JPS6161153A - ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 - Google Patents
ネガ型レジストのパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6161153A JPS6161153A JP59182588A JP18258884A JPS6161153A JP S6161153 A JPS6161153 A JP S6161153A JP 59182588 A JP59182588 A JP 59182588A JP 18258884 A JP18258884 A JP 18258884A JP S6161153 A JPS6161153 A JP S6161153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- resist film
- pattern
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置等の製造に際してのレジストパタ
ーンの形成方法に関するものである。
ーンの形成方法に関するものである。
（従来の技術）
一般に半導体装置等の製造に際し、基板上に金属層ある
いは絶縁物層等の被着層のパターンを形成する方法とし
ては、エツチングによる方法及びリフトオフを用いる方
法がある。
いは絶縁物層等の被着層のパターンを形成する方法とし
ては、エツチングによる方法及びリフトオフを用いる方
法がある。
前記の’Ｊ ７７１−４フを用いる方法は、作業が簡便
であり、又エツチングの困難な金属でも容易に加工でき
、更に、特にドライエツチングに際して問題になる基板
へのダメージが発生しない優ねた利点がある。
であり、又エツチングの困難な金属でも容易に加工でき
、更に、特にドライエツチングに際して問題になる基板
へのダメージが発生しない優ねた利点がある。
１ツかしながらこのようなリフ）・オフに際してマスク
としてレジストを用いる場合には、該レジスト膜の断面
形状、溶解性等に関し厳しい条件が要求される。
としてレジストを用いる場合には、該レジスト膜の断面
形状、溶解性等に関し厳しい条件が要求される。
即ちリフｌ−４７により容易に被着層がパターニングさ
れ得るためには、該レジス１へ膜上に被着された被着層
がレジストの溶解と共に容易に除去し得る乙とが必要で
あること、及びこのためにはパターン形成されたレジメ
）・膜の断面形状が所謂オーバーハング形状となってい
ることが強く要求される。
れ得るためには、該レジス１へ膜上に被着された被着層
がレジストの溶解と共に容易に除去し得る乙とが必要で
あること、及びこのためにはパターン形成されたレジメ
）・膜の断面形状が所謂オーバーハング形状となってい
ることが強く要求される。
かかる璃−バーハング形状を得るｔこめに現在レジメ１
−を多層化するか、又はポジ型フォトレジス）・、例え
ばＡ Ｚ −１３５０Ｊ ｉ ５ｈｉｐｌｅｙ社製フ
ォトレジメ１−の商品名）を用いクロロベンゼン処′理
を行うなどの手段がとられている。
−を多層化するか、又はポジ型フォトレジス）・、例え
ばＡ Ｚ −１３５０Ｊ ｉ ５ｈｉｐｌｅｙ社製フ
ォトレジメ１−の商品名）を用いクロロベンゼン処′理
を行うなどの手段がとられている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし他方、これらの処理手段はその作業が煩雑であり
、又スループット性に劣り、更にそのパターン再現性が
必ずしも良好とは云いがたい問題があった。そして今後
、半導体デバイス等に対してはその集積度が益々高まり
、したがってサブミクロンのパターンが必要となるため
該レジスＩ・に対しては著しい高解像性が要求される機
運にある。
、又スループット性に劣り、更にそのパターン再現性が
必ずしも良好とは云いがたい問題があった。そして今後
、半導体デバイス等に対してはその集積度が益々高まり
、したがってサブミクロンのパターンが必要となるため
該レジスＩ・に対しては著しい高解像性が要求される機
運にある。
更に上記リフトオフプロセスの作業性を向上させるため
には、現像のみでレジスト膜断面にオーバーハング形状
を形成することが要求されるが、かかる現像で用いる現
像液はアルカリ水溶液に比へて安定でかつ取扱いやすい
有機溶剤を用いることが有利である。
には、現像のみでレジスト膜断面にオーバーハング形状
を形成することが要求されるが、かかる現像で用いる現
像液はアルカリ水溶液に比へて安定でかつ取扱いやすい
有機溶剤を用いることが有利である。
結局高感度でありかつサブミクロンを解像できる高解像
性を有し、」二連の如き有機溶剤で現像が行われしかも
該現像後のレジスト膜断面がオーバーハング形状を有し
、得られたレジストパターンが他の有機溶剤で容易に除
去し得る如きレジストパターンの形成方法の開発が強く
望まねているのが実情である （問題点を解決するだめの手段） 本発明は、基板上に、ノボラック樹脂と、２，３゜４−
１〜リヒドロキシベンゾフエノンのナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステルからなるレジスト皮膜を形成し、
この皮膜に短波長の紫外線を選択的に照射（７て露光し
、有機溶剤を用いて現像することを特徴とずろ高感度で
かつサブミクロンの解像力を有し、しかも現像のみてオ
ーバーハングを形成できるネガレジストのパターン形成
方法である。
性を有し、」二連の如き有機溶剤で現像が行われしかも
該現像後のレジスト膜断面がオーバーハング形状を有し
、得られたレジストパターンが他の有機溶剤で容易に除
去し得る如きレジストパターンの形成方法の開発が強く
望まねているのが実情である （問題点を解決するだめの手段） 本発明は、基板上に、ノボラック樹脂と、２，３゜４−
１〜リヒドロキシベンゾフエノンのナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステルからなるレジスト皮膜を形成し、
この皮膜に短波長の紫外線を選択的に照射（７て露光し
、有機溶剤を用いて現像することを特徴とずろ高感度で
かつサブミクロンの解像力を有し、しかも現像のみてオ
ーバーハングを形成できるネガレジストのパターン形成
方法である。
（発明の作用）
この発明は特に後記実施例によっても明らかな如く、−
」−記ノボラック樹脂と、２，３．４−トリヒドロキシ
ベンゾフェノンのす７１〜キノンジアジドスルホン酸エ
ステルとからなる１／シスト材料を用い短波長紫外線に
より露光し、有機溶剤で現像することによって高感度で
かつサブミクロンのレジストパターンを形成し得るので
あり、しかも該レジストの断面は上記リフトオフに適し
たオーバーハング形状を呈することになる。
」−記ノボラック樹脂と、２，３．４−トリヒドロキシ
ベンゾフェノンのす７１〜キノンジアジドスルホン酸エ
ステルとからなる１／シスト材料を用い短波長紫外線に
より露光し、有機溶剤で現像することによって高感度で
かつサブミクロンのレジストパターンを形成し得るので
あり、しかも該レジストの断面は上記リフトオフに適し
たオーバーハング形状を呈することになる。
これに対して同様に比較例でも明らかなようにノボラッ
ク樹脂のみては本発明の有機溶剤による現像ではパター
ニングし得ないのである。
ク樹脂のみては本発明の有機溶剤による現像ではパター
ニングし得ないのである。
本発明レジスト中には、キノンジアジド基が存在するが
、これは実施例２の結果の如く紫外線により分解しても
高感度を有するため、該ジアジド基は関与していないと
考えられる。又、遠紫外線領域ての光吸収が大きいこと
及び現像時の溶剤によるパターンの膨潤が殆んど起らな
いことなどにより上記オーバーハング形状が適切に形成
されるものと略考えられる。
、これは実施例２の結果の如く紫外線により分解しても
高感度を有するため、該ジアジド基は関与していないと
考えられる。又、遠紫外線領域ての光吸収が大きいこと
及び現像時の溶剤によるパターンの膨潤が殆んど起らな
いことなどにより上記オーバーハング形状が適切に形成
されるものと略考えられる。
（実施例）
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例ル
ジメト材料として、重量比でノボラック樹脂６ 対２．
３．４−トリヒドロキシベンゾフエノンのナフ）ヘキノ
ンジアジドスルホン酸エステル（ＢＰＥ ）１をメチル
セロソルブアセテートに溶解した溶液−４＝ を用い、これをシリコン基板上に０．５μｍの厚さで塗
布しレジスト材料を形成した。
３．４−トリヒドロキシベンゾフエノンのナフ）ヘキノ
ンジアジドスルホン酸エステル（ＢＰＥ ）１をメチル
セロソルブアセテートに溶解した溶液−４＝ を用い、これをシリコン基板上に０．５μｍの厚さで塗
布しレジスト材料を形成した。
次にこの基板を８０℃で３０分間熱処理１ツ、５００Ｗ
１Ｘｅ−１１ｇランプによる主として２００〜２８０
ｎｍ （コルドミラーにより２８０ ｎｍより長波長光
ζまカッｌ−）の短波長紫外線でマスク密着介在下で１
０秒間露光を行った。次に１００℃で３０分ベーキング
した後、酢酸イソアミル１０対シクロヘキサン２（体積
比）溶液を用い、２３℃の温度で２０秒間現像し、パタ
ーニングを行ったところ、０．５μｍのラインアンドス
ペースのネガパターンが解像されていることが確認され
た。
１Ｘｅ−１１ｇランプによる主として２００〜２８０
ｎｍ （コルドミラーにより２８０ ｎｍより長波長光
ζまカッｌ−）の短波長紫外線でマスク密着介在下で１
０秒間露光を行った。次に１００℃で３０分ベーキング
した後、酢酸イソアミル１０対シクロヘキサン２（体積
比）溶液を用い、２３℃の温度で２０秒間現像し、パタ
ーニングを行ったところ、０．５μｍのラインアンドス
ペースのネガパターンが解像されていることが確認され
た。
更に得られた１／シストパターンの断面形状を走査型電
子顕微鏡（以下ＳＥＭと略す）で観察したところ、明ら
かに基板上のレジスト材料の断面がオーバーハングとな
っていることが認められた。
子顕微鏡（以下ＳＥＭと略す）で観察したところ、明ら
かに基板上のレジスト材料の断面がオーバーハングとな
っていることが認められた。
実施例２
レジスト材料として、ノボラック樹脂５対上記ＢＰＥＩ
ｆｆｆｉｆｆｉ比）をメチルセロソルブアセテ−１−
に溶解したものを用いた外は、実施例１と同様の方法で
シリコン基板上に皮膜形成及び熱処理を行った。このレ
ジスト皮膜に３５０〜４５０ ｎｍの紫外線を２５０Ｗ
の超高圧水銀ランプで６０秒全面照射し然る後、実施例
１て用いたＸＸｅ−４（ランプにより１０秒間露光を行
った。そして酢酸ｎ−プロピル５対シクロヘキサン２の
溶液にて２３℃で１０秒間現像したところ０．５μｍの
ラインアンドスペースが解像されたことが分かった。レ
ジメトパターンの断面形状は略同様に好適なオーバーハ
ングとなっていることが認められｔこ。
ｆｆｆｉｆｆｉ比）をメチルセロソルブアセテ−１−
に溶解したものを用いた外は、実施例１と同様の方法で
シリコン基板上に皮膜形成及び熱処理を行った。このレ
ジスト皮膜に３５０〜４５０ ｎｍの紫外線を２５０Ｗ
の超高圧水銀ランプで６０秒全面照射し然る後、実施例
１て用いたＸＸｅ−４（ランプにより１０秒間露光を行
った。そして酢酸ｎ−プロピル５対シクロヘキサン２の
溶液にて２３℃で１０秒間現像したところ０．５μｍの
ラインアンドスペースが解像されたことが分かった。レ
ジメトパターンの断面形状は略同様に好適なオーバーハ
ングとなっていることが認められｔこ。
比較例
ノボラック樹脂のみをレジスト材料として用いた他は実
施例１と同様に行った。然る後上記Ｘｅ−Ｈｇランプに
て５０秒間露光を行い、酢酸イソアミル１対シクロヘキ
サン２ （同）の溶液にて２３℃で２０秒間現像を行っ
たところレジストのパターンは形成し得なかった。
施例１と同様に行った。然る後上記Ｘｅ−Ｈｇランプに
て５０秒間露光を行い、酢酸イソアミル１対シクロヘキ
サン２ （同）の溶液にて２３℃で２０秒間現像を行っ
たところレジストのパターンは形成し得なかった。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、特に
上述のリフトオフによるパターン形成が高精度でかつ著
しく容易に実施できるなどの効果を示し、特に高集積化
された半導体装置２表面弾性波素子、磁気バブル素子及
び光応用部品の製造に利用して好適でありその工業的利
用価値は極めて高い。
上述のリフトオフによるパターン形成が高精度でかつ著
しく容易に実施できるなどの効果を示し、特に高集積化
された半導体装置２表面弾性波素子、磁気バブル素子及
び光応用部品の製造に利用して好適でありその工業的利
用価値は極めて高い。
昭和６０年６攬７日
Claims (1)
- 基板上に、ノボラック樹脂と、２、３、４−トリヒド
ロキシベンゾフエノンのナフトキノンジアジドスルホン
酸エステルからなるレジスト皮膜を形成する工程、及び
このレジスト皮膜に短波長の紫外線を選択的に照射して
露光し、未露光部を有機溶剤にて溶出する工程を含むこ
とを特徴とするネガ型レジストのパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182588A JPS6161153A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182588A JPS6161153A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161153A true JPS6161153A (ja) | 1986-03-28 |
Family
ID=16120913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59182588A Pending JPS6161153A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161153A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625241A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | フオトマスクの製造方法 |
| JPH01144463A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-06 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| EP0390173A2 (en) * | 1989-03-29 | 1990-10-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Micropattern-forming material and process for forming micropattern |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP59182588A patent/JPS6161153A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625241A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | フオトマスクの製造方法 |
| JPH01144463A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-06 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| EP0390173A2 (en) * | 1989-03-29 | 1990-10-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Micropattern-forming material and process for forming micropattern |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20050010821A (ko) | 포토 마스크 제조 및 반도체 공정에서 사용하기 위한감광성의 화학적 증폭형 포토레지스트 | |
| JPS6161153A (ja) | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 | |
| JPS6150377B2 (ja) | ||
| JPH0334053B2 (ja) | ||
| JPH0458170B2 (ja) | ||
| JPH01142721A (ja) | ポジ型感光性パターン形成材料およびパターン形成方法 | |
| JPS59141230A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6161151A (ja) | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 | |
| JPH0334055B2 (ja) | ||
| JPS6161152A (ja) | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 | |
| JPS6045246A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS60203944A (ja) | ポジ型フオトレジストの除去法 | |
| JPS61241745A (ja) | ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法 | |
| JP2000241990A (ja) | フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPS625241A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS6156867B2 (ja) | ||
| JPH0550845B2 (ja) | ||
| JPS59207628A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS61131446A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JP2506385B2 (ja) | レジストのパタ―ニング方法 | |
| JPH08241840A (ja) | レジスト・パターンの形成方法 | |
| JPH0569215B2 (ja) | ||
| JPS62299844A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS58171031A (ja) | パタ−ン形成材料 | |
| JPS62183449A (ja) | パタ−ン形成方法 |