JPS599659A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS599659A JPS599659A JP57119314A JP11931482A JPS599659A JP S599659 A JPS599659 A JP S599659A JP 57119314 A JP57119314 A JP 57119314A JP 11931482 A JP11931482 A JP 11931482A JP S599659 A JPS599659 A JP S599659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- glass substrate
- photomask
- forming
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主に半導体及び集積回路等の製造工程で１史用
するフォトマスクの製造方法に関するものである。
するフォトマスクの製造方法に関するものである。
従来フォトマスクはガラス基板にし１１えは金属層を形
成し、しかるのちフォトレジスト工程等で選択的に窓開
けをおこ々い、該ガラス基板上に所叫のマスクパターン
を形成していた。かかる方法では、ガラス基板から該金
属層が突出しており、例えば微小パターンを半導体基板
上に転写する場合にはフォトマスクと該基板を蜜漬させ
て紫外線を照射する必要がある。しかしながら、フォト
マスク上の突出部及びその周辺領域はフォトレジスト而
とフォトマスクの面が平行にならず紫外線の乱反射によ
り所望のパターン領域以外に迄紫外線が壕わ９込みパタ
ーンの歪が生ずると共に、突出部が厚い場合にはフォト
レジストにクラックを生ずる可能性がある等の欠点があ
った。
成し、しかるのちフォトレジスト工程等で選択的に窓開
けをおこ々い、該ガラス基板上に所叫のマスクパターン
を形成していた。かかる方法では、ガラス基板から該金
属層が突出しており、例えば微小パターンを半導体基板
上に転写する場合にはフォトマスクと該基板を蜜漬させ
て紫外線を照射する必要がある。しかしながら、フォト
マスク上の突出部及びその周辺領域はフォトレジスト而
とフォトマスクの面が平行にならず紫外線の乱反射によ
り所望のパターン領域以外に迄紫外線が壕わ９込みパタ
ーンの歪が生ずると共に、突出部が厚い場合にはフォト
レジストにクラックを生ずる可能性がある等の欠点があ
った。
そこで、この欠点をとりのぞくため、紫外線の照射量を
甑力おさえるまた突出部を薄くするなどの対策をおこな
っていた。
甑力おさえるまた突出部を薄くするなどの対策をおこな
っていた。
しかしながら、かかる対策においては紫外線の照射量を
おさえることにより現像工程でのフォトレジスト膜厚の
減少が激しく、ピンホールが発生しやすい。また、現像
時間のコントロールが難しくさらに、フォトマスクのマ
スク性能の劣化等の障害を生じていた。
おさえることにより現像工程でのフォトレジスト膜厚の
減少が激しく、ピンホールが発生しやすい。また、現像
時間のコントロールが難しくさらに、フォトマスクのマ
スク性能の劣化等の障害を生じていた。
本発明の目的は、フォトマスクパターン通りの寸法精度
を再現性よく半導体基板上に転写する方法を提供するこ
とＫある。
を再現性よく半導体基板上に転写する方法を提供するこ
とＫある。
以下、本発明の一実施例を図面を診照して詳しく説明す
る。第１図乃至第４図は本発明の一実施例の各ｌｌ＠面
図を示したものである。
る。第１図乃至第４図は本発明の一実施例の各ｌｌ＠面
図を示したものである。
まず第１図に示すように、ガラス基板ｌに７オトレジス
トエ程２で所望の窓開け３をおこない、選択的にガラス
基板を露光させる。本実施例においてフォトレジストは
（ｎ’）’Ｒ８００Ｃ（東京応化１値ｖ４製）３０ｃｐ
を５００Ｏｒｐｍで回転塗布しテフォトレジスト工程を
おこなった。
トエ程２で所望の窓開け３をおこない、選択的にガラス
基板を露光させる。本実施例においてフォトレジストは
（ｎ’）’Ｒ８００Ｃ（東京応化１値ｖ４製）３０ｃｐ
を５００Ｏｒｐｍで回転塗布しテフォトレジスト工程を
おこなった。
所望のパターンが形成されたガラス基板を熱処理（本実
権例では１２０．０３０分）シ、シかるのち弗酸及び水
の混合液（本実施例ではｌ：５を使用）してガラス基板
１を約２００ＯＡエツチング４した（第２図）。
権例では１２０．０３０分）シ、シかるのち弗酸及び水
の混合液（本実施例ではｌ：５を使用）してガラス基板
１を約２００ＯＡエツチング４した（第２図）。
しかるのち金属層５を（本実症例では真窒蒸着法により
クロムを）約２００ＯＡこのガラス基板ｌ及び該フォト
レジスト２上に形成した（第３図）。
クロムを）約２００ＯＡこのガラス基板ｌ及び該フォト
レジスト２上に形成した（第３図）。
第４図は前記金属層５を形成したのち、ガラス基板ｌ上
の７オトレジスト２のみを除去したものであり、これは
例えばケトン系の溶剤にガラス基板を浸漬し、綿花等で
機械的に゛こすることにより所望領域のみ除去すること
ができる。
の７オトレジスト２のみを除去したものであり、これは
例えばケトン系の溶剤にガラス基板を浸漬し、綿花等で
機械的に゛こすることにより所望領域のみ除去すること
ができる。
以上の方法によりフォトマスクのガラス基板に突出部を
生じることなく暗部（金属１−領域）５′を形成するこ
とができる。
生じることなく暗部（金属１−領域）５′を形成するこ
とができる。
本方法を採用することにより、紫外線の乱反射を極力お
さえるこ２が可能となり、十分な紫外線を照射してフォ
トマスクツくターン通りの寸法で半導体基板に転写する
ことができる。なお、本実施例ではガラス基板のパター
ンニングにポジ型のフォトレジス）（ＪＰＰｋ％Ｂ００
Ｃを用いた場合について述べたが、これに限らず他のポ
ジ型フォトレジスト又はネガ型フォトレジストでも実現
可能である６また、金属層としてクロムの例を示したが
、これに限らずチタン、タングステン等地のあらゆる金
層及びこれらの合金又多層形成をおこなってもよい。さ
らにこれらの金属ｌＩ＃形成はに空蒸肩法のみならずス
パッターによる方法等を用いてもよい。なお金属１ｗｉ
以外に紫外線ケ透過しない物質（１？すえばエマルジョ
ン）を用いてもよい。
さえるこ２が可能となり、十分な紫外線を照射してフォ
トマスクツくターン通りの寸法で半導体基板に転写する
ことができる。なお、本実施例ではガラス基板のパター
ンニングにポジ型のフォトレジス）（ＪＰＰｋ％Ｂ００
Ｃを用いた場合について述べたが、これに限らず他のポ
ジ型フォトレジスト又はネガ型フォトレジストでも実現
可能である６また、金属層としてクロムの例を示したが
、これに限らずチタン、タングステン等地のあらゆる金
層及びこれらの合金又多層形成をおこなってもよい。さ
らにこれらの金属ｌＩ＃形成はに空蒸肩法のみならずス
パッターによる方法等を用いてもよい。なお金属１ｗｉ
以外に紫外線ケ透過しない物質（１？すえばエマルジョ
ン）を用いてもよい。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を説明するための
各工程断聞図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・フォトレジ
スト（ＯＩＩ’Ｐ１ｔｓ００Ｕ）、３・・・・・・開口
部（フォトレジストエ８）、４・・・・・・開口部（ガ
ラス基板）、５．５’・・・・・・金鵬層（クロム） ４０６ 第１図 第Ｚ囚 Ｍ３図 第４区
各工程断聞図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・フォトレジ
スト（ＯＩＩ’Ｐ１ｔｓ００Ｕ）、３・・・・・・開口
部（フォトレジストエ８）、４・・・・・・開口部（ガ
ラス基板）、５．５’・・・・・・金鵬層（クロム） ４０６ 第１図 第Ｚ囚 Ｍ３図 第４区
Claims (1)
- カラス基板上にフォトレジスト工程で選択的に窓開けす
る工程と、該ガラス基板の該窓開は領域のみエツチング
除去する工程と、真空蒸着法等により前記選択的に窓開
は及びエツチングを施した領域とフォトレジストとを含
むガラス基板上に金属層を形成する工程と、しかるのち
該フォトレジスト及び該フォトレジスト上の金属層のみ
を選択的に除去する工程とを有することを特徴とするフ
ォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119314A JPS599659A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | フオトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119314A JPS599659A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599659A true JPS599659A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14758371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119314A Pending JPS599659A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599659A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0234547A2 (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP57119314A patent/JPS599659A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0234547A2 (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby |
| US5087535A (en) * | 1986-02-28 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| US5457006A (en) * | 1986-02-28 | 1995-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
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