JPS60203944A - ポジ型フオトレジストの除去法 - Google Patents
ポジ型フオトレジストの除去法Info
- Publication number
- JPS60203944A JPS60203944A JP6014784A JP6014784A JPS60203944A JP S60203944 A JPS60203944 A JP S60203944A JP 6014784 A JP6014784 A JP 6014784A JP 6014784 A JP6014784 A JP 6014784A JP S60203944 A JPS60203944 A JP S60203944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive type
- type photoresist
- unexposed
- ultrasonic washing
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/428—Stripping or agents therefor using ultrasonic means only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体または半導体装置等の製造に適用され
ている写真食刻法において、露光、現像、熱処理（ボス
トベーク）工程を経た基板に被管した未露光のポジ型フ
ォトレジストの除去ｌこ関する。
ている写真食刻法において、露光、現像、熱処理（ボス
トベーク）工程を経た基板に被管した未露光のポジ型フ
ォトレジストの除去ｌこ関する。
半導体または半導体装置等の製造において、選択拡散や
電極取出しを行なうために酸化珪素被膜の部分的除去、
相互配線用の金属蒸着膜の部分的除去など【こ写真食刻
法が利用されている。
電極取出しを行なうために酸化珪素被膜の部分的除去、
相互配線用の金属蒸着膜の部分的除去など【こ写真食刻
法が利用されている。
この工程は、一般的Ｉこは、まずウェハーに感光性樹脂
を塗布し熱処理したのち、マス・ｔングし、露光、現像
、熱処理（ボストベーク）の工程を経たのち、エツチン
グ工程、残存した感光性樹脂の除去工程を経、酸化、拡
散等の工程へと移行される。
を塗布し熱処理したのち、マス・ｔングし、露光、現像
、熱処理（ボストベーク）の工程を経たのち、エツチン
グ工程、残存した感光性樹脂の除去工程を経、酸化、拡
散等の工程へと移行される。
ところで、感光性樹脂にはネガ型感光性樹脂とポジ型感
光性樹脂とが知られている。ポジ型感光性樹脂は、ピン
ホールが少ないこと、ネガ型感光性樹脂に比べ解像力に
すぐれており、画像ラインの切が良く、直線的な画像ラ
インが得られることなどの利点があることから〕１シ近
微少細幅のパターンなどに対して利用されて来ている。
光性樹脂とが知られている。ポジ型感光性樹脂は、ピン
ホールが少ないこと、ネガ型感光性樹脂に比べ解像力に
すぐれており、画像ラインの切が良く、直線的な画像ラ
インが得られることなどの利点があることから〕１シ近
微少細幅のパターンなどに対して利用されて来ている。
従来、この写真食刻法において、露光、現像、ボストベ
ーク工程を経、エツチングさ牙また後の基板に被着した
未露光の・ポジ型フォトレジストの除去工程における剥
臣剤としては、たとえばイソプロピルアルコール、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
メチルセロンルブなどの有機溶剤；コリン溶７Ｉ′、Ｉ
；あろいは硫酸−過酸化水素液が、さらにはアンモニア
水が知られている。
ーク工程を経、エツチングさ牙また後の基板に被着した
未露光の・ポジ型フォトレジストの除去工程における剥
臣剤としては、たとえばイソプロピルアルコール、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
メチルセロンルブなどの有機溶剤；コリン溶７Ｉ′、Ｉ
；あろいは硫酸−過酸化水素液が、さらにはアンモニア
水が知られている。
上記したポストベーク工程の温度が１６０℃以上の如き
比較的高温である場合には、上述の有機溶剤系、コリン
溶液のごとき剥離剤では十分に剥離、除去できないか、
または剥離、除去に長時間を要するなどの難点がある。
比較的高温である場合には、上述の有機溶剤系、コリン
溶液のごとき剥離剤では十分に剥離、除去できないか、
または剥離、除去に長時間を要するなどの難点がある。
本発明者らは、上記の事情に鑑み、特に１６０℃以上の
高温でポストベークされたポジ型フォトレジストの除去
につき検別を重ねた結果、本発明を為した。
高温でポストベークされたポジ型フォトレジストの除去
につき検別を重ねた結果、本発明を為した。
すなわち、本発明は、基板に被着した未露光フォトレジ
ストを除去するに際し、剥離剤溶液との接触下、超音波
洗浄を行なう方法である。
ストを除去するに際し、剥離剤溶液との接触下、超音波
洗浄を行なう方法である。
本発明によれば、従来、１３０℃以上の高温ポストベー
クを行った場合の未露光フォトレジストの除去には剥離
、除去が不完全であるか、また長時間を要するなどの不
都合がある剥離剤を使用しても短時間で、容易にかつ完
全に除去することができる。
クを行った場合の未露光フォトレジストの除去には剥離
、除去が不完全であるか、また長時間を要するなどの不
都合がある剥離剤を使用しても短時間で、容易にかつ完
全に除去することができる。
本発明における剥離剤は、従来のポジ型フォトレジスト
の剥離、除去に使用」される剥離［剤が使用され、これ
らの剥離剤としては、たとえば、１０％〜２８％（重量
）、好ましくは２ｏ％〜２８％（重ｉ）のアンモニア水
、８５％〜９８％（重量）、好ましくは９５％〜９８％
（重量）の硫酸、５％〜５０％（Ｍ量ン、好ましくは、
２０％〜４０％（ＭＭ−）のコリン溶液、また硫酸（Ａ
）、過酸化水素（Ｂ）、水（Ｃ）およびメタノール（１
））からなり、（Ａ）が８ｏ％〜９５％、好ましくは８
５％〜９５％、（Ｂ）が１％−２０％、好ましくは１％
〜１０％、（Ｃ）が６％〜１５％、好ましくは６％〜１
ｏ％、（Ｄ）が０％−１５％、好ましくは０％〜７％の
ものがある。
の剥離、除去に使用」される剥離［剤が使用され、これ
らの剥離剤としては、たとえば、１０％〜２８％（重量
）、好ましくは２ｏ％〜２８％（重ｉ）のアンモニア水
、８５％〜９８％（重量）、好ましくは９５％〜９８％
（重量）の硫酸、５％〜５０％（Ｍ量ン、好ましくは、
２０％〜４０％（ＭＭ−）のコリン溶液、また硫酸（Ａ
）、過酸化水素（Ｂ）、水（Ｃ）およびメタノール（１
））からなり、（Ａ）が８ｏ％〜９５％、好ましくは８
５％〜９５％、（Ｂ）が１％−２０％、好ましくは１％
〜１０％、（Ｃ）が６％〜１５％、好ましくは６％〜１
ｏ％、（Ｄ）が０％−１５％、好ましくは０％〜７％の
ものがある。
本発明における処理温度は通常２０’Ｃ〜６０℃である
。また本発明に使用される超音波洗浄機は４？ｌ：別な
仕様のものを必要とせず、例えば実施例で使用したごと
きの市販のものがそのｉｋ使用できる。
。また本発明に使用される超音波洗浄機は４？ｌ：別な
仕様のものを必要とせず、例えば実施例で使用したごと
きの市販のものがそのｉｋ使用できる。
次に本発明を実施例により説明する。
以下の実施例及び比較例に使用した試料は、次により作
製した。
製した。
直径１０ｃ１ｎのシリコンウェハーに、コダック社のポ
ジ型フオトレジスであるコダックポジティブレジスト８
２０を１μの厚さに塗布し、９０ ’Ｃ３０分程度熱処
理（プリベーク）したのち、微細な島残しパターンでマ
スクし、高圧水銀灯の光源により露光した。次いで現像
を行ない、ボストベーク湿灰１８０℃で熱処理した後、
約５ ｘ ５ ｊｕ角に、ダイヤモンドカッターで切断
して試料とした。ウェハー上の残存レジストが完全ｌこ
除去できたかどうかの判定は倍率１５０倍の顕微鏡によ
る観察により行なった。尚、本実施例で用いた超音波洗
浄機は、出力２０Ｗ、周波数４０ ＫＨｚ、槽容Ｎ ４
５０ ｍｌのものを用いた。
ジ型フオトレジスであるコダックポジティブレジスト８
２０を１μの厚さに塗布し、９０ ’Ｃ３０分程度熱処
理（プリベーク）したのち、微細な島残しパターンでマ
スクし、高圧水銀灯の光源により露光した。次いで現像
を行ない、ボストベーク湿灰１８０℃で熱処理した後、
約５ ｘ ５ ｊｕ角に、ダイヤモンドカッターで切断
して試料とした。ウェハー上の残存レジストが完全ｌこ
除去できたかどうかの判定は倍率１５０倍の顕微鏡によ
る観察により行なった。尚、本実施例で用いた超音波洗
浄機は、出力２０Ｗ、周波数４０ ＫＨｚ、槽容Ｎ ４
５０ ｍｌのものを用いた。
実施例
上記の試料を、表に示す剥離剤溶液に浸漬し、超音波洗
浄を行ない、ウェハー上の未露光フォー′ｉ′にルジス
トが完全に除去するまでの時間を測定した。なお比較の
ために超音波洗浄を併用しない場合を併記した。
浄を行ない、ウェハー上の未露光フォー′ｉ′にルジス
トが完全に除去するまでの時間を測定した。なお比較の
ために超音波洗浄を併用しない場合を併記した。
表
ａｔ２５℃
Claims (1)
- 基板に被着した米語光のポジ型フォトレジストを除去す
るに際し、剥離剤溶液との接触下、超音波洗浄を行なう
ことを特徴とするポジ型フォトレジストの除去法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6014784A JPS60203944A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ポジ型フオトレジストの除去法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6014784A JPS60203944A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ポジ型フオトレジストの除去法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60203944A true JPS60203944A (ja) | 1985-10-15 |
Family
ID=13133741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6014784A Pending JPS60203944A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ポジ型フオトレジストの除去法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60203944A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0846984A2 (en) * | 1987-07-30 | 1998-06-10 | Ekc Technology, Inc. | Prebaking process for facilitating removal of positive photoresist with stripping solutions |
| WO1999044101A1 (en) * | 1998-02-26 | 1999-09-02 | Alpha Metals, Inc. | Resist stripping process |
| US7419945B2 (en) * | 2002-06-07 | 2008-09-02 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Microelectronic cleaning compositions containing oxidizers and organic solvents |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP6014784A patent/JPS60203944A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0846984A2 (en) * | 1987-07-30 | 1998-06-10 | Ekc Technology, Inc. | Prebaking process for facilitating removal of positive photoresist with stripping solutions |
| EP0846984A3 (en) * | 1987-07-30 | 2000-03-22 | Ekc Technology, Inc. | Prebaking process for facilitating removal of positive photoresist with stripping solutions |
| WO1999044101A1 (en) * | 1998-02-26 | 1999-09-02 | Alpha Metals, Inc. | Resist stripping process |
| US7419945B2 (en) * | 2002-06-07 | 2008-09-02 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Microelectronic cleaning compositions containing oxidizers and organic solvents |
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