホトレジスト
であることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 前記ホトレジストがネガ型ホトレジスト
であることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記ホトレジストが、ポリヒドロキシス
チレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリビニルフェノー
ル、ポリビニルアルコール、ポリノルボルネン、ポリ
（ｐ−ホルミル）オキシスチレン、ポリ（ｔ−ブトキシ
カルボニルオキシスチレン）、ポリビニルピロリドン、
ポリメチルイソプレニルケトン、フェノール−ホルムア
ルデヒド高分子、メラミン−ホルムアルデヒド高分子及
びこれらの物理的及び化学的組合せから成る群から選択
される基体樹脂を包含することを特徴とする請求項１記
載の方法。 - 【請求項９】 化学反応性部位が、ヒドロキシル基、カ
ルボキシル基、メルカプト基、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、イミノ基、ホルミル基、スルホ基及びホスホノ基
から成る群から選択されることを特徴とする請求項１記
載の方法。 - 【請求項１０】 前記ホトレジストの光活性成分が、ジ
アリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム
塩、置換アリールジアゾニウム塩、ハロメタン類、トリ
クロロトリアジン、ａ−ナフトール、ニトロベンズアル
デヒド及びポリビニルクロリドから成る群から選択され
る光酸発生子であることを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項１１】 ホトレジストを脱保護する前記工程
が、前記ホトレジストを第二の電磁照射に露光させる工
程と前記ホトレジストを１００℃〜１５０℃の温度に加
熱する工程とを包含することを特徴とする請求項１記載
の方法。 - 【請求項１２】 前記エッチ保護剤が、芳香族ポリカル
ボン酸、芳香族ポリカルボン酸無水物及び芳香族ポリカ
ルボン酸クロリドから成る群から選択される成分を包含
することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１３】 前記エッチ保護剤が、フタル酸、無水
フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、フタル酸クロ
リド、ナフタル酸、無水ナフタル酸、ナフチル酢酸及び
アントラセンジプロピオン酸から成る群から選択される
化合物を含有することを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項１４】 前記エッチ保護剤を水に溶解して水溶
液を生成させることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１５】 前記基板をエッチングする前記工程
が、プラズマエッチングから成ることを特徴とする請求
項１記載の方法。 - 【請求項１６】 前記プラズマエッチングが、ハロゲン
含有エッチングガスを使って達成されることを特徴とす
る請求項１５記載の方法。 - 【請求項１７】 さらに、エッチング処理後に前記ホト
レジストを除去する工程を包含することを特徴とする請
求項１記載の方法。 - 【請求項１８】 ホトリゾグラフィー構造を製造する方
法において： （ａ）０〜２０質量％の芳香族含量を有し且つ脱保護下
で反応性部位を生成する保護活性部位を含んでいる基体
樹脂と約２５００Å以下の波長を有する電磁照射に感応
し易い光活性成分とを含有するホトレジストを生成する
ことと； （ｂ）前記ホトレジストを基板に塗布することと； （ｃ）前記ホトレジストの選択的にパターン化された部
分を前記の電磁照射の第一有効線量に露光させること
と； （ｄ）前記ホトレジストを現像剤にさらしてパターン化
ホトレジストを創り出すことと； （ｅ）前記パターン化ホトレジストを電磁照射の第二線
量にさらし且つその後で前記パターン化ホトレジストを
１００℃〜１５０℃の温度に加熱することにより基体樹
脂の保護活性部位を脱保護して反応性部位を生成させる
ことと； （ｆ）工程（ｅ）で生じる反応性部位を、芳香族ポリカ
ルボン酸、芳香族ポリカルボン酸無水物及び芳香族ポリ
カルボン酸クロリドから成る群から選択される化合物で
ある芳香族環含有のエッチ保護剤と反応させてエッチ保
護剤を基体樹脂の構造中に組み入れることと； （ｇ）当該基板をエッチングすることからなることを特
徴とするホトリゾグラフィー構造を製造する方法。 - 【請求項１９】 前記ホトレジストが、実質的に芳香族
基を含有しないことを特徴とする請求項１８記載の方
法。 - 【請求項２０】 前記電磁照射が、２０００Å未満の波
長を有することを特徴とする請求項１９記載の方法。 - 【請求項２１】 前記エッチ保護剤が、フタル酸、無水
フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、フタル酸クロ
リド、ナフタル酸、無水ナフタル酸、ナフチル酢酸及び
アントラセンジプロピオン酸から成る群から選択される
化合物であることを特徴とする請求項１８記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US25086199A | 1999-02-17 | 1999-02-17 | |
| US09/250861 | 1999-02-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000241989A true JP2000241989A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=22949446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000038346A Pending JP2000241989A (ja) | 1999-02-17 | 2000-02-16 | ホトリソグラフィー構造の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1045291A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000241989A (ja) |
| KR (1) | KR20000058082A (ja) |
| CN (1) | CN1264061A (ja) |
| TW (1) | TW460752B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100510020B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2005-08-25 | 토쿄오오카코교 가부시기가이샤 | 포지티브형 포토레지스트조성물 및 이것을 이용한레지스트패턴형성방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10197137B4 (de) | 2001-01-08 | 2008-07-31 | International Business Machines Corp. | Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen |
| DE10133256B4 (de) | 2001-07-09 | 2007-07-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von leitfähigen oder halbleitenden strukturierten Polymeren |
| DE10208786B4 (de) | 2002-02-28 | 2006-02-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Modifikation von Resiststrukturen und Resistschichten aus wässriger Phase |
| CN100444025C (zh) * | 2004-07-12 | 2008-12-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 光刻胶修整方法 |
| KR101598826B1 (ko) * | 2015-08-28 | 2016-03-03 | 영창케미칼 주식회사 | 에칭 내성이 우수한 i-선용 네가티브형 포토레지스트 조성물 |
| CN106959584A (zh) * | 2017-04-27 | 2017-07-18 | 苏州大学 | 水溶性负性电子束光刻胶及其成像方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1422698A (en) * | 1973-04-06 | 1976-01-28 | Norland Products Inc | Photo resist composition and process |
| JPH0691060B2 (ja) * | 1985-12-17 | 1994-11-14 | 東京応化工業株式会社 | 基板の処理方法 |
| US5118583A (en) * | 1988-10-12 | 1992-06-02 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Processing composition for printing plate |
| US5234794A (en) * | 1989-04-24 | 1993-08-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Photostructuring method |
| EP0394741B1 (de) * | 1989-04-24 | 1997-06-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Erzeugung ätzresistenter Strukturen |
| ES2101710T3 (es) * | 1990-12-20 | 1997-07-16 | Siemens Ag | Procedimiento fotolitografico. |
-
2000
- 2000-01-24 EP EP00101348A patent/EP1045291A3/en not_active Withdrawn
- 2000-02-11 TW TW089102307A patent/TW460752B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-02-16 JP JP2000038346A patent/JP2000241989A/ja active Pending
- 2000-02-17 CN CN00102364A patent/CN1264061A/zh active Pending
- 2000-02-17 KR KR1020000007499A patent/KR20000058082A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100510020B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2005-08-25 | 토쿄오오카코교 가부시기가이샤 | 포지티브형 포토레지스트조성물 및 이것을 이용한레지스트패턴형성방법 |
Also Published As
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|---|---|
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| EP1045291A3 (en) | 2001-01-10 |
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