JPS5833246A - ポジ型レジストのパタ−ン形成方法 - Google Patents
ポジ型レジストのパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5833246A JPS5833246A JP56131579A JP13157981A JPS5833246A JP S5833246 A JPS5833246 A JP S5833246A JP 56131579 A JP56131579 A JP 56131579A JP 13157981 A JP13157981 A JP 13157981A JP S5833246 A JPS5833246 A JP S5833246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- etching
- electron beams
- pattern
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は集積回路を製造するための微細加工用に’Ｉ
Ｃ［Ｌなポジ型レジストのパターン形成方法に関するも
のである。
Ｃ［Ｌなポジ型レジストのパターン形成方法に関するも
のである。
近年ＬＳＩや磁気バルブ等の大容量化及び高密度化に対
する要求が強く、）々ターンに対して益々これを微細化
するための技術の確立が急務とされて居シ、これに伴っ
て、かかる目的のための新しいリングラフィ技術が次々
と開発され提案されている。
する要求が強く、）々ターンに対して益々これを微細化
するための技術の確立が急務とされて居シ、これに伴っ
て、かかる目的のための新しいリングラフィ技術が次々
と開発され提案されている。
とζろで電子線リソグラフィはサシミクロンのミクロン
形成の中心技術をなすものであ）、既に転写マスクの製
作に実用化されはじめている。
形成の中心技術をなすものであ）、既に転写マスクの製
作に実用化されはじめている。
かかる電子線リソグラフィによる転写マスクの製作に用
いるレジスト材料としては、Ｉリグリシジルメタクリレ
ート（ＰＧＭＡ）やグリシジルメタクリレートとエチル
アクリレートの共重合体（ＣＯＰ）等のネガ型レジスト
が一般的である。
いるレジスト材料としては、Ｉリグリシジルメタクリレ
ート（ＰＧＭＡ）やグリシジルメタクリレートとエチル
アクリレートの共重合体（ＣＯＰ）等のネガ型レジスト
が一般的である。
しかしこのネガ型レジストは、所謂スカムやブリッジの
発生の恐れが多く特にサブミクロン寸法の加工が困難で
ある問題がある。
発生の恐れが多く特にサブミクロン寸法の加工が困難で
ある問題がある。
一方？ジレジストは、一般に解像性に優れて居シサノミ
クロンの加工を可能ならしめる利点があり、又、カソー
ドを含めた電子ｍ露光装置の改良もなされて居シ、比較
的低感層であるポリメチルメタクリレ−）（ＰＭＭＡ）
等を用いることも可能となっている。
クロンの加工を可能ならしめる利点があり、又、カソー
ドを含めた電子ｍ露光装置の改良もなされて居シ、比較
的低感層であるポリメチルメタクリレ−）（ＰＭＭＡ）
等を用いることも可能となっている。
そして現在前記ＰＭＭＡよシ更に高感度のポジ型レジス
トとして、例えば商品名ＦＢＭ（ダイキン工業社）ある
いはＥＢＲ−９（東し社）等が市販されている。
トとして、例えば商品名ＦＢＭ（ダイキン工業社）ある
いはＥＢＲ−９（東し社）等が市販されている。
ただ、これらの４ジ型レジストヲ用いて上述の。
転写マスクを作成する場合、現像後のレジストパターン
を用いてクロムをエツチングする必要があるが、上記現
像のみを行ったレジストパターンでは、エツチングが著
しく困難になること、エツチング時間が長時間になるこ
とあるいは該エツチングが一様に進行しないこと等の問
題があった。
を用いてクロムをエツチングする必要があるが、上記現
像のみを行ったレジストパターンでは、エツチングが著
しく困難になること、エツチング時間が長時間になるこ
とあるいは該エツチングが一様に進行しないこと等の問
題があった。
この原因は、上述の現像を行っただけのレジストツクタ
ーンでは、レジストの薄層が残っていることに依るもの
であり、このため現在、該現像後に酸素プラズマによる
所謂アッシング作業を加えている。
ーンでは、レジストの薄層が残っていることに依るもの
であり、このため現在、該現像後に酸素プラズマによる
所謂アッシング作業を加えている。
しかしこの酸素プラズマによるアッシング作条はその工
程が非常に煩雑で製造能率を著し、〈低下させるばか９
でなく、面内の寸法安定性を損−うなどの重大な欠点が
免かれなかった。
程が非常に煩雑で製造能率を著し、〈低下させるばか９
でなく、面内の寸法安定性を損−うなどの重大な欠点が
免かれなかった。
そこでこの有利なポジ型しジスト會用いてしかも現像に
よる・臂ターン形成後にクロムのエツチングが好適に行
われ得る如き処理方法の開発が強く望まれていた。
よる・臂ターン形成後にクロムのエツチングが好適に行
われ得る如き処理方法の開発が強く望まれていた。
発明者等はかかる事情に鑑み、多数の試験研究を重ねた
結果、上述の電子ＩＩ描画による現像ボッパターンに、
遠紫外線を一括照射し更に現像することにより驚くほど
の効果がもたらされることを見出しこの発明に至ったの
である。
結果、上述の電子ＩＩ描画による現像ボッパターンに、
遠紫外線を一括照射し更に現像することにより驚くほど
の効果がもたらされることを見出しこの発明に至ったの
である。
即ちこの発明は、基板上に、電子線の照射で崩壊して一
ジ型となるレジスト組成物による被膜を形成し、電子線
によるパターン掻画を行った稜現像して−レジストツク
ターンを作成し、しかる後に遠紫外線を一括照射し、更
に現像を行うことを特徴とするポジ型レジストの・ｆタ
ーン形成方法である。
ジ型となるレジスト組成物による被膜を形成し、電子線
によるパターン掻画を行った稜現像して−レジストツク
ターンを作成し、しかる後に遠紫外線を一括照射し、更
に現像を行うことを特徴とするポジ型レジストの・ｆタ
ーン形成方法である。
この発明が上記の作用効果をもたらす理由は次のように
考えられる。
考えられる。
即ちこの発明で用いるレジスト組成物は電子線により崩
壊する本のであシ、上記電子線照射部の現像にて、該現
像液に電子線照射部は溶解し去ることになる。しかし極
く薄いレジスト層が残存してしまうのが一般的に避けら
れないのであり、これがその後のクロムのエツチングを
阻害するのである。
壊する本のであシ、上記電子線照射部の現像にて、該現
像液に電子線照射部は溶解し去ることになる。しかし極
く薄いレジスト層が残存してしまうのが一般的に避けら
れないのであり、これがその後のクロムのエツチングを
阻害するのである。
この発明では、上記現像後のパターンに遠紫外線を一括
照射するものでアシ、これによって前記薄層のレノスト
が崩壊しその後の現像でこれが完全に除去され、以後の
クロムのエツチングが非常に好適に行われるのである。
照射するものでアシ、これによって前記薄層のレノスト
が崩壊しその後の現像でこれが完全に除去され、以後の
クロムのエツチングが非常に好適に行われるのである。
この発明において用いられるポジ型レジスト材料として
は上述の如く電子線及び遠紫外線によシ崩壊形であり、
具体的には次のようなものが用いられる。
は上述の如く電子線及び遠紫外線によシ崩壊形であり、
具体的には次のようなものが用いられる。
ポリへキサフルオロブチルメタクリレートポリトリフル
オロエチルα−クロロアクリレートＦ ？リメチルメタクリレート ０−ＣＨ。
オロエチルα−クロロアクリレートＦ ？リメチルメタクリレート ０−ＣＨ。
Ｉリゾプロムプロビルメタクリレート
ポリクロログロビルメタクリレート
ポリエチルα−フルオロアクリレート
Ｈ
ポリメチルα−ブロムアクリレート
以下この発明ｔ−Ｘ体的な実施例を示しつつより詳細に
説明する。
説明する。
実施例１
ガラス基板上にクロムｉ６０■蒸着してなるクロムブラ
ンク基板上に、前記のポリへキサフルオロブチルメタク
リレートをスピンコーティング法によシ０．５μｍ厚に
塗布した。１６０℃で３０分ノリペ°−りを行った後電
子線によシバターンを描画した。
ンク基板上に、前記のポリへキサフルオロブチルメタク
リレートをスピンコーティング法によシ０．５μｍ厚に
塗布した。１６０℃で３０分ノリペ°−りを行った後電
子線によシバターンを描画した。
この場合の電子線の加速電圧は２０ＫＶ、 Ｄｏｓｅ量
は２×ｌＯ″″１６”／ａｄとした。
は２×ｌＯ″″１６”／ａｄとした。
パターン描画後、ＭＩＢＫ： ＩＰＡ＝ｌ ： １００
Ｍ液で現像し、音素プロアによ如乾燥した後、更に
２００Ｗ重水素ランプを用い６０秒遠紫外細照射全行な
い、前記と同じ現像液にて再び現像した。
Ｍ液で現像し、音素プロアによ如乾燥した後、更に
２００Ｗ重水素ランプを用い６０秒遠紫外細照射全行な
い、前記と同じ現像液にて再び現像した。
そして１００℃にて３０分間ポストベークを行ない、次
に硝酸第２セリウムアンモニウム系エッチャントによシ
フロム層のエツチングを行った。
に硝酸第２セリウムアンモニウム系エッチャントによシ
フロム層のエツチングを行った。
このエツチングは４０秒で完了し、更に２０秒オーバエ
ツチングを行ったところ鮮明な０．８μｍのラインアン
ドスペースのエッチングノ臂ターンが得られた。
ツチングを行ったところ鮮明な０．８μｍのラインアン
ドスペースのエッチングノ臂ターンが得られた。
比較のために上記遠紫外線照射及びその後の現像を省き
他は同様に行ったが、この場合エツチング時間１２０秒
にしてエツチング不能の部分があり、結果的にエツチン
グむらが目立っていた。
他は同様に行ったが、この場合エツチング時間１２０秒
にしてエツチング不能の部分があり、結果的にエツチン
グむらが目立っていた。
実施例２
実施例１に用い、た基板上に、ポリトリフルオロエチル
α−クロロアクリレートｉ０．５層塗布した。
α−クロロアクリレートｉ０．５層塗布した。
１３０℃、３０分のプリベークを行°つた稜、５ｘ６０
１０ ／、 Ｄｏｓｅ量で電子線描画を行ない、Ｍ
ＩＢＫ： ＩＰＡ＝７ 二３ 現像液にて現像した。
ＩＢＫ： ＩＰＡ＝７ 二３ 現像液にて現像した。
実施例１の如く音素プロアにて乾燥後、同様にして６０
秒間遠紫外線の一括照射を行ない前記現像液にて再現像
した。
秒間遠紫外線の一括照射を行ない前記現像液にて再現像
した。
１００℃、３０分間４ストベークを行った後、実ｍｔｌ
ｊｌと同様にクロムのエツチングを行ったところ、エツ
チング時間６０秒にて０．８μｍの鮮明なエツチングノ
？ターンが好適に得られた。
ｊｌと同様にクロムのエツチングを行ったところ、エツ
チング時間６０秒にて０．８μｍの鮮明なエツチングノ
？ターンが好適に得られた。
比較のために上記遠紫外線照射及びその後の現像金省き
他は同様に行ったが、この場合エツチング時間５分間に
してエツチング不能の部分があり、エツチングむらが著
しかった。
他は同様に行ったが、この場合エツチング時間５分間に
してエツチング不能の部分があり、エツチングむらが著
しかった。
手続補正書
昭和５６年１０月７日
特許庁長官島田春樹 殿
１、事件の表示
昭和５６年特許 願第１３１５７９ 号２、発明
の名称 ポジ灘レジストのノ母ターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
的）６、補正の対象 明細書の全文 ７、補正の内容 別紙の通りタイプ浄書した明細書の 全文を提出する。− 手続補正書 昭和５６年１Ｃ゛月１（Ｆｌｌ 特許庁長官島田春樹 殿 １、事件の表示 昭和６６年 特 許 願第 １３１５７９号２、発明の
名称 ／ｙｍしＶストの／臂ターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２Ｇ）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 １−１（
自発的）６、補正の対象 発明の詳細な説明 ７、補正の内容 （１）明細書７頁の、 ［ポリジブロムプロビルメタクリレート」 「ポリジブロムプロビルメタクリレート（２）四８頁実
施例１の第１行ｒ ６０ ｍｍ Ｊとあるのを、ｒ６０
ｎｍＪと訂正する。
の名称 ポジ灘レジストのノ母ターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
的）６、補正の対象 明細書の全文 ７、補正の内容 別紙の通りタイプ浄書した明細書の 全文を提出する。− 手続補正書 昭和５６年１Ｃ゛月１（Ｆｌｌ 特許庁長官島田春樹 殿 １、事件の表示 昭和６６年 特 許 願第 １３１５７９号２、発明の
名称 ／ｙｍしＶストの／臂ターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２Ｇ）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 １−１（
自発的）６、補正の対象 発明の詳細な説明 ７、補正の内容 （１）明細書７頁の、 ［ポリジブロムプロビルメタクリレート」 「ポリジブロムプロビルメタクリレート（２）四８頁実
施例１の第１行ｒ ６０ ｍｍ Ｊとあるのを、ｒ６０
ｎｍＪと訂正する。
（３）同８頁下から４行ｒ２Ｘ１０ Ｊとあるのをｒ
２ｘｔｏ Ｊと訂正する。
２ｘｔｏ Ｊと訂正する。
Claims (2)
- （１）基板上に、電子線の照射で崩壊して４ジ型となる
レジスト組成物による被Ｍｔ−形成し、電子線によるノ
４ターン描ｉｉｉを行った４１現像してレジスト／譬タ
ーン【作成し、しかる＊に遠紫外線を一括照射し、更に
現像を行うととｔ−特徴とする４ジ型レジストのΔター
ン形成方法。 - （２）前記（２）項のレジスト組成物として次式、（式
中ＸはＣＨａ ｅ Ｃ１＃ ＢｒあるいはＦ、又Ｒは炭
素原子１〜４個のアルキル基、又は該アルキル基の１個
以上の水素がＦ −Ｃ” ＊ Ｂｒで置換されたハロダ
ン化アルキル基會示す。） を用いることｔ−特徴とする前（，１１項記載のポジ型
レジストのパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131579A JPS5833246A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | ポジ型レジストのパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131579A JPS5833246A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | ポジ型レジストのパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833246A true JPS5833246A (ja) | 1983-02-26 |
Family
ID=15061345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56131579A Pending JPS5833246A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | ポジ型レジストのパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833246A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029745A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS61108135A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Dainippon Printing Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| US4976810A (en) * | 1990-03-06 | 1990-12-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming pattern and apparatus for implementing the same |
| US5157091A (en) * | 1987-10-07 | 1992-10-20 | Murahara Masataka | Ultraviolet-absorbing polymer material and photoetching process |
| US6593058B1 (en) | 1998-09-23 | 2003-07-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
| US6849377B2 (en) | 1998-09-23 | 2005-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
-
1981
- 1981-08-24 JP JP56131579A patent/JPS5833246A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029745A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPH0377988B2 (ja) * | 1983-07-28 | 1991-12-12 | Fujitsu Ltd | |
| JPS61108135A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Dainippon Printing Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPH0550845B2 (ja) * | 1984-10-31 | 1993-07-30 | Dainippon Printing Co Ltd | |
| US5157091A (en) * | 1987-10-07 | 1992-10-20 | Murahara Masataka | Ultraviolet-absorbing polymer material and photoetching process |
| US4976810A (en) * | 1990-03-06 | 1990-12-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming pattern and apparatus for implementing the same |
| US6593058B1 (en) | 1998-09-23 | 2003-07-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
| US6849377B2 (en) | 1998-09-23 | 2005-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
| US7276323B2 (en) | 1998-09-23 | 2007-10-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
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