JPH07209863A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH07209863A JPH07209863A JP6004598A JP459894A JPH07209863A JP H07209863 A JPH07209863 A JP H07209863A JP 6004598 A JP6004598 A JP 6004598A JP 459894 A JP459894 A JP 459894A JP H07209863 A JPH07209863 A JP H07209863A
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- film
- polyurea
- polyurea film
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来の回転塗布法に比較して膜厚の制御性に
優れ、基板上に形成された薄膜の有機溶媒の除去、乾燥
工程がなく作業環境性に優れ、基板上のポリ尿素膜に所
望のフォトレジストのパターン形状を極めて容易に形成
出来るパターン形成方法。 【構成】 真空中でジアミンとジイソシアナートとから
成る原料モノマーを蒸発させ、これらを基板上で蒸着重
合させて該基板上に低分子量のポリ尿素膜を形成し、該
ポリ尿素膜にパターン形成用マスクを通して紫外線を照
射し、照射された該ポリ尿素膜を高分子量化した後、有
機溶剤により未照射部分のポリ尿素を取り除く。
優れ、基板上に形成された薄膜の有機溶媒の除去、乾燥
工程がなく作業環境性に優れ、基板上のポリ尿素膜に所
望のフォトレジストのパターン形状を極めて容易に形成
出来るパターン形成方法。 【構成】 真空中でジアミンとジイソシアナートとから
成る原料モノマーを蒸発させ、これらを基板上で蒸着重
合させて該基板上に低分子量のポリ尿素膜を形成し、該
ポリ尿素膜にパターン形成用マスクを通して紫外線を照
射し、照射された該ポリ尿素膜を高分子量化した後、有
機溶剤により未照射部分のポリ尿素を取り除く。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターン形成方法に関
し、更に詳しくは、半導体、電子機器等の製造に用いる
フォトレジストのパターン形成方法に関する。
し、更に詳しくは、半導体、電子機器等の製造に用いる
フォトレジストのパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のフォトレジストのパター
ン形成方法としては、有機超薄膜エレクトロニクス（株
式会社培風館1993年10月5日初版発行）第184頁ないし第
185頁の「図５．１フォトエッチング工程」に開示され
ているパターン形成方法が知られている。
ン形成方法としては、有機超薄膜エレクトロニクス（株
式会社培風館1993年10月5日初版発行）第184頁ないし第
185頁の「図５．１フォトエッチング工程」に開示され
ているパターン形成方法が知られている。
【０００３】この「図５．１フォトエッチング工程」に
開示されている方法は次の通りである。尚、「図５．１
フォトエッチング工程」の工程図を添付図面では図２と
して示す。
開示されている方法は次の通りである。尚、「図５．１
フォトエッチング工程」の工程図を添付図面では図２と
して示す。
【０００４】図面にポジ型フォトレジストを用いた微細
加工プロセスを示す。同図にはシリコン集積回路を作製
するうえで基本的なプロセスとなる酸化シリコン膜をエ
ッチング加工する作業工程を示した。
加工プロセスを示す。同図にはシリコン集積回路を作製
するうえで基本的なプロセスとなる酸化シリコン膜をエ
ッチング加工する作業工程を示した。
【０００５】 シリコン基板に酸化シリコン膜を形成
する。 クリーンルームとよばれる清浄な部屋で、酸化膜を
形成したシリコン基板にフォトレジストを塗布する。フ
ォトレジストは有機溶媒に溶かした溶液の状態になって
いるから、通常は回転塗布（スピンコート）法とよばれ
る手法で薄膜形成を行う。レジスト膜厚はレジスト溶液
の粘度と塗布時の回転数でほぼ決定する。この薄膜には
有機溶媒が残留しているため、８０度程度の温度で加熱
乾燥（プリベーク）する。 レジスト膜を露光する。この露光方式には密着、近
接投影、縮小投影方式、あるいは電子線やイオンビーム
による走査投影方式等がある。現在の半導体集積回路の
量産化システムでは投影露光方式が主流であり、水銀灯
等から発生する短波長光を反射鏡、レンズ、フィルタ
ー、フォトマスク等の組み合わせを通してレジスト膜へ
入射する。 レジスト膜を現像し、露光パターンを形成する。エ
ッチング工程との関係やレジスト膜の残留、耐エッチン
グ特性等の関係から、リンス、熱処理（ポストベー
ク）、プラズマ処理等を行う場合もある。 現像後のレジストパターンを保護膜として酸化シリ
コン膜をエッチングする。酸化シリコンのエッチングに
は、フッ素系の溶液を使ったウェットエッチング、また
はガスを用いたプラズマエッチングが使われる。 最後に用済みとなったレジスト膜を剥離液や酸素プ
ラズマを用いて除去し、微細加工は終了する。
する。 クリーンルームとよばれる清浄な部屋で、酸化膜を
形成したシリコン基板にフォトレジストを塗布する。フ
ォトレジストは有機溶媒に溶かした溶液の状態になって
いるから、通常は回転塗布（スピンコート）法とよばれ
る手法で薄膜形成を行う。レジスト膜厚はレジスト溶液
の粘度と塗布時の回転数でほぼ決定する。この薄膜には
有機溶媒が残留しているため、８０度程度の温度で加熱
乾燥（プリベーク）する。 レジスト膜を露光する。この露光方式には密着、近
接投影、縮小投影方式、あるいは電子線やイオンビーム
による走査投影方式等がある。現在の半導体集積回路の
量産化システムでは投影露光方式が主流であり、水銀灯
等から発生する短波長光を反射鏡、レンズ、フィルタ
ー、フォトマスク等の組み合わせを通してレジスト膜へ
入射する。 レジスト膜を現像し、露光パターンを形成する。エ
ッチング工程との関係やレジスト膜の残留、耐エッチン
グ特性等の関係から、リンス、熱処理（ポストベー
ク）、プラズマ処理等を行う場合もある。 現像後のレジストパターンを保護膜として酸化シリ
コン膜をエッチングする。酸化シリコンのエッチングに
は、フッ素系の溶液を使ったウェットエッチング、また
はガスを用いたプラズマエッチングが使われる。 最後に用済みとなったレジスト膜を剥離液や酸素プ
ラズマを用いて除去し、微細加工は終了する。
【０００６】実際の集積回路（ＬＳＩ）プロセスではこ
のようなフォトエッチング工程を繰り返す必要があり、
２０以上にも及ぶ複雑な処理工程を経て作製されてい
る。
のようなフォトエッチング工程を繰り返す必要があり、
２０以上にも及ぶ複雑な処理工程を経て作製されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のパターン形
成方法におけるフォトレジストはレジスト材を有機溶媒
に溶かした溶液の状態になっているため、通常、基板上
にフォトレジストの溶液を回転塗布（スピンコート）法
と呼ばれている手法で薄膜の形成を行う。
成方法におけるフォトレジストはレジスト材を有機溶媒
に溶かした溶液の状態になっているため、通常、基板上
にフォトレジストの溶液を回転塗布（スピンコート）法
と呼ばれている手法で薄膜の形成を行う。
【０００８】この薄膜には有機溶媒が残留しているの
で、この有機溶媒を除去するための加熱乾燥（プリベー
ク）が必要である。また、回転塗布（スピンコート）法
では使用するレジスト材が有機溶媒中に溶けているた
め、レジスト材の使用効率が低いという問題があった。
で、この有機溶媒を除去するための加熱乾燥（プリベー
ク）が必要である。また、回転塗布（スピンコート）法
では使用するレジスト材が有機溶媒中に溶けているた
め、レジスト材の使用効率が低いという問題があった。
【０００９】本発明は、かかる問題点を解消し、レジス
ト材を有機溶媒に溶した溶液状態で使用せずにフォトレ
ジストを形成することの可能なパターン形成方法を提供
することを目的とする。
ト材を有機溶媒に溶した溶液状態で使用せずにフォトレ
ジストを形成することの可能なパターン形成方法を提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、蒸着重合法で形成されるポリ尿素膜は分子量が
小さく、オリゴマーの状態であるが、このポリ尿素膜に
紫外線を照射すると、未反応の末端基が反応して高分子
量のポリ尿素膜となる。
た結果、蒸着重合法で形成されるポリ尿素膜は分子量が
小さく、オリゴマーの状態であるが、このポリ尿素膜に
紫外線を照射すると、未反応の末端基が反応して高分子
量のポリ尿素膜となる。
【００１１】オリゴマー状態のポリ尿素膜はアセトン等
の有機溶媒に溶け易いのに対し、高分子量のポリ尿素膜
はアセトン等の有機溶媒には不溶である。
の有機溶媒に溶け易いのに対し、高分子量のポリ尿素膜
はアセトン等の有機溶媒には不溶である。
【００１２】この性質を利用してフォトマスクを使用
し、低分子量のポリ尿素膜に紫外線を照射し、その後、
アセトン等の有機溶媒で現像すると、未照射部分ポリ尿
素膜は有機溶剤に溶解し、照射部分の高分子量化された
ポリ尿素膜のみが基板上に残ることを知見した。
し、低分子量のポリ尿素膜に紫外線を照射し、その後、
アセトン等の有機溶媒で現像すると、未照射部分ポリ尿
素膜は有機溶剤に溶解し、照射部分の高分子量化された
ポリ尿素膜のみが基板上に残ることを知見した。
【００１３】本発明のパターン形成方法は、かかる知見
に基づいてなされたものであり、真空中でフォトレジス
トの２種類以上の原料モノマーを蒸発させ、基板上で蒸
着、重合させ、フォトレジスト膜を形成させる。更に詳
しくは、真空中でジアミンとジイソシアナートとから成
る原料モノマーを蒸発させ、これらを基板上で蒸着重合
させて該基板上に低分子量のポリ尿素膜を形成し、該ポ
リ尿素膜にパターン形成用マスクを通して紫外線を照射
し、照射された該ポリ尿素膜を高分子量化した後、有機
溶剤により未照射部分のポリ尿素を取り除くことより成
る。
に基づいてなされたものであり、真空中でフォトレジス
トの２種類以上の原料モノマーを蒸発させ、基板上で蒸
着、重合させ、フォトレジスト膜を形成させる。更に詳
しくは、真空中でジアミンとジイソシアナートとから成
る原料モノマーを蒸発させ、これらを基板上で蒸着重合
させて該基板上に低分子量のポリ尿素膜を形成し、該ポ
リ尿素膜にパターン形成用マスクを通して紫外線を照射
し、照射された該ポリ尿素膜を高分子量化した後、有機
溶剤により未照射部分のポリ尿素を取り除くことより成
る。
【００１４】本発明のパターン形成方法における真空中
で蒸発させる一方の原料モノマーに用いるジアミンとし
ては、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノ−３，３′−ジメチルジフェニルメタ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン等が挙げられ
る。
で蒸発させる一方の原料モノマーに用いるジアミンとし
ては、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノ−３，３′−ジメチルジフェニルメタ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン等が挙げられ
る。
【００１５】また、他方の原料モノマーに用いるジイソ
シアナートとしては、４，４′−ジイソシアン酸メチレ
ンジフェニル、４，４′−ジイソシアン酸−３，３′−
ジメチルジフェニル等が挙げられる。
シアナートとしては、４，４′−ジイソシアン酸メチレ
ンジフェニル、４，４′−ジイソシアン酸−３，３′−
ジメチルジフェニル等が挙げられる。
【００１６】また、前記原料モノマーを蒸発させて基板
上で蒸着重合させる際の真空度としては1.3×10-2〜1.3
×10-3Ｐａ（１×10-4〜１×10-5Torr）程度に設定す
る。
上で蒸着重合させる際の真空度としては1.3×10-2〜1.3
×10-3Ｐａ（１×10-4〜１×10-5Torr）程度に設定す
る。
【００１７】また、前記原料モノマーを蒸着重合させる
基板の材質としてはポリ尿素膜の成膜後、紫外線を照射
し、有機溶媒により現像させるため、耐溶剤性を有する
材質であればよく、例えばガラス、シリコンウエハ、金
属板が挙げられる。
基板の材質としてはポリ尿素膜の成膜後、紫外線を照射
し、有機溶媒により現像させるため、耐溶剤性を有する
材質であればよく、例えばガラス、シリコンウエハ、金
属板が挙げられる。
【００１８】また、紫外線照射後に未照射部分のポリ尿
素を取り除く有機溶剤としてはアセトン、ジメチルホル
ムアミド、クロロホルム等が挙げられる。
素を取り除く有機溶剤としてはアセトン、ジメチルホル
ムアミド、クロロホルム等が挙げられる。
【００１９】
【作用】真空中で原料モノマーのジアミンとジイソシア
ナートを蒸発させ、基板上に蒸着させると、基板上で重
合してポリ尿素膜を形成する。基板上に形成されたポリ
尿素膜は低分子量のオリゴマー膜であるので、基板上に
低分子量のポリ尿素膜を形成した後、該ポリ尿素膜上に
紫外線を照射すると、紫外線が照射されたポリ尿素部分
は有機溶剤に不溶の高分子量化されたポリ尿素となるの
で、紫外線照射後、有機溶剤により現像すると未照射部
分のポリ尿素膜を取り除くことが出来る。
ナートを蒸発させ、基板上に蒸着させると、基板上で重
合してポリ尿素膜を形成する。基板上に形成されたポリ
尿素膜は低分子量のオリゴマー膜であるので、基板上に
低分子量のポリ尿素膜を形成した後、該ポリ尿素膜上に
紫外線を照射すると、紫外線が照射されたポリ尿素部分
は有機溶剤に不溶の高分子量化されたポリ尿素となるの
で、紫外線照射後、有機溶剤により現像すると未照射部
分のポリ尿素膜を取り除くことが出来る。
【００２０】
【実施例】以下添付図面に従って本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
【００２１】図１は本発明のパターン形成方法における
基板上へのポリ尿素膜の形成を実施するための装置の１
例を示すもので、図中、１は処理室を示す。該処理室１
内を外部の真空ポンプその他の真空排気系２に接続する
と共に、該処理室１内にポリ尿素の蒸着重合膜を形成せ
しめるべき基板３を２本のレールから成る基板ホルダー
４上に保持し、かつ基板３の前面に設けられた膜厚モニ
ター５によって基板３上に形成される膜厚を測定するよ
うにした。
基板上へのポリ尿素膜の形成を実施するための装置の１
例を示すもので、図中、１は処理室を示す。該処理室１
内を外部の真空ポンプその他の真空排気系２に接続する
と共に、該処理室１内にポリ尿素の蒸着重合膜を形成せ
しめるべき基板３を２本のレールから成る基板ホルダー
４上に保持し、かつ基板３の前面に設けられた膜厚モニ
ター５によって基板３上に形成される膜厚を測定するよ
うにした。
【００２２】また、処理室１内の下方に前記基板３に対
向させてポリ尿素の一方の原料モノマーａとしてのジア
ミン、他方の原料モノマーｂとしてのジイソシアナート
を夫々蒸発させるためのガラス製の蒸発用容器６，６を
設け、該各蒸発用容器６をその近傍に設けられた水晶振
動の蒸発モニター７と、ヒーター８とによって前記原料
モノマーａおよびｂの蒸発量を常に一定化させる所定温
度にコントロール出来るようにした。
向させてポリ尿素の一方の原料モノマーａとしてのジア
ミン、他方の原料モノマーｂとしてのジイソシアナート
を夫々蒸発させるためのガラス製の蒸発用容器６，６を
設け、該各蒸発用容器６をその近傍に設けられた水晶振
動の蒸発モニター７と、ヒーター８とによって前記原料
モノマーａおよびｂの蒸発量を常に一定化させる所定温
度にコントロール出来るようにした。
【００２３】尚、図中、９は基板３と両蒸発用容器６と
の間に介在させるシャッター、１０は両蒸発用容器６間
に設けた仕切板を示す。
の間に介在させるシャッター、１０は両蒸発用容器６間
に設けた仕切板を示す。
【００２４】次に前記装置を用いて基板上にポリ尿素膜
の形成し、続いてパターン形成の具体的実施例について
説明する。
の形成し、続いてパターン形成の具体的実施例について
説明する。
【００２５】実施例１ 先ず、基板ホルダー４に縦75mm、横26mm、厚さ1mmのガ
ラス製の基板３を保持する共に、蒸発用容器６，６の一
方に原料モノマーａのジアミンとして４，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル（以下原料モノマーａという）
と、他方に原料モノマーｂのジイソシアナート（以下原
料モノマーｂという）として４，４′−ジイソシアン酸
メチレンジフェニルを夫々充填し、シャッター９を閉じ
た状態で処理室１内の全圧を真空排気系２を介して1.3
×10-3Ｐａ（１×10-5Torr）に設定した。
ラス製の基板３を保持する共に、蒸発用容器６，６の一
方に原料モノマーａのジアミンとして４，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル（以下原料モノマーａという）
と、他方に原料モノマーｂのジイソシアナート（以下原
料モノマーｂという）として４，４′−ジイソシアン酸
メチレンジフェニルを夫々充填し、シャッター９を閉じ
た状態で処理室１内の全圧を真空排気系２を介して1.3
×10-3Ｐａ（１×10-5Torr）に設定した。
【００２６】次に、蒸発モニター７，７で蒸発用容器
６，６からの各原料モノマーａ，ｂの蒸発量を測定しな
がらヒーター８，８によって原料モノマーａを温度135
±2℃に、また、原料モノマーｂを温度70±0.2℃に夫々
加熱した。
６，６からの各原料モノマーａ，ｂの蒸発量を測定しな
がらヒーター８，８によって原料モノマーａを温度135
±2℃に、また、原料モノマーｂを温度70±0.2℃に夫々
加熱した。
【００２７】次いで、原料モノマーａ，ｂが所定温度に
達して所要の蒸発量が得られた後に、シャッター９を開
き、処理室１内の基板ホルダー４に保持された基板３上
に該原料モノマーａ，ｂを2Å／分の析出速度で膜厚200
0Åに蒸着し、堆積させた後、シャッター９を閉じ、基
板３上でポリ尿素の重合反応を起こさせて該基板３上に
ポリ尿素膜を形成した。
達して所要の蒸発量が得られた後に、シャッター９を開
き、処理室１内の基板ホルダー４に保持された基板３上
に該原料モノマーａ，ｂを2Å／分の析出速度で膜厚200
0Åに蒸着し、堆積させた後、シャッター９を閉じ、基
板３上でポリ尿素の重合反応を起こさせて該基板３上に
ポリ尿素膜を形成した。
【００２８】尚、原料モノマーａ，ｂは化学量論的にポ
リ尿素膜が形成されるように蒸発量の調整によって１：
１のモル比で蒸発するようにした。また、原料モノマー
ａ，ｂの蒸発時における処理室１内の圧力は4×10-3Ｐ
ａ（3×10-5Torr）とした。
リ尿素膜が形成されるように蒸発量の調整によって１：
１のモル比で蒸発するようにした。また、原料モノマー
ａ，ｂの蒸発時における処理室１内の圧力は4×10-3Ｐ
ａ（3×10-5Torr）とした。
【００２９】次に、処理室１内でポリ尿素膜が形成され
た基板３を取り出し、基板３上のポリ尿素膜上にステン
レス製から成る幅5mm、長さ5mmの方形状のパターン10本
が穿設されたフォトマスクを載置し、フォトマクス上か
ら波長254nmの紫外線をポリ尿素膜に５分間照射後、フ
ォトマスクを取り外した。
た基板３を取り出し、基板３上のポリ尿素膜上にステン
レス製から成る幅5mm、長さ5mmの方形状のパターン10本
が穿設されたフォトマスクを載置し、フォトマクス上か
ら波長254nmの紫外線をポリ尿素膜に５分間照射後、フ
ォトマスクを取り外した。
【００３０】続いて、紫外線がフォトマスクを介してポ
リ尿素膜に照射された基板３を有機溶剤のアセトン中に
５秒間浸漬し、現像した後、基板を取り出した。
リ尿素膜に照射された基板３を有機溶剤のアセトン中に
５秒間浸漬し、現像した後、基板を取り出した。
【００３１】取り出された基板上のポリ尿素膜を調べた
ところ、紫外線が照射された照射部分のポリ尿素膜はそ
のまま基板上に残り、紫外線が未照射の未照射部分のポ
リ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残っておらず、フ
ォトマスクのパターン形状と同形のパターンが形成され
ていることが分かった。
ところ、紫外線が照射された照射部分のポリ尿素膜はそ
のまま基板上に残り、紫外線が未照射の未照射部分のポ
リ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残っておらず、フ
ォトマスクのパターン形状と同形のパターンが形成され
ていることが分かった。
【００３２】実施例２ 一方の原料モノマーａとして４，４′−ジアミノ−３，
３′−ジメチルジフェニルメタンを用い、その加熱温度
を110±2℃とし、他方の原料モノマーｂとして４，４′
−ジイソシアン酸メチレンジフェニルを用い、その加熱
温度を75±2℃とした以外は前記実施例１と同様の方法
で基板３上にポリ尿素膜を形成した。
３′−ジメチルジフェニルメタンを用い、その加熱温度
を110±2℃とし、他方の原料モノマーｂとして４，４′
−ジイソシアン酸メチレンジフェニルを用い、その加熱
温度を75±2℃とした以外は前記実施例１と同様の方法
で基板３上にポリ尿素膜を形成した。
【００３３】そして前記実施例１と同様の方法で基板３
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射し、アセトン
（有機溶剤）で現像した後、基板上のポリ尿素膜を調べ
たところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照
射部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残って
おらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターン
が形成されていることが分かった。
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射し、アセトン
（有機溶剤）で現像した後、基板上のポリ尿素膜を調べ
たところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照
射部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残って
おらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターン
が形成されていることが分かった。
【００３４】実施例３ 一方の原料モノマーａとして４，４′−ジアミノジフェ
ニルメタンを用い、その加熱温度を100±2℃とし、他方
の原料モノマーｂとして４，４′−ジイソシアン酸メチ
レンジフェニルを用い、その加熱温度を70±0.2℃とし
た以外は前記実施例１と同様の方法で基板３上にポリ尿
素膜を形成した。
ニルメタンを用い、その加熱温度を100±2℃とし、他方
の原料モノマーｂとして４，４′−ジイソシアン酸メチ
レンジフェニルを用い、その加熱温度を70±0.2℃とし
た以外は前記実施例１と同様の方法で基板３上にポリ尿
素膜を形成した。
【００３５】そして前記実施例１と同様の方法で基板３
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射し、アセトン
（有機溶剤）で現像した後、基板上のポリ尿素膜を調べ
たところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照
射部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残って
おらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターン
が形成されていることが分かった。
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射し、アセトン
（有機溶剤）で現像した後、基板上のポリ尿素膜を調べ
たところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照
射部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残って
おらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターン
が形成されていることが分かった。
【００３６】実施例４ 一方の原料モノマーａとして４，４′−ジアミノジフェ
ニルメタンを用い、その加熱温度を100±0.2℃とし、他
方の原料モノマーｂとして４，４′−ジイソシアン酸−
３，３′−ジメチルジフェニルを用い、その加熱温度を
135±2℃とした以外は前記実施例１と同様の方法で基板
３上にポリ尿素膜を形成した。
ニルメタンを用い、その加熱温度を100±0.2℃とし、他
方の原料モノマーｂとして４，４′−ジイソシアン酸−
３，３′−ジメチルジフェニルを用い、その加熱温度を
135±2℃とした以外は前記実施例１と同様の方法で基板
３上にポリ尿素膜を形成した。
【００３７】次に、前記実施例１と同様の方法で基板３
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射した後、有機
溶剤としてジメチルホルムアミドを用いて浸漬（現像）
時間２秒間の現像を行った。
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射した後、有機
溶剤としてジメチルホルムアミドを用いて浸漬（現像）
時間２秒間の現像を行った。
【００３８】そして現像後基板上のポリ尿素膜を調べた
ところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照射
部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残ってお
らず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターンが
形成されていることが分かった。
ところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照射
部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残ってお
らず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターンが
形成されていることが分かった。
【００３９】実施例５ 先ず、前記実施例１と同様の方法で基板上にポリ尿素膜
を形成した。
を形成した。
【００４０】次に、前記実施例１と同様の方法で基板３
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射した後、有機
溶剤としてクロロホルムを用いて浸漬（現像）時間５秒
間の現像を行った。
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射した後、有機
溶剤としてクロロホルムを用いて浸漬（現像）時間５秒
間の現像を行った。
【００４１】そして現像後の基板上のポリ尿素膜を調べ
たところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照
射部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残って
おらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターン
が形成されていることが分かった。
たところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照
射部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残って
おらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターン
が形成されていることが分かった。
【００４２】実施例６ 一方の原料モノマーａとして４，４′−ジアミノ−３，
３′−ジメチルジフェニルメタンを用い、その加熱温度
を110±2℃とし、他方の原料モノマーｂとして４，４′
−ジイソシアン酸メチレンジフェニルを用い、その加熱
温度を75±2℃とした以外は前記実施例１と同様の方法
で基板３上にポリ尿素膜を形成した。
３′−ジメチルジフェニルメタンを用い、その加熱温度
を110±2℃とし、他方の原料モノマーｂとして４，４′
−ジイソシアン酸メチレンジフェニルを用い、その加熱
温度を75±2℃とした以外は前記実施例１と同様の方法
で基板３上にポリ尿素膜を形成した。
【００４３】次に、前記実施例１と同様の方法で基板３
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射した後、有機
溶剤としてジメチルホルムアミドを用いて浸漬（現像）
時間２秒間の現像を行った。
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射した後、有機
溶剤としてジメチルホルムアミドを用いて浸漬（現像）
時間２秒間の現像を行った。
【００４４】そして現像後の基板上のポリ尿素膜を調べ
たところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照
射部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残って
おらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターン
が形成されていることが分かった。
たところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照
射部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残って
おらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターン
が形成されていることが分かった。
【００４５】実施例７ 一方の原料モノマーａとして４，４′−ジアミノジフェ
ニルメタンを用い、その加熱温度を100±0.2℃とし、他
方の原料モノマーｂとして４，４′−ジイソシアン酸メ
チレンジフェニルを用い、その加熱温度を70±0.2℃と
した以外は前記実施例１と同様の方法で基板３上にポリ
尿素膜を形成した。
ニルメタンを用い、その加熱温度を100±0.2℃とし、他
方の原料モノマーｂとして４，４′−ジイソシアン酸メ
チレンジフェニルを用い、その加熱温度を70±0.2℃と
した以外は前記実施例１と同様の方法で基板３上にポリ
尿素膜を形成した。
【００４６】次に、前記実施例１と同様の方法で基板３
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射した後、有機
溶剤としてジメチルホルムアミドを用いて浸漬（現像）
時間２秒間の現像を行った。
上に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射した後、有機
溶剤としてジメチルホルムアミドを用いて浸漬（現像）
時間２秒間の現像を行った。
【００４７】そして現像後の基板上のポリ尿素膜を調べ
たところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照
射部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残って
おらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターン
が形成されていることが分かった。
たところ、前記実施例１と同様に紫外線が未照射の未照
射部分のポリ尿素膜は溶剤に溶解して基板上には残って
おらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターン
が形成されていることが分かった。
【００４８】
【発明の効果】本発明法によるときは、基板上へのレジ
スト材の形成をポリ尿素膜の蒸着重合法で行うようにし
たので、真空中でフォトレジストを形成することが出来
るから、従来の回転塗布法に比較して膜厚の制御性に優
れると共に、基板上に形成するレジスト材は有機溶媒で
溶解した溶液状態で行わないから、基板上に形成された
薄膜の有機溶媒の除去、乾燥工程がないため作業環境性
に優れ、また、ポリ尿素膜に紫外線を照射すると照射部
分のポリ尿素は有機溶剤に不溶の高分子量化されたポリ
尿素となるので、パターン形成用のフォトマスクを通し
て紫外線を照射し、有機溶剤中に浸漬するだけで、ポリ
尿素膜に所望のフォトレジストのパターン形状を極めて
容易に形成出来る等の効果がある。
スト材の形成をポリ尿素膜の蒸着重合法で行うようにし
たので、真空中でフォトレジストを形成することが出来
るから、従来の回転塗布法に比較して膜厚の制御性に優
れると共に、基板上に形成するレジスト材は有機溶媒で
溶解した溶液状態で行わないから、基板上に形成された
薄膜の有機溶媒の除去、乾燥工程がないため作業環境性
に優れ、また、ポリ尿素膜に紫外線を照射すると照射部
分のポリ尿素は有機溶剤に不溶の高分子量化されたポリ
尿素となるので、パターン形成用のフォトマスクを通し
て紫外線を照射し、有機溶剤中に浸漬するだけで、ポリ
尿素膜に所望のフォトレジストのパターン形状を極めて
容易に形成出来る等の効果がある。
【図１】 本発明法の基板上へのポリ尿素膜を形成する
際の成膜装置の１実施例の説明線図、
際の成膜装置の１実施例の説明線図、
【図２】 従来のフォトエッチングの１例を示す工程
図。
図。
１ 処理室、 ２ 真空排気系、 ３ 基
板、６ 蒸発用容器、 ａ，ｂ 原料モノマー。
板、６ 蒸発用容器、 ａ，ｂ 原料モノマー。
Claims (1)
- 【請求項１】 真空中でジアミンとジイソシアナートと
から成る原料モノマーを蒸発させ、これらを基板上で蒸
着重合させて該基板上に低分子量のポリ尿素膜を形成
し、該ポリ尿素膜にパターン形成用マスクを通して紫外
線を照射し、照射された該ポリ尿素膜を高分子量化した
後、有機溶剤により未照射部分のポリ尿素を取り除くこ
とより成るパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6004598A JPH07209863A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6004598A JPH07209863A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07209863A true JPH07209863A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11588490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6004598A Pending JPH07209863A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07209863A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007111092A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111076A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| JP2020132986A (ja) * | 2019-02-25 | 2020-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜用組成物および成膜方法 |
-
1994
- 1994-01-20 JP JP6004598A patent/JPH07209863A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007111092A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111076A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| JP2020132986A (ja) * | 2019-02-25 | 2020-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜用組成物および成膜方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |