JPS61141126A - イオン注入方法 - Google Patents
イオン注入方法Info
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- JPS61141126A JPS61141126A JP26341584A JP26341584A JPS61141126A JP S61141126 A JPS61141126 A JP S61141126A JP 26341584 A JP26341584 A JP 26341584A JP 26341584 A JP26341584 A JP 26341584A JP S61141126 A JPS61141126 A JP S61141126A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特に半導体ＩＣ（集積回路）基体にイオン注
入装置を用いて部分的に不純物を入れる工程において、
必要となるイオン注入マスクの製造方法に関する。
入装置を用いて部分的に不純物を入れる工程において、
必要となるイオン注入マスクの製造方法に関する。
半導体ＩＣにおいて、トランジスタ領域、例えばｆＪＯ
８）ランジスタにおいてはソース、ドレーン、ゲート領
域等に不純物を選択的に拡散する工程が必要となる。こ
の時、イオン注入用マスク層を形成し選択領域を設定す
る必要がある。
８）ランジスタにおいてはソース、ドレーン、ゲート領
域等に不純物を選択的に拡散する工程が必要となる。こ
の時、イオン注入用マスク層を形成し選択領域を設定す
る必要がある。
従来、イオン注入用マスク層として、イオン注入のイオ
ンを透過させない充分な厚さのフォトレジスト膜等を形
成し、そのレジスト膜にパターンを形成しイオン注入の
マスクとし、シリコン基板への拡散における選択性を持
たせている。
ンを透過させない充分な厚さのフォトレジスト膜等を形
成し、そのレジスト膜にパターンを形成しイオン注入の
マスクとし、シリコン基板への拡散における選択性を持
たせている。
ところが、当然の事ながら、フォトレジストにもイオン
注入でのイオンが打ち込まれるので、フォトレジストが
硬化することになる。この為、不要トなったフィトレジ
ストヲ除去する時、酸素プラズマ法等を用いなければな
らず、その処理時間は長時間を要すると言う欠点があっ
た。
注入でのイオンが打ち込まれるので、フォトレジストが
硬化することになる。この為、不要トなったフィトレジ
ストヲ除去する時、酸素プラズマ法等を用いなければな
らず、その処理時間は長時間を要すると言う欠点があっ
た。
この発明は、不要にマスク層を厚くすることなく微細加
工が可能で、かつ簡単な方法でマスク層を除去するため
に、フィトレジストと金属（好孔はアルミニウム】とを
用いたものをマスクとして用いることを特徴とする。
工が可能で、かつ簡単な方法でマスク層を除去するため
に、フィトレジストと金属（好孔はアルミニウム】とを
用いたものをマスクとして用いることを特徴とする。
以下、本発明を実施例をもとに説明する。
ｉｆ図乃至第５図は本発明の一実施例を示す工程断面図
であり、シリコンゲートＩＧＦＥＴのソース、ドレイン
形成に適用したものである。まず、シリコン基板１に、
熱識化法でシリコン酸化膜２（ゲート絶縁膜）を形成す
る０次いで化学的気相成長法に工９ポリシリコン層ｔ−
０，４〜０．８μｍ 程度形成し、その後、ポリシリコ
ン層上パターニングしてポリシリコンゲート電極３を形
成する（第１図）。
であり、シリコンゲートＩＧＦＥＴのソース、ドレイン
形成に適用したものである。まず、シリコン基板１に、
熱識化法でシリコン酸化膜２（ゲート絶縁膜）を形成す
る０次いで化学的気相成長法に工９ポリシリコン層ｔ−
０，４〜０．８μｍ 程度形成し、その後、ポリシリコ
ン層上パターニングしてポリシリコンゲート電極３を形
成する（第１図）。
次に、ポリシリコン層３の段差部を充分覆うことができ
る膜厚の第１層フォトレジスト４を塗布する。通常ポリ
シリコン層３の厚さに０．２μｍ程加えた膜厚とする。
る膜厚の第１層フォトレジスト４を塗布する。通常ポリ
シリコン層３の厚さに０．２μｍ程加えた膜厚とする。
次いで、フォトレジスト４に含まれている溶剤を約９０
℃でベークして蒸発させる。次にアルミニウム蒸着機を
用いてアルミニウム膜５ｔ−１後で行なわれるイオン注
入工程でのエネルギー及びドーズ量で打ち込まれるイオ
ンに対し充分マスク性のある膜厚をもって７オトレジス
ト４とに形成する。膜厚ハ０．４〜０．６μｍとじ几。
℃でベークして蒸発させる。次にアルミニウム蒸着機を
用いてアルミニウム膜５ｔ−１後で行なわれるイオン注
入工程でのエネルギー及びドーズ量で打ち込まれるイオ
ンに対し充分マスク性のある膜厚をもって７オトレジス
ト４とに形成する。膜厚ハ０．４〜０．６μｍとじ几。
その後、表面に第２層目の７オトレジスト６ｔ−第１層
フォトレジスト４の膜厚以下で塗布し、９０’０の空気
雰囲気で３０分間ベータする（第２図）。
フォトレジスト４の膜厚以下で塗布し、９０’０の空気
雰囲気で３０分間ベータする（第２図）。
しかる後、パターン形成された゛７オトマスクをマスク
にして、第２層フォトレジスト６に紫外線を轟て現像す
ることに工り第２層フォトレジスト６にパターンを形成
する０次に、四塩化炭素（ＣＣ４４）ガス等を用いて、
アルミニウム膜５をドライエツチングする。このアルミ
ニウム膜５のバターニングは、５０℃程度のリン酸を主
成分とするアルミニウムエツチング液で行をりてもよい
６次にアルミニウムＭａｔ−マスクに第１層フォトレジ
スト膜４を酸素（０雪 ）ガス等を用いたドライエツチ
ング法に工りバターニングする。Ｃの時表面に塗布
゛された第２層フォトレジスト６は第１層フォトレジ
スト金バターニングする時、同時に除去される（第３図
）。
にして、第２層フォトレジスト６に紫外線を轟て現像す
ることに工り第２層フォトレジスト６にパターンを形成
する０次に、四塩化炭素（ＣＣ４４）ガス等を用いて、
アルミニウム膜５をドライエツチングする。このアルミ
ニウム膜５のバターニングは、５０℃程度のリン酸を主
成分とするアルミニウムエツチング液で行をりてもよい
６次にアルミニウムＭａｔ−マスクに第１層フォトレジ
スト膜４を酸素（０雪 ）ガス等を用いたドライエツチ
ング法に工りバターニングする。Ｃの時表面に塗布
゛された第２層フォトレジスト６は第１層フォトレジ
スト金バターニングする時、同時に除去される（第３図
）。
この様にして第４図の構造ができ上がり、次にプリデボ
等のイオン注入装置を用いて高ドーズ量のイオン７ｔシ
リコン酸化膜２ｔ−通してシリコン基板１に注入して、
ソースお工びドレインの不純物層８を形成する。この時
、同時にアルミニウム膜５にもイオンが注入される。
・しかる後、アルミニウム膜５ｔ−除去するために
５０℃程度のリン酸を主成分とするアルミニウムエツチ
ング液でアルミニウム５が完全に除去できるまでエツチ
ングし、アルミニウム膜ヲ除去した後、フェノール系有
機溶剤を主成分とするフォトレジスト剥離剤に浸して第
１層フォトレジスト４を除去する。
等のイオン注入装置を用いて高ドーズ量のイオン７ｔシ
リコン酸化膜２ｔ−通してシリコン基板１に注入して、
ソースお工びドレインの不純物層８を形成する。この時
、同時にアルミニウム膜５にもイオンが注入される。
・しかる後、アルミニウム膜５ｔ−除去するために
５０℃程度のリン酸を主成分とするアルミニウムエツチ
ング液でアルミニウム５が完全に除去できるまでエツチ
ングし、アルミニウム膜ヲ除去した後、フェノール系有
機溶剤を主成分とするフォトレジスト剥離剤に浸して第
１層フォトレジスト４を除去する。
以上説明した様に本発明は、イオン注入用マスクとして
製造した第１層フォトレジスト膜４、イオン注入し之イ
オンに対しマスク性が確保できるアルミニウム膜５及び
第２層フォトレジスト膜６を用いることにエリ、イオン
注入マスクとして用い九アルミニウム膜５をリン酸液で
、また第１層フォトレジスト４にはフェノール系有機溶
剤を主成分とするフォトレジスト剥離剤を用いて、酸素
（０３）ガスを用ｔｎ７２−プラズマ剥離法による長時
間の除去上行なわなくても簡単な方法でイオン注入マス
ク層を除去できる。またレジス）ｉ２層に分離し、第２
層フォトレジスト金、従来１層のみでで行なっていた時
の７オトレジスト膜厚（約１２μｍ）工り充分に薄くで
きるので、パターンの微細加工ができる効果がある。な
お、アルミニウム以外ツメタルを使用できる。
製造した第１層フォトレジスト膜４、イオン注入し之イ
オンに対しマスク性が確保できるアルミニウム膜５及び
第２層フォトレジスト膜６を用いることにエリ、イオン
注入マスクとして用い九アルミニウム膜５をリン酸液で
、また第１層フォトレジスト４にはフェノール系有機溶
剤を主成分とするフォトレジスト剥離剤を用いて、酸素
（０３）ガスを用ｔｎ７２−プラズマ剥離法による長時
間の除去上行なわなくても簡単な方法でイオン注入マス
ク層を除去できる。またレジス）ｉ２層に分離し、第２
層フォトレジスト金、従来１層のみでで行なっていた時
の７オトレジスト膜厚（約１２μｍ）工り充分に薄くで
きるので、パターンの微細加工ができる効果がある。な
お、アルミニウム以外ツメタルを使用できる。
以上のとおり、本発明に工れば結果的には処理時間が短
かくイオン注入の方法が提供する。
かくイオン注入の方法が提供する。
第１図から第５図は本発明の一実施例を示す工程の断面
図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３・・・・・・ポリシリコン層、４・・・・・
・第１層フォトレジスト、５・・・・・・アルミニウム
膜、６・・・・・・第２層フォトレジスト、７・・・・
・・イオン、８・・・・・・拡散層。 茅 １ 圓 井２ 圀 ＄３ Ｔ５Ａ ↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓〜７Ｉオ〉亭 ４ＷＪ 察 ５ 回
図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３・・・・・・ポリシリコン層、４・・・・・
・第１層フォトレジスト、５・・・・・・アルミニウム
膜、６・・・・・・第２層フォトレジスト、７・・・・
・・イオン、８・・・・・・拡散層。 茅 １ 圓 井２ 圀 ＄３ Ｔ５Ａ ↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓〜７Ｉオ〉亭 ４ＷＪ 察 ５ 回
Claims (1)
- 半導体層上に選択的にフォトレジストを形成する工程と
、このフォトレジスト上に金属膜を形成する工程と、前
記金属膜をマスクとして前記半導体層に不純物をイオン
注入法する工程とを有することを特徴とするイオン注入
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26341584A JPS61141126A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | イオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26341584A JPS61141126A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | イオン注入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141126A true JPS61141126A (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=17389171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26341584A Pending JPS61141126A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | イオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61141126A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04176119A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法及びこれに用いるイオン注入マスク材料 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP26341584A patent/JPS61141126A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04176119A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法及びこれに用いるイオン注入マスク材料 |
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