JPS6177852A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPS6177852A JPS6177852A JP20229384A JP20229384A JPS6177852A JP S6177852 A JPS6177852 A JP S6177852A JP 20229384 A JP20229384 A JP 20229384A JP 20229384 A JP20229384 A JP 20229384A JP S6177852 A JPS6177852 A JP S6177852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- substrate
- film pattern
- resist
- residue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレジスト除去方法および装置に係り、特にレジ
スト膜パターンの残査を簡単に除くための方法とその装
置に関する。
スト膜パターンの残査を簡単に除くための方法とその装
置に関する。
ｒｃなど、半導体装置を製造する際、ウェハープロセス
におけるフォト工程は極めて重要で、ＩＣの微細化はフ
ォト技術（リソグラフィ技術）の進歩によって大きく推
進されてきた。例えば、電子ビーム露光法はその代表的
な例と云える。
におけるフォト工程は極めて重要で、ＩＣの微細化はフ
ォト技術（リソグラフィ技術）の進歩によって大きく推
進されてきた。例えば、電子ビーム露光法はその代表的
な例と云える。
従って、基板上にはサブミクロン程度の非常に微細なパ
ターンを形成することも可能になっているが、基板上に
形成されたレジスト膜パターンは、現像後に余分のレジ
スト残査が残存しないように除去されることが大切で、
しかも、容易に除去されるように配慮されなければなら
ない。
ターンを形成することも可能になっているが、基板上に
形成されたレジスト膜パターンは、現像後に余分のレジ
スト残査が残存しないように除去されることが大切で、
しかも、容易に除去されるように配慮されなければなら
ない。
［従来の技術］
さて、従来の電子ビーム露光によるフォト工程の一例を
説明すると、凡そ次のような方法によって処理されてい
る。
説明すると、凡そ次のような方法によって処理されてい
る。
例えば、基板をマスク基板として、その上に膜厚５００
０人のネガ型レジスト（例えば、クロロメチルポリスチ
レンからなるレジスト）を塗布して、基板面のクロム膜
をエツチングして、パターンニングする工程を例にする
と、まず、レジスト膜を塗布して、１１６〜１２０℃、
２０〜３０分程度のプレベーキングした後、所要の電子
ビーム露光を行なう。
０人のネガ型レジスト（例えば、クロロメチルポリスチ
レンからなるレジスト）を塗布して、基板面のクロム膜
をエツチングして、パターンニングする工程を例にする
と、まず、レジスト膜を塗布して、１１６〜１２０℃、
２０〜３０分程度のプレベーキングした後、所要の電子
ビーム露光を行なう。
次いで、アセトンなどの有機溶剤で現像し、更に窒素中
で１３０℃、２０〜３０分程度のボストベーキングを行
なう。このポストベーキングはレジスト膜パターン中の
溶剤を蒸発させるための処置で、一般に窒素ガス中で行
なわれる。
で１３０℃、２０〜３０分程度のボストベーキングを行
なう。このポストベーキングはレジスト膜パターン中の
溶剤を蒸発させるための処置で、一般に窒素ガス中で行
なわれる。
次いで、プラズマ処理装置に入れて、酸素プラズマで軽
くエツチングして、余分のレジスト膜残炎を除去する。
くエツチングして、余分のレジスト膜残炎を除去する。
このアッシングとは、レジストを酸化して灰化し、飛散
除去させることである。しかる後、その矯正されたレジ
スト膜パターンをマスクにして、所望のクロム膜をエツ
チングする。
除去させることである。しかる後、その矯正されたレジ
スト膜パターンをマスクにして、所望のクロム膜をエツ
チングする。
ここに、レジスト膜残炎とは、第３図の基板断面図に示
しているように、現像して形成されたレジスト膜パター
ン１の側面からテーパー状にだれて残るものＨであった
り、除去されるべき面に薄くに残っている薄膜Ｂであっ
たりして、これを除去するまで更に過度に現像すれば、
かえって全体のレジスト膜パターンの精度が悪化するた
め、貞節に現像時間を制御し、上記のようなアッシング
処理を行なって、僅かに数１００人程度のレジスト膜表
面を酸化除去しているものである。尚、図中、２は基板
、３はクロム膜を示している。
しているように、現像して形成されたレジスト膜パター
ン１の側面からテーパー状にだれて残るものＨであった
り、除去されるべき面に薄くに残っている薄膜Ｂであっ
たりして、これを除去するまで更に過度に現像すれば、
かえって全体のレジスト膜パターンの精度が悪化するた
め、貞節に現像時間を制御し、上記のようなアッシング
処理を行なって、僅かに数１００人程度のレジスト膜表
面を酸化除去しているものである。尚、図中、２は基板
、３はクロム膜を示している。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、上記のプラズマ処理装置に収容して処理する
方法は、非常に時間と工数がかかる方法で、余り好まし
いものではない。第４図にプラズマ処理装置の概要断面
を示しており、その処理方法は、レジスト膜パターンを
設けた基板２を両電極５の一方に載置して、処理容器６
内を真空に吸引し、１〜１０Ｔｏｒｒの減圧度になるよ
うに酸素を流入して、電源７より電力を印加する。そう
すると、酸素プラズマによってレジスト膜が酸化されて
、除去される。しかし、この方法は、肝心のプラズマ処
理時間は短時間であるが、真空吸引や減圧度・電力調整
に多くの時間と工数を要する方法である。
方法は、非常に時間と工数がかかる方法で、余り好まし
いものではない。第４図にプラズマ処理装置の概要断面
を示しており、その処理方法は、レジスト膜パターンを
設けた基板２を両電極５の一方に載置して、処理容器６
内を真空に吸引し、１〜１０Ｔｏｒｒの減圧度になるよ
うに酸素を流入して、電源７より電力を印加する。そう
すると、酸素プラズマによってレジスト膜が酸化されて
、除去される。しかし、この方法は、肝心のプラズマ処
理時間は短時間であるが、真空吸引や減圧度・電力調整
に多くの時間と工数を要する方法である。
且つ、このプラズマ処理装置は電源を含んで高価な処理
装置である。
装置である。
本発明は、このような欠点を有するプラズマ処理装置を
用いることなく、余分のレジスト膜残炎を容易に除去す
るためのレジスト除去方法と、その装置を提案するもの
である。
用いることなく、余分のレジスト膜残炎を容易に除去す
るためのレジスト除去方法と、その装置を提案するもの
である。
［問題点を解決するための手段］ ｔ
その問題は、露光・現像して形成されたレジスト膜パタ
ーンを、大気中で遠紫外光によって全面照射して、前記
レジスト膜パターンの残炎を除去するようにしたレジス
ト除去方法と、その装置よって解決される。
ーンを、大気中で遠紫外光によって全面照射して、前記
レジスト膜パターンの残炎を除去するようにしたレジス
ト除去方法と、その装置よって解決される。
［作用］
即ち、本発明にかかるレジスト除去方法は、大気中にお
いて遠紫外線を短時間照射するのみで、レジスト膜表面
を僅かに酸化して、レジスト膜の残炎を除去する方法で
、そうすれば、フォト工程が著しく簡単になる。
いて遠紫外線を短時間照射するのみで、レジスト膜表面
を僅かに酸化して、レジスト膜の残炎を除去する方法で
、そうすれば、フォト工程が著しく簡単になる。
［実施例］
以下１図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるレジスト膜残炎を除去するため
のレジスト除去装置の概要断面図で、１１は照射ランプ
、１２はレジスト膜パターンを設けた基板である。且つ
、両者の間には透明石英板１３を介在させており、これ
は塵埃を遮断して、遠紫外光を基板面に照射させるため
に設けた仕切板である。更に、両側には遮蔽板１４を設
けている。かくして、照射ランプ１１よって、例えば波
長１８４９人の遠紫外光線を基板１２に照射し、約１２
０秒間曝すと、レジスト膜の残炎が酸化して飛散し除去
される。
のレジスト除去装置の概要断面図で、１１は照射ランプ
、１２はレジスト膜パターンを設けた基板である。且つ
、両者の間には透明石英板１３を介在させており、これ
は塵埃を遮断して、遠紫外光を基板面に照射させるため
に設けた仕切板である。更に、両側には遮蔽板１４を設
けている。かくして、照射ランプ１１よって、例えば波
長１８４９人の遠紫外光線を基板１２に照射し、約１２
０秒間曝すと、レジスト膜の残炎が酸化して飛散し除去
される。
これは、大気中の酸素が遠紫外光の照射を受けてオゾン
（０３）となり、更にオゾンは遠紫外光によって分解さ
れて、発生基の酸素（０４）を生じ、この活性化した酸
素によってレジスト膜表面が酸化され、このようにして
残炎が酸化除去されるものと推察される。上記した温度
と時間によって酸化除去されるレジスト膜の膜厚は、約
３００〜４００人である。
（０３）となり、更にオゾンは遠紫外光によって分解さ
れて、発生基の酸素（０４）を生じ、この活性化した酸
素によってレジスト膜表面が酸化され、このようにして
残炎が酸化除去されるものと推察される。上記した温度
と時間によって酸化除去されるレジスト膜の膜厚は、約
３００〜４００人である。
従って、このように構成した照射装置にすれば、残炎を
除去する処理を大気中において行なうことができ、而も
、短い時間で処理できる。
除去する処理を大気中において行なうことができ、而も
、短い時間で処理できる。
次に、第２図は本発明にかかる更に実用的なレジスト除
去装置の概要断面図を示しており、本例はベルトによっ
て自動的に左右に動かして処理する装置例である。図に
おいて、第１図と同一部材には同一記号を付しているが
、基板１２は真空チャックによってステージ１５に吸引
され、そのステージをベルト１６によって左右に揺動す
る構造となっている。また、照射ランプ１１の口金部１
７はランプとは隔離させており、その部分は窒素ガスを
流し込んで冷却している０口金部１７の加熱酸化による
接触不良を防止するためである。且つ、照射ランプ１１
と基板１２との距離は２０〜３０日程度としている。
去装置の概要断面図を示しており、本例はベルトによっ
て自動的に左右に動かして処理する装置例である。図に
おいて、第１図と同一部材には同一記号を付しているが
、基板１２は真空チャックによってステージ１５に吸引
され、そのステージをベルト１６によって左右に揺動す
る構造となっている。また、照射ランプ１１の口金部１
７はランプとは隔離させており、その部分は窒素ガスを
流し込んで冷却している０口金部１７の加熱酸化による
接触不良を防止するためである。且つ、照射ランプ１１
と基板１２との距離は２０〜３０日程度としている。
このように、本装置は基板を揺動して、基板全面を均一
に照射し、残炎が残存しないように完全に除去すること
を図ったものである。
に照射し、残炎が残存しないように完全に除去すること
を図ったものである。
この第２図に示すレジスト除去装置において、ベルト１
６を一方向にのみ動かすと、この照射装置のインライン
自動化が容易になり、本発明はウェハー処理の自動化に
容易に対応することができる装置である。一方、従来の
プラズマ処理装置では、真空処理のためにスポット処理
に通しており、自動化への対応は容易ではない。
６を一方向にのみ動かすと、この照射装置のインライン
自動化が容易になり、本発明はウェハー処理の自動化に
容易に対応することができる装置である。一方、従来の
プラズマ処理装置では、真空処理のためにスポット処理
に通しており、自動化への対応は容易ではない。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によればフォト
工程における残金処理を大気中で行なうことができて、
その処理時間および工数が大幅に削減され、且つ、本発
明にがかる遠紫外光照射装置は安価に作成され、フォト
工程のコストダウンに大きく役立つと共に、フォト工程
の自動化にも容易に対応できるものである。
工程における残金処理を大気中で行なうことができて、
その処理時間および工数が大幅に削減され、且つ、本発
明にがかる遠紫外光照射装置は安価に作成され、フォト
工程のコストダウンに大きく役立つと共に、フォト工程
の自動化にも容易に対応できるものである。
尚、上記はマスク基板を例として説明したが、半導体基
板にも通用できることは当然である。
板にも通用できることは当然である。
第１図および第２図は本発明にかかるレジスト膜の残炎
を除去するためのレジスト除去装置、第３図は従来の問
題点を説明するためのレジスト膜パターンを設けた基板
断面図、 第４図は従来のレジスト膜の残炎を除去するためのプラ
ズマ処理装置である。 図において、 １はレジスト膜パターン、 ２．１２は基板、 ３はクロム膜、１１は遠紫
外光照射ランプ、 １３は仕切板、 １４は遮蔽板、１５はステー
ジ、 １６はベルト、１７はランプの口金 を示している。 第１図 第２図
を除去するためのレジスト除去装置、第３図は従来の問
題点を説明するためのレジスト膜パターンを設けた基板
断面図、 第４図は従来のレジスト膜の残炎を除去するためのプラ
ズマ処理装置である。 図において、 １はレジスト膜パターン、 ２．１２は基板、 ３はクロム膜、１１は遠紫
外光照射ランプ、 １３は仕切板、 １４は遮蔽板、１５はステー
ジ、 １６はベルト、１７はランプの口金 を示している。 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）露光・現像して形成されたレジスト膜パターンを
、大気中で遠紫外光によつて全面照射して、前記レジス
ト膜パターンの残査を除去するようにしたことを特徴と
するレジスト除去方法。 - （２）露光・現像して形成されたレジスト膜パターンを
、大気中で遠紫外光によつて全面照射し、前記レジスト
膜パターンの残査が除去されるように構成されているこ
とを特徴とするレジスト除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20229384A JPS6177852A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20229384A JPS6177852A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177852A true JPS6177852A (ja) | 1986-04-21 |
| JPH0473871B2 JPH0473871B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=16455140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20229384A Granted JPS6177852A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177852A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108135A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Dainippon Printing Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| US5482803A (en) * | 1992-02-07 | 1996-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing filter |
| US6143473A (en) * | 1998-05-20 | 2000-11-07 | Fujitsu Limited | Film patterning method utilizing post-development residue remover |
| US20100328809A1 (en) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Jo Inagaki | Method for removing resist and for producing a magnetic recording medium, and systems thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503958A (ja) * | 1972-08-18 | 1975-01-16 | ||
| JPS5424020A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-23 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Method of removing resist material |
-
1984
- 1984-09-26 JP JP20229384A patent/JPS6177852A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503958A (ja) * | 1972-08-18 | 1975-01-16 | ||
| JPS5424020A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-23 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Method of removing resist material |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108135A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Dainippon Printing Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPH0550845B2 (ja) * | 1984-10-31 | 1993-07-30 | Dainippon Printing Co Ltd | |
| US5482803A (en) * | 1992-02-07 | 1996-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing filter |
| US5830608A (en) * | 1992-02-07 | 1998-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing filter |
| US6143473A (en) * | 1998-05-20 | 2000-11-07 | Fujitsu Limited | Film patterning method utilizing post-development residue remover |
| US20100328809A1 (en) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Jo Inagaki | Method for removing resist and for producing a magnetic recording medium, and systems thereof |
| US8679732B2 (en) * | 2009-06-24 | 2014-03-25 | HGST Netherlands B.V. | Method for removing resist and for producing a magnetic recording medium, and systems thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0473871B2 (ja) | 1992-11-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |