JPH01107526A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH01107526A JPH01107526A JP62264506A JP26450687A JPH01107526A JP H01107526 A JPH01107526 A JP H01107526A JP 62264506 A JP62264506 A JP 62264506A JP 26450687 A JP26450687 A JP 26450687A JP H01107526 A JPH01107526 A JP H01107526A
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- excimer laser
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- resist
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造工程等ｒおけるパターン形成方法
に関する。
に関する。
従来の技術
半導体素子の微細化に伴い、フォトリングラフィにおけ
るレジストパターンはその形状の高コントラストと高解
像性が要求される。
るレジストパターンはその形状の高コントラストと高解
像性が要求される。
このような要求に応じるために、現像前に遠紫外線照射
によってレジスト表面が硬化し、現像液に対する現像速
度が表面だけ遅くなシ、結果としてパターンの肩だれの
起こらないために、パターン形状が向上するという方法
が提案されている〔たとえば、奥田他 昭和６２年春季
応用物理学会予稿集（１９８７））。
によってレジスト表面が硬化し、現像液に対する現像速
度が表面だけ遅くなシ、結果としてパターンの肩だれの
起こらないために、パターン形状が向上するという方法
が提案されている〔たとえば、奥田他 昭和６２年春季
応用物理学会予稿集（１９８７））。
発明が解決しようとする問題点
しかし、この方法は、遠紫外線の高熱によシバターンが
熱だれを起こす場合があった。
熱だれを起こす場合があった。
第２図を用いて、この従来のパターン形成方法を説明す
る。
る。
基板１上にポジ型レジスト２を１．２μｍ塗布する（第
２図ａ）。この後ｇ線縮小投影露光装置によシマスフ４
を介して所望のパターン露光を行った（第２図ｂ）。な
お、このとき用いたステッパの開口数１４．０．４２
、露光量Ｊｄ １５０ ｍＪ／ｃ４ テあった。つき゛
に、Ｘｓ−Ｈｇランプから発せられる２００〜３２０
ｎ！ＩＩの遠紫外線を、１００”Ｃに下地基板を加熱し
ながら１秒間照射した。このときの遠紫外線の照射量は
ｅｓｏｍＪ／ｄであった（第２図Ｃ）。
２図ａ）。この後ｇ線縮小投影露光装置によシマスフ４
を介して所望のパターン露光を行った（第２図ｂ）。な
お、このとき用いたステッパの開口数１４．０．４２
、露光量Ｊｄ １５０ ｍＪ／ｃ４ テあった。つき゛
に、Ｘｓ−Ｈｇランプから発せられる２００〜３２０
ｎ！ＩＩの遠紫外線を、１００”Ｃに下地基板を加熱し
ながら１秒間照射した。このときの遠紫外線の照射量は
ｅｓｏｍＪ／ｄであった（第２図Ｃ）。
最後に、シブレイ社アルカリ現像液（ＭＦ−３１４）に
よってレジストパターン２ｂを形成した（第２図（１）
。パターン２ｂは０．６μｍのラインランドスペースで
はあったが、パターンが熱変形した太鼓型のパターンで
あった。このような変形したパターンは超ＬＳＩ製造の
際歩留まシの低下につながるために危惧すべき問題であ
った。
よってレジストパターン２ｂを形成した（第２図（１）
。パターン２ｂは０．６μｍのラインランドスペースで
はあったが、パターンが熱変形した太鼓型のパターンで
あった。このような変形したパターンは超ＬＳＩ製造の
際歩留まシの低下につながるために危惧すべき問題であ
った。
問題点を解決するための手段
本発明は従来の問題点を解決するために、現像前に、エ
キシマレーザ光を照射することを特徴とする。
キシマレーザ光を照射することを特徴とする。
作用
本発明者らの研究の結果、従来のパターンの熱変形は、
遠紫外線が高熱を伴うためであると考えられる。エキシ
マレーザ光は高エネルギーではあるが熱的伝導はその単
一波長性とパルス性によりほとんど起こらないことがわ
かった。
遠紫外線が高熱を伴うためであると考えられる。エキシ
マレーザ光は高エネルギーではあるが熱的伝導はその単
一波長性とパルス性によりほとんど起こらないことがわ
かった。
即ち、現像前のエキシマレーザ光による全面照射を行う
ことによシ、熱伝導なしに、レジストの表面のみがその
高エネルギーによりクロスリンク（架橋）し、その後の
現像により高コントラストの熱だれのないパターンが形
成できることがわかった。
ことによシ、熱伝導なしに、レジストの表面のみがその
高エネルギーによりクロスリンク（架橋）し、その後の
現像により高コントラストの熱だれのないパターンが形
成できることがわかった。
この際、従来の如く下地基板の加熱は無しでも良い。エ
キシマ光の高エネルギー性によシ、下地からの加熱によ
る表面架橋のアシストがなくても、十分架橋が生じるか
らである。
キシマ光の高エネルギー性によシ、下地からの加熱によ
る表面架橋のアシストがなくても、十分架橋が生じるか
らである。
実施例
本発明のパターン形成方法を第１図の工程断面図により
説明する。半導体等の基板１上にポジ型レジスト２を塗
布する（第１図＆）。この後ｇ線縮小投影露光装置によ
シマスフ４を介して露光を行った（第１図ｂ）。なお、
このとき用いたステッハノ開口数ｔｒｉ ０．４２ 、
露光量は１ｓ ｏ ｍＪ／ｄであった。つぎに、ＫｒＦ
エキシマレーザよシ発せられる２ ４８ ｎｆｆ１の遠
紫外光３をｓｏｍＪ／Ｃ！１となるようにパルス照射し
た。１発あたりのエネルギーは１ｏｍＪＡ４であった（
第１図Ｃ）。最後に、シブレイ社アルカリ現像液（ＭＦ
３１４）にょうてレジスト２を現像して遠紫外光３の露
光部を除去しパターン２＆を形成し九（第１図ｄ）。ノ
くターン２１Ｌは０．６μｍのコントラスト８７６のき
りたったライン・アンド・スペースノ（ターンでアシ全
く熱変形はなかった。
説明する。半導体等の基板１上にポジ型レジスト２を塗
布する（第１図＆）。この後ｇ線縮小投影露光装置によ
シマスフ４を介して露光を行った（第１図ｂ）。なお、
このとき用いたステッハノ開口数ｔｒｉ ０．４２ 、
露光量は１ｓ ｏ ｍＪ／ｄであった。つぎに、ＫｒＦ
エキシマレーザよシ発せられる２ ４８ ｎｆｆ１の遠
紫外光３をｓｏｍＪ／Ｃ！１となるようにパルス照射し
た。１発あたりのエネルギーは１ｏｍＪＡ４であった（
第１図Ｃ）。最後に、シブレイ社アルカリ現像液（ＭＦ
３１４）にょうてレジスト２を現像して遠紫外光３の露
光部を除去しパターン２＆を形成し九（第１図ｄ）。ノ
くターン２１Ｌは０．６μｍのコントラスト８７６のき
りたったライン・アンド・スペースノ（ターンでアシ全
く熱変形はなかった。
なお、エキシマレーザ光としてムｒＦ（１９ｓｎｍ）。
ｘｅｃＢａｏｓｎｍ ）を用いた場合にも全く同様の結
果がえられた。
果がえられた。
発明の効果
本発明の方法によればサブミクロンの微細ノくターンが
簡便な方法で得られるために、半導体素子の歩留まシ向
上につながり工業的価値が高い。
簡便な方法で得られるために、半導体素子の歩留まシ向
上につながり工業的価値が高い。
第１図ａ −６は本発明のパターン形成方法の一実施例
の工程断面図、第２図ａ −ｄは従来のノ（ターン形成
方法の工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・レジスト、３・・
・・・・遠紫外光（ｇＭ）、＋・・・・・・マスク、６
・・・・・・エキシマレーザ光、２ト・・・・・パター
ン。
の工程断面図、第２図ａ −ｄは従来のノ（ターン形成
方法の工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・レジスト、３・・
・・・・遠紫外光（ｇＭ）、＋・・・・・・マスク、６
・・・・・・エキシマレーザ光、２ト・・・・・パター
ン。
Claims (2)
- （１）基板上に感光性樹脂材料を塗布する工程と、選択
的に露光を行う工程と、エキシマレーザ光を照射する工
程と、アルカリ現像により前記材料を現像する工程とを
備えてなるパターン形成方法。 - （２）エキシマレーザ光がＸｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌか
ら発せられる光である特許請求の範囲第１項に記載のパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264506A JPH01107526A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264506A JPH01107526A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01107526A true JPH01107526A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17404183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62264506A Pending JPH01107526A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01107526A (ja) |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62264506A patent/JPH01107526A/ja active Pending
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