JPS63128715A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS63128715A JPS63128715A JP27584686A JP27584686A JPS63128715A JP S63128715 A JPS63128715 A JP S63128715A JP 27584686 A JP27584686 A JP 27584686A JP 27584686 A JP27584686 A JP 27584686A JP S63128715 A JPS63128715 A JP S63128715A
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- ozone
- silicon oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はレジストパターンの形成方法の改良に関する。
（ロ）従来の技術
半導体装置の製造工程で用いられるレジストｒにはＵＳ
Ｐ４，１３２，５５０等で示されるように有機高分子材
料が用いられており、この高分子材料が光または電子線
等を照射した部分と未照射の部分とで溶剤に対する溶解
性が異なることを利用して湿式現像によって所望のパタ
ーンが形成されている。
Ｐ４，１３２，５５０等で示されるように有機高分子材
料が用いられており、この高分子材料が光または電子線
等を照射した部分と未照射の部分とで溶剤に対する溶解
性が異なることを利用して湿式現像によって所望のパタ
ーンが形成されている。
しかしながらこの湿式現像工程で、特に微細パターンを
実現する場合にはパターンの周辺にスカムと呼ばれるレ
ジストのかすが残存し、次のエツチング工程でスカムの
ある部分がエツチングされないことになる。従って現像
後にこのスカムを除去するディスカム処理が必要となる
。
実現する場合にはパターンの周辺にスカムと呼ばれるレ
ジストのかすが残存し、次のエツチング工程でスカムの
ある部分がエツチングされないことになる。従って現像
後にこのスカムを除去するディスカム処理が必要となる
。
第２図Ａ乃至第２図Ｃを参照して従来のレジストパター
ンの形成方法を説明する。
ンの形成方法を説明する。
先ず第２図Ａに示すように、半導体基板（１１）の主面
に付着したシリコン酸化膜（１２）上に全面にレジスト
層（１３）をスピンコードにより塗布し、ソフトベーク
した後、−所望のパターンを形成したガラスマスク（１
４）を位置合わせして配置し、紫外線を照射してパター
ンの露光を行う。
に付着したシリコン酸化膜（１２）上に全面にレジスト
層（１３）をスピンコードにより塗布し、ソフトベーク
した後、−所望のパターンを形成したガラスマスク（１
４）を位置合わせして配置し、紫外線を照射してパター
ンの露光を行う。
次に第２図Ｂに示すように、レジスト層（１３）の非露
光部分を有機溶剤等で除去し、所望のパターンのレジス
ト層（１３）のみをシリコン酸化膜（１２）上に残存さ
せる。なおポジ型レジストを用いるとこの逆となる。こ
の現像工程で残存するレジスト層（１３）の周辺にスカ
ム（１５）と呼ばれるレジスト層（１３）のかすが完全
に除去されず残存する。
光部分を有機溶剤等で除去し、所望のパターンのレジス
ト層（１３）のみをシリコン酸化膜（１２）上に残存さ
せる。なおポジ型レジストを用いるとこの逆となる。こ
の現像工程で残存するレジスト層（１３）の周辺にスカ
ム（１５）と呼ばれるレジスト層（１３）のかすが完全
に除去されず残存する。
更に第２図Ｃに示すように、基板（１１）全面を０゜プ
ラズマによりアッシングを行い、このスカムく１５）を
酸化除去するディスカム処理を行っている。
ラズマによりアッシングを行い、このスカムく１５）を
酸化除去するディスカム処理を行っている。
このＯ，プラズマでは露出したシリコン酸化膜（１２）
にもダメージを与えてしまう。
にもダメージを与えてしまう。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながらこの０２プラズマによりシリコン酸化膜（
１２）もプラズマダメージを受け、ゲート酸化膜では耐
圧不良を生じたり、プラズマダメージが基板（１１）ま
で到達すると形成されるＭＯＳトランジスタの特性変動
を生じるおそれがあった。またプラズマダメージにより
シリコン酸化膜（１２）中にＮａイオン等の汚染源が侵
入するおそれもあった。
１２）もプラズマダメージを受け、ゲート酸化膜では耐
圧不良を生じたり、プラズマダメージが基板（１１）ま
で到達すると形成されるＭＯＳトランジスタの特性変動
を生じるおそれがあった。またプラズマダメージにより
シリコン酸化膜（１２）中にＮａイオン等の汚染源が侵
入するおそれもあった。
（ニ）問題点を解決するだめの手段
本発明は断点に鑑みてなされ、オゾン水溶液を用いてデ
ィスカム処理を行うことにより、従来の問題点を完全に
除去したレジストパターンの形成方法を実現するもので
ある。
ィスカム処理を行うことにより、従来の問題点を完全に
除去したレジストパターンの形成方法を実現するもので
ある。
（＊）作用
本発明に依れば、オゾン水溶液を用いるので湿式でディ
スカム処理を行なえ、シリコン酸化膜へのダメージを全
く与えない。
スカム処理を行なえ、シリコン酸化膜へのダメージを全
く与えない。
（へ）実施例
本発明の一実施例を第１図Ａ乃至第１図Ｃを参照して詳
述する。
述する。
先ず第１図Ａに示す如く、半導体基板（１）の主面に付
着したシリコン酸化膜（２）上に全面にレジスト層＜３
）をスピンコードにより塗布し、ソフトベークする。続
いてクロム膜等で所望のパターンを形成したガラスマス
ク（４）を位置合わせして半導体基板（１）の上面に密
着して配置し、紫外線を照射してパターンの焼付露光を
行う。
着したシリコン酸化膜（２）上に全面にレジスト層＜３
）をスピンコードにより塗布し、ソフトベークする。続
いてクロム膜等で所望のパターンを形成したガラスマス
ク（４）を位置合わせして半導体基板（１）の上面に密
着して配置し、紫外線を照射してパターンの焼付露光を
行う。
次に第１図Ｂに示す如く、レジスト層（３）の非露光部
分をキシレン等の有機溶剤で溶解して所望のパターンの
レジスト層（３）のみをシリコン酸化膜（２）上に残存
させる。なおポジ型レジストを用いればこの逆となる。
分をキシレン等の有機溶剤で溶解して所望のパターンの
レジスト層（３）のみをシリコン酸化膜（２）上に残存
させる。なおポジ型レジストを用いればこの逆となる。
本現像工程では残存するレジスト層〈３）の周辺にスカ
ム（５〉と呼ばれるレジスト層（３）のかすが完全に除
去されずに残ってしまう。
ム（５〉と呼ばれるレジスト層（３）のかすが完全に除
去されずに残ってしまう。
更に第１図Ｃに示す如く、半導体基板（１）上面にオゾ
ン（０，）を含む水溶液（６）を滴下し、スカム（５）
を酸化して除去する。本工程は本発明の最も特徴とする
ものであり、ディスカム処理に湿式のオゾン水溶液り６
）を用いる点にある６オゾン水溶液（６）は水槽内にオ
ゾン（０，）ガスをバブリングして形成し、この水槽か
ら基板（１）上に適量を滴下して用いる。そしてオゾン
水溶液（６）中のオゾンガスより発生する活性期の酸素
イオンで残存したスカム（５）を酸化して除去する。な
お本工程で基板（１）上面に１８０〜２６０ｎｍのディ
ープ紫外線照射を行うと、オゾンの酸化力が一層強化さ
れ、有効にディスカム処理を行なえる。
ン（０，）を含む水溶液（６）を滴下し、スカム（５）
を酸化して除去する。本工程は本発明の最も特徴とする
ものであり、ディスカム処理に湿式のオゾン水溶液り６
）を用いる点にある６オゾン水溶液（６）は水槽内にオ
ゾン（０，）ガスをバブリングして形成し、この水槽か
ら基板（１）上に適量を滴下して用いる。そしてオゾン
水溶液（６）中のオゾンガスより発生する活性期の酸素
イオンで残存したスカム（５）を酸化して除去する。な
お本工程で基板（１）上面に１８０〜２６０ｎｍのディ
ープ紫外線照射を行うと、オゾンの酸化力が一層強化さ
れ、有効にディスカム処理を行なえる。
（ト）発明の効果
第１に本発明ではオゾン水溶液（６）を用いるので、プ
ラズマダメージ等のダメージをシリコン酸化膜（２）に
与えることなくディスカム処理を行え、ＭＯＳトランジ
スタの特性変動の発生を隣止できる利点を有する。
ラズマダメージ等のダメージをシリコン酸化膜（２）に
与えることなくディスカム処理を行え、ＭＯＳトランジ
スタの特性変動の発生を隣止できる利点を有する。
第２に本発明ではディスカム処理を行うことにより、レ
ジスト層（３）の周辺のスカム（５）を有効に除去でき
、その後のエツチング加工精度を向上できる利点を有す
る。
ジスト層（３）の周辺のスカム（５）を有効に除去でき
、その後のエツチング加工精度を向上できる利点を有す
る。
第３にオゾンは気体であるのでオゾン水溶液（６）中に
ゴミ等が混入するおそれがなく、シリコン酸化膜（２）
に汚染物質が侵入するおそれがない利点を有する。
ゴミ等が混入するおそれがなく、シリコン酸化膜（２）
に汚染物質が侵入するおそれがない利点を有する。
第４に水洗をベースとしているので、湿式のディスカム
処理であってもシリコン酸化膜（２）表面に薬液を含む
不安定な酸化膜を生成することを防止できる利点を有す
る。
処理であってもシリコン酸化膜（２）表面に薬液を含む
不安定な酸化膜を生成することを防止できる利点を有す
る。
第５にディープ紫外線照射をすることによりオゾンの酸
化力を一層向上でき、スカム（５）を容易に完全に除去
できる利点を有する。
化力を一層向上でき、スカム（５）を容易に完全に除去
できる利点を有する。
第１図Ａ乃至第１図Ｃは本発明に依るレジストパターン
の形成方法を説明する断面図、第２図Ａ乃至第２図Ｃは
従来のレジストパターンの形成方法を説明する断面図で
ある。 （１）は半導体基板、 （２）はシリコン酸化膜、（３
）はレジスト層、（４）はガラスマスク、（５）はスカ
ム、（６）はオゾン水溶液である。 出願人 三洋電機株式会社外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣 外１名 筆１ 図Ａ 第７図Ｂ 第１図Ｃ
の形成方法を説明する断面図、第２図Ａ乃至第２図Ｃは
従来のレジストパターンの形成方法を説明する断面図で
ある。 （１）は半導体基板、 （２）はシリコン酸化膜、（３
）はレジスト層、（４）はガラスマスク、（５）はスカ
ム、（６）はオゾン水溶液である。 出願人 三洋電機株式会社外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣 外１名 筆１ 図Ａ 第７図Ｂ 第１図Ｃ
Claims (1)
- （１）基板上にレジスト層を塗布し、前記レジスト層を
所望のパターンに露光し、現像処理するレジストパター
ンの形成方法において、前記現像処理後前記基板上にオ
ゾンを含む水溶液を滴下して前記レジスト層のスカムを
オゾンで酸化して除去することを特徴とするレジストパ
ターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27584686A JPS63128715A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27584686A JPS63128715A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128715A true JPS63128715A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17561248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27584686A Pending JPS63128715A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128715A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02275618A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100452898B1 (ko) * | 2001-02-16 | 2004-10-15 | 가부시끼가이샤 도시바 | 패턴 형성 방법 및 약액 처리 방법 |
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP27584686A patent/JPS63128715A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02275618A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
| KR100452898B1 (ko) * | 2001-02-16 | 2004-10-15 | 가부시끼가이샤 도시바 | 패턴 형성 방법 및 약액 처리 방법 |
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