JPS59106119A - 微細レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
微細レジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS59106119A JPS59106119A JP57215426A JP21542682A JPS59106119A JP S59106119 A JPS59106119 A JP S59106119A JP 57215426 A JP57215426 A JP 57215426A JP 21542682 A JP21542682 A JP 21542682A JP S59106119 A JPS59106119 A JP S59106119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photoresist
- photosensitive resin
- resin film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微細レジストパターンの形成方法、特にフォト
マスクパターンをウェーノーあるいはコピーマスク用マ
スクプレートなどの上面に高精度で転写するのに好適な
微細レジストパターンの形成方法に関するものである。
マスクパターンをウェーノーあるいはコピーマスク用マ
スクプレートなどの上面に高精度で転写するのに好適な
微細レジストパターンの形成方法に関するものである。
一般に半導体素子、磁気バブルメモリ素子および光面弾
性波素子等のパターンに、高８Ｗ Ｉｌ”；ニーの寸法
が要求される微細パターンの形成方法において、例工ば
ウェーハ上にフォトマスクのパターンを転写式ぜる場合
、ウェーハ上にフォトレジストを塗布して乾燥し、フォ
トレジスト膜ヲ形成した後、このフォトレジスト膜上に
フォトマスクラ脣着配置して露光する方法が採用されて
いる。このような方法を用いると、フォトレジスト膜に
光を照射して露光すると、このフォトレジスト膜に含有
されている感光基が光分Ｍ、を起してＮ、ガスを放出し
、これが原因となって７オトレジスト嗅からフォトマス
クか分離し、密着性が阻害されるという、いわゆる密着
不良を引き起すことがすでに知られている。そして、こ
のような密着不良が発生すると光のフレネル回折現象に
より解像力が低下し、レジストパターンの寸法を変化さ
せたシ、またパターンの形状を変形させたりして精度の
高い微細レジストパターンが得られないという欠点があ
った。
性波素子等のパターンに、高８Ｗ Ｉｌ”；ニーの寸法
が要求される微細パターンの形成方法において、例工ば
ウェーハ上にフォトマスクのパターンを転写式ぜる場合
、ウェーハ上にフォトレジストを塗布して乾燥し、フォ
トレジスト膜ヲ形成した後、このフォトレジスト膜上に
フォトマスクラ脣着配置して露光する方法が採用されて
いる。このような方法を用いると、フォトレジスト膜に
光を照射して露光すると、このフォトレジスト膜に含有
されている感光基が光分Ｍ、を起してＮ、ガスを放出し
、これが原因となって７オトレジスト嗅からフォトマス
クか分離し、密着性が阻害されるという、いわゆる密着
不良を引き起すことがすでに知られている。そして、こ
のような密着不良が発生すると光のフレネル回折現象に
より解像力が低下し、レジストパターンの寸法を変化さ
せたシ、またパターンの形状を変形させたりして精度の
高い微細レジストパターンが得られないという欠点があ
った。
このような欠点全改善したものとしては、フォトレジス
ト膜の表面に例えばＰＶＡなどの非感光性樹脂膜を被覆
することによシ、フォトレジスト膜から放出されるＮ２
ガスを遮蔽させた微細レジストパターンの形成方法が提
案されている。
ト膜の表面に例えばＰＶＡなどの非感光性樹脂膜を被覆
することによシ、フォトレジスト膜から放出されるＮ２
ガスを遮蔽させた微細レジストパターンの形成方法が提
案されている。
しかしながら、このような方法によると、後述するよう
なキノンジアジド系ポジ形フォトレジストもしくはアジ
ド系ネガ形フォトレジスト膜に対してはその氷面に被覆
した非感光性樹脂が容易に除去できず、露光、現像して
形成てれた微細レジストパターン上あるいは該パターン
相互間にその残液が残シ、実用上使用し得る微細フォト
レジストパターンが得られないという問題があった。
なキノンジアジド系ポジ形フォトレジストもしくはアジ
ド系ネガ形フォトレジスト膜に対してはその氷面に被覆
した非感光性樹脂が容易に除去できず、露光、現像して
形成てれた微細レジストパターン上あるいは該パターン
相互間にその残液が残シ、実用上使用し得る微細フォト
レジストパターンが得られないという問題があった。
したがって本発明は、前述した問題に鑑みてなされたも
のであシ、その目的とするところは、実用上充分に供し
得る微細レジストパターンが得られる微細レジストパタ
ーンの形成方法を提供することにある。
のであシ、その目的とするところは、実用上充分に供し
得る微細レジストパターンが得られる微細レジストパタ
ーンの形成方法を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、フォトレジ
ストに他よシ解像度の高いキノンジアジド系ポジ形レジ
ストもしくはアジド系ネガ形しジストヲ用い、その現像
液としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
等のテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドを
用いて微細レジストパターンを形成するものである。
ストに他よシ解像度の高いキノンジアジド系ポジ形レジ
ストもしくはアジド系ネガ形しジストヲ用い、その現像
液としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
等のテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドを
用いて微細レジストパターンを形成するものである。
以下、本発明の実施例を表を用いて説明する。
まず、シリコンウェー７１上に例えばクロムを蒸着して
導体パターンとしてのクロム膜を形成する。
導体パターンとしてのクロム膜を形成する。
そして、このクロム膜上にフォトレジストヲ塗布してベ
ークし、フォトレジスト膜を形成した後、このフォトレ
ジスト膜上に非感光性樹脂を回転塗布し、約５０℃以下
でベーク【７て非感光性樹脂膜を形成する。次にこの非
感光性樹脂膜上に微細なマスクを有するフォトマスク全
密着配置してＫＡＳＰＥＲ社製の２００１形アライナで
露光し、フォトレジスト膜上にフォトレジストマスクパ
ターンを形成する。この場合、露光照度はウシオ電機製
照度計ＵＩＴ１００’を用いて測定し、ウェー／％上で
約５０ ｍＷ／ｃｒｌで数秒露光した。次にフ第１・マ
スクを除去し、微細なフォトレジストマスクパターンが
形成されたフォトレジスト膜を、直ちに現像液に浸漬し
て現像する場合と、前記非感光性樹脂膜を除去する目的
でＵ々の溶剤に浸漬した後で現像する場合との両者につ
いて、現像後に形成される微細レジストパターンに前記
非感光性樹脂膜の残渣が残るか否かを調べてみた。下記
表はその実験前記表において、フォトレジストとして、
ＫＭＥＲ（コダック製） 、 ＯＭＥＲ（東京応化製）
０ＤＵＲ１０１３（東京応化製）および（ＪｉＳ −
ＤＵ （東洋曹達製）の４種類のうちいずれか１種類を
用いた場合については、形成された微細レジストパター
ン上あるいは該パターン相互間に付着するビニール系あ
るいはアクリル系の非感光性樹脂膜はその樹脂膜除去剤
として現像前の純水洗浄もしくはこれに対応するフォト
レジストの指定現像液のみで現像することによって、そ
の残渣を完全に除去することができる。その反面、形成
された微細レジストパターンはいわゆるパターンのきれ
が悪く、精度の閤い微細レジストパターンを得ることが
できなかった。一方、フォトレジストとして、キノンジ
アジド系ポジ形フォトレジストもしくはアジド系ネガ形
フォトレジスト、例えば同表に示すＡＺ１３５０ Ｊ（
シップレイ環）、０ＦＰＲ８００（東京応化製）。
ークし、フォトレジスト膜を形成した後、このフォトレ
ジスト膜上に非感光性樹脂を回転塗布し、約５０℃以下
でベーク【７て非感光性樹脂膜を形成する。次にこの非
感光性樹脂膜上に微細なマスクを有するフォトマスク全
密着配置してＫＡＳＰＥＲ社製の２００１形アライナで
露光し、フォトレジスト膜上にフォトレジストマスクパ
ターンを形成する。この場合、露光照度はウシオ電機製
照度計ＵＩＴ１００’を用いて測定し、ウェー／％上で
約５０ ｍＷ／ｃｒｌで数秒露光した。次にフ第１・マ
スクを除去し、微細なフォトレジストマスクパターンが
形成されたフォトレジスト膜を、直ちに現像液に浸漬し
て現像する場合と、前記非感光性樹脂膜を除去する目的
でＵ々の溶剤に浸漬した後で現像する場合との両者につ
いて、現像後に形成される微細レジストパターンに前記
非感光性樹脂膜の残渣が残るか否かを調べてみた。下記
表はその実験前記表において、フォトレジストとして、
ＫＭＥＲ（コダック製） 、 ＯＭＥＲ（東京応化製）
０ＤＵＲ１０１３（東京応化製）および（ＪｉＳ −
ＤＵ （東洋曹達製）の４種類のうちいずれか１種類を
用いた場合については、形成された微細レジストパター
ン上あるいは該パターン相互間に付着するビニール系あ
るいはアクリル系の非感光性樹脂膜はその樹脂膜除去剤
として現像前の純水洗浄もしくはこれに対応するフォト
レジストの指定現像液のみで現像することによって、そ
の残渣を完全に除去することができる。その反面、形成
された微細レジストパターンはいわゆるパターンのきれ
が悪く、精度の閤い微細レジストパターンを得ることが
できなかった。一方、フォトレジストとして、キノンジ
アジド系ポジ形フォトレジストもしくはアジド系ネガ形
フォトレジスト、例えば同表に示すＡＺ１３５０ Ｊ（
シップレイ環）、０ＦＰＲ８００（東京応化製）。
ＲＤ２００ＯＮ（日立化成製）および０ＤＵＲ１２０（
東京応化製）の４種類のうちいずれか１種類を用いた場
合には、非常にオ、１度の高いパターンが得られる反面
、非感光性樹脂膜が除去剤として同表に示すようなアル
コール系、ケトン系、エステル系。
東京応化製）の４種類のうちいずれか１種類を用いた場
合には、非常にオ、１度の高いパターンが得られる反面
、非感光性樹脂膜が除去剤として同表に示すようなアル
コール系、ケトン系、エステル系。
芳香族系、セルソルブ系もしくは酸系の樹脂膜除去剤を
用い、現像液としてＡＺ−ｄｅｖｅ（シップレイ環）あ
るいはＤＥ−３（東京応化製）全周いてもその残渣を完
全に除去することはできなかった。
用い、現像液としてＡＺ−ｄｅｖｅ（シップレイ環）あ
るいはＤＥ−３（東京応化製）全周いてもその残渣を完
全に除去することはできなかった。
このように特定なフォトレジストのみに非感光性樹脂の
残渣が残る理由については、発明者らはこれらのフ第１
・レジストと非感光性樹脂とが何らかの反応を起して溶
媒に溶けにくくなっているのではないかと推考し、非感
光性樹脂膜の残液を除去する方法として、現像後にさら
に樹脂膜除去剤などの溶剤に浸漬するもしくは、該溶剤
の温度を高めるなどの種々の方法を試みたが残渣を完全
に除去することはできなかった。
残渣が残る理由については、発明者らはこれらのフ第１
・レジストと非感光性樹脂とが何らかの反応を起して溶
媒に溶けにくくなっているのではないかと推考し、非感
光性樹脂膜の残液を除去する方法として、現像後にさら
に樹脂膜除去剤などの溶剤に浸漬するもしくは、該溶剤
の温度を高めるなどの種々の方法を試みたが残渣を完全
に除去することはできなかった。
ところが、この実験の過程において、同表に示すように
ＭＦ３１２（シップレイ環）やＮＭＤ−ａ（東京応化製
）の如きテトラルキルアンモニウムハイドロオキサイド
系の現像液を用いて現像することによって、形成された
パターンおよびその周辺部に付着した非感光性樹脂膜の
残液が完全に除去できることが判明した。しかもこの非
感光性樹脂ｉｔ除去するのに純水洗浄するかもしくは単
にこのテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド
系の現像液に浸漬するのみで良いこともわかった。
ＭＦ３１２（シップレイ環）やＮＭＤ−ａ（東京応化製
）の如きテトラルキルアンモニウムハイドロオキサイド
系の現像液を用いて現像することによって、形成された
パターンおよびその周辺部に付着した非感光性樹脂膜の
残液が完全に除去できることが判明した。しかもこの非
感光性樹脂ｉｔ除去するのに純水洗浄するかもしくは単
にこのテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド
系の現像液に浸漬するのみで良いこともわかった。
つまシ、本発明は、前述した特定のフォトレジスト、す
なわちＡＺ１３５０Ｊ（シップレイ環）。
なわちＡＺ１３５０Ｊ（シップレイ環）。
ｏｐｐｎ８００（東京応化製）等のキノンジアジドポジ
形フォトレジストやＲＤ２００ＯＮ（日立化成製）。
形フォトレジストやＲＤ２００ＯＮ（日立化成製）。
０ＤＵＲ１２０（東京応化製）等のアジド系ネガ形フォ
トレジストを用いる場合には、その現像液としてＭＦ３
１２ （シップレイ環）、ＮＭＤ−ａ（東京応化製）等
のテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド系の
現像液を用いることによって、非感光性樹脂膜の残渣の
全くない微細なレジストパターンを得ることができた。
トレジストを用いる場合には、その現像液としてＭＦ３
１２ （シップレイ環）、ＮＭＤ−ａ（東京応化製）等
のテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド系の
現像液を用いることによって、非感光性樹脂膜の残渣の
全くない微細なレジストパターンを得ることができた。
このような微細パターンの形成方法において、現像液と
してテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドの
現体液を使用して現像することによって、この現像液が
露光して形成されたフォト１／シストマスクパターン中
に若干浸透するとともに、該パターンの表面が極めてわ
ずかであるが溶解きれたものと推考される。この結果、
非感光性樹脂膜の残液の全くない、パターンのきれの良
好な微細レジストパターンが得られた。
してテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドの
現体液を使用して現像することによって、この現像液が
露光して形成されたフォト１／シストマスクパターン中
に若干浸透するとともに、該パターンの表面が極めてわ
ずかであるが溶解きれたものと推考される。この結果、
非感光性樹脂膜の残液の全くない、パターンのきれの良
好な微細レジストパターンが得られた。
以上説明したように本発明によれば、倣細なフォトマス
クパターンをウェーハあるいはコピーマスク用のマスク
プレート上に転写する場合、フォトレジストの表面に設
けた非感光性樹脂膜のためにフォトマスクとウェー７Ｓ
が完全に密着した状態で露光でき、かつ現像後にこの非
感光性樹脂膜の残渣が残らないので、実用上充分に供し
得る極めて良好な微細レジストパターンが得られるとい
う優れた効果を有する。
クパターンをウェーハあるいはコピーマスク用のマスク
プレート上に転写する場合、フォトレジストの表面に設
けた非感光性樹脂膜のためにフォトマスクとウェー７Ｓ
が完全に密着した状態で露光でき、かつ現像後にこの非
感光性樹脂膜の残渣が残らないので、実用上充分に供し
得る極めて良好な微細レジストパターンが得られるとい
う優れた効果を有する。
Claims (1)
- ウェーハ上にキノンジアジド系ポジ形レジストもしくは
アジド系ネガ形レジストを塗布してフォトレジスト膜を
形成する工程と、前記フォトレジスト膜上に非感光性樹
脂ＥＭ’ａ−形成する工程と、前記非感光性樹脂膜上に
フォトマスク全密着配置して露光する工程と、前記フォ
トマスクを除去する工程と、テトラアルキルアンモニウ
ムノ・イドロオキサイド系の現像液で現像する工程とを
有することを特徴とした微細レジストパターンの形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215426A JPS59106119A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 微細レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215426A JPS59106119A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 微細レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59106119A true JPS59106119A (ja) | 1984-06-19 |
Family
ID=16672138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57215426A Pending JPS59106119A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 微細レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59106119A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226148A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS62277728A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Nec Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS62278545A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-03 | Nec Corp | パタ−ン形成方法 |
-
1982
- 1982-12-10 JP JP57215426A patent/JPS59106119A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226148A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS62277728A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Nec Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS62278545A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-03 | Nec Corp | パタ−ン形成方法 |
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