JPH0271520A - レジストの除去方法 - Google Patents
レジストの除去方法Info
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- JPH0271520A JPH0271520A JP22224188A JP22224188A JPH0271520A JP H0271520 A JPH0271520 A JP H0271520A JP 22224188 A JP22224188 A JP 22224188A JP 22224188 A JP22224188 A JP 22224188A JP H0271520 A JPH0271520 A JP H0271520A
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- resist
- ashing
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路の製造工程での不純物打ち込
み工程におけるマスキングに使用されるレジストの除去
方法に関するものである。
み工程におけるマスキングに使用されるレジストの除去
方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば半導体集
積回路の製造工程での不純物打ち込みが行われるレジス
トは、酸素プラズマによるアッシング（灰化）を行い、
レジストを除去するようにしていた。
積回路の製造工程での不純物打ち込みが行われるレジス
トは、酸素プラズマによるアッシング（灰化）を行い、
レジストを除去するようにしていた。
ここで、イオン注入のドーズ量の増加に伴うアッシング
速度の低下が問題になる。
速度の低下が問題になる。
これは、イオン注入工程で、レジストの表面が変質する
ことによると考えられる。そこで、アッシング速度を向
上させるために、ウェハを加熱する方法が考えられてい
た。
ことによると考えられる。そこで、アッシング速度を向
上させるために、ウェハを加熱する方法が考えられてい
た。
（発明が解決しようとする課り
しかしながら、上記した従来の方法では、第２図に示す
ように、Ｓｉ基板１上の変質していない部分２ｂのレジ
ストの結合力が弱いため、Ｓｉ基板１を加熱処理すると
それが容易に活性化されてレジスト２がはじき飛ぶ現象
、所謂ポツプコーン現象が生じる。
ように、Ｓｉ基板１上の変質していない部分２ｂのレジ
ストの結合力が弱いため、Ｓｉ基板１を加熱処理すると
それが容易に活性化されてレジスト２がはじき飛ぶ現象
、所謂ポツプコーン現象が生じる。
また、このようなポツプコーン現象が生じた場合、Ｓｉ
基板１上にアンシング残りが生じて、酸素プラズマや硫
酸＋過酸化水素混合溶液を用いてもそれを取り除くこと
ができないといった問題点があった。
基板１上にアンシング残りが生じて、酸素プラズマや硫
酸＋過酸化水素混合溶液を用いてもそれを取り除くこと
ができないといった問題点があった。
本発明は、以上述べたようなアッシング中に加熱処理を
行うことによりポツプコーン現象が生じるという問題点
を除去し、アッシング後の残渣もなく、高いアッシング
速度が得られるレジスト除去方法を提供することを目的
とする。
行うことによりポツプコーン現象が生じるという問題点
を除去し、アッシング後の残渣もなく、高いアッシング
速度が得られるレジスト除去方法を提供することを目的
とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、不純物打ち込
み工程におけるマスキングに使用されるレジストの除去
方法において、ｉ？ｉ記レジストにＵＶキュアーを施す
工程と、所定のアッシング温度で該レジストを除去する
工程とを設けるようにしたものである。
み工程におけるマスキングに使用されるレジストの除去
方法において、ｉ？ｉ記レジストにＵＶキュアーを施す
工程と、所定のアッシング温度で該レジストを除去する
工程とを設けるようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、上記のように、ＵＶキュアー（紫外光
硬化）、つまり紫外光を照射すると共に、基板を加熱す
る工程を施し、不純物を打ち込み、アッシング中に加熱
処理（例えば、１５０〜３００℃に加熱）を行って、不
純物が打し込まれたレジストの除去を行う。このため、
ポツプコーン現象が生しることはなく、高いアッシング
速度を得ることができる。
硬化）、つまり紫外光を照射すると共に、基板を加熱す
る工程を施し、不純物を打ち込み、アッシング中に加熱
処理（例えば、１５０〜３００℃に加熱）を行って、不
純物が打し込まれたレジストの除去を行う。このため、
ポツプコーン現象が生しることはなく、高いアッシング
速度を得ることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示すレジスＩの除去工程断面
図である。
図である。
まず、ＳＩ基板１０上にボジレジス目１をコーティング
した後、第１図（ａ）に示すように、そのボジレジス！
・１１をバターニングする。
した後、第１図（ａ）に示すように、そのボジレジス！
・１１をバターニングする。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ポジレジスト１１に
ＵＶキュアー、即ち、２２０〜３２０ｎｍの紫外光１２
を照射すると共に、例えば、初期加熱温度１００°Ｃか
ら徐々に２００°Ｃまで、およそ１分間、Ｓｉ基板１０
を加熱する。
ＵＶキュアー、即ち、２２０〜３２０ｎｍの紫外光１２
を照射すると共に、例えば、初期加熱温度１００°Ｃか
ら徐々に２００°Ｃまで、およそ１分間、Ｓｉ基板１０
を加熱する。
茨に、第１図（ｃ）に示すように、そのＵＶキュアーを
行ったボジレジスＩ・１１′にイオン注入、例えばリン
イオン（Ｐ’）１３をドーズ盪（ＩＸＩＯ’″′個／
Ｃａ ）打ち込む。
行ったボジレジスＩ・１１′にイオン注入、例えばリン
イオン（Ｐ’）１３をドーズ盪（ＩＸＩＯ’″′個／
Ｃａ ）打ち込む。
次に、枚葉式アノシャーを用いてアッシング温度１５０
〜３００℃でレジスト１１′を除去する〔第１図（ｄ〉
〕。
〜３００℃でレジスト１１′を除去する〔第１図（ｄ〉
〕。
なお、上記したイオン注入工程はリンイオンによる注入
に限定されることはなく、例えば、砒素イオン（Ａｓ’
）や臭素イオン（Ｂ゛）の注入の場合にも適用できるこ
とは言うまでもない。
に限定されることはなく、例えば、砒素イオン（Ａｓ’
）や臭素イオン（Ｂ゛）の注入の場合にも適用できるこ
とは言うまでもない。
このようにしてレジストの除去を行った場合、ポツプコ
ーン現象は生じることはなく、アッシング後の残渣もな
い。囚に、アッシング時間は２５秒である。
ーン現象は生じることはなく、アッシング後の残渣もな
い。囚に、アッシング時間は２５秒である。
（１）これに対して、Ｓｉ基板上にポジレジストをコー
ティング及びパターニング後、ＵＶキュアーを行わずに
イオン注入、例えばリンイオンをドーズ！ｉｔ （Ｉ
Ｘｌ０１６個／ｃｄ）打ち込み、枚葉式アッシャ−を用
いてアッシング温度３００℃でレジストを除去した場合
、ポツプコーン現象が生じ、アッシング後は残渣が確認
された。なお、この場合、アッシングを５分以上行い、
更に硫酸十過酸化水素混合溶液に入れても残渣は除去で
きない。
ティング及びパターニング後、ＵＶキュアーを行わずに
イオン注入、例えばリンイオンをドーズ！ｉｔ （Ｉ
Ｘｌ０１６個／ｃｄ）打ち込み、枚葉式アッシャ−を用
いてアッシング温度３００℃でレジストを除去した場合
、ポツプコーン現象が生じ、アッシング後は残渣が確認
された。なお、この場合、アッシングを５分以上行い、
更に硫酸十過酸化水素混合溶液に入れても残渣は除去で
きない。
（２）また、Ｓｉ基板上にポジレジストをコーティング
及びパターニング後、ＵＶキュアーを行わずにイオンン
主人、例えばリンイオン（Ｐｏ）をドーズ遣（ＩＸＩＯ
”個／ ｃ＋Ｊ ）打ち込み、枚葉式アノシャーを用い
てアッシング温度２５゛Ｃでレジストを除去した場合、
ポツプコーン現象は生しないが、アッシング時間は１８
０秒もかかり、レジスト除去処理に長時間を要する。
及びパターニング後、ＵＶキュアーを行わずにイオンン
主人、例えばリンイオン（Ｐｏ）をドーズ遣（ＩＸＩＯ
”個／ ｃ＋Ｊ ）打ち込み、枚葉式アノシャーを用い
てアッシング温度２５゛Ｃでレジストを除去した場合、
ポツプコーン現象は生しないが、アッシング時間は１８
０秒もかかり、レジスト除去処理に長時間を要する。
以上の実験結果から明らかなように、ボジレジスｉ・を
コーティング及びパターニング後、ＵＶキュアーを行い
、アッシング温度を３００℃とすることにより、ポツプ
コーン現象は生じることはなく、アッシング後の残渣も
ない高いアッシング速度を得ることができる。
コーティング及びパターニング後、ＵＶキュアーを行い
、アッシング温度を３００℃とすることにより、ポツプ
コーン現象は生じることはなく、アッシング後の残渣も
ない高いアッシング速度を得ることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以、し、詳細に説明したように、本発明によれば、不純
物の打ち込み工程におけるマスキングに使用されるレジ
ストの耐熱性を向上させることにより、アッシング中に
加熱処理を行ってもポツプコーン現象が生じることはな
く、高いアッシング速度を得ることができる。
物の打ち込み工程におけるマスキングに使用されるレジ
ストの耐熱性を向上させることにより、アッシング中に
加熱処理を行ってもポツプコーン現象が生じることはな
く、高いアッシング速度を得ることができる。
第１図は本発明の実施例を示すレジス１−の除去工程断
面図、第２図は従来技術の問題点を示す図である。 １０・・・３１基板、１１．１１’・・・ポジレジスト
、１２・・・紫外光（ＵＶ）、１３・・・ｐ’ ＜リ
ンイオン）。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外１名）オＪ芒明の
ンジスト途去ＬｆＬＩＫ面図第１図
面図、第２図は従来技術の問題点を示す図である。 １０・・・３１基板、１１．１１’・・・ポジレジスト
、１２・・・紫外光（ＵＶ）、１３・・・ｐ’ ＜リ
ンイオン）。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外１名）オＪ芒明の
ンジスト途去ＬｆＬＩＫ面図第１図
Claims (2)
- （１）不純物打ち込み工程におけるマスキングに使用さ
れるレジストの除去方法において、 （ａ）前記レジストにＵＶキュアーを施す工程と、（ｂ
）所定のアッシング温度でレジストを除去する工程とを
有するレジストの除去方法。 - （２）前記所定のアッシング温度は１５０〜３００℃で
ある請求項１記載のレジストの除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22224188A JPH0271520A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | レジストの除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22224188A JPH0271520A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | レジストの除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271520A true JPH0271520A (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=16779315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22224188A Pending JPH0271520A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | レジストの除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0271520A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2278234A (en) * | 1993-05-20 | 1994-11-23 | Fujitsu Ltd | Fabricating semiconductor devices |
| JP2008270617A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-09-07 JP JP22224188A patent/JPH0271520A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2278234A (en) * | 1993-05-20 | 1994-11-23 | Fujitsu Ltd | Fabricating semiconductor devices |
| GB2278234B (en) * | 1993-05-20 | 1996-11-13 | Fujitsu Ltd | Fabricating semiconductor devices |
| JP2008270617A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| EP1986232A3 (en) * | 2007-04-23 | 2010-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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