JPH0511652B2 - - Google Patents
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- JPH0511652B2 JPH0511652B2 JP957987A JP957987A JPH0511652B2 JP H0511652 B2 JPH0511652 B2 JP H0511652B2 JP 957987 A JP957987 A JP 957987A JP 957987 A JP957987 A JP 957987A JP H0511652 B2 JPH0511652 B2 JP H0511652B2
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- Japan
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- pattern
- photosensitive resin
- semiconductor substrate
- resist
- resist pattern
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明はパターン形成方法に係り、特に半導体
基板に感光性樹脂を用いてレジストパターンを形
成するためのパターン形成方法に関する。
基板に感光性樹脂を用いてレジストパターンを形
成するためのパターン形成方法に関する。
（従来の技術）
従来、LSI等の半導体装置を製造する場合にお
いては、半導体基板上に塗布したホトレジスト
（感光性樹脂）フイルムに対して適当なマスクを
施し、その後、露光、現像を行なうことにより所
望のパターンを半導体基板上に形成するようにし
ている。
いては、半導体基板上に塗布したホトレジスト
（感光性樹脂）フイルムに対して適当なマスクを
施し、その後、露光、現像を行なうことにより所
望のパターンを半導体基板上に形成するようにし
ている。
そして、この半導体基板上にホトレジストパタ
ーンを形成する技術は、微細加工を施す上で重要
なものの１つとなつており、微細加工に対する信
頼性向上は、ホトレジストパターン形成技術によ
り左右されることになる。さらに、ホトレジスト
は微細パターン形成能（解像力）と、その良好な
プロフアイル形状を得ることのみならず、エツチ
ング、イオン注入、リフトオフプロセス等の高
温、高パワー雰囲気にさらされることから、マス
ク材としての十分な耐性が要求されている。
ーンを形成する技術は、微細加工を施す上で重要
なものの１つとなつており、微細加工に対する信
頼性向上は、ホトレジストパターン形成技術によ
り左右されることになる。さらに、ホトレジスト
は微細パターン形成能（解像力）と、その良好な
プロフアイル形状を得ることのみならず、エツチ
ング、イオン注入、リフトオフプロセス等の高
温、高パワー雰囲気にさらされることから、マス
ク材としての十分な耐性が要求されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、上記従来の手段で得られるレジストパ
ターンの特性で微細加工を達成するに重要な解像
力とプロフアイン形状は、使用する露光装置、例
えば、ステツパの露光波長および開口数に大きく
依存してしまうため、露光装置の解像限界付近の
パターン寸法に近づくに従い、第２図に示すよう
に、半導体基板１上に形成されたレジストパター
ン２の上部に、ふち減り（−′）が生じてし
まうという問題を有している。特に、上記露光装
置の結像位置（焦点）が少しでもずれると、その
ふち減りと膜減りが顕著に生じてしまう。
ターンの特性で微細加工を達成するに重要な解像
力とプロフアイン形状は、使用する露光装置、例
えば、ステツパの露光波長および開口数に大きく
依存してしまうため、露光装置の解像限界付近の
パターン寸法に近づくに従い、第２図に示すよう
に、半導体基板１上に形成されたレジストパター
ン２の上部に、ふち減り（−′）が生じてし
まうという問題を有している。特に、上記露光装
置の結像位置（焦点）が少しでもずれると、その
ふち減りと膜減りが顕著に生じてしまう。
そのため、現在では良好なレジストパターンを
得るために、ポジ型のいわゆるナフトキノンジア
ジドを感光壊剤とするアルカリ可溶なクレゾール
ホルマリン樹脂をバインダ樹脂とする感光性組成
物がLSI等の半導体装置の製造に広範囲に使用さ
れてきているが、良好なレジストプロフアイル形
状と解像力を向上させるために、上記バインダ樹
脂の分子等を下げる方向にあり、その結果、レジ
ストパターンの耐熱性（プロフアイルの熱による
変形開始温度）が損なわれるという問題を有して
いる。
得るために、ポジ型のいわゆるナフトキノンジア
ジドを感光壊剤とするアルカリ可溶なクレゾール
ホルマリン樹脂をバインダ樹脂とする感光性組成
物がLSI等の半導体装置の製造に広範囲に使用さ
れてきているが、良好なレジストプロフアイル形
状と解像力を向上させるために、上記バインダ樹
脂の分子等を下げる方向にあり、その結果、レジ
ストパターンの耐熱性（プロフアイルの熱による
変形開始温度）が損なわれるという問題を有して
いる。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
レジストパターンのふち減り量を減少させ、か
つ、耐熱性を向上させて適正な微細なパターンを
形成することのできるパターン形成方法を提供す
ることを目的とするものである。
レジストパターンのふち減り量を減少させ、か
つ、耐熱性を向上させて適正な微細なパターンを
形成することのできるパターン形成方法を提供す
ることを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するため本発明に係るパターン
形成方法は、半導体基板上に感光性樹脂を塗布す
る工程と、上記感光樹脂膜をアルカリ性水溶液に
接触させた後加熱処理を行なう工程と、上記感光
性樹脂を露光、現像する工程とから構成されてい
る。
形成方法は、半導体基板上に感光性樹脂を塗布す
る工程と、上記感光樹脂膜をアルカリ性水溶液に
接触させた後加熱処理を行なう工程と、上記感光
性樹脂を露光、現像する工程とから構成されてい
る。
（作用）
本発明においては、半導体基板上に感光性樹脂
を塗布した後アルカリ性水溶液に接触させ、さら
に、加熱処理を行なうことにより、感光性樹脂に
特殊なものを用いることなく、レジストパターン
特に微細パターンにおけるふち減りを防ぐことが
でき、しかも、耐熱性を著しく向上させることが
できるものである。
を塗布した後アルカリ性水溶液に接触させ、さら
に、加熱処理を行なうことにより、感光性樹脂に
特殊なものを用いることなく、レジストパターン
特に微細パターンにおけるふち減りを防ぐことが
でき、しかも、耐熱性を著しく向上させることが
できるものである。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説
明する。
明する。
本実施例においては、半導体基板１上にホトレ
ジストを約1.5μｍのレジスト膜厚で塗布した後、
このホトレジスト膜をテトラメチルアンモニウム
ヒドロオキシドを含むアルカリ水溶液（2.38wt
％）中に60秒間浸漬する。その後、上記レジスト
膜をホツトプレート上で95℃、４分間の条件下で
加熱処理を施した後、適当なマスクを介して露
光、現像を行ない、基板１上にレジストパターン
２を形成する。
ジストを約1.5μｍのレジスト膜厚で塗布した後、
このホトレジスト膜をテトラメチルアンモニウム
ヒドロオキシドを含むアルカリ水溶液（2.38wt
％）中に60秒間浸漬する。その後、上記レジスト
膜をホツトプレート上で95℃、４分間の条件下で
加熱処理を施した後、適当なマスクを介して露
光、現像を行ない、基板１上にレジストパターン
２を形成する。
上記アルカリ水溶液としては、浸漬処理後の膜
厚損失が0.5μｍ以下に維持されるように濃度が調
整されているのであれば、NaOH、第４級アン
モニウムヒドロオキシド等のいずれのアルカリ水
溶液でもよく、また、ホトレジストは、ナフトキ
ノンジアジド類を感光剤とするクレゾールホルマ
リン樹脂系またはポリビニルフエノール系であれ
ばいずれの材料であつてもよい。
厚損失が0.5μｍ以下に維持されるように濃度が調
整されているのであれば、NaOH、第４級アン
モニウムヒドロオキシド等のいずれのアルカリ水
溶液でもよく、また、ホトレジストは、ナフトキ
ノンジアジド類を感光剤とするクレゾールホルマ
リン樹脂系またはポリビニルフエノール系であれ
ばいずれの材料であつてもよい。
したがつて、上記方法により、感光性樹脂に特
殊なものを用いたり、高価な露光装置を用いるこ
となく極めて簡単な手段で、レジストパターン特
に微細パターンにおけるふち減りを防ぐことがで
き、しかも、耐熱性を著く向上させることが可能
となる。
殊なものを用いたり、高価な露光装置を用いるこ
となく極めて簡単な手段で、レジストパターン特
に微細パターンにおけるふち減りを防ぐことがで
き、しかも、耐熱性を著く向上させることが可能
となる。
本実施例により得られた0.6μｍ幅のライン、ス
ペースレジストパターンを走査型電子顕微鏡（倍
率×2.5万）で観察した結果、第１図に示すよう
に、第２図に示す従来のパターン２に比べて、レ
ジストパターン２上部のふち減りが防止されてい
ることがわかる。
ペースレジストパターンを走査型電子顕微鏡（倍
率×2.5万）で観察した結果、第１図に示すよう
に、第２図に示す従来のパターン２に比べて、レ
ジストパターン２上部のふち減りが防止されてい
ることがわかる。
また、上記レジストパターンの耐熱性試験をホ
ツトプレートで加熱することにより行なつた結
果、従来方法によるレジストパターンに比べて、
約10℃も耐熱性が向上することが認められた。
ツトプレートで加熱することにより行なつた結
果、従来方法によるレジストパターンに比べて、
約10℃も耐熱性が向上することが認められた。
以上述べたように本発明に係るパターン形成方
法は、半導体基板上に感光性樹脂を塗布した後、
この樹脂膜をアルカリ性水溶液に接触させ、さら
に、加熱処理を行なうことにより、感光性樹脂に
特殊なものを用いることなく、容易にレジストパ
ターン特に微細パターンにおけるふち減りを防ぐ
ことができ、かつ、耐熱性を著しく向上させるこ
とが可能となる。また、処理工程が簡単で特殊な
装置等も不要であるため、経済的であり、信頼性
も高い等の効果を奏する。
法は、半導体基板上に感光性樹脂を塗布した後、
この樹脂膜をアルカリ性水溶液に接触させ、さら
に、加熱処理を行なうことにより、感光性樹脂に
特殊なものを用いることなく、容易にレジストパ
ターン特に微細パターンにおけるふち減りを防ぐ
ことができ、かつ、耐熱性を著しく向上させるこ
とが可能となる。また、処理工程が簡単で特殊な
装置等も不要であるため、経済的であり、信頼性
も高い等の効果を奏する。
第１図は本発明により得られたプロフアイル形
状を示す縦断面図、第２図は従来の方法により得
られたプロフアイル形状を示す縦断面図である。 １……半導体基板、２……レジストパターン。
状を示す縦断面図、第２図は従来の方法により得
られたプロフアイル形状を示す縦断面図である。 １……半導体基板、２……レジストパターン。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に感光性樹脂を塗布する工程
と、上記感光性樹脂膜をアルカリ性水溶液に接触
させた後加熱処理を行なう工程と、上記感光性樹
脂を露光、現像する工程とからなることを特徴と
するパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP957987A JPS63177518A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP957987A JPS63177518A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63177518A JPS63177518A (ja) | 1988-07-21 |
| JPH0511652B2 true JPH0511652B2 (ja) | 1993-02-16 |
Family
ID=11724220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP957987A Granted JPS63177518A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63177518A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2560773B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1996-12-04 | 三菱電機株式会社 | パターン形成方法 |
| JPH0299959A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH07105334B2 (ja) * | 1989-08-28 | 1995-11-13 | 日本電気株式会社 | レジストパターンの現像方法 |
| JP2870443B2 (ja) * | 1995-02-06 | 1999-03-17 | サンケン電気株式会社 | レジストパタ−ンの形成方法 |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP957987A patent/JPS63177518A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63177518A (ja) | 1988-07-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |