JPH08241840A - レジスト・パターンの形成方法 - Google Patents
レジスト・パターンの形成方法Info
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- JPH08241840A JPH08241840A JP4375895A JP4375895A JPH08241840A JP H08241840 A JPH08241840 A JP H08241840A JP 4375895 A JP4375895 A JP 4375895A JP 4375895 A JP4375895 A JP 4375895A JP H08241840 A JPH08241840 A JP H08241840A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト・パターンの形成方法に関し、スル
ー・プットを低下させることなく、ディープＵＶ用ポジ
型化学増幅レジスト膜の周辺露光を行うことを可能にし
ようとする。 【構成】 例えば半導体基板などの被加工基板に例えば
ディープＵＶ用ポジ型化学増幅レジストなどのポジ型レ
ジストを塗布し、そのポジ型レジストのウエハのエッジ
に於ける部分を除去する為の周辺露光を行い、加熱処理
を行い、周辺露光以外の例えば回路パターンなどのパタ
ーン露光を行い、その後、ポジ型レジストの現像を行っ
てパターンを形成する。
ー・プットを低下させることなく、ディープＵＶ用ポジ
型化学増幅レジスト膜の周辺露光を行うことを可能にし
ようとする。 【構成】 例えば半導体基板などの被加工基板に例えば
ディープＵＶ用ポジ型化学増幅レジストなどのポジ型レ
ジストを塗布し、そのポジ型レジストのウエハのエッジ
に於ける部分を除去する為の周辺露光を行い、加熱処理
を行い、周辺露光以外の例えば回路パターンなどのパタ
ーン露光を行い、その後、ポジ型レジストの現像を行っ
てパターンを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を製造する
のに適用されるフォト・リソグラフィ技術、例えば、Ｋ
ｒＦエキシマ・レーザなどを光源とする遠紫外線（ｄｅ
ｅｐ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ：ｄｅｅｐ
ＵＶ）リソグラフィ技術を適用し、例えば、ポジ型化学
増幅レジスト（要すれば、（株）サイエンスフォーラム
発行滝川忠宏他３名編集「ＵＬＳＩリソグラフィ技術の
革新」第６０頁乃至第７０頁及び第３０８頁乃至３１６
頁、或いは、上田 充他１名「有機合成化学」第４９巻
第５号（１９９１）第４３７頁乃至４５０頁、或いは、
伊藤 洋他１名「Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．
Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．２，Ｎｏ．１，１９８９」
第２頁乃至第１０頁、などを参照）からなるパターンを
形成するのに好適な方法に関する。
のに適用されるフォト・リソグラフィ技術、例えば、Ｋ
ｒＦエキシマ・レーザなどを光源とする遠紫外線（ｄｅ
ｅｐ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ：ｄｅｅｐ
ＵＶ）リソグラフィ技術を適用し、例えば、ポジ型化学
増幅レジスト（要すれば、（株）サイエンスフォーラム
発行滝川忠宏他３名編集「ＵＬＳＩリソグラフィ技術の
革新」第６０頁乃至第７０頁及び第３０８頁乃至３１６
頁、或いは、上田 充他１名「有機合成化学」第４９巻
第５号（１９９１）第４３７頁乃至４５０頁、或いは、
伊藤 洋他１名「Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．
Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．２，Ｎｏ．１，１９８９」
第２頁乃至第１０頁、などを参照）からなるパターンを
形成するのに好適な方法に関する。
【０００２】微細パターンを得る為、遠紫外線リソグラ
フィ技術とポジ型化学増幅レジストとを組み合わせるこ
とは有効であるが、ウエハの周辺露光に時間が掛かるの
で、これを短縮することが必要であり、本発明は、これ
に応えることができる。
フィ技術とポジ型化学増幅レジストとを組み合わせるこ
とは有効であるが、ウエハの周辺露光に時間が掛かるの
で、これを短縮することが必要であり、本発明は、これ
に応えることができる。
【０００３】
【従来の技術】高集積化された半導体装置を実現させる
為、パターンの微細化が要求されているところであり、
その為、露光装置の高開口数（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ａ
ｐｅｒｔｕｒｅ：ＮＡ）化と共に光源の短波長化が進展
しつつあり、この光源の短波長化に伴ってＫｒＦエキシ
マ・レーザなどを光源とするディープＵＶリソグラフィ
技術が実用になりつつある。
為、パターンの微細化が要求されているところであり、
その為、露光装置の高開口数（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ａ
ｐｅｒｔｕｒｅ：ＮＡ）化と共に光源の短波長化が進展
しつつあり、この光源の短波長化に伴ってＫｒＦエキシ
マ・レーザなどを光源とするディープＵＶリソグラフィ
技術が実用になりつつある。
【０００４】ところで、半導体装置の製造工程に於い
て、リソグラフィ技術を実施する場合には、通常、ウエ
ハに形成したレジスト膜に対してパターン露光を行って
マスクを形成し、そのマスクを利用して回路パターンを
形成するのであるが、露光を実施するのは、回路に関す
る部分のみではない。
て、リソグラフィ技術を実施する場合には、通常、ウエ
ハに形成したレジスト膜に対してパターン露光を行って
マスクを形成し、そのマスクを利用して回路パターンを
形成するのであるが、露光を実施するのは、回路に関す
る部分のみではない。
【０００５】即ち、後続する工程、或いは、搬送するな
どの場合に於いては、ウエハのエッジに触れざるを得な
いが、その場合、エッジにレジスト膜が残っているとゴ
ミが発生することが多い。
どの場合に於いては、ウエハのエッジに触れざるを得な
いが、その場合、エッジにレジスト膜が残っているとゴ
ミが発生することが多い。
【０００６】従って、ウエハのエッジに在るレジスト膜
は除去しておくことが必要であり、その為、その周辺部
分を回路部分とは別に露光することが必要である。尚、
周辺部分の露光と回路部分の露光とは、条件が異なる
為、同時に実施することはできない。
は除去しておくことが必要であり、その為、その周辺部
分を回路部分とは別に露光することが必要である。尚、
周辺部分の露光と回路部分の露光とは、条件が異なる
為、同時に実施することはできない。
【０００７】この周辺露光、或いはエッジ露光、或いは
端面露光などと呼ばれる露光を行う装置を特に周辺露光
装置などと呼び、通常のｇ線或いはｉ線を適用するレジ
スト用の周辺露光装置の光源としては、一般に高圧水銀
燈が利用されている。
端面露光などと呼ばれる露光を行う装置を特に周辺露光
装置などと呼び、通常のｇ線或いはｉ線を適用するレジ
スト用の周辺露光装置の光源としては、一般に高圧水銀
燈が利用されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の周辺露光装置に
於ける光源である高圧水銀燈は、ディープＵＶ領域の発
光強度が弱い。
於ける光源である高圧水銀燈は、ディープＵＶ領域の発
光強度が弱い。
【０００９】一般に、ディープＵＶ用のレジスト材料
は、ディープＵＶ領域の光には高効率で反応するが、よ
り長波長の光に対しては、著しく低感度であるものが多
い。このようなレジスト材料を用いる際、従来の周辺露
光装置を使用すると露光に膨大な時間が掛かり、スルー
・プットが著しく低下する。
は、ディープＵＶ領域の光には高効率で反応するが、よ
り長波長の光に対しては、著しく低感度であるものが多
い。このようなレジスト材料を用いる際、従来の周辺露
光装置を使用すると露光に膨大な時間が掛かり、スルー
・プットが著しく低下する。
【００１０】ディープＵＶ領域の発光が比較的強力なＸ
ｅ−Ｈｇランプを用いた場合でも、ディープＵＶ領域の
発光強度はｇ線やｉ線の強度に比較すると大変に弱いの
で、スルー・プットの低下は回避できない。
ｅ−Ｈｇランプを用いた場合でも、ディープＵＶ領域の
発光強度はｇ線やｉ線の強度に比較すると大変に弱いの
で、スルー・プットの低下は回避できない。
【００１１】本発明は、スルー・プットを低下させるこ
となく、ディープＵＶ用ポジ型化学増幅レジスト膜の周
辺露光を行うことを可能にしようとする。
となく、ディープＵＶ用ポジ型化学増幅レジスト膜の周
辺露光を行うことを可能にしようとする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明では、最初に周辺
露光、次にパターン露光の順に露光を実施するものと
し、また、周辺露光とパターン露光との間にレジスト膜
の加熱処理を行うことが基本になっている。
露光、次にパターン露光の順に露光を実施するものと
し、また、周辺露光とパターン露光との間にレジスト膜
の加熱処理を行うことが基本になっている。
【００１３】従来、周辺露光を含む露光工程では、周辺
露光とパターン露光との間でレジスト膜の加熱処理を行
うことはなく、前記両方の露光が終了した後に露光後ベ
ーク（ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ：ＰＥ
Ｂ）が行われ、また、周辺露光とパターン露光の順序を
如何にするかは問題になっていなかった。
露光とパターン露光との間でレジスト膜の加熱処理を行
うことはなく、前記両方の露光が終了した後に露光後ベ
ーク（ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ：ＰＥ
Ｂ）が行われ、また、周辺露光とパターン露光の順序を
如何にするかは問題になっていなかった。
【００１４】然しながら、ディープＵＶ用として注目さ
れている化学増幅レジストは、その特性上、周辺露光は
パターン露光よりも前に実施されることが好ましい。
れている化学増幅レジストは、その特性上、周辺露光は
パターン露光よりも前に実施されることが好ましい。
【００１５】この理由は、より微細なパターンを安定に
形成する為、露光後の放置時間依存性をなるべく少なく
する、即ち、露光が終わってからベーキングに至るまで
の時間を短くすることが狙いであって、パターン露光と
ＰＥＢとの間の時間差はできるだけ少ない方が好まし
い。
形成する為、露光後の放置時間依存性をなるべく少なく
する、即ち、露光が終わってからベーキングに至るまで
の時間を短くすることが狙いであって、パターン露光と
ＰＥＢとの間の時間差はできるだけ少ない方が好まし
い。
【００１６】化学増幅レジストは、ＰＥＢを施すことに
依って、感度が著しく上昇する為、周辺露光後、加熱処
理を行うことに依って、パターン部分の感度を変化させ
ることなく、周辺露光に於ける感度を高めることがで
き、スルー・プットの低下を抑えることができる。尚、
ここで、周辺露光に於ける感度とは、露光及び露光後の
反応を含めた感度を指している。
依って、感度が著しく上昇する為、周辺露光後、加熱処
理を行うことに依って、パターン部分の感度を変化させ
ることなく、周辺露光に於ける感度を高めることがで
き、スルー・プットの低下を抑えることができる。尚、
ここで、周辺露光に於ける感度とは、露光及び露光後の
反応を含めた感度を指している。
【００１７】周辺露光を行った後、続いてＰＥＢを施す
ことに依る効果は、特に化学増幅レジストに限られず、
ＰＥＢに依って感度が上昇する全てのレジストに於いて
同様に得られる効果であるが、前記した理由で、特に化
学増幅レジストを用いたプロセスで有効である。
ことに依る効果は、特に化学増幅レジストに限られず、
ＰＥＢに依って感度が上昇する全てのレジストに於いて
同様に得られる効果であるが、前記した理由で、特に化
学増幅レジストを用いたプロセスで有効である。
【００１８】特に、波長２７０〔ｎｍ〕以下のディープ
ＵＶ光を吸収して反応するディープＵＶ用レジストを用
いるプロセスの場合、ＰＥＢを効果的に利用すること
で、スルー・プットが向上するのは重要な意味を含んで
いる。
ＵＶ光を吸収して反応するディープＵＶ用レジストを用
いるプロセスの場合、ＰＥＢを効果的に利用すること
で、スルー・プットが向上するのは重要な意味を含んで
いる。
【００１９】即ち、ディープＵＶ用レジストを用いるプ
ロセスで、その周辺露光の工程に於いてスルー・プット
の低下が起こるのは普通であったから、その問題が解消
されることは、従来の周辺露光装置の光源で発生する発
光強度が強い波長の光に感光するレジスト、即ち、周辺
露光の工程でスルー・プットの低下がないレジストと全
く同等にディープＵＶ用レジストを使用することが可能
となるからである。
ロセスで、その周辺露光の工程に於いてスルー・プット
の低下が起こるのは普通であったから、その問題が解消
されることは、従来の周辺露光装置の光源で発生する発
光強度が強い波長の光に感光するレジスト、即ち、周辺
露光の工程でスルー・プットの低下がないレジストと全
く同等にディープＵＶ用レジストを使用することが可能
となるからである。
【００２０】通常のレジスト・プロセスに於いては、レ
ジスト塗布後に加熱処理（ｐｒｅｂａｋｅ）が行われる
が、条件に依っては、本発明に於ける周辺露光後の加熱
処理と兼ねることも可能であり、その場合、工程数の増
加を回避することができる。
ジスト塗布後に加熱処理（ｐｒｅｂａｋｅ）が行われる
が、条件に依っては、本発明に於ける周辺露光後の加熱
処理と兼ねることも可能であり、その場合、工程数の増
加を回避することができる。
【００２１】ポジ型レジストを塗布する工程の後に加熱
処理を行い、更に、前記したように周辺露光の工程とパ
ターン露光の工程との間に加熱処理が行われる場合、周
辺露光の工程に続く加熱処理の温度は、ポジ型レジスト
を塗布する工程の後の加熱処理の温度を越えないように
することが望ましい。その理由は、後者の加熱処理がパ
ターン露光の特性に影響を及ぼすことが懸念される為で
ある。
処理を行い、更に、前記したように周辺露光の工程とパ
ターン露光の工程との間に加熱処理が行われる場合、周
辺露光の工程に続く加熱処理の温度は、ポジ型レジスト
を塗布する工程の後の加熱処理の温度を越えないように
することが望ましい。その理由は、後者の加熱処理がパ
ターン露光の特性に影響を及ぼすことが懸念される為で
ある。
【００２２】前記したところから、本発明に依るレジス
ト・パターンの形成方法では、 （１）被加工基板（半導体基板）にポジ型レジストを塗
布する工程と、次いで、前記ポジ型レジストの周辺露光
（ウエハのエッジに於けるレジストを除去する為の露
光）を行う工程と、次いで、加熱処理を行う工程（本発
明が最重要の特徴とする工程）と、次いで、前記ポジ型
レジストのパターン露光（周辺露光以外の例えば回路パ
ターンの露光）を行う工程と、次いで、前記ポジ型レジ
ストの現像を行ってパターンを形成する工程とが含まれ
てなることを特徴とするか、又は、
ト・パターンの形成方法では、 （１）被加工基板（半導体基板）にポジ型レジストを塗
布する工程と、次いで、前記ポジ型レジストの周辺露光
（ウエハのエッジに於けるレジストを除去する為の露
光）を行う工程と、次いで、加熱処理を行う工程（本発
明が最重要の特徴とする工程）と、次いで、前記ポジ型
レジストのパターン露光（周辺露光以外の例えば回路パ
ターンの露光）を行う工程と、次いで、前記ポジ型レジ
ストの現像を行ってパターンを形成する工程とが含まれ
てなることを特徴とするか、又は、
【００２３】（２）前記（１）に於いて、ポジ型レジス
トが化学増幅レジストであることを特徴とするか、又
は、
トが化学増幅レジストであることを特徴とするか、又
は、
【００２４】（３）前記（１）或いは（２）に於いて、
ポジ型レジストが波長２７０〔ｎｍ〕以下の遠紫外線を
吸収して反応する遠紫外線用レジストであることを特徴
とするか、又は、
ポジ型レジストが波長２７０〔ｎｍ〕以下の遠紫外線を
吸収して反応する遠紫外線用レジストであることを特徴
とするか、又は、
【００２５】（４）前記（１）或いは（２）或いは
（３）に於いて、ポジ型レジストの周辺露光を行う工程
と前記ポジ型レジストのパターン露光を行う工程との間
に実施する加熱処理に依って前記ポジ型レジスト塗布後
のプリ・ベーキングを兼ねさせることを特徴とするか、
又は、
（３）に於いて、ポジ型レジストの周辺露光を行う工程
と前記ポジ型レジストのパターン露光を行う工程との間
に実施する加熱処理に依って前記ポジ型レジスト塗布後
のプリ・ベーキングを兼ねさせることを特徴とするか、
又は、
【００２６】（５）前記（１）或いは（２）或いは
（３）に於いて、ポジ型レジストを塗布してから行うプ
リ・ベーキングの温度を越えない温度で前記ポジ型レジ
ストの周辺露光を行った後の加熱処理を行うことが含ま
れてなることを特徴とする。
（３）に於いて、ポジ型レジストを塗布してから行うプ
リ・ベーキングの温度を越えない温度で前記ポジ型レジ
ストの周辺露光を行った後の加熱処理を行うことが含ま
れてなることを特徴とする。
【００２７】
【作用】前記手段を採ることに依り、ポジ型レジスト、
特に、ディープＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを材料と
するマスクを形成する際の周辺露光をパターン露光に影
響を及ぼすことなく感度を高めて短時間で行うことが可
能となったので、周辺露光に起因するスルー・プットの
低下は解消され、しかも、それを実現する手段は簡単で
あって、何ら特殊な技術を要しないので、容易に実施す
ることができる。
特に、ディープＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを材料と
するマスクを形成する際の周辺露光をパターン露光に影
響を及ぼすことなく感度を高めて短時間で行うことが可
能となったので、周辺露光に起因するスルー・プットの
低下は解消され、しかも、それを実現する手段は簡単で
あって、何ら特殊な技術を要しないので、容易に実施す
ることができる。
【００２８】
【実施例】実施例を説明する前に、各実施例と比較する
為の比較例を挙げて説明する。
為の比較例を挙げて説明する。
【００２９】比較例 約１５〔ｃｍ〕φ（６〔インチ〕φ）のウエハにディー
プＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを約０．７〔μｍ〕の
厚さに塗布してから、温度１１０〔℃〕で時間９０
〔秒〕のプリ・ベーキングを行う。
プＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを約０．７〔μｍ〕の
厚さに塗布してから、温度１１０〔℃〕で時間９０
〔秒〕のプリ・ベーキングを行う。
【００３０】Ｘｅ−Ｈｇランプを光源とした周辺露光装
置を用い、前記ウエハを１周／２０〔秒〕の速度で５周
させ、その間にウエハの周辺部分のみを露光した。
置を用い、前記ウエハを１周／２０〔秒〕の速度で５周
させ、その間にウエハの周辺部分のみを露光した。
【００３１】その後、パターン露光を施し、パターン形
成の為の適正な条件である温度９０〔℃〕、時間６０
〔秒〕のＰＥＢを行ってから現像した。
成の為の適正な条件である温度９０〔℃〕、時間６０
〔秒〕のＰＥＢを行ってから現像した。
【００３２】その結果、パターンは形成されていたが、
ウエハ周辺部分のレジストは除かれていなかった。
ウエハ周辺部分のレジストは除かれていなかった。
【００３３】実施例１ 約１５〔ｃｍ〕φ（６〔インチ〕φ）のウエハにディー
プＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを約０．７〔μｍ〕の
厚さに塗布してから、温度１１０〔℃〕で時間９０
〔秒〕のプリ・ベーキングを行う。
プＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを約０．７〔μｍ〕の
厚さに塗布してから、温度１１０〔℃〕で時間９０
〔秒〕のプリ・ベーキングを行う。
【００３４】Ｘｅ−Ｈｇランプを光源とした周辺露光装
置を用い、前記ウエハを１周／２０〔秒〕の速度で３周
させ、その間にウエハの周辺部分のみを露光した。
置を用い、前記ウエハを１周／２０〔秒〕の速度で３周
させ、その間にウエハの周辺部分のみを露光した。
【００３５】温度１１０〔℃〕、時間６０〔秒〕のベー
キングを施し、次に、パターン露光を行ってから、パタ
ーン形成の為の適正な条件である温度９０〔℃〕、時間
６０〔秒〕のＰＥＢを行った後に現像した。
キングを施し、次に、パターン露光を行ってから、パタ
ーン形成の為の適正な条件である温度９０〔℃〕、時間
６０〔秒〕のＰＥＢを行った後に現像した。
【００３６】その結果、ウエハ周辺部分のレジストは完
全の除かれ、そして、形成されたパターンは、比較例と
の差が見られなかった。
全の除かれ、そして、形成されたパターンは、比較例と
の差が見られなかった。
【００３７】実施例２ 約１５〔ｃｍ〕φ（６〔インチ〕φ）のウエハにディー
プＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを約０．７〔μｍ〕の
厚さに塗布した。
プＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを約０．７〔μｍ〕の
厚さに塗布した。
【００３８】Ｘｅ−Ｈｇランプを光源とした周辺露光装
置を用い、前記ウエハを１周／２０〔秒〕の速度で３周
させ、その間にウエハの周辺部分のみを露光した。
置を用い、前記ウエハを１周／２０〔秒〕の速度で３周
させ、その間にウエハの周辺部分のみを露光した。
【００３９】温度９０〔℃〕、時間６０〔秒〕のベーキ
ングを施し、次に、パターン露光を行って、パターン形
成の為の適正な条件である温度９０〔℃〕、時間６０
〔秒〕のＰＥＢを行った後に現像した。
ングを施し、次に、パターン露光を行って、パターン形
成の為の適正な条件である温度９０〔℃〕、時間６０
〔秒〕のＰＥＢを行った後に現像した。
【００４０】その結果、ウエハ周辺部分のレジストは完
全の除かれ、そして、形成されたパターンは、比較例と
の差が見られなかった。
全の除かれ、そして、形成されたパターンは、比較例と
の差が見られなかった。
【００４１】実施例３ 約１５〔ｃｍ〕φ（６〔インチ〕φ）のウエハにディー
プＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを約０．７〔μｍ〕の
厚さに塗布してから、温度１１０〔℃〕で時間９０
〔秒〕のプリ・ベーキングを行う。
プＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを約０．７〔μｍ〕の
厚さに塗布してから、温度１１０〔℃〕で時間９０
〔秒〕のプリ・ベーキングを行う。
【００４２】Ｘｅ−Ｈｇランプを光源とした周辺露光装
置を用い、前記ウエハを１周／２０〔秒〕の速度で５周
させ、その間にウエハの周辺部分のみを露光した。
置を用い、前記ウエハを１周／２０〔秒〕の速度で５周
させ、その間にウエハの周辺部分のみを露光した。
【００４３】温度９０〔℃〕、時間６０〔秒〕のベーキ
ングを施し、次に、パターン露光を行って、パターン形
成の為の適正な条件である温度９０〔℃〕、時間６０
〔秒〕のＰＥＢを行った後に現像した。
ングを施し、次に、パターン露光を行って、パターン形
成の為の適正な条件である温度９０〔℃〕、時間６０
〔秒〕のＰＥＢを行った後に現像した。
【００４４】その結果、ウエハ周辺部分のレジストは完
全の除かれ、そして、形成されたパターンは、比較例と
の差が見られなかった。
全の除かれ、そして、形成されたパターンは、比較例と
の差が見られなかった。
【００４５】
【発明の効果】本発明に依るレジスト・パターンの形成
方法に於いては、被加工基板にポジ型レジストを塗布
し、ポジ型レジストの周辺露光を行い、加熱処理を行
い、ポジ型レジストのパターン露光を行い、前記ポジ型
レジストの現像を行ってパターンを形成している。
方法に於いては、被加工基板にポジ型レジストを塗布
し、ポジ型レジストの周辺露光を行い、加熱処理を行
い、ポジ型レジストのパターン露光を行い、前記ポジ型
レジストの現像を行ってパターンを形成している。
【００４６】前記構成を採ることに依り、ポジ型レジス
ト、特に、ディープＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを材
料とするマスクを形成する際の周辺露光をパターン露光
に影響を及ぼすことなく感度を高めて短時間で行うこと
が可能となったので、周辺露光に起因するスルー・プッ
トの低下は解消され、しかも、それを実現する手段は簡
単であって、何ら特殊な技術を要しないので、容易に実
施することができる。
ト、特に、ディープＵＶ用ポジ型化学増幅レジストを材
料とするマスクを形成する際の周辺露光をパターン露光
に影響を及ぼすことなく感度を高めて短時間で行うこと
が可能となったので、周辺露光に起因するスルー・プッ
トの低下は解消され、しかも、それを実現する手段は簡
単であって、何ら特殊な技術を要しないので、容易に実
施することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９
Claims (5)
- 【請求項１】被加工基板にポジ型レジストを塗布する工
程と、 次いで、前記ポジ型レジストの周辺露光を行う工程と、 次いで、加熱処理を行う工程と、 次いで、前記ポジ型レジストのパターン露光を行う工程
と、 次いで、前記ポジ型レジストの現像を行ってパターンを
形成する工程とが含まれてなることを特徴とするレジス
ト・パターンの形成方法。 - 【請求項２】ポジ型レジストが化学増幅レジストである
ことを特徴とする請求項１記載のレジスト・パターンの
形成方法。 - 【請求項３】ポジ型レジストが波長２７０〔ｎｍ〕以下
の遠紫外線を吸収して反応する遠紫外線用レジストであ
ることを特徴とする請求項１或いは２記載のレジスト・
パターンの形成方法。 - 【請求項４】ポジ型レジストの周辺露光を行う工程と前
記ポジ型レジストのパターン露光を行う工程との間に実
施する加熱処理に依って前記ポジ型レジスト塗布後のプ
リ・ベーキングを兼ねさせることを特徴とする請求項１
或いは２或いは３記載のレジスト・パターンの形成方
法。 - 【請求項５】ポジ型レジストを塗布してから行うプリ・
ベーキングの温度を越えない温度で前記ポジ型レジスト
の周辺露光を行った後の加熱処理を行うことが含まれて
なることを特徴とする請求項１或いは２或いは３記載の
レジスト・パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4375895A JP3663551B2 (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | レジスト・パターンの形成方法 |
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| JP4375895A JP3663551B2 (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | レジスト・パターンの形成方法 |
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| JP3663551B2 JP3663551B2 (ja) | 2005-06-22 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4375895A Expired - Lifetime JP3663551B2 (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | レジスト・パターンの形成方法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11162844A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-06-18 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| JP2005173322A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | パターン形成方法 |
-
1995
- 1995-03-03 JP JP4375895A patent/JP3663551B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11162844A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-06-18 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| JP2005173322A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | パターン形成方法 |
| JP4545426B2 (ja) * | 2003-12-12 | 2010-09-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | パターン形成方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3663551B2 (ja) | 2005-06-22 |
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