JPH01107528A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH01107528A JPH01107528A JP62264487A JP26448787A JPH01107528A JP H01107528 A JPH01107528 A JP H01107528A JP 62264487 A JP62264487 A JP 62264487A JP 26448787 A JP26448787 A JP 26448787A JP H01107528 A JPH01107528 A JP H01107528A
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- JP
- Japan
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- pattern
- resist
- excimer laser
- light
- exposed
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 7
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体製造工程におけるパターン形成方法に関
する。
する。
従来の技術
近年、レジストパターンの解像性を向上させるために短
波長であるエキシマレーザ光を用いたパターン形成が注
目されている〔たとえば、 Ｖ、Ｐｏ７１θｔａ７！、
７”ロシーディング オブ エスピーアイイー（Ｐｒｏ
ｃ ｏｆ’ ８ｐ［） 、 ６３３ 、 Ｐａ （１９
ａｅ）’ｌ。
波長であるエキシマレーザ光を用いたパターン形成が注
目されている〔たとえば、 Ｖ、Ｐｏ７１θｔａ７！、
７”ロシーディング オブ エスピーアイイー（Ｐｒｏ
ｃ ｏｆ’ ８ｐ［） 、 ６３３ 、 Ｐａ （１９
ａｅ）’ｌ。
ところがネガ産のレジストを用いてエキシマレーザによ
るパターン形成を試る際には、レジストが短波長光を表
面で吸収しすぎるために、レジスト底部まで光が届きに
くく、結局逆台形産のプロファイルの悪いパターンしか
得られないことがわかった。
るパターン形成を試る際には、レジストが短波長光を表
面で吸収しすぎるために、レジスト底部まで光が届きに
くく、結局逆台形産のプロファイルの悪いパターンしか
得られないことがわかった。
第２図を用いて、ネガ産のレジストを用いた従来のパタ
ーン形成方法を説明する。
ーン形成方法を説明する。
基板１上にネガ産のレジストＲＤ２００ＯＮ（日立化成
）を１．０１７ｚｍ塗布し、８０℃２０分のオーブンプ
リベークにてレジスト層２を樽だ（第２図（ａ））。こ
の後、ＫｒＦエキシマレーザ光３を１２０１１Ｊ／ｃ、
！のエネルギーにてマスク４を介して選択的に露光しく
第２図（ｂ））、ＨＤ現像液により１分の現像を行いパ
ターン２ｂを形成した（第２図（Ｃ））。
）を１．０１７ｚｍ塗布し、８０℃２０分のオーブンプ
リベークにてレジスト層２を樽だ（第２図（ａ））。こ
の後、ＫｒＦエキシマレーザ光３を１２０１１Ｊ／ｃ、
！のエネルギーにてマスク４を介して選択的に露光しく
第２図（ｂ））、ＨＤ現像液により１分の現像を行いパ
ターン２ｂを形成した（第２図（Ｃ））。
ところがパターン２ｂは逆台形でしかもプロファイルの
悪い０．５μｍライン・アンド・スペースパターンであ
った。
悪い０．５μｍライン・アンド・スペースパターンであ
った。
発明が解決しようとする問題点
このようにレジストの表面光吸収に起因する悪い形状の
逆台形パターンは後のエツチング工程やイオン注入工程
での寸法精度劣化につながシ、結果として素子の歩留ま
シ低下につながる。
逆台形パターンは後のエツチング工程やイオン注入工程
での寸法精度劣化につながシ、結果として素子の歩留ま
シ低下につながる。
本発明はネガ産のレジストを用いて形状の良いパターン
を、エキシマレーザ光や遠紫外光にて形成することを目
的とする。
を、エキシマレーザ光や遠紫外光にて形成することを目
的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、従来例の如き問題点を解決するために遠紫外
光による選択露光の後、紫外光による全面露光を行うこ
とを特徴とする。
光による選択露光の後、紫外光による全面露光を行うこ
とを特徴とする。
作用
本発明の方法は遠紫外線露光と紫外露光を組みあわせた
ものである。最初の遠紫外露光によりネガレジストの紫
外領域での透過率は向上する。ゆえに、選択的な遠紫外
露光の部分のみが紫外線がレジスト底部まで光が届きや
すくなり、現像後。
ものである。最初の遠紫外露光によりネガレジストの紫
外領域での透過率は向上する。ゆえに、選択的な遠紫外
露光の部分のみが紫外線がレジスト底部まで光が届きや
すくなり、現像後。
結局、当初の遠紫外露光部のパターンが得られることに
なる。このパターンは従来とは異なシ、紫外光が完全に
底部まで到達していることがら形状の良いものとなる。
なる。このパターンは従来とは異なシ、紫外光が完全に
底部まで到達していることがら形状の良いものとなる。
なお、全面紫外線照射時に、最初の遠紫外露光の未露光
部も表面が架橋することが考えられるが。
部も表面が架橋することが考えられるが。
遠紫外露光部への紫外光への侵入速度が前記透過率の上
昇により、増大しているためにほとんど表面の架橋が起
こるまでは到らないことがわかった。
昇により、増大しているためにほとんど表面の架橋が起
こるまでは到らないことがわかった。
又１表面の架橋が生じた場合にも現像時に十分現像（除
去）されることがわかった。
去）されることがわかった。
なお、遠紫外光の露光時間は、通常のレジストパターン
形成に用いる場合よシも少なくて良いことは明らかであ
る。
形成に用いる場合よシも少なくて良いことは明らかであ
る。
実施例
第１図を用いて、本発明のパターン形成方法の一実施例
を説明する。半導体等の基板１上にネガ型ルジストＲＤ
２００ＯＮ（日立化成）を１．０ｐＨ１塗布し、８０℃
２０分のオーブンプリベーク 。
を説明する。半導体等の基板１上にネガ型ルジストＲＤ
２００ＯＮ（日立化成）を１．０ｐＨ１塗布し、８０℃
２０分のオーブンプリベーク 。
にてレジスト層２を得た（第１図（ａ））。この後。
ＫｒＦエキシマレーザ光３をｓ ｏ ＩＩＪ／−のエネ
ルギーにてマスク４を介して選択的に露光した（第１図
（ｂ））。これによりレジスト２は表面部分が遠紫外光
に照射され、紫外領域の透過率は露光前の３０％から７
０％へと上昇した（４３０ｎｌｌにおける値）。そして
、Ｈｇランプよりの紫外光を全面に６０ＩＩＩＪ／ｃ、
！のエネルギーにて行った（第１図（Ｃ））。
ルギーにてマスク４を介して選択的に露光した（第１図
（ｂ））。これによりレジスト２は表面部分が遠紫外光
に照射され、紫外領域の透過率は露光前の３０％から７
０％へと上昇した（４３０ｎｌｌにおける値）。そして
、Ｈｇランプよりの紫外光を全面に６０ＩＩＩＪ／ｃ、
！のエネルギーにて行った（第１図（Ｃ））。
この後ＲＤ現像液によ９１分の現像を行い、パターン２
１Ｌを形成した（第１図（ｄ））。パターン２＆はコン
トラストの向上した（傾き８７°）０．６μｌライン・
アンド・スペースパターンであった。
１Ｌを形成した（第１図（ｄ））。パターン２＆はコン
トラストの向上した（傾き８７°）０．６μｌライン・
アンド・スペースパターンであった。
なお、遠紫外光としてＡｒＦやｘｅｒ４からのエキシマ
レーザ光を用いた場合や、紫外光としてｇ線（４３６ｎ
ｍ）や１線（ａｅｓｎｍ）光を用いた場合にも同様の結
果が得られた。
レーザ光を用いた場合や、紫外光としてｇ線（４３６ｎ
ｍ）や１線（ａｅｓｎｍ）光を用いた場合にも同様の結
果が得られた。
発明の効果
本発明の方法を用いることによシ、ネガ産のレジストを
用いて、遠紫外線やエキシマレーザ光による微細な高い
コントラストのパターンを得ることができ、半導体素子
の歩留まり向上につながり工業的価値が高い。
用いて、遠紫外線やエキシマレーザ光による微細な高い
コントラストのパターンを得ることができ、半導体素子
の歩留まり向上につながり工業的価値が高い。
第１図（ａ）〜（（１）は本発明の一実施例のパターン
形成方法の工程断面図、第２図（ＩＬ）〜（０）は従来
のパターン形成方法の工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・川・・ネガレジスト、３・・
・・・・ＫｒＦエキシマレーザ光、４・・・・・・マス
ク、６・・・・・・紫外光。 ２ａ・・・・・・パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−一基板
形成方法の工程断面図、第２図（ＩＬ）〜（０）は従来
のパターン形成方法の工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・川・・ネガレジスト、３・・
・・・・ＫｒＦエキシマレーザ光、４・・・・・・マス
ク、６・・・・・・紫外光。 ２ａ・・・・・・パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−一基板
Claims (2)
- （１）基板上にネガ産のレジストの膜を形成した後、選
択的に遠紫外線にて露光し、その後紫外線にて全面露光
、現像を行うようにしたパターン形成方法。 - （２）遠紫外線がＡｒＦ又はＫｒＦ又はＸｅＣｌから発
せられるエキシマレーザのパルス光である特許請求の範
囲第１項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264487A JPH01107528A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264487A JPH01107528A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01107528A true JPH01107528A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17403921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62264487A Pending JPH01107528A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01107528A (ja) |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62264487A patent/JPH01107528A/ja active Pending
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