JP3035535B1 - パタ―ン形成方法及びパタ―ン形成装置 - Google Patents
パタ―ン形成方法及びパタ―ン形成装置Info
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- JP3035535B1 JP3035535B1 JP27899A JP27899A JP3035535B1 JP 3035535 B1 JP3035535 B1 JP 3035535B1 JP 27899 A JP27899 A JP 27899A JP 27899 A JP27899 A JP 27899A JP 3035535 B1 JP3035535 B1 JP 3035535B1
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Abstract
【要約】
【課題】 ネガ型のシリル化プロセスを実現することを
目的とする。 【解決手段】 化学増幅型のポジ型レジストを基板１上
に塗布して加熱を行うことなく、レジスト膜３を形成す
る工程と、前記レジスト膜３に所望のパターン形状を持
つマスク４を介してエネルギービーム（ＡｒＦエキシマ
レーザー光５）を照射して露光する工程と、露光後に前
記レジスト膜３を加熱する工程と、前記レジスト膜３に
シリル化処理７を行い、前記レジスト膜３の露光部の表
面にシリコンを導入する工程と、前記シリコンを導入し
た露光部をマスクとして前記レジスト膜に対してドライ
エッチング９を行って、レジストパターン３Ａを形成す
る工程とを備えている。
目的とする。 【解決手段】 化学増幅型のポジ型レジストを基板１上
に塗布して加熱を行うことなく、レジスト膜３を形成す
る工程と、前記レジスト膜３に所望のパターン形状を持
つマスク４を介してエネルギービーム（ＡｒＦエキシマ
レーザー光５）を照射して露光する工程と、露光後に前
記レジスト膜３を加熱する工程と、前記レジスト膜３に
シリル化処理７を行い、前記レジスト膜３の露光部の表
面にシリコンを導入する工程と、前記シリコンを導入し
た露光部をマスクとして前記レジスト膜に対してドライ
エッチング９を行って、レジストパターン３Ａを形成す
る工程とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子製造等
におけるパターン形成方法及びパターン形成装置、更
に、該方法に用いられるパターン形成材料に関するもの
である。
におけるパターン形成方法及びパターン形成装置、更
に、該方法に用いられるパターン形成材料に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子等の製造においては、
紫外線を用いたフォトリソグラフィによってパターン形
成を行っているが、半導体素子の微細化に伴って短波長
光源の使用が進められている。短波長光源を使用する場
合、焦点深度を高めたり、実用解像度を向上させたりす
るために、近年、ドライ現像を用いた表面解像プロセス
の開発が進められてきている。
紫外線を用いたフォトリソグラフィによってパターン形
成を行っているが、半導体素子の微細化に伴って短波長
光源の使用が進められている。短波長光源を使用する場
合、焦点深度を高めたり、実用解像度を向上させたりす
るために、近年、ドライ現像を用いた表面解像プロセス
の開発が進められてきている。
【０００３】表面解像プロセスとしては、Ｐｒｏｃ．Ｓ
ＰＩＥ，Ｖｏｌｕｍｅ３３３３，ｐ．１８８（１９９
８）に開示されているごとく、化学増幅型のポジ型レジ
ストを用いたネガ型シリル化プロセスが提案されてい
る。ネガ型シリル化プロセスは、露光によるレジスト中
の酸発生剤からの酸発生によりレジストのポリマーであ
るポリ（ｔ−ブチルフェノール）のｔ−ブチル基を脱保
護させ、脱保護されてポリ（ビニールフェノール）とな
った露光部のレジストにのみシリル化処理によって選択
的にＳｉ（ケイ素、即ち、シリコン）を導入する。後の
酸素プラズマエッチングによりＳｉの導入されていない
未露光部が選択的に除去され、ネガ型のパターンが形成
されるものである。
ＰＩＥ，Ｖｏｌｕｍｅ３３３３，ｐ．１８８（１９９
８）に開示されているごとく、化学増幅型のポジ型レジ
ストを用いたネガ型シリル化プロセスが提案されてい
る。ネガ型シリル化プロセスは、露光によるレジスト中
の酸発生剤からの酸発生によりレジストのポリマーであ
るポリ（ｔ−ブチルフェノール）のｔ−ブチル基を脱保
護させ、脱保護されてポリ（ビニールフェノール）とな
った露光部のレジストにのみシリル化処理によって選択
的にＳｉ（ケイ素、即ち、シリコン）を導入する。後の
酸素プラズマエッチングによりＳｉの導入されていない
未露光部が選択的に除去され、ネガ型のパターンが形成
されるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の方法では、パターン形状が不良で、パターンの解
像性が悪いという課題があった。以下、このような従来
のパターン形成方法を、図３（ａ）〜（ｅ）及び図４の
フローチャートを用いて説明する。シリル化用のレジス
トとして、以下の組成のレジストを用いた。 （１）ポリ（ｔ−ブチルフェノール）・・・・・１０ｇ （２）ジフェニルジスルフォン［酸発生剤］・・０．３
ｇ （３）ジグライム［溶媒］・・・・・・・・・・４０ｇ
従来の方法では、パターン形状が不良で、パターンの解
像性が悪いという課題があった。以下、このような従来
のパターン形成方法を、図３（ａ）〜（ｅ）及び図４の
フローチャートを用いて説明する。シリル化用のレジス
トとして、以下の組成のレジストを用いた。 （１）ポリ（ｔ−ブチルフェノール）・・・・・１０ｇ （２）ジフェニルジスルフォン［酸発生剤］・・０．３
ｇ （３）ジグライム［溶媒］・・・・・・・・・・４０ｇ
【０００５】基板１上に上記レジストを塗布し（Ｓ１
２）、９０℃６０秒のプリベーク（加熱）２を行い（Ｓ
１３）、０．４μｍ厚のレジスト膜３０を得た（図３
（ａ））。所望のパターンを描いたマスク４を介してＡ
ｒＦエキシマレーザー光５にて露光を行う（図３
（ｂ），Ｓ１４）。この後、露光後ベークとして、９０
℃９０秒の加熱６を行い（Ｓ１５）、ｔ−ブチル基の脱
保護を促進させる（図３（ｃ））。次に、ジメチルシリ
ルジメチルアミンにより気相のシリル化処理７を行い
（Ｓ１６）、露光部にＳｉを導入してシリル化層８０を
形成した（図３（ｄ））。その後、シリル化層８０をマ
スクとして、レジスト膜３０に対して酸素とＳＯ2を主
ガスとするＴＣＰ方式のドライエッチング９を行い（Ｓ
１７）、０．１３μｍパターン３０Ａを形成した。パタ
ーン３０Ａは、形状が崩れた不良パターンであった（図
３（ｅ））。
２）、９０℃６０秒のプリベーク（加熱）２を行い（Ｓ
１３）、０．４μｍ厚のレジスト膜３０を得た（図３
（ａ））。所望のパターンを描いたマスク４を介してＡ
ｒＦエキシマレーザー光５にて露光を行う（図３
（ｂ），Ｓ１４）。この後、露光後ベークとして、９０
℃９０秒の加熱６を行い（Ｓ１５）、ｔ−ブチル基の脱
保護を促進させる（図３（ｃ））。次に、ジメチルシリ
ルジメチルアミンにより気相のシリル化処理７を行い
（Ｓ１６）、露光部にＳｉを導入してシリル化層８０を
形成した（図３（ｄ））。その後、シリル化層８０をマ
スクとして、レジスト膜３０に対して酸素とＳＯ2を主
ガスとするＴＣＰ方式のドライエッチング９を行い（Ｓ
１７）、０．１３μｍパターン３０Ａを形成した。パタ
ーン３０Ａは、形状が崩れた不良パターンであった（図
３（ｅ））。
【０００６】このような不良パターンの原因としては、
露光部のｔ−ブチル基の脱保護が十分でなく、そのため
に、後のシリル化処理によるシリル化層８０のＳｉの含
有量が少なかったため、ドライエッチングに十分耐えな
かったと考えられる。このような不良パターンは、後工
程の不良につながり、ひいては、半導体素子製造の歩留
まり低下の原因となり、非常に大きな課題となってい
る。
露光部のｔ−ブチル基の脱保護が十分でなく、そのため
に、後のシリル化処理によるシリル化層８０のＳｉの含
有量が少なかったため、ドライエッチングに十分耐えな
かったと考えられる。このような不良パターンは、後工
程の不良につながり、ひいては、半導体素子製造の歩留
まり低下の原因となり、非常に大きな課題となってい
る。
【０００７】この発明は、シリル化処理を用いた半導体
素子製造において、微細パターンを正確に形成すること
ができる方法及び装置を提供することを目的とする。
素子製造において、微細パターンを正確に形成すること
ができる方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの従来
の課題を鑑み、化学増幅型のポジ型レジストを基板上に
塗布して加熱を行うことなく、レジスト膜を形成する工
程と、前記レジスト膜に所望のパターン形状を持つマス
クを介してエネルギービームを照射して露光する工程
と、露光後に、前記レジスト膜を加熱する工程と、前記
レジスト膜にシリル化処理を行い、前記レジスト膜の露
光部の表面にシリコンを導入する工程と、前記シリコン
を導入した露光部をマスクとして前記レジスト膜に対し
てドライエッチングを行って、レジストパターンを形成
する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成
方法である。
の課題を鑑み、化学増幅型のポジ型レジストを基板上に
塗布して加熱を行うことなく、レジスト膜を形成する工
程と、前記レジスト膜に所望のパターン形状を持つマス
クを介してエネルギービームを照射して露光する工程
と、露光後に、前記レジスト膜を加熱する工程と、前記
レジスト膜にシリル化処理を行い、前記レジスト膜の露
光部の表面にシリコンを導入する工程と、前記シリコン
を導入した露光部をマスクとして前記レジスト膜に対し
てドライエッチングを行って、レジストパターンを形成
する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成
方法である。
【０００９】加熱していないレジスト膜は、露光により
発生した酸の拡散がより大きくなりやすく、このため
に、露光によるｔ−ブチル基の脱保護がより多くなるこ
とを本発明者は見出した。ｔ−ブチル基の脱保護がより
多くなることによって、シリル化処理によるレジスト膜
の露光部へのＳｉの導入がより多くなり、後のドライエ
ッチングに十分に耐えるマスクとなり、形状の良好なパ
ターンが形成できる。
発生した酸の拡散がより大きくなりやすく、このため
に、露光によるｔ−ブチル基の脱保護がより多くなるこ
とを本発明者は見出した。ｔ−ブチル基の脱保護がより
多くなることによって、シリル化処理によるレジスト膜
の露光部へのＳｉの導入がより多くなり、後のドライエ
ッチングに十分に耐えるマスクとなり、形状の良好なパ
ターンが形成できる。
【００１０】なお、前述した露光後にレジスト膜を加熱
する工程は、ｔ−ブチル基の脱保護を促進させるもので
あるが、なくてもよい。
する工程は、ｔ−ブチル基の脱保護を促進させるもので
あるが、なくてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明のパターン形成方法
を、図１（ａ）〜（ｅ）及び図２のフローチャートを用
いて説明する。なお、図２の左側には、半導体パターン
形成装置の各装置名を示している。ここでは、化学増幅
型のポジ型レジストを用いたネガ型シリル化プロセスの
場合を説明する。シリル化用のレジストとして、以下の
組成のレジストを用いた。 （１）ポリ（ｔ−ブチルフェノール）・・・・・１０ｇ （２）ジフェニルジスルフォン［酸発生剤］・・０．３
ｇ （３）ジグライム［溶媒］・・・・・・・・・・４０ｇ
を、図１（ａ）〜（ｅ）及び図２のフローチャートを用
いて説明する。なお、図２の左側には、半導体パターン
形成装置の各装置名を示している。ここでは、化学増幅
型のポジ型レジストを用いたネガ型シリル化プロセスの
場合を説明する。シリル化用のレジストとして、以下の
組成のレジストを用いた。 （１）ポリ（ｔ−ブチルフェノール）・・・・・１０ｇ （２）ジフェニルジスルフォン［酸発生剤］・・０．３
ｇ （３）ジグライム［溶媒］・・・・・・・・・・４０ｇ
【００１２】基板１上に上記レジストを塗布し（Ｓ１
２）、プリベークを行ことなく、０．４μｍ厚のレジス
ト膜３を得た（図１（ａ））。所望のパターンを描いた
マスク４を介してＡｒＦエキシマレーザー光５にて露光
を行う（図１（ｂ），Ｓ１４）。プリベークを行わない
レジスト膜は、露光により発生した酸の拡散がより大き
くなりやすい。このため、露光によるｔ−ブチル基の脱
保護がより多くなる。この後、露光後ベークとして９０
℃９０秒の加熱６を行い（Ｓ１５）、ｔ−ブチル基の脱
保護を促進させる（図１（ｃ））。次に、ジメチルシリ
ルジメチルアミンにより気相のシリル化処理７を行い
（Ｓ１６）、露光部にＳｉを導入してシリル化層８を形
成した（図１（ｄ））。ｔ−ブチル基の脱保護が多いた
め、シリル化処理によるＳｉの導入も多くなり、シリル
化層８がドライエッチングに十分耐えるマスクとなる。
その後、シリル化層８をマスクとしてレジスト膜３に対
して酸素とＳＯ2（二酸化硫黄）を主ガスとするＴＣＰ
方式のドライエッチング９を行い（Ｓ１７）、０．１３
μｍパターン３Ａを形成した。パターン３Ａは、形状が
矩形の良好なパターンであった（図２（ｅ））。
２）、プリベークを行ことなく、０．４μｍ厚のレジス
ト膜３を得た（図１（ａ））。所望のパターンを描いた
マスク４を介してＡｒＦエキシマレーザー光５にて露光
を行う（図１（ｂ），Ｓ１４）。プリベークを行わない
レジスト膜は、露光により発生した酸の拡散がより大き
くなりやすい。このため、露光によるｔ−ブチル基の脱
保護がより多くなる。この後、露光後ベークとして９０
℃９０秒の加熱６を行い（Ｓ１５）、ｔ−ブチル基の脱
保護を促進させる（図１（ｃ））。次に、ジメチルシリ
ルジメチルアミンにより気相のシリル化処理７を行い
（Ｓ１６）、露光部にＳｉを導入してシリル化層８を形
成した（図１（ｄ））。ｔ−ブチル基の脱保護が多いた
め、シリル化処理によるＳｉの導入も多くなり、シリル
化層８がドライエッチングに十分耐えるマスクとなる。
その後、シリル化層８をマスクとしてレジスト膜３に対
して酸素とＳＯ2（二酸化硫黄）を主ガスとするＴＣＰ
方式のドライエッチング９を行い（Ｓ１７）、０．１３
μｍパターン３Ａを形成した。パターン３Ａは、形状が
矩形の良好なパターンであった（図２（ｅ））。
【００１３】本発明において、エネルギービームとして
はＡｒＦエキシマレーザーを用いたが、これに代えて、
ＫｒＦエキシマレーザー、他の遠紫外線、Ｆ2エキシマ
レーザー、他のＶＵＶ光（真空紫外線）、１３ｎｍ光、
他のＥＵＶ光（極紫外線）、ＥＢ（電子線）又はＸ線等
を用いてもよい。
はＡｒＦエキシマレーザーを用いたが、これに代えて、
ＫｒＦエキシマレーザー、他の遠紫外線、Ｆ2エキシマ
レーザー、他のＶＵＶ光（真空紫外線）、１３ｎｍ光、
他のＥＵＶ光（極紫外線）、ＥＢ（電子線）又はＸ線等
を用いてもよい。
【００１４】本発明において、シリル化処理は、気相又
は液相等により行ってよい。
は液相等により行ってよい。
【００１５】本発明において、シリル化処理に用いるシ
リル化剤は、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチル
シリルジエチルアミン又はジメチルアミノジメチルジシ
ラン等を用いてもよく、これらに限定されない。
リル化剤は、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチル
シリルジエチルアミン又はジメチルアミノジメチルジシ
ラン等を用いてもよく、これらに限定されない。
【００１６】
【発明の効果】本発明を用いることにより、半導体素子
製造等のパターン形成を高精度に行うことができること
から、本発明は、工業的価値が極めて大きい。
製造等のパターン形成を高精度に行うことができること
から、本発明は、工業的価値が極めて大きい。
【図１】 本発明のパターン形成方法の各工程を示す断
面図である。
面図である。
【図２】 本発明のパターン形成方法のフローチャート
図である。
図である。
【図３】 従来のパターン形成方法の各工程を示す断面
図である。
図である。
【図４】 従来のパターン形成方法のフローチャート図
である。
である。
１ 基板、２ 加熱、３ 加熱していないレジスト膜、
３０ 加熱したレジスト膜、３Ａ，３０Ａ レジストパ
ターン、４ マスク、５ ＡｒＦエキシマレーザー光、
６ 加熱、７ シリル化処理、８ シリル化層、９ ド
ライエッチング。
３０ 加熱したレジスト膜、３Ａ，３０Ａ レジストパ
ターン、４ マスク、５ ＡｒＦエキシマレーザー光、
６ 加熱、７ シリル化処理、８ シリル化層、９ ド
ライエッチング。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｚ 21/302 Ｊ 21/30 ５６８ (56)参考文献 特開 平８−62860（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−78756（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−273943（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−303211（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−303210（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−87320（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−87319（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−52357（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−72922（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−106938（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42
Claims (5)
- 【請求項１】 ｔ−ブチル基により保護されたポリ（ｔ
−ブチルフェノール）と酸発生剤とを有する化学増幅型
のポジ型レジストを基板上に塗布して加熱を行うことな
くレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に所望のパターン形状を持つマスクを介
してエネルギービームを照射して露光することにより酸
発生剤から酸を発生させ、ポリ（ｔ−ブチルフェノー
ル）のｔ−ブチル基を脱保護させる工程と、 前記レジスト膜にシリル化処理を行い、前記レジスト膜
の露光部の表面にシリコンを導入する工程と、 前記シリコンを導入した露光部をマスクとして前記レジ
スト膜に対してドライエッチングを行って、レジストパ
ターンを形成する工程とを備え、 加熱を行うことなくレジスト膜を形成することにより、
加熱を行ってレジスト膜を形成する場合に比べて、露光
により発生した酸の拡散を大きくし、ｔ−ブチル基の脱
保護を多くする ことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記エネルギービームは、ＫｒＦ，Ａｒ
Ｆ，Ｆ2，ＶＵＶ光，１３ｎｍ光，ＥＵＶ光，ＥＢ又は
Ｘ線であることを特徴とする請求項１記載のパターン形
成方法。 - 【請求項３】 前記シリル化処理は、気相又は液相によ
り行うことを特徴とする請求項２記載のパターン形成方
法。 - 【請求項４】 前記シリル化処理に用いるシリル化剤
は、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジ
エチルアミン又はジメチルアミノジメチルジシランであ
ることを特徴とする請求項２記載のパターン形成方法。 - 【請求項５】 ｔ−ブチル基により保護されたポリ（ｔ
−ブチルフェノール）と酸発生剤とを有する化学増幅型
のポジ型レジストを基板上に塗布して加熱を行うことな
くレジスト膜を形成する手段と、 前記レジスト膜に所望のパターン形状を持つマスクを介
してエネルギービームを照射して露光することにより酸
発生剤から酸を発生させ、ポリ（ｔ−ブチルフェノー
ル）のｔ−ブチル基を脱保護させる手段と、 前記レジスト膜にシリル化処理を行い、前記レジスト膜
の露光部の表面にシリコンを導入する手段と、 前記シリコンを導入した露光部をマスクとして前記レジ
スト膜に対してドライエッチングを行って、レジストパ
ターンを形成する手段とを備え、 加熱を行うことなくレジスト膜を形成することにより、
加熱を行ってレジスト膜を形成する場合に比べて、露光
により発生した酸の拡散を大きくし、ｔ−ブチル基の脱
保護を多くする ことを特徴とするパターン形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27899A JP3035535B1 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | パタ―ン形成方法及びパタ―ン形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27899A JP3035535B1 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | パタ―ン形成方法及びパタ―ン形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3035535B1 true JP3035535B1 (ja) | 2000-04-24 |
| JP2000199969A JP2000199969A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11469448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27899A Expired - Fee Related JP3035535B1 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | パタ―ン形成方法及びパタ―ン形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3035535B1 (ja) |
-
1999
- 1999-01-05 JP JP27899A patent/JP3035535B1/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000199969A (ja) | 2000-07-18 |
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