JPS6161151A - ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 - Google Patents
ネガ型レジストのパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6161151A JPS6161151A JP59182586A JP18258684A JPS6161151A JP S6161151 A JPS6161151 A JP S6161151A JP 59182586 A JP59182586 A JP 59182586A JP 18258684 A JP18258684 A JP 18258684A JP S6161151 A JPS6161151 A JP S6161151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist film
- pattern
- substrate
- formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置等の製造に際してのレジストパタ
ーンの形成方法に関するものである。
ーンの形成方法に関するものである。
（従来の技術）
一般に半導体装置等の製造に際し、基板上に金属層ある
いは絶縁物層等の被着層のパターンを形成する方法とし
ては、エツチングによる方法及びリフトオフを用いる方
法がある。
いは絶縁物層等の被着層のパターンを形成する方法とし
ては、エツチングによる方法及びリフトオフを用いる方
法がある。
前記のりフトオフを用いる方法は、作業が簡便であり、
又エツチングの困難な金属でも容易に加工でき、更に、
特にドライエツチングに際して問題になる基板へのダメ
ージが発生しない擾れｔ：利点がある。
又エツチングの困難な金属でも容易に加工でき、更に、
特にドライエツチングに際して問題になる基板へのダメ
ージが発生しない擾れｔ：利点がある。
しかしながら乙のようなリフ１−オフに際してマスクと
してレジストを用いる場合には、該レジスト膜の断面形
状、溶解性等に関し厳しい条件が要求される。
してレジストを用いる場合には、該レジスト膜の断面形
状、溶解性等に関し厳しい条件が要求される。
即ちリフトオフにより容易に被着層がパターニングされ
得るためには、該レジスト膜上に被着された被着層がレ
ジメ１〜の溶解と共に容易に除去し得ることが必要であ
ること、及びこのためにはパターン形成されたレジスト
膜の断面形状が所謂オーバーハング形状となっているこ
とが強く要求される。
得るためには、該レジスト膜上に被着された被着層がレ
ジメ１〜の溶解と共に容易に除去し得ることが必要であ
ること、及びこのためにはパターン形成されたレジスト
膜の断面形状が所謂オーバーハング形状となっているこ
とが強く要求される。
かかるオーバーハング形状を得るｔコめに現在レジスト
を多層化するか、又はポジ型フォトレジスト、例えばＡ
Ｚ−１３５０Ｊ （５ｈｉｐｌｅｙ社製フォトレジスト
の商品名）を用いクロロベンセン処理を行うなどの手段
がとられている。
を多層化するか、又はポジ型フォトレジスト、例えばＡ
Ｚ−１３５０Ｊ （５ｈｉｐｌｅｙ社製フォトレジスト
の商品名）を用いクロロベンセン処理を行うなどの手段
がとられている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし他方、これらの処理手段はその作業が煩雑であり
、又スループット性に劣り、更にそのパターン再現性が
必ずしも良好とは云いがたい問題があった。そして今後
、半導体デバイス等に対してはその集積度が益々高まり
、したがってサブミクロンのパターンが必要となるため
該１ノジストに対しては著しい高解像性が要求される機
運にある。
、又スループット性に劣り、更にそのパターン再現性が
必ずしも良好とは云いがたい問題があった。そして今後
、半導体デバイス等に対してはその集積度が益々高まり
、したがってサブミクロンのパターンが必要となるため
該１ノジストに対しては著しい高解像性が要求される機
運にある。
更に上記リフトオフプロセスの作業性を向上させるため
には、現像のみでレジスト膜断面にオーバーハング形状
を形成する乙とが要求されるが、かかる現像で用いる現
像液はアルカリ水溶液に比へて安定てかっ取扱いやすい
有機溶剤を用いることが有利である。
には、現像のみでレジスト膜断面にオーバーハング形状
を形成する乙とが要求されるが、かかる現像で用いる現
像液はアルカリ水溶液に比へて安定てかっ取扱いやすい
有機溶剤を用いることが有利である。
結局高感度でありかつサブミクロンを解像できる高解像
性を有し、上述の如き有機溶剤で現像が行われしかも該
現像後のレジスト断面がオーバーハング形状を有し、得
られたレジストパターンが他の有機溶剤で容易に除去１
ツ得る如きレジストパターンの形成方法の開発が強く望
まれているのが実情である （問題点を解決するための手段） 本発明は、基板上に、ノボラック樹脂の二１〜口ベンセ
ン又はニトロナフタリンのスルホン酸エステルの皮膜を
形成し、この皮膜に短波長の紫外線を選択的に照射して
露光し、有機溶剤を用いて現像することを特徴とする高
感度でかつサブミクロンの解像力を有し、しかも現像の
みでオーバーハングを形成できるネガレジストのパター
ン形成方法である。
性を有し、上述の如き有機溶剤で現像が行われしかも該
現像後のレジスト断面がオーバーハング形状を有し、得
られたレジストパターンが他の有機溶剤で容易に除去１
ツ得る如きレジストパターンの形成方法の開発が強く望
まれているのが実情である （問題点を解決するための手段） 本発明は、基板上に、ノボラック樹脂の二１〜口ベンセ
ン又はニトロナフタリンのスルホン酸エステルの皮膜を
形成し、この皮膜に短波長の紫外線を選択的に照射して
露光し、有機溶剤を用いて現像することを特徴とする高
感度でかつサブミクロンの解像力を有し、しかも現像の
みでオーバーハングを形成できるネガレジストのパター
ン形成方法である。
（発明の作用）
この発明は特に後記実施例によっても明らかな如く、上
記のノボラック樹脂のニトロベンセン又は二１−ロナフ
タリンのスルホン酸エステルをレジスｔ・材ネ４として
用い遠紫外線により露光し、有機溶剤で現像することに
Ｊ：って高感度でかつサブミクロンのレジストパターン
を形成し得るのであり、しかも該レジメ１−の断面は上
記リフトオフに適したＡ−バーハング形状を呈すること
になる。これに対し比較例のノボラック樹脂のみのレジ
ストては具体的に５０秒の露光を行ってもパターニング
が得られないのである。即ちレジスＩ・が二１〜口ペン
セン又はニトロナフタリンでスルホン酸エステル化され
ていることにより」二記のネガレジストパターンが形成
できるのである。又、本発明の上述のレジストは、現像
時に酢酸イソアミル等の有機溶媒による露光部が膨潤し
ないため、レジストパターンの膨潤がほとんど起こらな
いこと等により、上記オーバーハング形状が良好に保持
されるのである。そして又これら本発明のレジストは光
吸収が大であり、該オーバーハングにより光が底部まで
通過せず本発明の作用を奏するものと考えられる。
記のノボラック樹脂のニトロベンセン又は二１−ロナフ
タリンのスルホン酸エステルをレジスｔ・材ネ４として
用い遠紫外線により露光し、有機溶剤で現像することに
Ｊ：って高感度でかつサブミクロンのレジストパターン
を形成し得るのであり、しかも該レジメ１−の断面は上
記リフトオフに適したＡ−バーハング形状を呈すること
になる。これに対し比較例のノボラック樹脂のみのレジ
ストては具体的に５０秒の露光を行ってもパターニング
が得られないのである。即ちレジスＩ・が二１〜口ペン
セン又はニトロナフタリンでスルホン酸エステル化され
ていることにより」二記のネガレジストパターンが形成
できるのである。又、本発明の上述のレジストは、現像
時に酢酸イソアミル等の有機溶媒による露光部が膨潤し
ないため、レジストパターンの膨潤がほとんど起こらな
いこと等により、上記オーバーハング形状が良好に保持
されるのである。そして又これら本発明のレジストは光
吸収が大であり、該オーバーハングにより光が底部まで
通過せず本発明の作用を奏するものと考えられる。
又上記本発明のレジストはアセトン等の溶媒への溶解性
も良好でありパターン形成が容易に行はれるものと考え
られる。
も良好でありパターン形成が容易に行はれるものと考え
られる。
（実施例）
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例ル
ジスト材料としてノボラック樹脂のオルトニトロベンゼ
ンスルホン酸エステル（ＮＲ−１）を用いた。このＮＲ
−１をメチルセロソルブアセテ−１・に溶解した溶液を
フィルターで濾過１ノ、シリコン基板」−に０．５μｍ
の厚さで塗布しレジメ１へ膜を形成した。
ンスルホン酸エステル（ＮＲ−１）を用いた。このＮＲ
−１をメチルセロソルブアセテ−１・に溶解した溶液を
フィルターで濾過１ノ、シリコン基板」−に０．５μｍ
の厚さで塗布しレジメ１へ膜を形成した。
次にこの基板を８０℃で２０分間プリベークし、５００
Ｗ、 Ｘｅ−１４ｇランプによる主として２００〜２８
０ ｎｍ （コルドミラーにより２８０ ｎｍより長波
長光はカット）の遠紫外綿でマスク密着介在下で１０秒
間露光を行った。そして酢酸イソアミル１対シクロヘギ
ナン１ （体積比）溶液を用い、２３℃の温度で１５秒
間現像し、パターニングを行ったところ、０．５μＩｎ
のラインアンドスペースのネガパターンが解像されてい
る乙とが確認された。
Ｗ、 Ｘｅ−１４ｇランプによる主として２００〜２８
０ ｎｍ （コルドミラーにより２８０ ｎｍより長波
長光はカット）の遠紫外綿でマスク密着介在下で１０秒
間露光を行った。そして酢酸イソアミル１対シクロヘギ
ナン１ （体積比）溶液を用い、２３℃の温度で１５秒
間現像し、パターニングを行ったところ、０．５μＩｎ
のラインアンドスペースのネガパターンが解像されてい
る乙とが確認された。
更に得られたレジストパターンの断面形状を走査型電子
顕微鏡（以下ＳＥＭと略す）で観察したところ、明らか
に基板上のレジスト層の断面がオーバーハングとなって
いる乙とが認められた。
顕微鏡（以下ＳＥＭと略す）で観察したところ、明らか
に基板上のレジスト層の断面がオーバーハングとなって
いる乙とが認められた。
実施例２
実施例１で形成したレジストパターン上に常法の真空蒸
着法により０．８μ口１厚のＡｕを蒸着した。
着法により０．８μ口１厚のＡｕを蒸着した。
然る後アセトン溶液中に浸漬させたところ、リフトオフ
が完全に行なわれ０．５μｍのラインアンドスペースの
Ａｕパターンが得うれた。
が完全に行なわれ０．５μｍのラインアンドスペースの
Ａｕパターンが得うれた。
実施例３
レジスト材料としてノボラック樹脂の１−二トロナフタ
リン−５−スルホン酸エステル（ＮＲ−２）を用いた外
は実施例１と略同様に行った。次いで酢酸イソアミル２
対シクロヘキサン１ （同）の溶液を用い２３℃で１０
秒現像しパターニングを行ったところ、０．５μｍのラ
インアンドスペースのネガパターンが解像されたことが
確認された。同様にしてＳＥＭにてレジストの断面形状
を観察したところ明らかなオーバーハング形状が認めら
れた。
リン−５−スルホン酸エステル（ＮＲ−２）を用いた外
は実施例１と略同様に行った。次いで酢酸イソアミル２
対シクロヘキサン１ （同）の溶液を用い２３℃で１０
秒現像しパターニングを行ったところ、０．５μｍのラ
インアンドスペースのネガパターンが解像されたことが
確認された。同様にしてＳＥＭにてレジストの断面形状
を観察したところ明らかなオーバーハング形状が認めら
れた。
比較例
ノボラック樹脂のみをレジスト材料として用いた他は実
施例１と同様に行った。然る後上記Ｘｅ−Ｈｇランプに
て５０秒間露光を行い、酢酸イソアミル１対シクロヘキ
サン２ （同）の溶液にて２３℃で２０秒間現像を行っ
たところレジスＩ・のパターンは形成し得なかった。
施例１と同様に行った。然る後上記Ｘｅ−Ｈｇランプに
て５０秒間露光を行い、酢酸イソアミル１対シクロヘキ
サン２ （同）の溶液にて２３℃で２０秒間現像を行っ
たところレジスＩ・のパターンは形成し得なかった。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、特に
上述のリフ１〜オフによるパターン形成が高精度でかつ
著しく容易に実施できるなどの効果を示し、特に高集積
化された半導体装置２表面弾性波素子、磁気バブル素子
及び光応用部品の製造に利用して好適でありその工業的
利用価値は極めて高い。
上述のリフ１〜オフによるパターン形成が高精度でかつ
著しく容易に実施できるなどの効果を示し、特に高集積
化された半導体装置２表面弾性波素子、磁気バブル素子
及び光応用部品の製造に利用して好適でありその工業的
利用価値は極めて高い。
Claims (1)
- 基板上に、ノボラック樹脂のニトロベンゼン又はニトロ
ナフタリンのスルホン酸エステルからなるレジスト皮膜
を形成する工程、及びこのレジスト皮膜に遠紫外線を選
択的に照射して露光し、未露光部を有機溶剤にて溶出す
る工程を含むことを特徴とするネガ型レジストのパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182586A JPS6161151A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182586A JPS6161151A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161151A true JPS6161151A (ja) | 1986-03-28 |
Family
ID=16120871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59182586A Pending JPS6161151A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161151A (ja) |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP59182586A patent/JPS6161151A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7358111B2 (en) | Imageable bottom anti-reflective coating for high resolution lithography | |
| EP0134789A1 (en) | TWO-LAYER UV-SENSITIVE PROTECTION SYSTEM FOR STRUCTURING HIGHLY REFLECTIVE CARRIERS. | |
| US6420101B1 (en) | Method of reducing post-development defects in and around openings formed in photoresist by use of non-patterned exposure | |
| JPH05326358A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS6161151A (ja) | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 | |
| EP0359342B1 (en) | Process for forming a layer of patterned photoresist | |
| JPS6161153A (ja) | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 | |
| JPS6150377B2 (ja) | ||
| JPS6161152A (ja) | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 | |
| JPH0458170B2 (ja) | ||
| JPS6048023B2 (ja) | ポジ型レジスト | |
| JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| JPS61241745A (ja) | ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS63214742A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS62226148A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6045246A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS625241A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS6156867B2 (ja) | ||
| JPS61131446A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS6132423A (ja) | 周辺部に段差を有する半導体基板およびその製法 | |
| JPH08203821A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0281048A (ja) | パターン形成方法及びその材料 | |
| JPS62183449A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0416106B2 (ja) |