JPH0194342A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JPH0194342A JPH0194342A JP25332987A JP25332987A JPH0194342A JP H0194342 A JPH0194342 A JP H0194342A JP 25332987 A JP25332987 A JP 25332987A JP 25332987 A JP25332987 A JP 25332987A JP H0194342 A JPH0194342 A JP H0194342A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はレジストパターンの形成方法に関し、特に半
導体集積回路等の半導体装置製造でのりソゲラフイエ程
におけるレジストパターンの形成方法に関するものであ
る。
導体集積回路等の半導体装置製造でのりソゲラフイエ程
におけるレジストパターンの形成方法に関するものであ
る。
[従来の技術]
半導体装置の高集積化に伴ない、レジストの微細パター
ンを形成する技術が重要になってきている。半導体装置
製造のりソゲラフイエ程では微細化に伴ない、解像力の
優れたノボラック系ポジ型レジストが多量に使われてい
る。ノボラック系ポジ型レジストはノボラック系樹脂と
溶解阻止剤とから構成される。このポジ型レジストに紫
外線、電子線、X線、イオンビーム等の高エネルギ輻射
線を照射すると、照射部の溶解阻止剤が分解あるいは化
学変化を起こして溶解阻止能力が低下する。
ンを形成する技術が重要になってきている。半導体装置
製造のりソゲラフイエ程では微細化に伴ない、解像力の
優れたノボラック系ポジ型レジストが多量に使われてい
る。ノボラック系ポジ型レジストはノボラック系樹脂と
溶解阻止剤とから構成される。このポジ型レジストに紫
外線、電子線、X線、イオンビーム等の高エネルギ輻射
線を照射すると、照射部の溶解阻止剤が分解あるいは化
学変化を起こして溶解阻止能力が低下する。
そのため、照射部分と未照射部分との間でアルカリに対
する溶解速汝の差が生じる。この溶解速度の差を利用し
てアルカリ性の現像液を用いて現像し、微細パターンを
形成している。
する溶解速汝の差が生じる。この溶解速度の差を利用し
てアルカリ性の現像液を用いて現像し、微細パターンを
形成している。
たとえば、フォトリソグラフィ工程では、ノボラック系
ポジ型レジストの1つである商品名TSMR−8800
(東京応化製)のレジストを基板上に1.0μmの膜厚
で塗布し、ベーキング後に、波長436nmの紫外線で
露光する。その後、テトラメチルハイドロオキサイドア
ンモニウムを含むアルカリ性現像液である商品名NMD
−W (東京応化製)を用いて現像し、さらに引き続い
て商品名NMD−R2(東京応化製)を用いて現像する
ことによって、レジストパターンが形成される。
ポジ型レジストの1つである商品名TSMR−8800
(東京応化製)のレジストを基板上に1.0μmの膜厚
で塗布し、ベーキング後に、波長436nmの紫外線で
露光する。その後、テトラメチルハイドロオキサイドア
ンモニウムを含むアルカリ性現像液である商品名NMD
−W (東京応化製)を用いて現像し、さらに引き続い
て商品名NMD−R2(東京応化製)を用いて現像する
ことによって、レジストパターンが形成される。
[発明が解決しようとする問題点コ
しかしながら、上述の方法によれば、ノボラック系ポジ
型レジストの照射部分から未反応の感光性の溶解阻止剤
や高分子量のノボラック系樹脂、未照射部分からは未反
応の溶解阻止剤などの難溶性物質がアルカリ性現像液中
に浮遊・沈澱し、これらは残渣となるという問題点があ
った。
型レジストの照射部分から未反応の感光性の溶解阻止剤
や高分子量のノボラック系樹脂、未照射部分からは未反
応の溶解阻止剤などの難溶性物質がアルカリ性現像液中
に浮遊・沈澱し、これらは残渣となるという問題点があ
った。
そこで、たとえば、ノボラック系ポジ型レジストである
商品名TSMR−8800のレジストを用いた場合にお
いて、このような残渣をなくすために現像液として商品
名NMD−Wのアルカリ性溶液に引き続いて商品名NM
D−R2の現像液を用いて現像している。しかし、この
方法によれば現像処理を2回行なわなければならず、現
像工程が複雑になるという欠点があった。また、残渣を
なくす目的で商品名NMD−R2の現像液のみを用いて
現像すると、未照射部のレジストの膜減り(膜厚が薄く
なる現象)が大きくなるなどの問題点が発生していた。
商品名TSMR−8800のレジストを用いた場合にお
いて、このような残渣をなくすために現像液として商品
名NMD−Wのアルカリ性溶液に引き続いて商品名NM
D−R2の現像液を用いて現像している。しかし、この
方法によれば現像処理を2回行なわなければならず、現
像工程が複雑になるという欠点があった。また、残渣を
なくす目的で商品名NMD−R2の現像液のみを用いて
現像すると、未照射部のレジストの膜減り(膜厚が薄く
なる現象)が大きくなるなどの問題点が発生していた。
そこで、この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、現像処理後の残渣をなくすことがで
きるとともに未照射部の膜減りも小さく、現像工程も単
純であるレジストパターンの形成方法を提供することを
目的とする。
になされたもので、現像処理後の残渣をなくすことがで
きるとともに未照射部の膜減りも小さく、現像工程も単
純であるレジストパターンの形成方法を提供することを
目的とする。
[問題点を解決するための手段]
この発明に従ったレジストパターンの形成方法は、基板
上にノボラック系樹脂と溶解阻止剤とからなるポジ型レ
ジストを塗布し、その所定部分を露光した後、このポジ
型レジストをアルカリ水溶液で現像するレジストパター
ンの形成方法において、現像液としてのアルカリ性水溶
液中に包接材料を含むようにしたものである。
上にノボラック系樹脂と溶解阻止剤とからなるポジ型レ
ジストを塗布し、その所定部分を露光した後、このポジ
型レジストをアルカリ水溶液で現像するレジストパター
ンの形成方法において、現像液としてのアルカリ性水溶
液中に包接材料を含むようにしたものである。
[作用]
この発明における現像液としてのアルカリ性水溶液中に
含まれる包接材料は包接化合物を形成する環状の物質で
、環の外側は水に馴染みやすい親水性、環の内側は逆に
水に馴染みにくい疎水性の性質を有する。そのため、こ
の包接材料は溶解阻止剤などのアルカリ難溶性の化合物
をゲストとして環の内側に取込むホストの役割を果たす
。したがって、現像処理後の残渣となり得る難溶性物質
はこの包接材料の内部に取込まれ、包接化合物となり、
アルカリに対して可溶となる。
含まれる包接材料は包接化合物を形成する環状の物質で
、環の外側は水に馴染みやすい親水性、環の内側は逆に
水に馴染みにくい疎水性の性質を有する。そのため、こ
の包接材料は溶解阻止剤などのアルカリ難溶性の化合物
をゲストとして環の内側に取込むホストの役割を果たす
。したがって、現像処理後の残渣となり得る難溶性物質
はこの包接材料の内部に取込まれ、包接化合物となり、
アルカリに対して可溶となる。
[実施例コ
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はノボラック系ポジ型レジストの感光成分であり
、溶解阻止剤として作用する感光性樹脂の一例を示す模
式図である。図において、感光性樹脂1はバインダ樹脂
2と複数個の感光性のキノンジアジド基3とから構成さ
れる。キノンジアジド基3は感光し、水加反応すると、
インデンカルボン酸基4が生成する。
、溶解阻止剤として作用する感光性樹脂の一例を示す模
式図である。図において、感光性樹脂1はバインダ樹脂
2と複数個の感光性のキノンジアジド基3とから構成さ
れる。キノンジアジド基3は感光し、水加反応すると、
インデンカルボン酸基4が生成する。
ノボラック系樹脂に第1図に示すような溶解阻止剤とし
ての感光性樹脂を加えたものからなるノボラック系ポジ
型レジストを基板上に塗布し、紫外線で露光した。露光
部の感光性樹脂1はキノンジアジド基3が光分解反応し
、転位反応を経て水加反応によりインデンカルボン酸基
4が生成された(第1図にhνで示される)。ところが
、反応−m−→ 後の露光部の感光性樹脂11には図に示すように未反応
のキノンジアジド基3を含むものがあり、これらはアル
カリに対する可溶性が弱く、沈澱しやすい。そこで、ア
ルカリ水溶性の現像液に、第2図に模式的に示されるシ
クロデキストリン5を添加した現像液を用いて、現像す
ると、シクロデキストリン5が未反応のキノンジアジド
基3をゲストとして取込んだ包接化合物6を形成する。
ての感光性樹脂を加えたものからなるノボラック系ポジ
型レジストを基板上に塗布し、紫外線で露光した。露光
部の感光性樹脂1はキノンジアジド基3が光分解反応し
、転位反応を経て水加反応によりインデンカルボン酸基
4が生成された(第1図にhνで示される)。ところが
、反応−m−→ 後の露光部の感光性樹脂11には図に示すように未反応
のキノンジアジド基3を含むものがあり、これらはアル
カリに対する可溶性が弱く、沈澱しやすい。そこで、ア
ルカリ水溶性の現像液に、第2図に模式的に示されるシ
クロデキストリン5を添加した現像液を用いて、現像す
ると、シクロデキストリン5が未反応のキノンジアジド
基3をゲストとして取込んだ包接化合物6を形成する。
このように形成された包接化合物6の模式図は第3図に
示されている。この包接化合物6はアルカリ性水溶液に
対して可溶となるので、未反応部分の感光剤、すなわち
、未反応のキノンジアジド2!3のアルカリに対する溶
解性が改善され得る。したがって、現像処理後の残渣が
解消される。
示されている。この包接化合物6はアルカリ性水溶液に
対して可溶となるので、未反応部分の感光剤、すなわち
、未反応のキノンジアジド2!3のアルカリに対する溶
解性が改善され得る。したがって、現像処理後の残渣が
解消される。
上述の方法にしたがったレジストパターン形成は具体的
には次のように行なわれる。Si基板にノボラック系ポ
ジ型レジストである商品名TSMR−8800のレジス
トを1.2μmの膜厚で塗布した。これを温度95℃で
6分間ホ・ソトプレートでベーキングした後、型番NS
R−15050mAのニコン製ステッパーを用いて、波
長436nmの紫外光を照射量220mJ/cm2で照
射した。照射後、2,4%の水酸化テトラメチルアンモ
ニウム水溶液にβ−シクロデキストリンを0゜1%加え
た液で現像した。このようにして、レジストの残渣を発
生させずにサブミクロンオーダのレジストパターンが形
成された。
には次のように行なわれる。Si基板にノボラック系ポ
ジ型レジストである商品名TSMR−8800のレジス
トを1.2μmの膜厚で塗布した。これを温度95℃で
6分間ホ・ソトプレートでベーキングした後、型番NS
R−15050mAのニコン製ステッパーを用いて、波
長436nmの紫外光を照射量220mJ/cm2で照
射した。照射後、2,4%の水酸化テトラメチルアンモ
ニウム水溶液にβ−シクロデキストリンを0゜1%加え
た液で現像した。このようにして、レジストの残渣を発
生させずにサブミクロンオーダのレジストパターンが形
成された。
また、上記のレジストと感光成分が異なったノボラック
系ポジ型レジストである商品名RE−5ooop <日
立化成製)のレジストをSi基板に塗布し、軟X線を照
射量400mJ/cm2で、あるいは電子線を照射量4
μC/Cm2で照射した後、シクロデキストリンを含む
現像液を用いて現像した。上記実施例と同様に、良好な
サブミクロンオーダのレジストパターンを形成すること
ができた。
系ポジ型レジストである商品名RE−5ooop <日
立化成製)のレジストをSi基板に塗布し、軟X線を照
射量400mJ/cm2で、あるいは電子線を照射量4
μC/Cm2で照射した後、シクロデキストリンを含む
現像液を用いて現像した。上記実施例と同様に、良好な
サブミクロンオーダのレジストパターンを形成すること
ができた。
なお、上述の実施例では包接材料としてシクロデキスト
リンを用いた場合について説明したが、包接材料はシク
ロデキストリンに限定されることはない。
リンを用いた場合について説明したが、包接材料はシク
ロデキストリンに限定されることはない。
[発明の効果]
以上のように、この発明によれば包接材料を含む現像液
を用いることによって、レジストの残渣が発生しにくく
なり、微細なレジストパターンを形成する上でその寸法
精度を向上させることができる。
を用いることによって、レジストの残渣が発生しにくく
なり、微細なレジストパターンを形成する上でその寸法
精度を向上させることができる。
第1図はこの発明の一実施例において用いられる溶解阻
止剤としての感光性樹脂の模式図、第2図はこの発明の
一実施例に用いられる包接材料としてのシクロデキスト
リンの模式図、第3図は感光性樹脂に形成された包接化
合物の模式図である。 図において、1は感光性樹脂、2はバインダ樹脂、3は
キノンジアジド基、4はインデンカルボン酸基、5はシ
クロデキストリン、6は包接化合物である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
止剤としての感光性樹脂の模式図、第2図はこの発明の
一実施例に用いられる包接材料としてのシクロデキスト
リンの模式図、第3図は感光性樹脂に形成された包接化
合物の模式図である。 図において、1は感光性樹脂、2はバインダ樹脂、3は
キノンジアジド基、4はインデンカルボン酸基、5はシ
クロデキストリン、6は包接化合物である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)基板上にノボラック系樹脂と溶解阻止剤とからな
るポジ型レジストを塗布し、その所定部分を露光した後
、前記ポジ型レジストをアルカリ水溶液で現像するレジ
ストパターンの形成方法において、 前記アルカリ性水溶液中に包接材料を含むことを特徴と
するレジストパターンの形成方法。 - (2)前記包接材料は、シクロデキストリンである、特
許請求の範囲第1項に記載のレジストパターンの形成方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25332987A JPH0194342A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25332987A JPH0194342A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0194342A true JPH0194342A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17249794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25332987A Pending JPH0194342A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0194342A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010004778A1 (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 平版印刷版材料用の現像液および平版印刷版材料 |
US7875419B2 (en) | 2002-10-29 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing resist pattern and method for manufacturing semiconductor device |
CN102898561A (zh) * | 2012-10-11 | 2013-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 碱可溶树脂及其制备方法、光致抗蚀剂 |
CN109765755A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-05-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种光刻胶及其制备方法 |
WO2022162972A1 (ja) * | 2021-01-29 | 2022-08-04 | メルテックス株式会社 | レジスト残渣除去液及びこれを用いる導体パターン付き基板材の形成方法 |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP25332987A patent/JPH0194342A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7875419B2 (en) | 2002-10-29 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing resist pattern and method for manufacturing semiconductor device |
WO2010004778A1 (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 平版印刷版材料用の現像液および平版印刷版材料 |
CN102898561A (zh) * | 2012-10-11 | 2013-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 碱可溶树脂及其制备方法、光致抗蚀剂 |
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