JPH01179043A - フォトレジストパターンの形成方法 - Google Patents
フォトレジストパターンの形成方法Info
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- JPH01179043A JPH01179043A JP21688A JP21688A JPH01179043A JP H01179043 A JPH01179043 A JP H01179043A JP 21688 A JP21688 A JP 21688A JP 21688 A JP21688 A JP 21688A JP H01179043 A JPH01179043 A JP H01179043A
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 13
- 150000007514 bases Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- -1 aliphatic amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 abstract 2
- PUAQLLVFLMYYJJ-UHFFFAOYSA-N 2-aminopropiophenone Chemical compound CC(N)C(=O)C1=CC=CC=C1 PUAQLLVFLMYYJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZBSGNEYIENETRW-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(hydroxymethyl)phenol Chemical compound OCC1=CC=CC(O)=C1CO ZBSGNEYIENETRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,4-benzodioxine-3-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)O)COC2=C1 HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229940075419 choline hydroxide Drugs 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229920003244 diene elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、基板上にフォトレジストパターンを形成する
方法に係り、特に耐熱性を向上させるフォトレジストパ
ターンの形成方法に関するものである。
方法に係り、特に耐熱性を向上させるフォトレジストパ
ターンの形成方法に関するものである。
（従来の技術）
ＬＳＩ等の製造において、基板上に感光性樹脂膜（以下
、フォトレジストと称す）を塗布し、光、電子線、Ｘ線
、イオンビーム等の電磁波を照射してパターンをフォト
レジストに転写した後、現像してフォトレジストパター
ンを形成する。
、フォトレジストと称す）を塗布し、光、電子線、Ｘ線
、イオンビーム等の電磁波を照射してパターンをフォト
レジストに転写した後、現像してフォトレジストパター
ンを形成する。
フォトレジストパターンの形成機構は、電磁波に照射さ
れた部分が現像液に溶解するポジ型と、電磁波に照射さ
れない部分が現像液に溶解するネガ型との２種類に分類
される。ポジ型の場合にはアルカリ可溶な樹脂から成る
ポジ型フォトレジストが使用され、ネガ型の場合にはジ
エン系エラストマを結合剤とするネガ型フォトレジスト
が使用される。最近はデザインルールの縮小化に伴い、
ＬＳＩ等の製造においては、解像性に優れるポジ型フォ
トレジストが使用されてきている。
れた部分が現像液に溶解するポジ型と、電磁波に照射さ
れない部分が現像液に溶解するネガ型との２種類に分類
される。ポジ型の場合にはアルカリ可溶な樹脂から成る
ポジ型フォトレジストが使用され、ネガ型の場合にはジ
エン系エラストマを結合剤とするネガ型フォトレジスト
が使用される。最近はデザインルールの縮小化に伴い、
ＬＳＩ等の製造においては、解像性に優れるポジ型フォ
トレジストが使用されてきている。
一方フオドレジストには、パターンを形成する機能だけ
でなく、マスク材としての機能も要求される。基板１こ
ドライエツチング加工を施すとき、あるいは不純物をド
ーピングするときには高温の雰囲気にさらされるが、こ
の場合にパターンが熱変形しないようにする必要がある
。従って、フォトレジストに耐熱性が要求される。
でなく、マスク材としての機能も要求される。基板１こ
ドライエツチング加工を施すとき、あるいは不純物をド
ーピングするときには高温の雰囲気にさらされるが、こ
の場合にパターンが熱変形しないようにする必要がある
。従って、フォトレジストに耐熱性が要求される。
（発明が解決すべき問題点）
しかしポジ型フォトレジストの耐熱性は分子量に大きく
依存してお°す、分子量が大きいと耐熱性は向上するが
、解像性が低下す、る。高密度実装化のためには解像性
の高いポジ型フォトレジストを使用しなければならず、
耐熱性が低いことが問題であった。さらに今日において
、解像性を向上させるために、現像処理剤に界面活性剤
を含有させ、る試みがなされているが、界面活性剤によ
ってフォトレジストの耐熱性が低下させられる場合があ
り、−層耐熱性が問題とされるようになってきた。
依存してお°す、分子量が大きいと耐熱性は向上するが
、解像性が低下す、る。高密度実装化のためには解像性
の高いポジ型フォトレジストを使用しなければならず、
耐熱性が低いことが問題であった。さらに今日において
、解像性を向上させるために、現像処理剤に界面活性剤
を含有させ、る試みがなされているが、界面活性剤によ
ってフォトレジストの耐熱性が低下させられる場合があ
り、−層耐熱性が問題とされるようになってきた。
本発明は上記事情に鑑み、解像性が高くかつ耐熱性にも
優れたレジストパターンの形成方法を提供することを目
的とする。
優れたレジストパターンの形成方法を提供することを目
的とする。
（問題点を解決するための手段及び作用）概要
上記目的は、基板上にフォトレジストを塗布し、放射線
を照射して得られたフォトレジストパターンを、少なく
とも１つ分塩基性化合物を含有する水溶液に浸漬させる
ことを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法に
よって達成される。
を照射して得られたフォトレジストパターンを、少なく
とも１つ分塩基性化合物を含有する水溶液に浸漬させる
ことを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法に
よって達成される。
発明の詳細な説明
本発明のフォトレジストパターンの形成方法について、
以下に説明する。
以下に説明する。
基板上にフォトレジストを塗布し、これに適当なマスク
を介して紫外線等により露光し、マスクを転写する。尚
、電子線、イオンビーム等を用いた場合には、マスクを
介する必要はない。この後、現像処理を施す。こうして
得られたレジストパターンを、少なくとも１つの塩基性
化合物を含有する水溶液に浸漬させて、フォトレジスト
パターンを形成する。ここで、塩基性化合物であればい
ずれをも用いることができるが、水酸化第４級アンモニ
ウム化合物、水酸化金属、脂肪族アミン、芳香族アミン
等であってもよい。また、このような少なくとも１つの
塩基性化合物を含有する水溶液に、少なくとも２つのア
ルキロール基を分子内に有する化合物を含有させたもの
を用いてもよい。
を介して紫外線等により露光し、マスクを転写する。尚
、電子線、イオンビーム等を用いた場合には、マスクを
介する必要はない。この後、現像処理を施す。こうして
得られたレジストパターンを、少なくとも１つの塩基性
化合物を含有する水溶液に浸漬させて、フォトレジスト
パターンを形成する。ここで、塩基性化合物であればい
ずれをも用いることができるが、水酸化第４級アンモニ
ウム化合物、水酸化金属、脂肪族アミン、芳香族アミン
等であってもよい。また、このような少なくとも１つの
塩基性化合物を含有する水溶液に、少なくとも２つのア
ルキロール基を分子内に有する化合物を含有させたもの
を用いてもよい。
このようにして得られたフォトレジストパターンは、耐
熱性が向上したものとなる。
熱性が向上したものとなる。
（実施例）
本発明を、以下の例を参照して具体的に説明する。
実施例
半導体基板上に、フォトレジストを１．２μｍ膜厚で塗
布し、これに適当なマスクを介して露光現像処理し、レ
ジストパターンを得た。フォトレジストとして、解像度
の低いナフトキノンジアジド−ノボラック樹脂系フォト
レジスト（以下、フォトレジスト１と称す）を使用し、
現像処理剤として、テトラメチルアンモニウムヒドロオ
キシド０．２６Ｎ水溶液（以下、現像処理剤１と称す）
に６００ ｐｐｍのノニオン系界面活性剤を含有させた
もの（以下、現像処理剤２と称す）を使用した。
布し、これに適当なマスクを介して露光現像処理し、レ
ジストパターンを得た。フォトレジストとして、解像度
の低いナフトキノンジアジド−ノボラック樹脂系フォト
レジスト（以下、フォトレジスト１と称す）を使用し、
現像処理剤として、テトラメチルアンモニウムヒドロオ
キシド０．２６Ｎ水溶液（以下、現像処理剤１と称す）
に６００ ｐｐｍのノニオン系界面活性剤を含有させた
もの（以下、現像処理剤２と称す）を使用した。
得られたレジストパターンを、塩基性化合物を含有する
水溶液に３０〜６０秒間揺動浸漬して、レジストパター
ンを処理した。この水溶液として、水酸化コリン０．３
Ｎ水溶液（以下、水溶液１と称す）を使用した。
水溶液に３０〜６０秒間揺動浸漬して、レジストパター
ンを処理した。この水溶液として、水酸化コリン０．３
Ｎ水溶液（以下、水溶液１と称す）を使用した。
実施例２
フォトレジストとして、フォトレジスト１より解像度の
高いナフトキノンジアジド−ノボラック樹脂系フォトレ
ジスト（以下、フォトレジスト２と称す）を使用し、現
像処理剤として現像処理剤２を使用して、レジストパタ
ーンを得た。
高いナフトキノンジアジド−ノボラック樹脂系フォトレ
ジスト（以下、フォトレジスト２と称す）を使用し、現
像処理剤として現像処理剤２を使用して、レジストパタ
ーンを得た。
得られたレジストパターンを、水溶液１にジメチロール
フェノール５ｖｔ％を含有した水溶液（以下、水溶液２
と称す）に３０秒間揺動浸漬した。
フェノール５ｖｔ％を含有した水溶液（以下、水溶液２
と称す）に３０秒間揺動浸漬した。
比較例１
フォトレジストとしてフォトレジスト１を使用し、現像
処理剤として現像処理剤１を使用して、レジストパター
ンを得た。このレジストパターンには、全ての一比較例
において何ら処理を施さなかった。
処理剤として現像処理剤１を使用して、レジストパター
ンを得た。このレジストパターンには、全ての一比較例
において何ら処理を施さなかった。
比較例２
フォトレジストとしてフォトレジスト１を使用し、現像
処理剤として現像処理剤２を使用してレジストパターン
を得た。
処理剤として現像処理剤２を使用してレジストパターン
を得た。
比較例３
フォトレジストとしてフォトレジスト２を使用し、現像
処理剤として現像処理剤１を使用してレジストパターン
を得た。
処理剤として現像処理剤１を使用してレジストパターン
を得た。
耐熱性の試験
上記に得られたレジストパターンを、ホットプレートで
５分間加熱し、加熱前後のレジストパターンの断面形状
を走査型電子顕微鏡（Ｘ ２０００）で観察した。
５分間加熱し、加熱前後のレジストパターンの断面形状
を走査型電子顕微鏡（Ｘ ２０００）で観察した。
レジストパターンの断面形状を、第１図に示す。
基板１上に、矩形の断面形状を有するレジストパターン
２が形成されている。これに加熱すると、第２図に示さ
れるように、レジストパターン２の側壁の角３に丸みが
帯びてくる。耐熱性の評価は、このような丸みが生じ初
めたことが観察された時点における温度によって行なっ
た。その結果を第１表に示す。
２が形成されている。これに加熱すると、第２図に示さ
れるように、レジストパターン２の側壁の角３に丸みが
帯びてくる。耐熱性の評価は、このような丸みが生じ初
めたことが観察された時点における温度によって行なっ
た。その結果を第１表に示す。
第１表
上記の結果より本発明のレジストパターンの形成方法は
、解像性は向上するが耐熱性の低下を招くフォトレジス
トや現像処理剤を用いた場合にも、耐熱性を向上させる
効果があることがわかる。
、解像性は向上するが耐熱性の低下を招くフォトレジス
トや現像処理剤を用いた場合にも、耐熱性を向上させる
効果があることがわかる。
以上説明したように、本発明のレジストパターンの形成
方法によれば、基板上にフォトレジストを塗布し放射線
を照射して得られたフォトレジストパターンを、少なく
とも１つの塩基性化合物を含有する水溶液に浸漬させる
ことにより、解像性が高くかつ耐熱性にも優れたレジス
トパターンを得ることができる。
方法によれば、基板上にフォトレジストを塗布し放射線
を照射して得られたフォトレジストパターンを、少なく
とも１つの塩基性化合物を含有する水溶液に浸漬させる
ことにより、解像性が高くかつ耐熱性にも優れたレジス
トパターンを得ることができる。
第１図はレジストパターンの形成された基板の断面図、
第２図は基板が加熱されてレジストパターンが熱変形し
た状態を示す基板の断面図である。 １・・・基板、２・・・レジストパターン、３・・・側
壁の角。 出願人代理人 佐 藤 −雄 罠Ｉ図 馬２図
第２図は基板が加熱されてレジストパターンが熱変形し
た状態を示す基板の断面図である。 １・・・基板、２・・・レジストパターン、３・・・側
壁の角。 出願人代理人 佐 藤 −雄 罠Ｉ図 馬２図
Claims (3)
- １．基板上にフォトレジストを塗布し、放射線を照射し
て得られたフォトレジストパターンを、少なくとも１つ
の塩基性化合物を含有する水溶液に浸漬させることを特
徴とするフォトレジストパターンの形成方法。 - ２．前記水溶液が、さらに少なくとも２つのアルキロー
ル基を分子内に有する化合物を含有することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のフォトレジストパターン
の形成方法。 - ３．前記塩基性化合物が、水酸化第４級アンモニウム化
合物、水酸化金属、脂肪族アミン、芳香族アミンからな
る群より選ばれた少なくとも１種の化合物であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォトレジスト
パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21688A JPH01179043A (ja) | 1988-01-04 | 1988-01-04 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21688A JPH01179043A (ja) | 1988-01-04 | 1988-01-04 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179043A true JPH01179043A (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=11467765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21688A Pending JPH01179043A (ja) | 1988-01-04 | 1988-01-04 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01179043A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0908786A2 (en) * | 1997-10-03 | 1999-04-14 | Eaton Corporation | Process for reducing shrinkage of features formed in a photoresist by treatment with an amine, an amide or an aldehyde |
| WO2008099732A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd. | 硬化皮膜パターン形成用組成物及びそれを用いた硬化皮膜パターン作製方法 |
-
1988
- 1988-01-04 JP JP21688A patent/JPH01179043A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0908786A2 (en) * | 1997-10-03 | 1999-04-14 | Eaton Corporation | Process for reducing shrinkage of features formed in a photoresist by treatment with an amine, an amide or an aldehyde |
| EP0908786A3 (en) * | 1997-10-03 | 2000-06-28 | Eaton Corporation | Process for reducing shrinkage of features formed in a photoresist by treatment with an amine, an amide or an aldehyde |
| WO2008099732A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd. | 硬化皮膜パターン形成用組成物及びそれを用いた硬化皮膜パターン作製方法 |
| JP5219846B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2013-06-26 | 太陽ホールディングス株式会社 | 硬化皮膜パターン形成用組成物及びそれを用いた硬化皮膜パターン作製方法 |
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