JPH05304167A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH05304167A JPH05304167A JP11005492A JP11005492A JPH05304167A JP H05304167 A JPH05304167 A JP H05304167A JP 11005492 A JP11005492 A JP 11005492A JP 11005492 A JP11005492 A JP 11005492A JP H05304167 A JPH05304167 A JP H05304167A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- oxide film
- polysilicon
- temperature oxide
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 精度良くレジストパターンを形成する。
【構成】 ポリシリコン３と高温酸化膜４との間にシリ
コンナイトライド膜８を形成した後、写真製版処理によ
り高温酸化膜４上に形成されたレジスト５をパターニン
グする。このとき、ポリシリコン３，高温酸化膜４，レ
ジスト５の膜厚変動に伴うレジスト５内の定在波の振幅
変動が少なくなる。 【効果】 そのため、ポリシリコン３，高温酸化膜４，
レジスト５の膜厚変動に伴うレジスト５の光吸収率の変
化が少なくなり、精度良くレジストパターンを形成でき
る。
コンナイトライド膜８を形成した後、写真製版処理によ
り高温酸化膜４上に形成されたレジスト５をパターニン
グする。このとき、ポリシリコン３，高温酸化膜４，レ
ジスト５の膜厚変動に伴うレジスト５内の定在波の振幅
変動が少なくなる。 【効果】 そのため、ポリシリコン３，高温酸化膜４，
レジスト５の膜厚変動に伴うレジスト５の光吸収率の変
化が少なくなり、精度良くレジストパターンを形成でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、精度良くレジストパ
ターンを形成できレジストパターン形成方法に関するも
のである。
ターンを形成できレジストパターン形成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図４を用いてＭＯＳトランジスタのゲー
ト構造の従来の形成方法ついて説明する。まず、拡散前
処理、過水ライトエッチ等の処理を施した半導体基板１
を準備し（図４（ａ））、半導体基板１の表面を２００
オングストローム酸化して酸化膜２を形成する（図４
（ｂ））。このようにして形成された酸化膜２上にポリ
シリコン３を２５００オングストローム堆積させる（図
４（ｃ））。
ト構造の従来の形成方法ついて説明する。まず、拡散前
処理、過水ライトエッチ等の処理を施した半導体基板１
を準備し（図４（ａ））、半導体基板１の表面を２００
オングストローム酸化して酸化膜２を形成する（図４
（ｂ））。このようにして形成された酸化膜２上にポリ
シリコン３を２５００オングストローム堆積させる（図
４（ｃ））。
【０００３】次に、ポリシリコン３の表面から異物を除
去し、拡散前処理，ライトエッチ等の処理を施した後、
ポリシリコン３上に高温酸化膜４を２５００オングスト
ローム堆積する（図４（ｄ））。
去し、拡散前処理，ライトエッチ等の処理を施した後、
ポリシリコン３上に高温酸化膜４を２５００オングスト
ローム堆積する（図４（ｄ））。
【０００４】次に、高温酸化膜４の表面から異物を除去
し、塗布前ベーク等の塗布前処理を行った後、スピンナ
ー法等でポジ型のレジスト５を塗布する（図４
（ｅ））。
し、塗布前ベーク等の塗布前処理を行った後、スピンナ
ー法等でポジ型のレジスト５を塗布する（図４
（ｅ））。
【０００５】次に、所定パターンが形成されたフォトマ
スク６に紫外線（ｇ線）７を照射してレジスト５にパタ
ーンを転写する（図４（ｆ））。そして、現像処理を施
して露光された部分のレジスト５を除去することにより
レジストパターンを形成する（図４（ｇ））。その後、
該レジストパターンをマスクとしてエッチングを施しゲ
ート構造を得る。
スク６に紫外線（ｇ線）７を照射してレジスト５にパタ
ーンを転写する（図４（ｆ））。そして、現像処理を施
して露光された部分のレジスト５を除去することにより
レジストパターンを形成する（図４（ｇ））。その後、
該レジストパターンをマスクとしてエッチングを施しゲ
ート構造を得る。
【０００６】ＭＯＳトランジスタのゲート構造は上記の
ように、酸化膜２、ポリシリコン３、高温酸化膜４の積
層構造に写真製版処理を施してパターニングすることに
より形成している。この際、レジスト５の下地層である
ポリシリコン３，高温酸化膜４の膜厚の変動およびレジ
スト５自身の膜厚変動によりレジスト５の光吸収率が変
化し、露光不足や露光過多が起こり、レジストパターン
の寸法が規格よりも太くなったり細くなったりする。
ように、酸化膜２、ポリシリコン３、高温酸化膜４の積
層構造に写真製版処理を施してパターニングすることに
より形成している。この際、レジスト５の下地層である
ポリシリコン３，高温酸化膜４の膜厚の変動およびレジ
スト５自身の膜厚変動によりレジスト５の光吸収率が変
化し、露光不足や露光過多が起こり、レジストパターン
の寸法が規格よりも太くなったり細くなったりする。
【０００７】膜厚の変動によりレジスト５の光吸収率が
変化するのは、光吸収率がレジスト５への入射光とレジ
スト５の下地層からの反射光との干渉によりレジスト５
中に生じる定在波の振幅に依存しており、この定在波の
振幅が高温酸化膜４やポリシリコン３あるいはレジスト
５の膜厚変動により変化するためである。
変化するのは、光吸収率がレジスト５への入射光とレジ
スト５の下地層からの反射光との干渉によりレジスト５
中に生じる定在波の振幅に依存しており、この定在波の
振幅が高温酸化膜４やポリシリコン３あるいはレジスト
５の膜厚変動により変化するためである。
【０００８】ポリシリコン３，高温酸化膜４あるいレジ
スト５の膜厚の変化に伴うレジスト５の光吸収率の変化
のシミュレーション結果を図５，図６に示す。
スト５の膜厚の変化に伴うレジスト５の光吸収率の変化
のシミュレーション結果を図５，図６に示す。
【０００９】図５はポリシリコン３の膜厚をパラメータ
ーとして高温酸化膜４の膜厚を変化させた場合のレジス
ト５の光吸収率の変化のシミュレーション結果を示す図
である。高温酸化膜４およびポリシリコン３の膜厚の中
心値を各々２５００オングストロームとし、高温酸化膜
４およびポリシリコン３の膜厚を中心値から約±１０％
変化させた場合の光吸収率の最大と最小との差は約２
３．８％になる。
ーとして高温酸化膜４の膜厚を変化させた場合のレジス
ト５の光吸収率の変化のシミュレーション結果を示す図
である。高温酸化膜４およびポリシリコン３の膜厚の中
心値を各々２５００オングストロームとし、高温酸化膜
４およびポリシリコン３の膜厚を中心値から約±１０％
変化させた場合の光吸収率の最大と最小との差は約２
３．８％になる。
【００１０】図６は高温酸化膜４の膜厚を２５００オン
グストロームに固定し、レジスト５の膜厚を変化させた
場合のレジスト５の光吸収率の変化を示す図である。レ
ジスト５の膜厚の中心値を１２０００オングストローム
にし、レジスト５の膜厚を中心値から±１％の範囲で変
化させた場合の光吸収率の最大と最小の差は約９．７％
になる。
グストロームに固定し、レジスト５の膜厚を変化させた
場合のレジスト５の光吸収率の変化を示す図である。レ
ジスト５の膜厚の中心値を１２０００オングストローム
にし、レジスト５の膜厚を中心値から±１％の範囲で変
化させた場合の光吸収率の最大と最小の差は約９．７％
になる。
【００１１】ここで、レジストの光吸収率とポジ型のレ
ジストパターンの寸法について説明する。ライン等のレ
ジストを残すパターンについては光吸収率が大きい程そ
のパターンは細かく形成でき、光吸収率が小さい程大ま
かになる。一方、スペース等のレジストを除去するパタ
ーンについては、パターンの形成は上記の場合と逆とな
る。
ジストパターンの寸法について説明する。ライン等のレ
ジストを残すパターンについては光吸収率が大きい程そ
のパターンは細かく形成でき、光吸収率が小さい程大ま
かになる。一方、スペース等のレジストを除去するパタ
ーンについては、パターンの形成は上記の場合と逆とな
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法によりレジ
ストパターンを形成した場合、ポリシリコン３や高温酸
化膜４の膜厚変動あるいはレジスト５の膜厚変動に伴っ
てレジスト５の光吸収率が大きく変化するので精度良く
レジストパターンを形成することができないという問題
点があった。
ストパターンを形成した場合、ポリシリコン３や高温酸
化膜４の膜厚変動あるいはレジスト５の膜厚変動に伴っ
てレジスト５の光吸収率が大きく変化するので精度良く
レジストパターンを形成することができないという問題
点があった。
【００１３】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、精度良くレジストパターンを形
成することができるレジストパターン形成方法を得るこ
とを目的とする。
ためになされたもので、精度良くレジストパターンを形
成することができるレジストパターン形成方法を得るこ
とを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係るレジスト
パターン形成方法は、第１の層を準備する工程と、前記
第１の層上にシリコンナイトライド層を形成する工程
と、前記シリコンナイトライド層上に第２の層を形成す
る工程と、前記第２の層上にレジストを形成し、写真製
版処理により前記レジストをパターニングする工程を備
えている。
パターン形成方法は、第１の層を準備する工程と、前記
第１の層上にシリコンナイトライド層を形成する工程
と、前記シリコンナイトライド層上に第２の層を形成す
る工程と、前記第２の層上にレジストを形成し、写真製
版処理により前記レジストをパターニングする工程を備
えている。
【００１５】
【作用】この発明においては、シリコンナイトライド層
を第１の層と第２の層との間に形成し、第２の層上に形
成したレジストを写真製版処理によりパターニングする
ようにしたので、第１の層および第２の層からの反射光
はシリコンナイトライド層からの反射光との干渉により
その振幅が制限される。また、レジストへの入射光はシ
リコンナイトライド層からの反射光との干渉によりその
振幅が制限される。そのため、第１，第２の層およびレ
ジストの膜厚変化に伴うレジスト内の定在波の振幅変動
が少なくなり、第１，第２の層およびレジストの膜厚変
動によるレジストの光吸収率の変化が少なくなる。
を第１の層と第２の層との間に形成し、第２の層上に形
成したレジストを写真製版処理によりパターニングする
ようにしたので、第１の層および第２の層からの反射光
はシリコンナイトライド層からの反射光との干渉により
その振幅が制限される。また、レジストへの入射光はシ
リコンナイトライド層からの反射光との干渉によりその
振幅が制限される。そのため、第１，第２の層およびレ
ジストの膜厚変化に伴うレジスト内の定在波の振幅変動
が少なくなり、第１，第２の層およびレジストの膜厚変
動によるレジストの光吸収率の変化が少なくなる。
【００１６】
【実施例】図１はこの発明に係るレジストパターン形成
方法一実施例を示す工程図である。図４に示した従来の
製造方法との相違点は、ポリシリコン３と高温酸化膜４
との間にシリコンナイトライド（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜８を形
成するようにしたことである。
方法一実施例を示す工程図である。図４に示した従来の
製造方法との相違点は、ポリシリコン３と高温酸化膜４
との間にシリコンナイトライド（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜８を形
成するようにしたことである。
【００１７】まず、従来同様、種々の処理を施した半導
体基板１を準備し（図１（ａ））、半導体基板１の表面
に酸化膜２を形成する（図１（ｂ））。
体基板１を準備し（図１（ａ））、半導体基板１の表面
に酸化膜２を形成する（図１（ｂ））。
【００１８】次に酸化膜２上にポリシリコン３を１１５
０オングストローム堆積させ（図１（ｃ））、さらにそ
の上にＳｉ3 Ｎ4 膜８を３００オングストローム堆積さ
せる（図１（ｄ））。さらに、その上に高温酸化膜４を
２５００オングストローム堆積させる（図１（ｅ））。
その後、高温酸化膜４上に従来と同様にポジ型のレジス
ト５を形成する（図１（ｆ））。
０オングストローム堆積させ（図１（ｃ））、さらにそ
の上にＳｉ3 Ｎ4 膜８を３００オングストローム堆積さ
せる（図１（ｄ））。さらに、その上に高温酸化膜４を
２５００オングストローム堆積させる（図１（ｅ））。
その後、高温酸化膜４上に従来と同様にポジ型のレジス
ト５を形成する（図１（ｆ））。
【００１９】その後、図１（ｇ），図１（ｈ）に示すよ
うに従来と同様の工程によりレジストパターンを形成す
る。このパターンをマスクとしてエッチングを施しゲー
ト構造を得る。なお、図１（ｇ）において照射する紫外
線７はｉ線としている。
うに従来と同様の工程によりレジストパターンを形成す
る。このパターンをマスクとしてエッチングを施しゲー
ト構造を得る。なお、図１（ｇ）において照射する紫外
線７はｉ線としている。
【００２０】上記の構造において、ポリシリコン３，高
温酸化膜４の膜厚あるいはレジスト５の膜厚の変化に伴
うレジスト５の光吸収率の変化を図２，図３を用いて説
明する。
温酸化膜４の膜厚あるいはレジスト５の膜厚の変化に伴
うレジスト５の光吸収率の変化を図２，図３を用いて説
明する。
【００２１】図２はポリシリコン３の膜厚をパラメータ
ーとして高温酸化膜４の膜厚変化に伴うレジスト５の光
吸収率の変化のシミュレーション結果を示す図である。
高温酸化膜４の膜厚の中心値を２５００オングストロー
ム、ポリシリコン３の膜厚の中心値を１１５０オングス
トロームとし、各々の中心値から約±１０％膜厚を変化
させた場合、レジスト５の光吸収率の最大と最小の差は
約８．５％になり、従来（図５）よりポリシリコン３お
よび高温酸化膜４の膜厚の変化に伴う光吸収率の変動量
が少なくなる。これは、ポリシリコン３，高温酸化膜４
からの反射光がＳｉ3 Ｎ4 膜８からの反射光との干渉に
よりその振幅が制限され、その結果、レジスト５内に生
じる定在波の振幅変動が制限されるからである。
ーとして高温酸化膜４の膜厚変化に伴うレジスト５の光
吸収率の変化のシミュレーション結果を示す図である。
高温酸化膜４の膜厚の中心値を２５００オングストロー
ム、ポリシリコン３の膜厚の中心値を１１５０オングス
トロームとし、各々の中心値から約±１０％膜厚を変化
させた場合、レジスト５の光吸収率の最大と最小の差は
約８．５％になり、従来（図５）よりポリシリコン３お
よび高温酸化膜４の膜厚の変化に伴う光吸収率の変動量
が少なくなる。これは、ポリシリコン３，高温酸化膜４
からの反射光がＳｉ3 Ｎ4 膜８からの反射光との干渉に
よりその振幅が制限され、その結果、レジスト５内に生
じる定在波の振幅変動が制限されるからである。
【００２２】図３は高温酸化膜４の膜厚を２５００オン
グストロームに固定し、レジスト５の膜厚を変化させた
場合の光吸収率の変化のシミュレーション結果を示す図
である。図３において、レジスト５の膜厚の変化に伴う
光吸収率の変化は従来（図６）に比べて非常に小さくな
っている。これは、レジスト５への入射光がＳｉ3 Ｎ4
膜８からの反射光との干渉によりその振幅が制限され、
その結果、レジスト５内に生じる定在波の振幅変動が制
限されるからである。
グストロームに固定し、レジスト５の膜厚を変化させた
場合の光吸収率の変化のシミュレーション結果を示す図
である。図３において、レジスト５の膜厚の変化に伴う
光吸収率の変化は従来（図６）に比べて非常に小さくな
っている。これは、レジスト５への入射光がＳｉ3 Ｎ4
膜８からの反射光との干渉によりその振幅が制限され、
その結果、レジスト５内に生じる定在波の振幅変動が制
限されるからである。
【００２３】このように各膜厚の変化に伴うレジスト５
の光吸収率の変動が少ないので、各膜厚が変動しても精
度良くレジストパターンを形成することができる。
の光吸収率の変動が少ないので、各膜厚が変動しても精
度良くレジストパターンを形成することができる。
【００２４】なお、上記実施例ではポリシリコン３と高
温酸化膜４との間にＳｉ3 Ｎ4 膜８を形成する場合につ
いて説明したが、任意の２つの層がレジスト５の下地層
として存在する場合すべてに適応でき、必ずしもポリシ
リコン３と高温酸化膜４である必要はない。
温酸化膜４との間にＳｉ3 Ｎ4 膜８を形成する場合につ
いて説明したが、任意の２つの層がレジスト５の下地層
として存在する場合すべてに適応でき、必ずしもポリシ
リコン３と高温酸化膜４である必要はない。
【００２５】また、上記実施例ではｉ線を用いてレジス
ト５をパターニングしたが、従来とｇ線を用いてもよ
く、さらに写真製版処理によりレジストをパターニング
する場合すべてにこの発明は適用できる。
ト５をパターニングしたが、従来とｇ線を用いてもよ
く、さらに写真製版処理によりレジストをパターニング
する場合すべてにこの発明は適用できる。
【００２６】また、上記実施例ではポリシリコン３の膜
厚変化の中心値が従来（２５００オングストローム）よ
り小さい場合について説明したが、従来と同じにしても
同様の効果が得られることを確認している。ただし、ポ
リシリコン３の膜厚が薄い方が顕著な効果が得られた。
厚変化の中心値が従来（２５００オングストローム）よ
り小さい場合について説明したが、従来と同じにしても
同様の効果が得られることを確認している。ただし、ポ
リシリコン３の膜厚が薄い方が顕著な効果が得られた。
【００２７】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、シリコ
ンナイトライド層を第１の層と第２の層との間に形成
し、第２の層上に形成したレジストを写真製版処理によ
りパターニングするようにしたので、第１，第２の層か
らの反射光はシリコンナイトライド層からの反射光との
干渉によりその振幅が制限される。また、レジストへの
入射光はシリコンナイトライド層からの反射光との干渉
によりその振幅が制限される。そのため、第１，第２の
層およびレジストの膜厚変化に伴うレジスト内の定在波
の振幅変動が少なくなり、第１，第２の層およびレジス
トの膜厚変動によるレジストの光吸収率の変化が少なく
なる。その結果、精度良くレジストパターンを形成する
ことができるという効果がある。
ンナイトライド層を第１の層と第２の層との間に形成
し、第２の層上に形成したレジストを写真製版処理によ
りパターニングするようにしたので、第１，第２の層か
らの反射光はシリコンナイトライド層からの反射光との
干渉によりその振幅が制限される。また、レジストへの
入射光はシリコンナイトライド層からの反射光との干渉
によりその振幅が制限される。そのため、第１，第２の
層およびレジストの膜厚変化に伴うレジスト内の定在波
の振幅変動が少なくなり、第１，第２の層およびレジス
トの膜厚変動によるレジストの光吸収率の変化が少なく
なる。その結果、精度良くレジストパターンを形成する
ことができるという効果がある。
【図１】この発明に係るレジストパターン形成方法の一
実施例を示す工程図である。
実施例を示す工程図である。
【図２】図１に示した方法によりレジストパターンを形
成する場合のポリシリコン，高温酸化膜の膜厚の変化に
伴うレジストの光吸収率の変化のシミュレーション結果
を示す図である。
成する場合のポリシリコン，高温酸化膜の膜厚の変化に
伴うレジストの光吸収率の変化のシミュレーション結果
を示す図である。
【図３】図１に示した方法よりレジストパターンを形成
する場合のレジストの膜厚の変化に伴うレジストの光吸
収率の変化のシミュレーション結果を示す図である。
する場合のレジストの膜厚の変化に伴うレジストの光吸
収率の変化のシミュレーション結果を示す図である。
【図４】ゲート構造を得るための従来のレジストパター
ン形成方法を示す工程図である。
ン形成方法を示す工程図である。
【図５】図４に示した方法によりレジストパターンを形
成する場合のポリシリコン，高温酸化膜の膜厚の変化に
伴うレジストの光吸収率の変化のシミュレーション結果
を示す図である。
成する場合のポリシリコン，高温酸化膜の膜厚の変化に
伴うレジストの光吸収率の変化のシミュレーション結果
を示す図である。
【図６】図４に示した方法によりとレジストパターンを
形成する場合のレジストの膜厚の変化に伴うレジストの
光吸収率の変化のシミュレーション結果を示す図であ
る。
形成する場合のレジストの膜厚の変化に伴うレジストの
光吸収率の変化のシミュレーション結果を示す図であ
る。
３ ポリシリコン ４ 高温酸化膜 ５ レジスト ８ Ｓｉ3 Ｎ4 膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村尾 真理 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社北伊丹製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の層を準備する工程と、 前記第１の層上にシリコンナイトライド層を形成する工
程と、 前記シリコンナイトライド層上に第２の層を形成する工
程と、 前記第２の層上にレジストを形成し、写真製版処理によ
り前記レジストをパターニングする工程を備えたレジス
トパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005492A JPH05304167A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005492A JPH05304167A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304167A true JPH05304167A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14525926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11005492A Pending JPH05304167A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05304167A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6417083B1 (en) | 1998-11-13 | 2002-07-09 | Seiko Epson Corporation | Methods for manufacturing semiconductor devices |
| US6537906B1 (en) | 1998-11-13 | 2003-03-25 | Seiko Epson Corporation | Methods for fabricating semiconductor devices |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP11005492A patent/JPH05304167A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6417083B1 (en) | 1998-11-13 | 2002-07-09 | Seiko Epson Corporation | Methods for manufacturing semiconductor devices |
| US6537906B1 (en) | 1998-11-13 | 2003-03-25 | Seiko Epson Corporation | Methods for fabricating semiconductor devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6177235B1 (en) | Antireflection treatment of reflective surfaces | |
| US5922516A (en) | Bi-layer silylation process | |
| JPH05304167A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0468352A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 | |
| JPH0458167B2 (ja) | ||
| JPH07287387A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JP2560773B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH05304168A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| US5294506A (en) | Photomask | |
| US6689682B1 (en) | Multilayer anti-reflective coating for semiconductor lithography | |
| JP2775251B2 (ja) | 半導体製造用位相反転マスク及びその製造方法 | |
| JP2802611B2 (ja) | 位相反転マスク | |
| JP4075024B2 (ja) | パターンの形成方法 | |
| JPS63202025A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100399889B1 (ko) | 반도체소자의감광층패턴형성방법 | |
| KR960000181B1 (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 | |
| JPS61290721A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03190217A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS599659A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| KR960000185B1 (ko) | 자동 배치형 위상반전마스크 제조 방법 | |
| JPS61213846A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH07273010A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60106132A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS5968744A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPH0281048A (ja) | パターン形成方法及びその材料 |