JPS63133628A - ポジ型フオトレジストの処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、微細加工技術（エツチング）に用いら′れる
ポジ型フォトレジストの処理方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、ポジ型フォトレジストを用いて被エツチング膜を
エツチングする場合％第２図ｉａ）に示すように基板材
３の上に被エツチング膜２を形成し、第２図（ｂｌ〜（
ｄ）に示すように被エツチング膜２上に７オトレジスト
を回転塗布し、７゛リペークの後、所定の７オトマス（
４を介して露光し、フォトレジストｌを現像した後、ボ
ストベークを行ない、被エツチング膜２のエツチングを
行なってい６（第２図げ））。

しかし、第２図（ｅｌ）こ示すように、ボストベークの
時点、及びドライエツチング中の昇温により、フォトレ
ジスト１が）形し、エツチング形状の劣化及び寸法精度
の低下を招く。また、ドライエツチング中の温度上昇が
大きい場合番こは、フォトレジスト１に焼けこげを生じ
ることもある。

フォトレジス）ｌの８！！厚が１μｍ程度と薄い場合に
は、第２図（ｅｌに示すボストベーク工程の代わりにＤ
ｅｅｐＵＶ光（ｅ長２００〜３２０　ｒｒｎ桿度の紫外
線）を４０ρ００ｍＪ程度照射する工程を入れて上記欠
点を解決することは行なわれているか、４Ａｍ以上の膜
厚の厚いフォトレジストに対してはその効果が輸められ
ない。

〔間覇点を解決するための手段１ 本発明はかかる点に鑑み、現像後のポジ型フォトレジス
）Ｊこ波長３２０〜４３０　ｎｍの紫外線を照射する工
程を加えるものである。

〔作用〕

ポジ型フォトレジスト（こＵＶ光を照射することにより
、レジストが卵化し、耐熱性が向上し、エツチング中の
７オトレジストの変化及び焼けこげを防止し、被エツチ
ング膜のパターン形状及び寸法精度が向上すること番こ
なる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例について薄膜磁気ヘッドの磁性
膜のエツチング工程を例（ことりなから詳細に説明する
。

薄膜磁気ヘッドの製造工程では、そのコアきなる磁性膜
をエツチングする際にイオンビームエツチングを用いる
。第１図体）に示すように楼エツチング膜である磁性１
１ａ２を膜厚４〜６μｍに形成する。

ここで用いる磁性膜はパーマロイ、アモルファス、セン
ダスト、純鉄などがあげらｎる。当該磁性膜の膜厚は、
磁気ヘッドの特性上の観点から４〜６細程度が必要さな
る。次に第１図（ｂｌに示すようにポジ型フォトレジス
ト１を回転塗布する。フォトレジスト１の膜厚は、４〜
６／Ｊｒ１−１の磁性材料２をイオンビームエツチング
するために、５〜７細程度必妾トなる。ポジ型フォトレ
ジストとしては、例えばノボラック樹脂系のヘキスト社
ｌ、ＡＺ４６２０などを用いる。さらに第１図（Ｃ）（
こ示すようｉこ、フォトマスク４を介してｌＯ秒程度霧
光し、第１図（ｄｊに示すように現像液を用いて籾、像
する。現像液としてはヘキスト社製ＡＺ４ＱＱＫを純水
で、５倍に希釈したものを用いることができる。

次に、第１図師）に示すようｔこ［ＪＶ光を照射する。

このＵＶ光は超高圧水銀灯を用いて発生し、３２０ｒｒ
ｎ〜４３０　ｒＴｎの波長の光を透過するブルーフイル
ターを介して照射する。使用したＵＶ照射装置の照度は
５０ｍＶ／ｃＩｆｔ、フォトレジスト１の硬化に必要な
光景は、その膜厚が５μｍのときに１０，０００〜１５
゜０００ｍＪ、６ｄであった。ＵＶ光の照射に伴ない基
板の温度が上昇し、時には、この昇温かフォトレジスト
の硬化速度を上才わるためｌｃ、ＵＶ光を照射している
間（こフォトレジストが流動し、悴形を生じることがあ
る。このような急激な温度上昇を防止するために基板の
冷却か必要である。また５０〜１００℃の基板加熱を行
なうことｌこよって、フォトレジストの硬化の効果はさ
らに顕著となる場合もある。この場合についても、ＵＶ
照射による過度の温度上昇を防止するための温度制御は
必要である０ 次に、第１図げ）に示すようｌこ、イオンビームエツチ
ング法によって磁性ｌＩ！Ｉをエツチングする。このと
きイオンビームエツチング時の温度上昇をレジストの耐
熱限度以下に保持するために基板を冷却する必要がある
。

またイオンビームの加速電圧、電流密度が増加すると、
エツチングレートは大きくなる。また同時に基板の温度
上昇も大きくなるが、フォトレジストの耐熱性が増加す
ることにより、より大きな加速電圧、電流密度でエツチ
ングを行なうことができ、処理時間を短縮することがで
きる。

さらにフォトレジストの耐熱性が向上すると、イオンビ
ームエツチング時のレジストのエツチング速度が小さく
なり、磁性膜と７ナトレジストのエツチング速度の比が
大きくなる為、フォトレジストの膜厚を小さくでき、エ
ツチングパタンの寸法精度をさらに向上できるという効
果も期待できる。

〔本発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、厚いポジ型フォト
レジストを用いなければならない場合に′現像後に波長
３２０〜４３０　ｒｒｎのＵＶ光を照射することによっ
て、フォトレジストの耐熱性を向上でき、ドライエツチ
ング中の昇温によるフォトレジストの流動による変形、
焼けなしに精度の良いエツチングを行なうことができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図ｆａｌ〜（ｆ＋は本発明に件る７オトエツチング
エ程を説明する各工程図、第２図は従来例のフォトエツ
チング工程を説明する各工程図である。 １・・・ポジ型フォトレジスト ２・・・被エツチング膜（磁性膜） ３・・・基板材料 ４・・・フォトマスク 第　１　図 第２　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　被エッチング膜上に厚いポジ型フォトレジストを形成
   し、現像工程の後に、前記ポジ型フォトレジストに波長
   ３２０〜４３０ｎｍの紫外線を照射することを特徴とす
   るポジ型フォトレジストの処理方法。