KR970003525A - 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 Download PDF

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
고집적 반도체 소자 제조 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
새로운 노광기나 감광막의 기술적 한계를 극복하고 반도체 소자의 초고집적화 추세에 따라 요구되는 임계치수 0.2㎛ 이하의 크기의 게이트 전극을 제조하고자함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
도핑된 폴리실리콘막 상부에 소정의 도핑된 글래스막 패턴을 형성하고 고온 열처리하여 글래스막을 플로우시킨 다음, 선택적으로 텅스텐막을 증착하고 상기 텅스텐막을 식각 베리어로 이용하여 폴리실리콘을 식각하므로써, 반도체 소자의 미세 게이트 전극을 제조함.
4.발명의 중요한 용도
모스 트랜지스터 제조에 이용됨.

Description

반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1C도는 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 전극 형성 방법의 공정도.

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 게이트 전극을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판상에 게이트 산화막, 게이트용 폴리실리콘말, 도핑된 글래스막을 차례로 증착하는 단계와, 상기 도핑된 글래스막을 사진 식각하여 게이트 전극이 형성될 부분이 오픈되도록 글래스막 패턴을 형성하는 단계와, 소정의 온도에서의 1차 열처리를 실시하여 상기 글래스막 패턴을 플로우시키는 단계와, 상기 게이트용 폴리실리콘막의 노출된 부분상에만 선택적으로 텅스텐을 증착하는 단계와, 2차 열처리를 실시한 다음 상기 텅스텐막의 일부를 식각하여 제거하는 단계와, 상기 글래스막 패턴을 제거하는 단계 및, 상기 텅스텐막을 식각 베리어로 이용하여 상기 폴리실리콘막을 식각하는 단계를 포함해서 이루어진 게이트 전극 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도핑된 글래스막은 보로 - 포스포러스 - 실리케이트 - 글래스와 포스포러스 - 실리케이트 - 글래스중 어느 한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 1차 열처리 단계는 약 900℃ 이상의 온도에서 N2가스를 이용하여 수행되는 이루어진 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 텅스텐막의 일부를 식각하여 제거하는 단계에서 약 300A 내지 500A의 텅스텐이 제거되는 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘막을 식각하는 단계는 HBr과 Cl2가스를 이용한 블랭킷 비등방성 식각법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950019114A 1995-06-30 1995-06-30 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 KR100191711B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100436543B1 (ko) * 1997-08-14 2004-07-16 삼성전자주식회사 열전달을 차단하는 절연체를 갖는 건식 에칭장비

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