JP3310197B2 - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおけるリソグラフィ工程に関し、特にレチクルに起
因するレジスト寸法のバラツキを低減するためレジスト
パターン形成方法に関する。
スにおけるリソグラフィ工程に関し、特にレチクルに起
因するレジスト寸法のバラツキを低減するためレジスト
パターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レジストパターン形成、該レジストパタ
ーンをマスクとするエッチングを含むリソグラフィ工程
は、半導体装置の製造にかかすことのでできない技術で
ある。通常のリソグラフィ工程を図７を用いて説明す
る。先ず、酸化膜や金属膜等の各種の膜が形成された半
導体基板４１上に、感光性材料を含有するレジスト膜４
２をコーティングする（図７（ａ））。次いで、レチク
ル４３に描かれたデバイスパターンを遠紫外線光等を光
源とした露光装置を用いてレジスト４２に転写する（図
７（ｂ））。レジスト４２は光が当たることで化学反応
が生じ、アルカリ現像液に対する溶解性が変化する。次
いで、ベーキングを行った後、アルカリ現像液を用いて
現像処理を行う。所定時間現像液に浸した後、純水等で
十分リンスを行う（図７（ｃ））。続いて得られたレジ
スト４２をマスクとして半導体基板４１の加工等を行う
（図７（ｄ））。
ーンをマスクとするエッチングを含むリソグラフィ工程
は、半導体装置の製造にかかすことのでできない技術で
ある。通常のリソグラフィ工程を図７を用いて説明す
る。先ず、酸化膜や金属膜等の各種の膜が形成された半
導体基板４１上に、感光性材料を含有するレジスト膜４
２をコーティングする（図７（ａ））。次いで、レチク
ル４３に描かれたデバイスパターンを遠紫外線光等を光
源とした露光装置を用いてレジスト４２に転写する（図
７（ｂ））。レジスト４２は光が当たることで化学反応
が生じ、アルカリ現像液に対する溶解性が変化する。次
いで、ベーキングを行った後、アルカリ現像液を用いて
現像処理を行う。所定時間現像液に浸した後、純水等で
十分リンスを行う（図７（ｃ））。続いて得られたレジ
スト４２をマスクとして半導体基板４１の加工等を行う
（図７（ｄ））。
【０００３】上記したリソグラフィ工程において、レジ
ストパターンの寸法制御は最も重要である。ウエハ毎、
同一ウエハ内或いは同一ショット内において、均一性良
く寸法をそろえなければならない。
ストパターンの寸法制御は最も重要である。ウエハ毎、
同一ウエハ内或いは同一ショット内において、均一性良
く寸法をそろえなければならない。
【０００４】ところが、所定の設計寸法に対して変動が
存在するレチクルを用いてレジスト上にパターンを転写
した場合、レジストに転写されたパターンには、レチク
ルの寸法変動がそのまま反映されてしまい、寸法制御性
が悪くなるという問題がある。ところが、寸法変動が存
在するレチクルを用いて、レジストパターンの寸法を設
計寸法に補正して形成することとはい難しい。
存在するレチクルを用いてレジスト上にパターンを転写
した場合、レジストに転写されたパターンには、レチク
ルの寸法変動がそのまま反映されてしまい、寸法制御性
が悪くなるという問題がある。ところが、寸法変動が存
在するレチクルを用いて、レジストパターンの寸法を設
計寸法に補正して形成することとはい難しい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、寸法
変動が存在するレチクルを用いて、寸法均一性に優れた
レジストパターンを形成することは難しいという問題が
あった。本発明の目的は、寸法変動が存在するレチクル
を用いて、設計寸法に対するズレが少なく寸法均一性に
優れたレジストパターンを形成するレジストパターン形
成方法を提供することにある。
変動が存在するレチクルを用いて、寸法均一性に優れた
レジストパターンを形成することは難しいという問題が
あった。本発明の目的は、寸法変動が存在するレチクル
を用いて、設計寸法に対するズレが少なく寸法均一性に
優れたレジストパターンを形成するレジストパターン形
成方法を提供することにある。
【０００６】
［構成］本発明は、上記目的を達成するために以下のよ
うに構成されている。 （１） 本発明（請求項１）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジストを形成する工程と、開口部に寸
法変動が存在するレチクルを用いて前記レジストの所定
領域を感光させ、前記レジストの溶解部及び残存部を定
義する工程と、前記レジストの現像を途中で止めて現像
を行う第１の現像工程と、前記レジスト上に、現像液に
可溶、且つ該レジストの溶解速度より遅い現像調整膜を
形成する工程と、前記現像調整膜及びレジストの現像を
行い、レジストパターンを形成する第２の現像工程とを
含むことを特徴とする。
うに構成されている。 （１） 本発明（請求項１）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジストを形成する工程と、開口部に寸
法変動が存在するレチクルを用いて前記レジストの所定
領域を感光させ、前記レジストの溶解部及び残存部を定
義する工程と、前記レジストの現像を途中で止めて現像
を行う第１の現像工程と、前記レジスト上に、現像液に
可溶、且つ該レジストの溶解速度より遅い現像調整膜を
形成する工程と、前記現像調整膜及びレジストの現像を
行い、レジストパターンを形成する第２の現像工程とを
含むことを特徴とする。
【０００７】本発明の好ましい実施態様は以下の通りで
ある。第１の現像工程において、前記レジストパターン
が溶解して前記基体が露出しない。
ある。第１の現像工程において、前記レジストパターン
が溶解して前記基体が露出しない。
【０００８】前記現像調整膜は、水溶性の材料からな
る。前記レジストパターンは、ライン＆スペースパター
ン，或いはコンタクトホールパターン等の繰り返しパタ
ーンである。
る。前記レジストパターンは、ライン＆スペースパター
ン，或いはコンタクトホールパターン等の繰り返しパタ
ーンである。
【０００９】また、前記レジストパターンは、同一の線
幅によって形成されたパターンである。 ［作用］本発明の原理を図８を用いて説明する。なお、
以下の説明は、前述の［構成］に示した第１の現像工程
からの工程である。
幅によって形成されたパターンである。 ［作用］本発明の原理を図８を用いて説明する。なお、
以下の説明は、前述の［構成］に示した第１の現像工程
からの工程である。
【００１０】基体５１が露出していない現像初期におい
て、レジスト５２の溶解部が設計寸法に対して大きく定
義された大溶解部分５３と小さくされた小溶解部分５４
との差が、レジスト５２の深さ方向の溶解量に現れる。
そして、大溶解部分５３が全て現像されない状態で、第
１の現像工程を終える（図８（ａ））。
て、レジスト５２の溶解部が設計寸法に対して大きく定
義された大溶解部分５３と小さくされた小溶解部分５４
との差が、レジスト５２の深さ方向の溶解量に現れる。
そして、大溶解部分５３が全て現像されない状態で、第
１の現像工程を終える（図８（ａ））。
【００１１】次いで、レジスト５２より溶解速度が遅い
現像調整膜５５をレジスト５２上に形成する（図８
（ｂ））。レジスト５２の既に現像されているホールに
埋め込まれる現像調整膜５５の膜厚は、第１の現像工程
におけるレジスト５２の溶解量による。従って、大溶解
部分５３には現像調整膜５５が厚く埋め込まれ、小溶解
部分５４には薄く埋め込まれる。
現像調整膜５５をレジスト５２上に形成する（図８
（ｂ））。レジスト５２の既に現像されているホールに
埋め込まれる現像調整膜５５の膜厚は、第１の現像工程
におけるレジスト５２の溶解量による。従って、大溶解
部分５３には現像調整膜５５が厚く埋め込まれ、小溶解
部分５４には薄く埋め込まれる。
【００１２】そして、第２の現像工程を行う。大溶解部
分５３では埋め込まれた現像調整膜５５の膜厚が大きい
ために、その下層のレジスト５２まで現像液５６が達す
るのに時間がかかる。逆に、小溶解部分５４では埋め込
まれた現像調整膜５５の膜厚が薄いために、その下層の
レジスト５２まで現像液５６が達するのに短い時間です
む（図８（ｃ））。
分５３では埋め込まれた現像調整膜５５の膜厚が大きい
ために、その下層のレジスト５２まで現像液５６が達す
るのに時間がかかる。逆に、小溶解部分５４では埋め込
まれた現像調整膜５５の膜厚が薄いために、その下層の
レジスト５２まで現像液５６が達するのに短い時間です
む（図８（ｃ））。
【００１３】このため、現像調整膜５５の下層のレジス
ト５２の現像に費やされる時間は、大溶解部分５３では
短く、小溶解部分５４では長く余分にとれることができ
る。つまり、小溶解部分５４においては、大溶解部分５
３より先に基体５１が露出する（図８（ｄ））。
ト５２の現像に費やされる時間は、大溶解部分５３では
短く、小溶解部分５４では長く余分にとれることができ
る。つまり、小溶解部分５４においては、大溶解部分５
３より先に基体５１が露出する（図８（ｄ））。
【００１４】そして、小溶解部分５４の現像は大溶解部
分５４より先に終了する。そして、その後の大溶解部分
５３の現像時間を調節することによって、レジスト５２
の大溶解部分５３の開口寸法を変えることができる（図
８（ｅ））。
分５４より先に終了する。そして、その後の大溶解部分
５３の現像時間を調節することによって、レジスト５２
の大溶解部分５３の開口寸法を変えることができる（図
８（ｅ））。
【００１５】従って、レチクルの開口寸法に差がありレ
ジスト上の光強度に差があっても、第１の現像時間，レ
ジスト５２と現像調整膜との溶解速度比を適宜決定し、
大溶解部分５３と小溶解部分５４との現像時間に差を付
けることで、最終的なレジストパターン底部の開口寸法
をそろえることが可能となる。
ジスト上の光強度に差があっても、第１の現像時間，レ
ジスト５２と現像調整膜との溶解速度比を適宜決定し、
大溶解部分５３と小溶解部分５４との現像時間に差を付
けることで、最終的なレジストパターン底部の開口寸法
をそろえることが可能となる。
【００１６】また、本プロセスのポイントの一つとし
て、第１の現像工程において、溶解されるべき部分を全
て現像させるのではなく、現像初期で現像工程を止め
て、ボトム部分の現像を調整するところにある。そのた
め、第１の現像工程での現像時間を短くして、基体が露
出しないところで止めた方が都合が良い。
て、第１の現像工程において、溶解されるべき部分を全
て現像させるのではなく、現像初期で現像工程を止め
て、ボトム部分の現像を調整するところにある。そのた
め、第１の現像工程での現像時間を短くして、基体が露
出しないところで止めた方が都合が良い。
【００１７】また、現像調整膜に要求される条件は、現
像液に対する溶解速度がレジスト膜より遅いことであ
る。例えば、ポジ型レジストを用いる場合、現像調整膜
としてネガ型レジスト（未露光部が現像液に溶解）も候
補の一つに挙げられる。しかし、一般に溶媒として有機
溶剤が用いられているレジスト膜上に、同様な有機溶剤
を溶媒として用いるレジスト膜をコーティングすること
は難しい。何故ならば、同種の有機溶剤が溶媒として用
いられている場合、スピンコーティング法における塗布
時に、下層のポジ型レジスト膜と上層のネガ型レジスト
膜（現像調整膜）とのミキシングが起こり、均一なコー
ティングが難しいからである。
像液に対する溶解速度がレジスト膜より遅いことであ
る。例えば、ポジ型レジストを用いる場合、現像調整膜
としてネガ型レジスト（未露光部が現像液に溶解）も候
補の一つに挙げられる。しかし、一般に溶媒として有機
溶剤が用いられているレジスト膜上に、同様な有機溶剤
を溶媒として用いるレジスト膜をコーティングすること
は難しい。何故ならば、同種の有機溶剤が溶媒として用
いられている場合、スピンコーティング法における塗布
時に、下層のポジ型レジスト膜と上層のネガ型レジスト
膜（現像調整膜）とのミキシングが起こり、均一なコー
ティングが難しいからである。
【００１８】そこで、有機溶剤を一般に用いているレジ
スト膜上に塗布するのは、レジストとのミキシングが生
じにくい水を溶媒とした水溶性の膜等をが考えられる。
水溶性の膜は現像液に容易に溶けるが、レジストよりも
溶解速度を遅くするためにＰＨ等の調整をすることが望
ましい。
スト膜上に塗布するのは、レジストとのミキシングが生
じにくい水を溶媒とした水溶性の膜等をが考えられる。
水溶性の膜は現像液に容易に溶けるが、レジストよりも
溶解速度を遅くするためにＰＨ等の調整をすることが望
ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。 ［第１実施形態］本実施形態では、本発明のレジストパ
ターン形成方法を用いてホールパターンを形成した例に
ついて説明する。
を参照して説明する。 ［第１実施形態］本実施形態では、本発明のレジストパ
ターン形成方法を用いてホールパターンを形成した例に
ついて説明する。
【００２０】図１は本発明の第１実施形態に係わるレジ
ストパターンの形成方法を示す工程断面図である。先
ず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１１上にＣＤ−
９（ブリューワサイエンス社製）を塗布した後、１８０
℃，９０秒間のベーキングを行い膜厚１１０ｎｍの反射
防止膜１２を形成する。次いで、図１（ｂ）に示すよう
に、反射防止膜１２上に化学増幅型ポジレジスト：ＡＰ
ＥＸ−Ｅ（シプレー社製）を塗布した後、９０℃，６０
秒間のプレベーキングを行い、６１０ｎｍの厚さのポジ
レジスト１３を形成する。
ストパターンの形成方法を示す工程断面図である。先
ず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１１上にＣＤ−
９（ブリューワサイエンス社製）を塗布した後、１８０
℃，９０秒間のベーキングを行い膜厚１１０ｎｍの反射
防止膜１２を形成する。次いで、図１（ｂ）に示すよう
に、反射防止膜１２上に化学増幅型ポジレジスト：ＡＰ
ＥＸ−Ｅ（シプレー社製）を塗布した後、９０℃，６０
秒間のプレベーキングを行い、６１０ｎｍの厚さのポジ
レジスト１３を形成する。
【００２１】次いで、図１（ｃ）に示すように、設計寸
法１．２μｍに対してズレが生じたコンタクトホールが
一様に形成されたレチクル２０と、１／４縮小型のＫｒ
ＦエキシマステッパーＮＳＲ．Ｓ２０１Ａ（ニコン社
製）とを用いて、レジスト１３を溶解させる部分を感光
させて、ポジレジスト１３の溶解部を定義する。そし
て、９０℃，９０秒間のＰＥＢを行う。
法１．２μｍに対してズレが生じたコンタクトホールが
一様に形成されたレチクル２０と、１／４縮小型のＫｒ
ＦエキシマステッパーＮＳＲ．Ｓ２０１Ａ（ニコン社
製）とを用いて、レジスト１３を溶解させる部分を感光
させて、ポジレジスト１３の溶解部を定義する。そし
て、９０℃，９０秒間のＰＥＢを行う。
【００２２】次いで、図１（ｄ）に示すように、０．２
１規定テトラメチルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡ
Ｈ）水溶液を用いて１０秒間現像を行った後、純水でリ
ンスし現像が進まないようにする。ここでの現像時間
は、レチクルの一番大きい開口部に対応するレジスト１
３の溶解部が全て溶解しないように選択される。
１規定テトラメチルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡ
Ｈ）水溶液を用いて１０秒間現像を行った後、純水でリ
ンスし現像が進まないようにする。ここでの現像時間
は、レチクルの一番大きい開口部に対応するレジスト１
３の溶解部が全て溶解しないように選択される。
【００２３】次いで、図２（ｅ）に示すように、ポリビ
ニールフェノールの側鎖の一部（１０％）をｔ−ブトキ
シカルボニル基で置換した樹脂膜からなる現像調整膜１
４をレジスト１３上にスピンコーティングし、７０℃程
度の温度でベーキングを行う。
ニールフェノールの側鎖の一部（１０％）をｔ−ブトキ
シカルボニル基で置換した樹脂膜からなる現像調整膜１
４をレジスト１３上にスピンコーティングし、７０℃程
度の温度でベーキングを行う。
【００２４】次いで、再び０．２１規定ＴＭＡＨ水溶液
を用いて６０秒間現像を行って現像調整膜１４及びレジ
スト１３の溶解部を溶解させる。この現像の途中におい
て、図２（ｆ）に示すように、レチクルの小さい開口部
に対応するレジスト１３の溶解部に埋め込まれた現像調
整膜１４が無くなり、反射防止膜１２が露出する。そし
て、レチクルの大きい開口部に対応するレジスト１３の
溶解部に埋め込まれた現像調整膜１４は残っている。そ
して、さらに現像を行うことによって、図２（ｇ）に示
すように、最終的なレジストパターンを得る。なお、こ
こでの現像時間は、レチクルの一番大きい開口部に対応
するレジスト１３の溶解部の底の開口部の寸法が、設計
寸法と同様になるように決定される。
を用いて６０秒間現像を行って現像調整膜１４及びレジ
スト１３の溶解部を溶解させる。この現像の途中におい
て、図２（ｆ）に示すように、レチクルの小さい開口部
に対応するレジスト１３の溶解部に埋め込まれた現像調
整膜１４が無くなり、反射防止膜１２が露出する。そし
て、レチクルの大きい開口部に対応するレジスト１３の
溶解部に埋め込まれた現像調整膜１４は残っている。そ
して、さらに現像を行うことによって、図２（ｇ）に示
すように、最終的なレジストパターンを得る。なお、こ
こでの現像時間は、レチクルの一番大きい開口部に対応
するレジスト１３の溶解部の底の開口部の寸法が、設計
寸法と同様になるように決定される。
【００２５】本実施形態の効果を確かめるために、従来
プロセスによるパターンとの比較を行った。つまり、同
じレチクルを用いて露光を行い、ＰＥＢの後、０．２１
規定ＴＭＡＨ水溶液で６０秒間の現像を行い純水でリン
スした。
プロセスによるパターンとの比較を行った。つまり、同
じレチクルを用いて露光を行い、ＰＥＢの後、０．２１
規定ＴＭＡＨ水溶液で６０秒間の現像を行い純水でリン
スした。
【００２６】本実施形態及び従来プロセスで得られたレ
ジストパターン底部の寸法を測長ＳＥＭで調べた結果を
図３に示す。従来プロセスで得られたレジストパターン
の寸法は、レチクルの寸法変動をそのまま反映してい
る。それに対し、本実施形態のプロセスによって得られ
たレジストパターンは、レチクルの寸法バラツキが緩和
されていることが分かる。
ジストパターン底部の寸法を測長ＳＥＭで調べた結果を
図３に示す。従来プロセスで得られたレジストパターン
の寸法は、レチクルの寸法変動をそのまま反映してい
る。それに対し、本実施形態のプロセスによって得られ
たレジストパターンは、レチクルの寸法バラツキが緩和
されていることが分かる。
【００２７】［第２実施形態］本実施形態では、本発明
のレジストパターン形成方法を用いてＬ＆Ｓパターンを
形成した例について説明する。
のレジストパターン形成方法を用いてＬ＆Ｓパターンを
形成した例について説明する。
【００２８】先ず、第１実施形態と同様に、Ｓｉ基板１
１上に反射防止膜１２を形成した後（図４（ａ））、ポ
ジレジスト１３を形成する（図４（ｂ））。次いで、図
４（ｃ）に示すように、設計寸法１μｍのライン＆スペ
ースパターンに対してズレが生じているレチクル３０
を、１／４縮小型のＫｒＦエキシマステッパーを用いて
ポジレジスト１３を露光し、設計寸法０．２５μｍのラ
イン＆スペースパターンを転写する。そして、９０℃，
９０秒間のＰＥＢを行う。
１上に反射防止膜１２を形成した後（図４（ａ））、ポ
ジレジスト１３を形成する（図４（ｂ））。次いで、図
４（ｃ）に示すように、設計寸法１μｍのライン＆スペ
ースパターンに対してズレが生じているレチクル３０
を、１／４縮小型のＫｒＦエキシマステッパーを用いて
ポジレジスト１３を露光し、設計寸法０．２５μｍのラ
イン＆スペースパターンを転写する。そして、９０℃，
９０秒間のＰＥＢを行う。
【００２９】次いで、図４（ｄ）に示すように、０．２
１規定ＴＭＡＨ水溶液を用いて１０秒間現像を行った
後、純水でリンスし現像が進まないようにする。ここで
の現像時間は、レチクルの一番大きい開口部に対応する
溶解部が全て現像されないように選択される。
１規定ＴＭＡＨ水溶液を用いて１０秒間現像を行った
後、純水でリンスし現像が進まないようにする。ここで
の現像時間は、レチクルの一番大きい開口部に対応する
溶解部が全て現像されないように選択される。
【００３０】次いで、第１実施形態と同様に、レジスト
１３上に現像調整膜１４をスピンコーティングし、７０
℃程度でベーキングを行う（図５（ｅ））。次いで、再
び０．２１規定ＴＭＡＨ水溶液を用いて６０秒間現像を
行って現像調整膜１４及びレジスト１３の溶解部を溶解
させる。この現像の途中において、図５（ｆ）に示すよ
うに、レチクルの小さい開口部に対応するレジスト１３
の溶解部に埋め込まれた現像調整膜１４が無くなり、反
射防止膜１２が露出する。そして、レチクルの大きい開
口部に対応するレジスト１３の溶解部に埋め込まれた現
像調整膜１４は残っている。そして、さらに現像を行う
ことによって、図５（ｇ）に示すように、最終的なレジ
ストパターンを得る。なお、ここでの現像時間は、レチ
クルの一番大きい開口部に対応するレジスト１３の溶解
部の底の開口部の寸法が、設計寸法と同様になるように
決定される。
１３上に現像調整膜１４をスピンコーティングし、７０
℃程度でベーキングを行う（図５（ｅ））。次いで、再
び０．２１規定ＴＭＡＨ水溶液を用いて６０秒間現像を
行って現像調整膜１４及びレジスト１３の溶解部を溶解
させる。この現像の途中において、図５（ｆ）に示すよ
うに、レチクルの小さい開口部に対応するレジスト１３
の溶解部に埋め込まれた現像調整膜１４が無くなり、反
射防止膜１２が露出する。そして、レチクルの大きい開
口部に対応するレジスト１３の溶解部に埋め込まれた現
像調整膜１４は残っている。そして、さらに現像を行う
ことによって、図５（ｇ）に示すように、最終的なレジ
ストパターンを得る。なお、ここでの現像時間は、レチ
クルの一番大きい開口部に対応するレジスト１３の溶解
部の底の開口部の寸法が、設計寸法と同様になるように
決定される。
【００３１】本実施形態及び従来プロセスで得られたレ
ジストパターン底部の寸法を測長ＳＥＭで調べた結果を
図６に示す。従来プロセスで得られたレジストパターン
の寸法は、レチクルの寸法バラツキをそのまま反映して
いる。それに対し、本実施形態のレジストパターンは、
レチクルの寸法バラツキが緩和されていることが分か
る。
ジストパターン底部の寸法を測長ＳＥＭで調べた結果を
図６に示す。従来プロセスで得られたレジストパターン
の寸法は、レチクルの寸法バラツキをそのまま反映して
いる。それに対し、本実施形態のレジストパターンは、
レチクルの寸法バラツキが緩和されていることが分か
る。
【００３２】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、上記実施形態では、ポジ型レ
ジストの場合について説明したが、ネガ型レジストにも
適用することが可能である。
るものではない。例えば、上記実施形態では、ポジ型レ
ジストの場合について説明したが、ネガ型レジストにも
適用することが可能である。
【００３３】なお、現像時間等は上記実施形態に限定さ
れるものではなく、２回の現像時間，レジストと現像調
整膜との溶解速度比は、予めレチクルのパターン幅を測
定して設定寸法からのズレを求めることによって決定さ
れる。
れるものではなく、２回の現像時間，レジストと現像調
整膜との溶解速度比は、予めレチクルのパターン幅を測
定して設定寸法からのズレを求めることによって決定さ
れる。
【００３４】また、上記実施形態ではＬ＆Ｓパターン或
いはコンタクトホールパターンの形成について説明した
が、それ以外にも、同一の線幅を持つ配線パターン等に
も本発明を適用することが可能である。その他、本発明
は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることが可能である。
いはコンタクトホールパターンの形成について説明した
が、それ以外にも、同一の線幅を持つ配線パターン等に
も本発明を適用することが可能である。その他、本発明
は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることが可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、現
像を途中で止め、現像調整膜を形成した後再び現像を行
うことによって、レチクルに寸法変動が存在しても寸法
均一性に優れたレジストパターンを形成することができ
る。
像を途中で止め、現像調整膜を形成した後再び現像を行
うことによって、レチクルに寸法変動が存在しても寸法
均一性に優れたレジストパターンを形成することができ
る。
【図１】第１実施形態に係わるレジストパターンの製造
工程を示す工程断面図。
工程を示す工程断面図。
【図２】第１実施形態に係わるレジストパターンの製造
工程を示す工程断面図。
工程を示す工程断面図。
【図３】第１実施形態の効果を示す特性図。
【図４】第２実施形態に係わるレジストパターンの製造
工程を示す工程断面図。
工程を示す工程断面図。
【図５】第２実施形態に係わるレジストパターンの製造
工程を示す工程断面図。
工程を示す工程断面図。
【図６】第２実施形態の効果を示す特性図。
【図７】従来のレジストパターンの製造工程を示す工程
断面図。
断面図。
【図８】本発明の原理を説明する工程断面図。
１１…Ｓｉ基板 １２…反射防止膜 １３…化学増幅型ポジレジスト １４…現像調整膜 ２０…レチクル ３０…レチクル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/30
Claims (4)
- 【請求項１】基体上にレジストを形成する工程と、 開口部に寸法変動が存在するレチクルを用いて前記レジ
ストの所定領域を感光させ、前記レジストの溶解部及び
残存部を定義する工程と、 前記レジストの現像を途中で止めて現像を行う第１の現
像工程と、 前記レジスト上に、現像液に可溶、且つ該レジストの溶
解速度より遅い現像調整膜を形成する工程と、 前記現像調整膜及びレジストの現像を行い、レジストパ
ターンを形成する第２の現像工程とを含むことを特徴と
するレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】第１の現像工程において、前記基体が露出
しないことを特徴とする請求項１記載のレジストパター
ン形成方法。 - 【請求項３】前記現像調整膜は、水溶性の材料からなる
ことを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成
方法。 - 【請求項４】前記レジストパターンは、繰り返しパター
ンであることを特徴とする請求項１記載のレジストパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14915597A JP3310197B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14915597A JP3310197B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | レジストパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340838A JPH10340838A (ja) | 1998-12-22 |
| JP3310197B2 true JP3310197B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=15469000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14915597A Expired - Fee Related JP3310197B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3310197B2 (ja) |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP14915597A patent/JP3310197B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10340838A (ja) | 1998-12-22 |
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