JPS62278545A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS62278545A JPS62278545A JP12268086A JP12268086A JPS62278545A JP S62278545 A JPS62278545 A JP S62278545A JP 12268086 A JP12268086 A JP 12268086A JP 12268086 A JP12268086 A JP 12268086A JP S62278545 A JPS62278545 A JP S62278545A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 abstract 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は半導体集積回路、磁気バブルメモリなどの製造
に適するパターン形成方法に関するものである。
に適するパターン形成方法に関するものである。
［従来の技術］
半導体集積回路、磁気バブルメモリなどの製造には、い
わゆるレジストと呼ばれる有機高分子材料が広く用いら
れている。このレジストとして多種多様の材料がおるが
、ビスアジドと有機高分子から成るネガ型レジストもそ
のうちの一つである。
わゆるレジストと呼ばれる有機高分子材料が広く用いら
れている。このレジストとして多種多様の材料がおるが
、ビスアジドと有機高分子から成るネガ型レジストもそ
のうちの一つである。
この系のレジストとしての作用原理は次のように考えら
れている。
れている。
まず、露光によりビスアジドがナイトレンという活性種
に変化する。生成したナイトレンは、有機高分子と反応
し、いわゆる架橋反応を起こす。
に変化する。生成したナイトレンは、有機高分子と反応
し、いわゆる架橋反応を起こす。
その結果、露光部と未露光部での有機高分子の分子量に
差異を生じる事になる。この結果、溶剤に対する溶解性
に差異が生じるのでこの差異を利用して、一般にはネガ
型のパターンを得る事ができる。
差異を生じる事になる。この結果、溶剤に対する溶解性
に差異が生じるのでこの差異を利用して、一般にはネガ
型のパターンを得る事ができる。
［本発明が解決しようとする問題点］
ビスアジドと有機高分子から成るネガ型レジストにおい
て、有機高分子を変化させる事により目的とする所定の
レジストが得られるが、有機高分子の種類によってはナ
イトレンとの反応性が低下し、結果として感度の低下、
パターン形成の不均一性をもたらす場合がある。あるい
は、有機高分子とビスアジドとの相溶性が悪いと、ビス
アジドの添加量が押えられ、先述したと同様の問題をも
たらす場合がある。これらのことは特に露光雰囲気中に
酸素ガスが存在する場合に顕著に表われてくる。
て、有機高分子を変化させる事により目的とする所定の
レジストが得られるが、有機高分子の種類によってはナ
イトレンとの反応性が低下し、結果として感度の低下、
パターン形成の不均一性をもたらす場合がある。あるい
は、有機高分子とビスアジドとの相溶性が悪いと、ビス
アジドの添加量が押えられ、先述したと同様の問題をも
たらす場合がある。これらのことは特に露光雰囲気中に
酸素ガスが存在する場合に顕著に表われてくる。
本発明の目的は、このような感度の低下あるいはパター
ンの不均一性を解消したパターン形成方法を提供するこ
とにある。
ンの不均一性を解消したパターン形成方法を提供するこ
とにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板上に有機高分子層（ａ）を形成する工程と
、この有様高分子層上にレジスト層を形成する工程と、
このレジスト層上に酸素ガス難透過性の有機高分子層（
ｂ）を形成する工程と、前記各層内に含まれる酸素ガス
を不活性ガスに置換する工程と、所望のレジストパター
ンを露光、現像によって形成する工程と、このレジスト
パターンをマスクとして前記有機高分子層（ａ）をドラ
イエツチングする工程とからなることを特徴とするパタ
ーン形成方法である。
、この有様高分子層上にレジスト層を形成する工程と、
このレジスト層上に酸素ガス難透過性の有機高分子層（
ｂ）を形成する工程と、前記各層内に含まれる酸素ガス
を不活性ガスに置換する工程と、所望のレジストパター
ンを露光、現像によって形成する工程と、このレジスト
パターンをマスクとして前記有機高分子層（ａ）をドラ
イエツチングする工程とからなることを特徴とするパタ
ーン形成方法である。
本発明の方法に使用される酸素ガス難透過性の有機高分
子材料には１）露光時に感度を低下させない、２）下地
のレジスト層と混ざらない、などの特性が要求されるが
、このような特性を満足させるものとしてはたとえばポ
リビニルアルコールが必げられる。この有機高分子層の
膜厚は０．１〜０．３μｓが適当である。 。
子材料には１）露光時に感度を低下させない、２）下地
のレジスト層と混ざらない、などの特性が要求されるが
、このような特性を満足させるものとしてはたとえばポ
リビニルアルコールが必げられる。この有機高分子層の
膜厚は０．１〜０．３μｓが適当である。 。
またレジスト層内に含まれる酸素ガスの不活性ガスへの
置換は、密封容器内に試料を置き、脱気、不活性ガスの
充填工程を繰り返し行う事により達成できる。不活性ガ
スとしては窒素ガス、アルゴンガスなどが好ましい。
置換は、密封容器内に試料を置き、脱気、不活性ガスの
充填工程を繰り返し行う事により達成できる。不活性ガ
スとしては窒素ガス、アルゴンガスなどが好ましい。
［実施例コ
次に本発明を実施例によって説明する。
実施例
Ｓｉ基板上に、スピンコード法によりノボラック樹脂層
を形成し、２５０℃で１時間熱処理した。この時のノボ
ラック樹脂層の厚みは約２卯であった。
を形成し、２５０℃で１時間熱処理した。この時のノボ
ラック樹脂層の厚みは約２卯であった。
次いで、下記の組成のレジスト溶液をスピンコード法に
より、ノボラック樹脂層の上に塗布した。
より、ノボラック樹脂層の上に塗布した。
（ＭＷ ３．６万、 ｚｗ／ｚｎ ＜１．１）２．６
−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロ
へキサノン １重量部キシレン
２６０重量部プリベーク（８０’Ｃ，３０
ｍ１ｎ ＞後のレジスト層の厚みは約０．２５庫であっ
た。次いで、下記の組成のポリビニルアルコール樹脂（
ＰＶＡ）水溶液をスピンコード法により、レジスト層上
に塗布した。
−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロ
へキサノン １重量部キシレン
２６０重量部プリベーク（８０’Ｃ，３０
ｍ１ｎ ＞後のレジスト層の厚みは約０．２５庫であっ
た。次いで、下記の組成のポリビニルアルコール樹脂（
ＰＶＡ）水溶液をスピンコード法により、レジスト層上
に塗布した。
ポリビニルアルコール（重合度５００） １型口部水
４ｏ重量部プリベー
ク（８０’Ｃ，３０ｍ１ｎ ）後のＰＶＡ層の厚みは約
０．１．ｃｍであった。この試料を密封容器に入れ、脱
気・窒素ガス充填を５回繰り返し、−夜装置した。
４ｏ重量部プリベー
ク（８０’Ｃ，３０ｍ１ｎ ）後のＰＶＡ層の厚みは約
０．１．ｃｍであった。この試料を密封容器に入れ、脱
気・窒素ガス充填を５回繰り返し、−夜装置した。
次に縮小投影露光器（Ｉ（ＡＮＮタイプ４８００ＤＳＷ
／ＧＣＡ社製）を用いて、パターン露光を行った。
／ＧＣＡ社製）を用いて、パターン露光を行った。
その後、水３０ＳｅＣ１エタノール３０ＳｅＣ、メチル
イソブチルケトン／ｎ−ブタノール＝１：２１ｍ１ｎ、
イソプロビルアルコール １ ｍｉｎとＩＩＩＭ 次浸
漬して、所望の微細パターンを得た。
イソブチルケトン／ｎ−ブタノール＝１：２１ｍ１ｎ、
イソプロビルアルコール １ ｍｉｎとＩＩＩＭ 次浸
漬して、所望の微細パターンを得た。
その後、平行平板型エツチング装置（叶ト４５１／アネ
ルバ社製）で、酸素による反応性イオンエツチングを行
なった。
ルバ社製）で、酸素による反応性イオンエツチングを行
なった。
光学顕微鏡で、作成したパターンの観察を行ったところ
、パターンの不均一性は認められなかった。又、露光量
として、約２０ ｍＪ／Ｃｍ２で十分てあリ、感度も優
れていた。
、パターンの不均一性は認められなかった。又、露光量
として、約２０ ｍＪ／Ｃｍ２で十分てあリ、感度も優
れていた。
比較例
前記実施例において、試料の脱気・Ｎ２ガス充填を行な
わないほかは実施例と同様にして微細パターンを形成し
た。
わないほかは実施例と同様にして微細パターンを形成し
た。
このようにして得られたパターンを光学顕微鏡で観察し
たところ、パターン形成に不均一性が認められた。例え
ば、線幅をパターン密度め高い所と低い所で比較すると
、マスクが同−設計値にもかかわらず、前者の方が太っ
たパターンが得られた。またこの時の露光量は、約１３
０ ｍＪ／Ｃｍ２であった。
たところ、パターン形成に不均一性が認められた。例え
ば、線幅をパターン密度め高い所と低い所で比較すると
、マスクが同−設計値にもかかわらず、前者の方が太っ
たパターンが得られた。またこの時の露光量は、約１３
０ ｍＪ／Ｃｍ２であった。
［発明の効果］
以上説明したように本発明のパターン形成方法によれば
レジストの露光時、酸素ガスの影響をほぼ完全に防ぐこ
とができる。このため感度に優れ、かつ均一性の良いパ
ターン形成ができる。
レジストの露光時、酸素ガスの影響をほぼ完全に防ぐこ
とができる。このため感度に優れ、かつ均一性の良いパ
ターン形成ができる。
Claims (3)
- （１）基板上に有機高分子層（ａ）を形成する工程と、
この有機高分子層上にレジスト層を形成する工程と、こ
のレジスト層上に酸素ガス難透過性の有機高分子層（ｂ
）を形成する工程と、前記各層内に含まれる酸素ガスを
不活性ガスに置換する工程と、所望のレジストパターン
を露光、現像によつて形成する工程と、このレジストパ
ターンをマスクとして前記有機高分子層（ａ）をドライ
エッチングする工程とからなることを特徴とするパター
ン形成方法。 - （２）レジストがビスアジドを含むネガ型レジストであ
る特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。 - （３）酸素ガス難透過性の有機高分子がポリビニルアル
コール樹脂である特許請求の範囲第１項記載のパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12268086A JPS62278545A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12268086A JPS62278545A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278545A true JPS62278545A (ja) | 1987-12-03 |
Family
ID=14841969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12268086A Pending JPS62278545A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278545A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005326507A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物、スペーサー、およびその形成方法、並びに液晶表示素子 |
| JP2007171748A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Toray Ind Inc | パターン形成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5915243A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-26 | Nec Corp | レジスト材料 |
| JPS59106119A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-19 | Hitachi Ltd | 微細レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS59198446A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性樹脂組成物及びその使用方法 |
| JPS60211940A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Toshiba Corp | フオトリングラフイ−法 |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP12268086A patent/JPS62278545A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5915243A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-26 | Nec Corp | レジスト材料 |
| JPS59106119A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-19 | Hitachi Ltd | 微細レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS59198446A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性樹脂組成物及びその使用方法 |
| JPS60211940A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Toshiba Corp | フオトリングラフイ−法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2005326507A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物、スペーサー、およびその形成方法、並びに液晶表示素子 |
| JP4539165B2 (ja) * | 2004-05-12 | 2010-09-08 | Ｊｓｒ株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、スペーサー、およびその形成方法、並びに液晶表示素子 |
| JP2007171748A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Toray Ind Inc | パターン形成方法 |
| JP4626512B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-02-09 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
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