JPH0550845B2 - - Google Patents
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- JPH0550845B2 JPH0550845B2 JP59229908A JP22990884A JPH0550845B2 JP H0550845 B2 JPH0550845 B2 JP H0550845B2 JP 59229908 A JP59229908 A JP 59229908A JP 22990884 A JP22990884 A JP 22990884A JP H0550845 B2 JPH0550845 B2 JP H0550845B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、LSI、超LSI等の高密度集積回路あ
るいはそれ等の製造に用いるフオトマスクの製造
の際のレジストパターン形成法に関し、更に詳し
くはポジ型電子線レジストのレジストパターン形
成方法に関する。
るいはそれ等の製造に用いるフオトマスクの製造
の際のレジストパターン形成法に関し、更に詳し
くはポジ型電子線レジストのレジストパターン形
成方法に関する。
周知のように、近年、半導体集積回路等の高性
能化、高集積度化への要求は一層増大している。
このためリソグラフイー技術としては、従来の紫
外線を用いたフオトリソグラフイーに代つて、電
子線、軟Ｘ線、イオンビーム等を用いるリソグラ
フイーにより超微細にパターン加工技術を確立す
る努力が払われており、フオトマスクの製造では
既に電子線リソグラフイーが工業的に実用されて
いる。
能化、高集積度化への要求は一層増大している。
このためリソグラフイー技術としては、従来の紫
外線を用いたフオトリソグラフイーに代つて、電
子線、軟Ｘ線、イオンビーム等を用いるリソグラ
フイーにより超微細にパターン加工技術を確立す
る努力が払われており、フオトマスクの製造では
既に電子線リソグラフイーが工業的に実用されて
いる。
このような超微細リソグラフイー技術を可能と
するためには使用されるレジスト材料はそれに応
える特性を有するものでなければならない。又、
レジストの製版のプロセスも超微細加工の品質を
左右するもので非常に重要である。
するためには使用されるレジスト材料はそれに応
える特性を有するものでなければならない。又、
レジストの製版のプロセスも超微細加工の品質を
左右するもので非常に重要である。
一般に、電子線レジストとしては、数多くのも
のが開発されている。これらは、電子線の照射に
よつて崩壊反応を起して照射部が可溶化するポジ
型レジストと、電子線の照射によつて架橋反応を
起し照射部が不溶化するネガ型レジスタとに分類
される。両者をうちポジ型レジストは超微細な高
解像画像を形成し得る点でネガ型よりも優れてい
る。
のが開発されている。これらは、電子線の照射に
よつて崩壊反応を起して照射部が可溶化するポジ
型レジストと、電子線の照射によつて架橋反応を
起し照射部が不溶化するネガ型レジスタとに分類
される。両者をうちポジ型レジストは超微細な高
解像画像を形成し得る点でネガ型よりも優れてい
る。
しかしながら、ポジ型レジストの中でも、２，
２，２−トリクロロエチルメタクリレート重合
体、２，２，２−トリフルオロエチル−α−クロ
ロアクリレート重合体、ヘキサフルオロブチルメ
タクリレート重合体などのハロゲン化アルキルメ
タクリレート重合体を主成分とする電子線ポジ型
レジストは、任意の基板に塗布し、乾燥し、電子
線でパターン描画し、所定の現像液で現像した後
に、基板表面に厚さ10〜100Å程度のレジスト残
渣がパターン周辺部に残存し、しかもパターン間
隔が小さくなる程レジスト残渣の残存現像が著し
く生じるという欠点を有する。
２，２−トリクロロエチルメタクリレート重合
体、２，２，２−トリフルオロエチル−α−クロ
ロアクリレート重合体、ヘキサフルオロブチルメ
タクリレート重合体などのハロゲン化アルキルメ
タクリレート重合体を主成分とする電子線ポジ型
レジストは、任意の基板に塗布し、乾燥し、電子
線でパターン描画し、所定の現像液で現像した後
に、基板表面に厚さ10〜100Å程度のレジスト残
渣がパターン周辺部に残存し、しかもパターン間
隔が小さくなる程レジスト残渣の残存現像が著し
く生じるという欠点を有する。
而してレジスト残渣はレジストパターンの画質
を著しく損ねたり、次のエツチング工程で障害と
なり、エツチングむらやエツチング残りを生じ
て、最終的に製品を不良としてしまう。
を著しく損ねたり、次のエツチング工程で障害と
なり、エツチングむらやエツチング残りを生じ
て、最終的に製品を不良としてしまう。
それゆえ、従来ハロゲン化アルキルメタクリレ
ート重合体を主成分とする電子線レジストは、次
にのべるような方法によつてレジストパターンの
形成がなされている。
ート重合体を主成分とする電子線レジストは、次
にのべるような方法によつてレジストパターンの
形成がなされている。
先ず、所定の基板上に一定の膜厚の電子線レジ
ストを塗布し、乾燥させる。次に電子線でパター
ンを描画し、次いで所定の現象液で現像して、レ
ジストパターンを得る。この時パターン周辺部に
レジスト残渣が生ずる。次にポストベーキングし
てレジストを硬化させた後に、ドライエツチング
装置内で酸素プラズマガスでレジスト残渣、いわ
ゆるスカムを除くデスカム工程（又はライトアツ
シング工程）を入れて、レジスト残渣を除去し所
望のレジストパターンを得ている。そのため、従
来デスカム装置として円筒型又は平行平板型のド
ライエツチング装置を必要とし、その操作及び条
件設定も複雑で慎重な制御を必要とするのみらず
真空系を使用するためプロセスが繁雑であつた。
ストを塗布し、乾燥させる。次に電子線でパター
ンを描画し、次いで所定の現象液で現像して、レ
ジストパターンを得る。この時パターン周辺部に
レジスト残渣が生ずる。次にポストベーキングし
てレジストを硬化させた後に、ドライエツチング
装置内で酸素プラズマガスでレジスト残渣、いわ
ゆるスカムを除くデスカム工程（又はライトアツ
シング工程）を入れて、レジスト残渣を除去し所
望のレジストパターンを得ている。そのため、従
来デスカム装置として円筒型又は平行平板型のド
ライエツチング装置を必要とし、その操作及び条
件設定も複雑で慎重な制御を必要とするのみらず
真空系を使用するためプロセスが繁雑であつた。
そこで本発明が解決しようとする問題点は上記
の欠点を改良した、繁雑な酸素プラズマ等による
ドライエツチングのデスカム工程なしに高品質の
レジストパターンを得る方法を提供することにあ
る。
の欠点を改良した、繁雑な酸素プラズマ等による
ドライエツチングのデスカム工程なしに高品質の
レジストパターンを得る方法を提供することにあ
る。
本発明者は上記の問題点を解決すべく研究の結
果、電子線の照射によりポジ型となり、且つ遠紫
外線の照射によつてもポジ型となるレジスト粗製
物を用いて、加工を施こすべき基板上にレジスト
被膜を形成し、電子線照射によりパターンを描画
し、次いで現像してレジストパターンを生成し、
次いで遠紫外線を数分間全面照射することにより
レジスト残渣を除去することができること、及び
遠紫外線の照射を基板を加熱しながら行なうこと
によりレジスト残渣の除去効果を更に高めること
ができることを見いだし、かかる知見にもとずい
て本発明を完成したものである。
果、電子線の照射によりポジ型となり、且つ遠紫
外線の照射によつてもポジ型となるレジスト粗製
物を用いて、加工を施こすべき基板上にレジスト
被膜を形成し、電子線照射によりパターンを描画
し、次いで現像してレジストパターンを生成し、
次いで遠紫外線を数分間全面照射することにより
レジスト残渣を除去することができること、及び
遠紫外線の照射を基板を加熱しながら行なうこと
によりレジスト残渣の除去効果を更に高めること
ができることを見いだし、かかる知見にもとずい
て本発明を完成したものである。
即ち、第１の発明の要旨は電子線の照射により
ポジ型となり、且つ遠紫外線の照射によつてもポ
ジ型となるレジスト組成物を用いて、加工を施こ
すべき基板上にレジスト被膜を形成し、電子線照
射によりパターンを描画し、次いで現像してレジ
ストパターンを生成し、次いで遠紫外線を全面照
射してパターン周辺部を残存するレジスト残渣を
除去すること、及び遠紫外線照射工程の前もしく
は後においてポストベーキングを行なつてレジス
トを硬化せさせることを特徴とするレジストパタ
ーンの形成方法であり、第２の発明の要旨は電子
線の照射によりポジ型となり、且つ遠紫外線の照
射によつてポジ型となるレジスト組成物を用い
て、加工を施こすべき基板上にレジスト被膜を形
成し、電子線照射によりパターンを描画し、次い
で現像してレジストパターンを生成し、次いで基
板を加熱しながら遠紫外線を全面照射してパター
ン周辺部に残存するレジスト残渣を除去するこ
と、及び遠紫外線照射工程の前もしくは後に、ボ
ストベーキングを行なつてレジストを硬化させる
ことを特徴とするレジストパターンの形成方法で
ある。
ポジ型となり、且つ遠紫外線の照射によつてもポ
ジ型となるレジスト組成物を用いて、加工を施こ
すべき基板上にレジスト被膜を形成し、電子線照
射によりパターンを描画し、次いで現像してレジ
ストパターンを生成し、次いで遠紫外線を全面照
射してパターン周辺部を残存するレジスト残渣を
除去すること、及び遠紫外線照射工程の前もしく
は後においてポストベーキングを行なつてレジス
トを硬化せさせることを特徴とするレジストパタ
ーンの形成方法であり、第２の発明の要旨は電子
線の照射によりポジ型となり、且つ遠紫外線の照
射によつてポジ型となるレジスト組成物を用い
て、加工を施こすべき基板上にレジスト被膜を形
成し、電子線照射によりパターンを描画し、次い
で現像してレジストパターンを生成し、次いで基
板を加熱しながら遠紫外線を全面照射してパター
ン周辺部に残存するレジスト残渣を除去するこ
と、及び遠紫外線照射工程の前もしくは後に、ボ
ストベーキングを行なつてレジストを硬化させる
ことを特徴とするレジストパターンの形成方法で
ある。
以下、本発明を詳細に説明する。
第１図ａに示す如く、シリコンウエハやフオト
マスクブランクなどの加工対象とする所定の基板
１の上に、スピンナーなどによりポジ型電子線レ
ジストを回転塗布し、乾燥させて、厚さ0.2μｍ〜
2μｍの均一なレジスト膜２を得る。レジストの
乾燥温度や時間は、レジストそれぞれのポリマー
や溶媒の特性によつて異なるが、一般に70℃〜
150℃、30分が用いられている。
マスクブランクなどの加工対象とする所定の基板
１の上に、スピンナーなどによりポジ型電子線レ
ジストを回転塗布し、乾燥させて、厚さ0.2μｍ〜
2μｍの均一なレジスト膜２を得る。レジストの
乾燥温度や時間は、レジストそれぞれのポリマー
や溶媒の特性によつて異なるが、一般に70℃〜
150℃、30分が用いられている。
本発明において用いられるポジ型レジストとし
ては、デスカム工程を必要とする一般のポジ型レ
ジストが使用され、その好適な例としてポリ−
２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル
メタクリレート（商品名 ダイキン工業製
FBM）、ポリ−１，１−ジメチル−２，２，３，
３−テトラフルオロプロピルメタクリレート（商
品名 ダイキン工業製FPM）、ポリ−２，２，２
−トリクロロエチルメタクリレート（商品名 東
レ製EBR−１）、ポリ−２，２，２−トリフルオ
ロエチル−α−クロロアクリレート（商品名 東
レ製EBR−９）、等のポリハロゲン化アルキルメ
タクリレート系レジストがあげられる。
ては、デスカム工程を必要とする一般のポジ型レ
ジストが使用され、その好適な例としてポリ−
２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル
メタクリレート（商品名 ダイキン工業製
FBM）、ポリ−１，１−ジメチル−２，２，３，
３−テトラフルオロプロピルメタクリレート（商
品名 ダイキン工業製FPM）、ポリ−２，２，２
−トリクロロエチルメタクリレート（商品名 東
レ製EBR−１）、ポリ−２，２，２−トリフルオ
ロエチル−α−クロロアクリレート（商品名 東
レ製EBR−９）、等のポリハロゲン化アルキルメ
タクリレート系レジストがあげられる。
次に第１図ｂの如く、電子線３でパターン描画
し、所定の現像液で現像して、第１図ｃの如く、
レジストパターン４を得る。この時本発明に用い
られるデスカム工程を必要とするポジ型レジスト
は、パターン周辺部にレジスト残渣５が生ずる。
現像液としては、各々のレジストの所定の現像液
が以いられる。
し、所定の現像液で現像して、第１図ｃの如く、
レジストパターン４を得る。この時本発明に用い
られるデスカム工程を必要とするポジ型レジスト
は、パターン周辺部にレジスト残渣５が生ずる。
現像液としては、各々のレジストの所定の現像液
が以いられる。
次に第１図ｄに示す如く、レジストパターン４
を有する基板１の全面にパターン側より波長
180nｍ〜300nｍの遠紫外線６を全面照射する。
照射時間は使用するレジスト、照射波長、光源の
出力により若干異なるが、数分〜数10分が適用し
得る。遠紫外線６を照射することによりレジスト
残渣（スカム）５は取り除かれ、第１図ｅに示す
如く所望の良好なレジスト残渣のないレジストパ
ターン７を形成せしめる。第１図ｅの次に通常実
施されているレジスト工程、即ちポストベーク工
程、基板エツチング工程、レジスト剥膜工程が順
次行なわれる。
を有する基板１の全面にパターン側より波長
180nｍ〜300nｍの遠紫外線６を全面照射する。
照射時間は使用するレジスト、照射波長、光源の
出力により若干異なるが、数分〜数10分が適用し
得る。遠紫外線６を照射することによりレジスト
残渣（スカム）５は取り除かれ、第１図ｅに示す
如く所望の良好なレジスト残渣のないレジストパ
ターン７を形成せしめる。第１図ｅの次に通常実
施されているレジスト工程、即ちポストベーク工
程、基板エツチング工程、レジスト剥膜工程が順
次行なわれる。
尚、本発明においてポストベーキング工程を遠
紫外線照射工程の前に行なつても良い。
紫外線照射工程の前に行なつても良い。
本発明において遠紫外線の照射によるレジスト
残渣を除去する工程を酸素雰囲気中で行なうこと
によりレジスト残渣の除去をより効果的に行なう
ことができる。
残渣を除去する工程を酸素雰囲気中で行なうこと
によりレジスト残渣の除去をより効果的に行なう
ことができる。
以上は第１の発明の方法についての説明であ
る。
る。
次に第２の発明の方法について説明する。
この第２の発明の方法は遠紫外線の照射を基板
を50〜150℃に加熱しながら行なう点が第１の発
明の方法と異なるのみで、他の構成は第１の発明
の構成と同一である。
を50〜150℃に加熱しながら行なう点が第１の発
明の方法と異なるのみで、他の構成は第１の発明
の構成と同一である。
基板の加熱によりレジスト残渣の除去が早めら
れる。この場合加熱温度は使用するレジストの種
類により異なるが、レジストパターンの解像性を
低下させないためには、各々のレジストのガラス
転移温度以下に抑える必要がある。又、照射時間
は数分〜10分が適当である。
れる。この場合加熱温度は使用するレジストの種
類により異なるが、レジストパターンの解像性を
低下させないためには、各々のレジストのガラス
転移温度以下に抑える必要がある。又、照射時間
は数分〜10分が適当である。
遠紫外線６の照射によりレジスト残渣５が除去
される。このレジスト残渣が除去される機構の詳
細は明らかではないが、次の様に推定される。ポ
ジ型レジストであるポリハロゲン化アルキルメタ
クリレート系のレジスト残渣（スカム）は、電子
線照射によりレジストが主鎖切断などを起こし低
分子量化した化合物である。このスカムに高エネ
ルギー線である遠紫外線が再び照射されることに
より、低分子量化したスカムは更に分解し、気化
性の物質即ち、水素、炭酸ガス、一酸化炭素、メ
タン、ハロゲンガスなどが生成し、留去されると
考えられる。
される。このレジスト残渣が除去される機構の詳
細は明らかではないが、次の様に推定される。ポ
ジ型レジストであるポリハロゲン化アルキルメタ
クリレート系のレジスト残渣（スカム）は、電子
線照射によりレジストが主鎖切断などを起こし低
分子量化した化合物である。このスカムに高エネ
ルギー線である遠紫外線が再び照射されることに
より、低分子量化したスカムは更に分解し、気化
性の物質即ち、水素、炭酸ガス、一酸化炭素、メ
タン、ハロゲンガスなどが生成し、留去されると
考えられる。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例 １
クロムマスクブランク基板上にポリ−２，２，
３−４，４，４−ヘキサフルオロブチルメタクリ
レートを主成分とするレジスト（商品名 ダイキ
ン工業製FBM−120）をスピンナー塗布し、140
℃で30分間プリベーキングし、膜厚0.5μｍのレジ
スト膜を得た。次に電子線露光装置にてパターン
描画し専用の現像液（商品名 FBM−120D）で
23℃、60秒スプレー現像し、専用のリンス液（商
品名、FBM−120R）で23℃、30秒スプレーリン
スし、レジストパターンを得た。このレジストパ
ターンは光学顕微鏡下でレジスト残渣（スカム）
の存在が認められた。
３−４，４，４−ヘキサフルオロブチルメタクリ
レートを主成分とするレジスト（商品名 ダイキ
ン工業製FBM−120）をスピンナー塗布し、140
℃で30分間プリベーキングし、膜厚0.5μｍのレジ
スト膜を得た。次に電子線露光装置にてパターン
描画し専用の現像液（商品名 FBM−120D）で
23℃、60秒スプレー現像し、専用のリンス液（商
品名、FBM−120R）で23℃、30秒スプレーリン
スし、レジストパターンを得た。このレジストパ
ターンは光学顕微鏡下でレジスト残渣（スカム）
の存在が認められた。
次に波長190nｍ〜250nｍの遠紫外線を出す
500WのXe−Hgランプにより、距離50cmにて常
温、大気中でレジストパターンを約３分全面照射
した。
500WのXe−Hgランプにより、距離50cmにて常
温、大気中でレジストパターンを約３分全面照射
した。
この全面照射したレジストパターンを再び光学
顕微鏡下で観察すると、レジスト残渣（スカム）
は完全に除去され、良好なレジストパターンが形
成されていることが確認された。
顕微鏡下で観察すると、レジスト残渣（スカム）
は完全に除去され、良好なレジストパターンが形
成されていることが確認された。
次に80℃ 30分ポストベーキングし、硝酸第２
セリウムアンモニウム水溶液で40秒間ウエツトエ
ウチングし、レジストパターン通りにクロムがエ
ツチングされた。次に酸素プラズマでレジストを
除去し、パターニングしたクロムフオトマスクを
得た。
セリウムアンモニウム水溶液で40秒間ウエツトエ
ウチングし、レジストパターン通りにクロムがエ
ツチングされた。次に酸素プラズマでレジストを
除去し、パターニングしたクロムフオトマスクを
得た。
実施例 ２
表面低反射２層クロムマスクブランク基板上に
ポリ−２，２，２−トリフルオロエチル−α−ク
ロロアクリレートを主成分とするレジスト（商品
名、東レ製EBR−９）をスピンナー塗布し、200
℃で30分間プリベーキングしレジスト膜を得た。
次に電子線でパターン描画し、専用現像液、リン
ス液で現像、リンスし、レジストパターンを得
た。
ポリ−２，２，２−トリフルオロエチル−α−ク
ロロアクリレートを主成分とするレジスト（商品
名、東レ製EBR−９）をスピンナー塗布し、200
℃で30分間プリベーキングしレジスト膜を得た。
次に電子線でパターン描画し、専用現像液、リン
ス液で現像、リンスし、レジストパターンを得
た。
次にホツトプレート上で基板を80℃に加熱しな
がら400Wの重水素ランプにより30cmの距離から
大気中で約３分間レジストパターンを全面照射
し、レジスト残渣（スカム）の除去されたパター
ンを形成した。
がら400Wの重水素ランプにより30cmの距離から
大気中で約３分間レジストパターンを全面照射
し、レジスト残渣（スカム）の除去されたパター
ンを形成した。
以上、詳記した通り、本発明の方法によればド
ライエツチング装置を用いずしてレジスト残渣の
除去を簡単に行なうことができる。
ライエツチング装置を用いずしてレジスト残渣の
除去を簡単に行なうことができる。
第１図ａ〜ｅは本発明の方法の過程を示す模式
図である。 １……基板、２……レジスト膜、３……電子
線、４……レジストパターン、５……レジスト残
渣、６……遠紫外線。
図である。 １……基板、２……レジスト膜、３……電子
線、４……レジストパターン、５……レジスト残
渣、６……遠紫外線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子線の照射によりポジ型となり、且つ遠紫
外線の照射によつてもポジ型となるレジスト組成
物を用いて、加工を施こすべき基板上にレジスト
被膜を形成し、電子線照射によりパターンを描画
し、次いで現像してジストパターンを生成し、次
いで遠紫外線を全面照射してパターン周辺部に残
存するレジスト残渣を除去すること、及び遠紫外
線照射工程の前もしくは後においてポストベーキ
ングを行なつてレジストを硬化させることを特徴
とするレジストパターンの形成方法。 ２ 前記レジスト組成物としてポリハロゲン化ア
ルキルメタクリレートからなる群から選ばれた重
合体よりなるレジスト組成物を用いることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のレジストパタ
ーンの形成方法。 ３ 遠紫外線の照射を酸素雰囲気中で行なうこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
載のレジストパターンの形成方法。 ４ 電子線の照射によりポジ型となり、且つ遠紫
外線の照射によつてもポジ型となるレジスト組成
物を用いて、加工を施こすべき基板上にレジスト
被膜を形成し、電子線照射によりパターンを描画
し、次いで現像してレジストパターンを生成し、
次いで基板を加熱しながら遠紫外線を全面照射し
てパターン周辺部に残存するレジスト残渣を除去
すること、及び遠紫外線照射工程の前もしくは後
においてポストベーキングを行なつてレジストを
硬化させることを特徴とするレジストパターンの
形成方法。 ５ 前記レジスト組成物としてポリハロゲン化ア
ルキルメタクリレートからなる群から選ばれた重
合体よりなるレジスト組成物を用いることを特徴
とする特許請求の範囲第４項記載のレジストパタ
ーンの形成方法。 ６ 遠紫外線の照射を酸素雰囲気中で行なうこと
を特徴とする特許請求の範囲第４項又は第５項記
載のレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59229908A JPS61108135A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59229908A JPS61108135A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108135A JPS61108135A (ja) | 1986-05-26 |
| JPH0550845B2 true JPH0550845B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=16899614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59229908A Granted JPS61108135A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108135A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4162756B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2008-10-08 | 富士通株式会社 | 膜のパターニング方法 |
| JP2011008848A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | レジスト除去方法及び磁気記録媒体製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518638A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ionized radiation sensitive positive type resist |
| JPS5833246A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | ポジ型レジストのパタ−ン形成方法 |
| JPS6177852A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-21 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP59229908A patent/JPS61108135A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518638A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ionized radiation sensitive positive type resist |
| JPS5833246A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | ポジ型レジストのパタ−ン形成方法 |
| JPS6177852A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-21 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61108135A (ja) | 1986-05-26 |
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