KR20000058082A - 포토레지스트의 에칭 저항성 개선 방법 - Google Patents

포토레지스트의 에칭 저항성 개선 방법 Download PDF

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KR20000058082A
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우베파울 쉬뢰터
게르하르트 쿤켈
알로이스 구트만
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인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션
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    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Abstract

쉽게 구조화할 수 있고 딥 자외선 범위 패터닝에 적당한 포토레지스트 시스템이 제공된다. 할로겐 함유 플라즈마에 대한 증가된 에칭 저항성이 에칭 보호제 처리에 의해 리소그래픽적으로 형성된 포토레지스트 구조에서 생성된다. 에칭 보호제는 주로 방향성 구조를 포함하고 포토레지스트의 반응성 작용기와의 화학 반응에 적당한 반응성 작용기를 포함한다. 일실시예에서, 포토레지스트는 방향성 에칭 보호제와의 반응 이전에 방향성이 아닌 작용기를 함유하는 베이스 수지를 포함한다. 에칭 보호제는 바람직하게 방향성 폴리카르복실산, 방향성 폴리카르복실산 무수물, 또는 방향성 폴리카르복실산 염화물을 포함한다.

Description

포토레지스트의 에칭 저항성 개선 방법 {METHOD OF IMPROVING THE ETCH RESISTANCE OF PHOTORESISTS}
본 발명은 집적 회로 제조 분야에 관한 것으로서, 특히 포토리소그래피에 사용되는 포토레지스트의 에칭 저항성을 개선하는 방법에 관한 것이다.
포토리소그래피는 컴퓨터와 다른 응용분야에서 사용하기 위한 집적 회로의 제조에 일반적으로 사용되는 기술이다. 포토리소그래피에서, 포토레지스트 층은 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 같은 기판상에 형성된다. 다음에 포토레지스트는 기판 위에 에칭하고자 하는, 투명 및 불투명 영역으로 이루어지는 어떤 패턴을 포함하는 마스크로 커버된다. 다음에 마스크는 자외선(UV), X-선, 전자빔 등과 같이 포토레지스트의 대응하는 영역에서의 화학적 반응을 일으키도록 마스크의 투명 영역을 통해 투과되는 화학선 방사선에 노출된다. 네거티브 타입 포토레지스트에서 포토레지스트의 방사선 충돌된 영역은 현상액에서 불용해성이 된다. 예를 들면, 방사선은 포토레지스트에서의 화학적 변화를 일으키도록 상호 결합, 체인 성장, 광응축성 또는 다른 반응을 시작할 수 있다. 포지티브 타입 포토레지스트에서 방사선 충돌된 영역은 현상액에서 용해성이 된다. 예를 들면, 방사선은 포토레지스트 분자 구조의 광분해를 일으킬 수 있다. 방사선 노출후 포토레지스트는 포토레지스트의 용해성 부분을 세척하여 어떤 패턴을 잔류시키는 현상액에 대한 노출에 의해 현상된다. 이런 패터닝 단계후 에칭 프로세스가 수행되는데, 여기에서 기판이 습식 에칭 프로세스에서의 산 또는 건식 에칭 프로세스에서의 이온 빔에 노출된다. 나머지 포토레지스트에 의해 커버되는 기판 영역이 에칭되지않은 체 잔류한다. 최종적으로, 나머지 포토레지스트가 용해액 또는 다른 종래 제거 방법에 의해 제거되며, 에칭되는 어떤 패턴을 갖는 기판을 잔류시킨다.
더욱 강력한 마이크로 프로세서를 개발하기 위하여, 더 많은 전자적인 부품이 칩에 배치되어야 한다. 칩의 물리적 면적이 제한되기 때문에 이것은 기판내에 에칭되는 패턴이 고분해능으로 더 미세해져야 한다는 것을 의미한다. 현재 기술상태에서 패턴은 포토레지스트를 노출하는데 사용되는 광파장이 중요한 인자가 된다는 미세함으로 이루어지며, 파장이 짧을수록 고분해능 이미지를 생성한다.
다른 인자는 포토레지스트 층의 두께이다. 포토레지스트가 얇아질수록 더 날카로운 이미지가 형성된다. 그러나, 포토레지스트가 얇아질수록 에칭 프로세스에 견디기 어렵게 된다. 포토레지스트는 이들의 구성물에 특정 방향성 성분을 포함함으로써 더욱 에칭 저항성이 될 수 있다. 그러나, 이런 성분은 노출 단계를 위해 요구되는 방사선의 단파장에 대한 포토레지스트의 민감도를 감소시킨다. 예를 들면, 1930Å UV 방사선에 대해 설계된 포토레지스트는 방향성 성분을 가질 수 없다.
Sezi등 의 미국 특허 제5,173,393호에는 포토레지스트 시스템이 개시되어 있는데, 할로겐 함유 플라즈마에 대한 증가된 에칭 저항성이 아민 기능을 지니는 반응제를 갖는 포토레지스트의 처리에 의해 공급된다. Sezi 등은 반응제의 아민 작용기와 반응할 수 있는 무수물과 같은 분자 구조에 편입된 특별한 반응성 작용기를 가지는 포토레지스트를 사용한다.
필요한 것은 다양한 포토레지스트를 사용할 수 있고 포토레지스트의 에칭 저항성을 증가시키기 위한 시스템이다.
본 발명의 목적은 포토레지스트의 에칭 저항성을 증가시키는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 방법의 단계후 구조의 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 방법의 추가 단계후 구조의 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 방법의 추가 단계후 구조의 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 방법의 추가 단계후 구조의 단면도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
2 : 포토레지스트 층
3 : 패터닝된 포토레지스트 구조
4 : 화학적으로 변형된 표면 영역
5 : 트렌치
포토리소그래픽 구조를 생성하기 위한 방법이 제공된다. 상기 방법은 (a) 보호된 활성 자리를 포함하는 베이스 수지를 가지는 포토레지스트를 제공하는 단계를 포함하는데, 탈보호(deprotection)가 화학선 방사선에 민감한 반응성 자리와 광활성 성분을 제공하며; (b) 기판에 포토레지스트를 도포하는 단계; (c) 상기 포토레지스트의 선택적으로 패턴화된 영역을 유효한 양의 전자기 방사선에 노출시키는 단계; (d) 패턴화된 포토레지스트를 형성하기 위해 현상제에 포토레지스트를 노출시키는 단계; (e) 반응성 자리를 제공하기 위해 베이스 수지의 보호된 활성 자리를 탈보호시키는 단계; (f) 베이스 수지의 구조내로 에칭 보호제를 편입시키기 위해 단계 (e)로부터 얻어지는 반응성 자리를 방향성 링 함유 에칭 보호제와 반응시키는 단계; 및 (g) 상기 기판을 에칭하는 단계를 포함한다.
여기에 기술된 방법은 패터닝 방사선에 대한 포토레지스트의 민감도를 유지하면서 포토레지스트의 에칭 저항성을 유리하게 개선시킨다. 더욱이, 상기 방법은 어떤 타입의 포토레지스도 사용할 수 있다. 포토레지스트의 탈보호는 상기 방법의 처리 단계에 의해 달성되며, 그결과 특별히 맞추어 만들어지는 포토레지스트의 필요성을 제거한다.
이제 여러 실시예가 도면을 참조로 개시될 것이다.
여기에 개시된 에칭 저항성 포토레지스트 시스템은 만족스럽게 구조화가능하고 약 2500Å 이하의 파장을 가지는 전자기 방사선에 반응하는 포토레지스트를 포함한다. 에칭 보호제가 에칭 저항성을 증가시키기 위해 포토레지스트내로 방향성 작용기를 편입시키기 위해 현상후 포토레지스트와 반응하는데 사용된다. 상기 에칭 보호제는 바람직하게 수성액을 형성하기 위해 물에서 분해될 수 있는 폴리카르복실산, 산 무수물, 또는 산 염화물이다.
특히, 포토레지스트는 포지티브 또는 네거티브 포토레지스트가 될 수 있다. 상기 포토레지스트는 베이스 수지와 보호성 성분(예를 들어, 광산 발생제(photoacid generator))이 될 수 있고, 통상 적당한 용매에서 베이스 수지와 광활성 성분의 용액 형태로 제공된다. 마스크를 통한 화학선 방사선(예를 들어, UV 방사선, X-선, 또는 전자빔 방사선)에 대한 포토레지스트의 이미지식 노출은 포토레지스트의 노출된 영역에 있는 광산 발생제로부터 산을 방출시킨다. 네거티브 포토레지스트로, 상기 노출된 영역은 예를 들어 베이스 수지의 폴리머 체인의 상호 결합에 의해 현상액에서 덜 용해되게 된다. 포지티브 포토레지스트로, 상기 노출된 영역은 예를 들어 분자 체인에서의 더 많은 용해성 작용기의 분해 또는 형성에 의해 더 많이 용해되게 된다. 방향성 작용기는 UV 방사선의 투과를 차단하려는 경향이 있다. 그러므로, 2000 내지 2500Å UV 방사선과 사용하기 위해, 상기 베이스 수지는 0 내지 20 중량%의 방향성 함량 범위의 감소된 양의 방향성 작용기를 가져야 한다. 2000Å이하의 파장을 가지는 UV 방사선과 사용하기 위해, 상기 포토레지스트의 베이스 수지는 방향성 작용기를 포함하지 않아야 한다.
상기 베이스 수지는 본 발명에 따른 프로세스에서의 탈보호 단계에서 반응성 작용기를 제공하기 위해 제거되는 보호 작용기에 의해 처음에 보호되는 활성 자리, 또는 작용기를 포함한다. 유용한 반응성 작용기는 하이드록실 (-OH), 카르복실 (-COOH), 멜캅토 (-SH), 아미노 (-NH2), 알킬아미노 (-NHR), 이미노 (-NH-), 포름일 (-CHO), 설포 (-SO3H), 및 포스포노 (-P(O) (OH)2)이다. 하이드록실과 카르복실이 바람직하다. 상기 활성 자리는 보호 작용기를 가지는 적당한 차단제로 보호될 수 있다. 적당한 보호 작용기는 예를 들어 벤질옥시카르보닐, 트리플루로아세틸, 벤질 에스테르, t-부틸 에스테르, N-하이드록시석시니미드 에스테르 등이다. 여기에 개시된 방법을 위한 바람직한 차단제는 터트-부톡시카르보닐기(t-BOC)이다.
예에 의해, 상기 포지티브 또는 네거티브 포토레지스트를 위한 베이스 수지는 폴리하이드록시스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리(t-부틸)메타크릴레이트, 폴리비닐 알콜, 폴리비닐페놀, 폴리노르보린, 폴리(p-포름일)옥시스티렌, 폴리(t-부톡시카르보닐옥시스티렌), 폴리비닐피리올리돈, 폴리메틸이소프레닐케톤, 페놀-포름알데히드 중합체, 멜라민-포름알데히드 중합체, 및 공중합체, 섬아연광 및 이런 수지들의 유도체로부터 선택될 수 있다. 상업적인 포지티브 포토레지스트의 예는 JSR사에서 입수가능한 M20G 및 Shipley사로부터 입수가능한 UV2HS이다. 상업적으로 입수가능한 네거티브 포토레지스트의 예는 Shipley사로부터 입수가능한 DV30N이다.
광활성 성분은 디아릴요오도늄 염, 트리아릴설포늄 염, 및 치환된 아릴디아조늄 염과 같은 광산 발생제를 포함하며, 상기 염들은 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로안티모네이트, 헥사플루오로아르세네이트 및 헥사플루오로포스페이트와 같은 상대이온을 가진다. 다른 광산 발생제는 할로메탄, 트리클로로트리아진,-나프톨, 니트로벤즈알데히드 및 폴리염화비닐이다. 상기 포토레지스트는 종래 레지스트 형성에 사용되는 부가적인 물질을 포함할 수 있다. 이런 부가적인 물질은 예를 들어 부가적인 중합체, 감광제, 상호 결합제, 속도 증진제, 가요성 증진제, 접착성 증진제, 열저항 증진제, 및 계면 활성제를 포함할 수 있다. 이런 성분들은 종래 기술에 공지되어 있다. 감광제의 예는 나프토퀴논- (1,2) - 다이아진 설포닉 산 에스테르, 및 특히 다이아조나프토퀴논의 5-설포닉 산 에스테르이다. 공식화된 포토레지스트와 포토레지스트 성분은 상업자 공급자로부터 폭넙게 입수가능하다.
상기 사용된 화학선 방사선은 바람직하게 약 2480Å의 파장을 갖는 단파 자외선광이고, 가장 바람직하게 약 2000Å 이하의 파장을 갖는 원자외선(예를 들어, 1930Å UV)이다. 또한 (약 100Å 이하의 파장을 가지는) X-선, 및 전자빔 방사선이 유용하다.
본 발명의 방법은 다음 단계들에 따라 수행된다.
상기 포토레지스트가 종래 방식으로 실리콘과 같은 기판에 도포된다. 통상, 상기 포토레지스트 용액이 실리콘 웨이퍼에 도포되며, 웨이퍼상의 평평한 층의 형태로 포토레지스트를 분포시키기 위해 스핀된다. 다음에 상기 포토레지스트는 용매를 휘발시키기 위해 약간 가열된다. 상기 포토레지스트 층의 바람직한 두께는 약 1 미크론이하, 바람직하게 약 0.8미크론 이하, 가장 바람직하게 약 0.3미크론 이하가 된다. 도 1은 실리콘 웨이퍼 기판(1)상에 증착되는 포토레지스트 층(2)을 도시한다.
다음에 포토레지스트는 다음과 같이 패터닝된다. 우선, 상기 포토레지스트는 마스킹된다. 상기 마스크는 1.0 미크론 이하, 바람직하게 0.5미크론 이하, 가장 바람직하게 0.3미크론 이하의 분해능 범위에 있는 라인과 다른 형상들을 포함할 수 있다. 다음에 상기 포토레지스트는 전형적으로 50 내지 200 mJ/㎠의 화학선 방사선의 충분한 도우즈 레벨로 마스크 패턴을 통해 전자기 방사선에 노출된다. 다음에, 상기 포토레지스트는 현상제에 대한 노출에 의해 패터닝된다. 적당한 현상액의 예는 현상제 AZ 400K(Hoechst AG로부터 입수가능한)과 암모니아의 수용액이다. 다음에 패터닝된 포토레지스트는 약한 가열에서 건조된다.
현상후, 패터닝된 포토레지스트는 에칭 보호제와의 반응을 위해 베이스 수지의 활성 자리를 노출시키도록 탈보호 단계를 겪게 된다. 상기 탈보호는 열처리, 또는 베이킹 단계가 수반되는 딥 UV 방사선(2500Å 이하)에 대한 패터닝된 포토레지스트의 최대 노출에 의해 달성된다. 예를 들면 UV 양은 다른 양이 적당한 것으로 간주될 때 사용될 수 있더라도 약 20mJ/㎠ 내지 약 50mJ/㎠가 될 수 있다. 딥 UV 방사하에서, 상기 구성물의 광산 성분으로부터 산이 발생된다. 차례로, 상기 산은 활성기(예를 들어, 하이드록실, 카르복실 등)를 노출시킴으로써 열처리동안 베이스 수지를 탈보호시킨다. 그러므로 노출된 활성기는 에칭 보호제와의 반응에 유용하게 되며, 활성기와의 반응을 수반하는 후자는 베이스 수지의 중합체 구조내로 화학적으로 편입되게 된다. 상기 탈보호를 달성하는 열활성화는 100 내지 150℃의 온도에서 1 내지 5분 범위의 지속 시간동안 수행된다. 도 2는 기판(1)상에 패터닝된 구조(3)를 가지는 처리 단계에서의 패터닝된 포토레지스트를 도시한다.
다음에 상기 포토레지스트는 물에 반응성 에칭 보호제를 용해함으로써 준비된 반응제 용액으로 처리된다. 상기 에칭 보호제는 베이스 수지에서의 활성, 예를 들어 탈보호된, 화학 작용기와의 반응에 적당한 작용기로 작용성화된 방향성 링 함유 화합물이다. 여기에서 사용된 바와 같은, 상기 용어 "방향성"은 단일 및 다중 방향성 링 함유 화합물로서 참조되며, 또한 분자 구조에서의 방향성 링과 지방성 성분 둘다를 포함하는 것들도 포함한다. 상기 방향성 링 함유 에칭 보호제는 베이스 수지의 활성기와의 반응을 경험하는 적어도 하나의 작용기를 포함할 것이다. 그러므로, 예를 들어 베이스 수지가 자유 하이드록실기를 포함할 때, 상기 에칭 보호제의 반응기는 에스테르 등을 통해 거기에 에칭 보호제를 결합시키기 위해 베이스 수지의 하이드록실기와 반응하게 될, 예를 들어 카르복실산, 카르복실산 무수물 또는 카르복실산 염화물기가 될 수 있다. 적당한 에칭 보호제는 프탈산, 프탈 무수물, 이소프탈산, 테레프탈산, 프탈산 염화물,나프탈산, 나프탈 무수물, 나프탈 초산 및 안트라센 디프로피온산을 포함한다. 다작용성 산은 포토레지스트 구조에 방향성 구조를 제공하고 상호 결합을 증가시킴으로써 증가된 에칭 저항성을 제공한다. 적당한 수성 반응제 용액은 전형적으로 0.2 내지 20 중량% 에칭 보호제, 가장 바람직하게 0.5 내지 5 중량% 에칭 보호제를 포함한다.
부가적인 측정이 이런 단계에 대해 요구되지않기 때문에, 이런 처리는 실온에서 스프레이, 교련(puddle), 또는 침전 현상기와 같은 간단한 장치에서 취해질 수 있다. 상기 에칭 보호제의 반응기는 포토레지스트의 반응 자리와 화학적 반응을 하게 되고 이것은 포토레지스트에 대한 에칭 보호제의 결합을 가져온다. 에칭 보호제의 방향성 구조의 결과로서, 상기 포토레지스트는 특히 할로겐 함유 플라즈마에 대해 개선된 에칭 저항성을 갖게 된다.
도 3를 참조하면, 패터닝된 포토레지스트 구조(3)는 방향성 작용기가 편입되는 화학적으로 변형된 표면 영역(4)을 포함한다. 상기 표면 영역(4)은 변형되지않은 영역보다 더 큰 에칭 저항성을 지닌다.
다음에 상기 포토레지스트와 기판은 습식 에칭 또는 바람직하게 플라즈마 에칭과 같은 공지된 에칭 처리를 받게 된다. 습식 에칭은 보통 하이드로플루오릭산과 같은 산 에칭제로 달성된다. 그러나, 습식 에칭은 등방성 프로세스이기 때문에 약 3미크론 이하의 라인과 간격을 에칭하는데 적절하지 못하다. 즉, 상기 에칭은 기판을 통해 측면적으로 진행되며, 그결과 포토레지스트를 언더컷팅시킨다. 이것은 중합체 포토레지스트가 팽창하거나 또는 들뜨도록 한다.
이방적으로 실행될 수 있기 때문에 플라즈마 에칭이 바람직하며, 더 날카로운 에지 프로파일을 남긴다. 플라즈마 에칭은 할로겐 함유 에칭 가스로 달성될 수 있다. 상기 할로겐은 에칭 프로세스를 강화하기 위해 기판과 반응한다. 그러므로, 플루오르 함유 에칭 가스가 실리콘 기판을 에칭하기 위해 사용되고 염소 함유 가스가 알루미늄 기판을 에칭하기 위해 사용된다. 도 4는 트렌치(5)가 에칭된 기판(1)을 도시한다.
이미 언급한 바와 같이, 또한 플라즈마 에칭은 포토레지스트를 퇴화시킬 수 있다. 그러나, 포토레지스트내의 방향성 구조는 플라즈마 에칭에 대해 더 많은 저항성을 가진다. 그러므로, 방향성 포토레지스트는 더 얇은 층으로 형성될 수 있고, 또한 더 날카로운 이미지를 생성할 수 있다.
또한 상기 반응제를 사용한 처리는 레지스트 구조의 팽창을 초래한다. 반응제 처리에 기인한 팽창은 더 큰 층 두께 때문에 에칭 예비부(etching reserve)를 야기하는 제어가능한 성장층을 제공한다는 점에서 부가적이고 긍정적인 이익이 될 수 있다. 그러므로, 상기 레지스트는 양호한 분해능을 갖는 얇은 층으로 구조화될 수 있으며, 적당한 에칭 저항성에 이르기까지 상기 반응제로 두꺼워질 수 있다. 또한, 상기 포토마스크는 프린트 구조의 타깃 크기에 대해 네거티브 바이어스로 설정될 수 있다. 신중히 포토레지스트를 과다 노출시키고 방향성 작용기를 첨가함으로써, 프린트 구조의 최종 타깃 크기가 달성될 수 있다. 이런 절차는 상기 프로세스 절차에 상당한 적응성을 제공한다.
본 발명이 바람직한 실시예를 참조로 여기에 기술되었지만, 당업자들은 본 발명의 정신 및 범위에서 벗어나지 않고 다른 적용예로 대체될 수 있다는 것을 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
패터닝 방사선에 대한 포토레지스트의 민감도를 유지하면서 포토레지스트의 에칭 저항성을 유리하게 개선시킨다. 더욱이, 상기 방법은 어떤 타입의 포토레지스도 사용할 수 있다. 포토레지스트의 탈보호는 상기 방법의 처리 단계에 의해 달성되며, 그결과 특별히 맞추어 만들어지는 포토레지스트의 필요성을 제거한다.

Claims (21)

  1. 포토리소그래픽 구조를 생성하는 방법에 있어서,
    a) 탈보호가 반응 자리를 제공하는 보호된 활성 자리 및 화학선 방사선에 반응하는 광활성 성분을 포함하는 베이스 수지를 갖는 포토레지스트를 제공하는 단계;
    b) 상기 포토레지스트를 기판에 도포하는 단계;
    c) 상기 포토레지스트의 패터닝된 영역을 유효한 양의 화학선 방사선에 선택적으로 노출시키는 단계;
    d) 패터닝된 포토레지스트를 형성하기 위하여 상기 포토레지스트를 현상제에 노출시키는 단계;
    e) 화학적 반응성 자리를 제공하기 위하여 상기 베이스 수지의 보호된 활성 자리의 탈보호 단계;
    f) 상기 단계 e)로부터 얻어지는 반응성 자리를 방향성 링 함유 에칭 보호제와 반응시켜 상기 에칭 보호제가 베이스 수지의 구조내로 편입되도록 하는 단계; 및
    g) 상기 기판을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 화학선 방사선은 약 2500Å 이하의 파장을 가지는 UV 방사선인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 활성 방사선은 약 2000Å 이하의 파장을 가지는 UV 방사선인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 베이스 수지는 0 내지 20 중량%의 방향성 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 베이스 수지는 방향성 작용기를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 네거티브 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 폴리하이드록시스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐 페놀, 폴리비닐 알콜, 폴리노프보린, 폴리(p-포름일) 옥시스티렌, 폴리 (t-부톡시카르보닐옥시스티렌), 폴리비닐피리올리돈, 폴리메틸이소프레닐케톤, 페놀-포름알데히드 중합체, 멜라민-포름알데히드중합체 및 이들의 물리적이고 화학적인 화합물로 이루어지는 작용기으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 화학적 반응 자리는 하이드록실, 카르복실, 멜캅토, 아미노, 알킬아미노, 이미노, 포름일, 설포 및 포스포노 작용기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 포토레지스트의 광할성 성분은 디아릴요오도늄 염, 트리아릴설포늄 염, 및 치환된 아릴디아조늄 염, 할로메탄, 트리클로로트리아진,-나프톨, 니트로벤즈알데히드, 및 폴리염화비닐로부터 선택되는 광산 발생제인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 포토레지스트의 탈보호 단계는 전자기 방사선에 대한 포토레지스트의 제2 노출 및 100 내지 150℃의 온도로 포토레지스트를 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 에칭 보호제는 방향성 폴리카르복실산, 방향성 폴리카르복실산 무수물 및 방향성 폴리카르복실산 염화물로부터 선택된 일원을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 에칭 보호제는 프탈산, 프탈 무수물, 이소프탈산, 테레프탈산, 프탈산 염화물, 나프탈산, 나프탈 무수물, 나프탈 초산 및 안트라센 디프로피온산으로부터 선택된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 에칭 보호제는 수용액을 형성하기 위해 물에서 용해되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 기판 에칭 단계는 플라즈마 에칭을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 플라즈마 에칭은 할로겐 함유 에칭 가스로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 1항에 있어서, 상기 에칭후 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 포토리소그래픽 구조를 생성하는 방법에 있어서,
    a) 0 내지 20 중량%의 방향성 함량을 가지고, 탈보호가 반응 자리를 제공하는 보호된 활성 자리 및 약 2500Å 이하의 파장을 가지는 전자기 방사선에 반응하는 광활성 성분을 포함한 베이스 수지를 포함하는 포토레지스트를 제공하는 단계;
    b) 상기 포토레지스트를 기판에 도포하는 단계;
    c) 상기 포토레지스트의 선택적으로 패터닝된 영역을 제1 유효한 양의 전자기 방사선에 노출시키는 단계;
    d) 패터닝된 포토레지스트를 형성하기 위하여 상기 포토레지스트를 현상제에 노출시키는 단계;
    e) 반응성 자리를 제공하기 위하여 상기 패터닝된 포토레지스트를 제2 양의 전자기 방사선에 노출시킨 다음에, 100 내지 150℃의 온도로 상기 패터닝된 포토레지스트를 가열함으로써 상기 베이스 수지의 보호된 활성 자리를 탈보호시키는 단계;
    f) 상기 단계 e)로부터 얻어지는 반응성 자리를 방향성 폴리카르복실산, 방향성 폴리카르복실 무수물 및 방향성 폴리카르복실산 염화물로부터 선택되는 화합물인, 방향성 링 함유 에칭 보호제와 반응시켜 상기 에칭 보호제가 베이스 수지의 구조내로 편입되도록 하는 단계; 및
    g) 상기 기판을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 포토레지스트는 방향성 작용기를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 19항에 있어서, 전자기 방사선은 약 2000Å 이하의 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 18항에 있어서, 상기 에칭 보호제는 프탈산, 프탈 무수물, 이소프탈산, 테레프탈산, 프탈산 염화물, 나프탈산, 나프탈 무수물, 나프탈 초산 및 안트라센 디프로피온산으로 이루어진 작용기으로부터 선택된 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017039235A1 (ko) * 2015-08-28 2017-03-09 영창케미칼 주식회사 에칭 내성이 우수한 ｉ-선용 네가티브형 포토레지스트 조성물

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3948646B2 (ja) * 2000-08-31 2007-07-25 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
CN100418011C (zh) * 2001-01-08 2008-09-10 国际商业机器公司 微结构的制造方法
DE10133256B4 (de) * 2001-07-09 2007-07-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von leitfähigen oder halbleitenden strukturierten Polymeren
DE10208786B4 (de) 2002-02-28 2006-02-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Modifikation von Resiststrukturen und Resistschichten aus wässriger Phase
CN100444025C (zh) * 2004-07-12 2008-12-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 光刻胶修整方法
CN106959584A (zh) * 2017-04-27 2017-07-18 苏州大学 水溶性负性电子束光刻胶及其成像方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1422698A (en) * 1973-04-06 1976-01-28 Norland Products Inc Photo resist composition and process
JPH0691060B2 (ja) * 1985-12-17 1994-11-14 東京応化工業株式会社 基板の処理方法
US5118583A (en) * 1988-10-12 1992-06-02 Mitsubishi Paper Mills Limited Processing composition for printing plate
US5234794A (en) * 1989-04-24 1993-08-10 Siemens Aktiengesellschaft Photostructuring method
DE59010728D1 (de) * 1989-04-24 1997-07-31 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung ätzresistenter Strukturen
ES2101710T3 (es) * 1990-12-20 1997-07-16 Siemens Ag Procedimiento fotolitografico.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017039235A1 (ko) * 2015-08-28 2017-03-09 영창케미칼 주식회사 에칭 내성이 우수한 ｉ-선용 네가티브형 포토레지스트 조성물
US10539871B2 (en) 2015-08-28 2020-01-21 Young Chang Chemical Co., Ltd I-line negative type photoresist composition having excellent etching resistance

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