KR100436543B1 - 열전달을 차단하는 절연체를 갖는 건식 에칭장비 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 열전달을 차단하는 절연체를 갖는 건식 에칭 장비에 관한 것으로서, 탑 리드와 챔버 몸체 사이를 절연체를 삽입하여 열전달을 차단하는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 장비를 제공함으로써, 탑 리드 부분에 있는 G.D.P의 온도를 쉽게 상승시키고 정확히 조절하여 G.D.P에서 폴리머 부착을 막을 수 있다. 그러므로 건식 에칭 공정 중에 폴리머 입자들이 G.D.P에서 떨어져 웨이퍼 표면을 덮어 생기는 불완전 에칭을 방지하며, 정밀한 회로 패턴을 만들어 고집적 반도체 칩을 만들 수 있게 되는 이점이 생기게 된다.

Description

열전달을 차단하는 절연체를 갖는 건식 에칭 장비(Dry etching apparatus having insulator for intercepting heat transfer)
본 발명은 열전달을 차단하는 절연체를 갖는 건식 에칭 장비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 탑 리드와 챔버 몸체가 기계적으로 결합되는 부분에 열전달을 차단하는 절연체를 삽입하여 상호 열전달을 차단하고, 탑 리드의 온도를 정확히 조절하여 에칭 공정 중 탑 리드 부분의 가스 디스트리뷰션 플레이트(Gas Distribution Plate; 이하 G.D.P라 한다.)에 폴리머가 부착되는 것을 방지하는 것에 관한 것이다.
최근 반도체 칩의 고집적화, 고속화, 고기능화의 요구에 맞춰 반도체 제조 기술도 상당히 발전하게 되었다. 이러한 반도체 소자의 성능은 그 제조 조건에 상당히 큰 영향을 받기 때문에 정밀도가 높은 반도체 제조 장비가 공정 중 필수요건으로 작용하고 있다.
반도체 제조 공정 중 에칭 공정의 방법에는 건식 에칭과 습식 에칭으로 나뉘고, 건식 에칭은 습식 에칭에 비해서 안전하며, 고집적 반도체 소자에서 필수적인 미세한 회로 형성을 가능하게 한다. 건식 에칭으로 약 1 μm 이하까지의 미세한 회로 패턴을 형성할 수 있으며, 무엇보다도 습식에칭에서는 형성할 수 없는 이방성 에칭(Anisotropic etching)을 가능하게 한다. 포토 마스킹 공정 후 습식 에칭의 경우는 포토레지스트(Photo resist) 밑면에 있는 산화실리콘에 윈도우(Window)를 형성할 때, 포토레지스트의 폭보다 더 넓은 윈도우를 형성하기 때문에 정밀한 회로 패턴을 형성할 수 없다. 즉, 등방성 에칭(Isotropic etching)이 형성된다. 그러나 건식 에칭의 경우는 포토레지트의 폭과 거의 같은 폭의 윈도우를 산화실리콘에 형성시킬 수 있어 고밀도의 반도체 소자의 제조를 가능하게 한다. 이러한 에칭을 이방성 에칭(Anisotropic etching) 또는 디랙셔널 에칭(Drectional etching)이라 한다.
도 1은 종래기술에 따른 건식에칭장비 챔버의 단면도이고, 도 2는 G.D.P의 사시도이다.
도 1과 도 2를 참조하면, 종래의 건식 에칭 장비의 챔버(10)는 챔버 몸체(20)와, 챔버 몸체(20) 내부에 외부 RF 파워 서플라이(40 ; Power supply)와 연결된 캐소드(22)가 존재하며, 캐소드(22) 상면에는 에칭 시키기 위한 웨이퍼(24)가 위치하게 된다. 챔버 몸체 하부에는 펌프관(26)이 형성되어 있어 챔버(10)를 진공상태로 만들어 주기 위한 펌프(도시 안됨)와 연결되어 있으며, 챔버 몸체(20) 상부에는 탑 리드(30 ; Top lid)가 챔버 몸체(20)와 기계적으로 연결되어 있다. 그리고 탑 리드(30)에는 에칭가스가 공급되는 가스 공급관(50)이 연결되어 있으며, 탑 리드(30)와 챔버 몸체(20)의 사이에는 G.D.P(32)가 위치하여 탑 리드(30)쪽으로 공급되는 에칭가스를 챔버 몸체(20)내로 고르게 분산시키는 역할을 하게 된다. 챔버 몸체(20)는 에칭공정 중 챔버(10)내의 일정한 온도를 유지시키기 위해 열교환장치(60)와 연결되어 있다. 그리고 탑 리드(30) 상면에는 탑 리드 부분의 온도를 올려주기 위한 히터(34 ; Heater)가 장착되어 있다.
열교환장치를 이용하여 챔버 몸체를 일정한 온도로 유지시키는 이유는, 건식 에칭시 챔버내로 유입되는 가스가 고주파에 의해 고온의 플라즈마(70 ; Plasma)를 형성하고, 웨이퍼의 실리콘 표면과 화학 반응하여 에칭되면서 열에너지를 발생시키기 때문이다. 즉, 이렇게 발생된 열에너지는 챔버내의 온도를 상승시키고, 에칭 가스와 실리콘과의 반응을 가속시키기 때문에, 에칭 공정에서 정확한 조절이 어렵게 된다. 그러므로 챔버 몸체와 연결된 열교환장치가 챔버내의 온도상승을 막고, 일정하게 유지시키기 위한 역할을 하게 된다.
탑 리드에 히터가 장착된 이유는, 에칭 공정 중 챔버내의 탑 리드부분의 G.D.P에 폴리머(Polymer)가 부착이 되는 것을 방지하기 위한 것이다. 폴리머는 G.D.P의 온도가 낮아지면 쉽게 부착이 된다. 이러한 폴리머가 G.D.P에 부착되면, 유입되는 가스와 충돌에 의해 미세한 입자를 형성하고, G.D.P에서 떨어져 에칭되는 웨이퍼의 표면을 덮게 된다. 이러한 폴리머 입자가 웨이퍼의 표면을 덮게 되면, 에칭 공정이 끝난 후 웨이퍼 표면에 얼룩이 남게 된다. 즉, 에칭된 부분에 한 두 개의 부분적으로 에칭이 되지 않은 패턴이 형성되는데, 이러한 얼룩 에칭을 제거하기 위해서 웨이퍼를 다시 에칭하면 언더컷(Undercut)이 생기게 되어 웨이퍼를 버려야 하는 문제점이 생기게 된다.
그러나 종래의 기술에서는 히터에 의해 가열되는 탑 리드부분이 챔버 몸체와 기계적으로 연결되어 있어 상호 열교환이 일어나게 된다. 즉, 탑 리드의 온도를 상승시켜도 상대적으로 낮은 온도로 일정하게 유지되는 챔버 몸체에 의해서 탑 리드는 일정 온도 이상 상승되지 못하고, 정확히 조절되기 힘들다. 그러므로 종래의 기술에서는 G.D.P에서 폴리머의 부착을 효과적으로 막지 못하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 에칭 공정 중 탑 리드 부분의 G.D.P에 폴리머가 부착되는 것을 방지하여 공정의 정밀성과 신뢰성을 높일 수 있는 건식 에칭 장비를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래기술에 따른 건식에칭장비 챔버의 단면도,
도 2는 G.D.P의 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 건식에칭장비 챔버의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 100 : 챔버 20, 120 : 챔버 몸체
30, 130 : 탑 리드 32, 132 : G.D.P
34, 134 : 히터 136 : 절연체
40, 140 : RF 파워 서플라이 50, 150 : 가스 공급관
60, 160 : 열교환기
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 탑 리드와 챔버 몸체가 기계적으로 결합되는 부분에 열전달을 차단하는 절연체를 삽입하는 것을 특징으로 하는 열전달을 차단하는 절연체를 갖는 건식 에칭 장비를 제공한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명에 따른 건식에칭장비 챔버의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 건식 에칭 장비의 챔버(110)는 챔버 몸체(120)와, 챔버 몸체(120) 내부에 외부 RF 파워 서플라이(140)와 연결된 캐소드(122)가 존재하며, 캐소드(122) 상면에는 에칭 시키기 위한 웨이퍼(124)가 위치하게 된다. 챔버 몸체 하부에는 펌프관(126)이 형성되어 있어 챔버(110)를 진공상태로 만들어 주기 위한 펌프(도시 안됨)와 연결되어 있다. 챔버 몸체(120) 상부에는 탑 리드(130)가 챔버 몸체(120)와 기계적으로 연결되어 있고, 연결부분에는 절연체(136)가 삽입되어 있다. 이러한 절연체로는 테프론, 고무, 세라믹 등일 수 있다. 그리고 탑 리드(130)에는 에칭가스가 공급되는 가스 공급관(150)이 연결되어 있으며, 탑 리드(130)와 챔버 몸체(120) 사이에는 G.D.P(132)가 위치하여 탑 리드(130)쪽으로 공급되는 에칭가스를 챔버 몸체(120)내로 고르게 분산시키는 역할을 하게 된다. 챔버 몸체(120)는 에칭공정 중 챔버(110)내의 일정한 온도를 유지시키기 위해 열교환장치(160)와 연결되어 있고, 탑 리드(130) 상면에는 탑 리드 부분의 온도를 올려주기 위한 히터(134)가 장착되어 있다.
외부 RF 파워 서플라이에서 13.56 MHz의 고주파를 캐소드에 걸어주면, 고주파에 의해서 공급된 에칭 가스가 이온화되어 플라즈마 상태가 된다. 이때 캐소드 상면에 존재하는 웨이퍼는 플라즈마와 전위차가 생기게 된다. 즉 웨이퍼 표면에 시스(Sheath)를 형성하게 되어, 이온화된 에칭 가스가 시스속에서 전위차에 의해 가속되고, 화학반응과 함께 물체 표면을 에칭하게 된다. 보통 에칭 가스에 의해 웨이퍼 표면을 에칭하면, 에칭된 물질 이외에도 여러 가지 가스가 발생하게 된다. 예로 SiO2를 CF4로 에칭할 때 생성되는 가스는 CF4, O2, CO, CO2, SiF4, COF2등이 있다. 이러한 생성 가스들의 대부분은 챔버 몸체와 연결되어 있는 펌프에 의해서 외부로 배출되지만, 일부는 챔버 내부, G.D.P 및 에칭되는 웨이퍼 표면에 폴리머를 형성하게 된다. 건식 에칭 공정 중 발생되는 이러한 폴리머의 입자들이 웨이퍼 표면에 떨어지면 균일한 에칭에 되지 못하고 반도체 칩에 상당히 큰 영향을 미치게 된다.
이러한 폴리머가 챔버 내부 벽면보다 G.D.P에 부착되는 것이 문제가 되는 것은 폴리머가 챔버 내부 벽면에 부착되어 입자들을 형성하여도 펌프들의 펌핑작용으로 쉽게 외부로 배출되지만, G.D.P에 부착된 폴리머는 웨이퍼 상면에 존재하기 때문에 G.D.P에서 떨어진 입자들은 쉽게 펌핑되지 못하고 에칭되는 웨이퍼 표면에 떨어지게 된다. 그러므로 이러한 폴리머를 근본적으로 G.D.P에 부착되는 것을 방지해야 하며, 그 방법으로 G.D.P를 가열시키는 것이다. 그러나 종래 기술에서는 상대적으로 낮은 온도를 갖는 챔버 몸체와의 열교환 때문에 탑 리드의 온도가 상승되는 것을 방해받게 된다.
그러므로 본 발명에서는 절연체를 탑 리드와 챔버 몸체의 사이에 삽입시켜 열교환을 차단시킴으로써, 이러한 G.D.P에서의 폴리머 부착을 막을 수 있게 된다.
따라서, 본 발명에 의한 구조를 따르면, 탑 리드와 챔버 몸체사이에 절연체가 삽입되어 열전달이 차단됨으로써, 탑 리드 부분에 있는 G.D.P의 온도를 쉽게 상승시킬 수 있고 정확히 조절이 가능하기 때문에, G.D.P에서의 폴리머 부착을 막을 수 있다. 그러므로 건식 에칭 공정 중에 폴리머 입자들이 G.D.P에서 떨어져 웨이퍼 표면을 덮어 생기는 불완전 에칭을 방지하며, 정밀한 회로 패턴을 만들어 고집적 반도체 칩을 만들 수 있게 되는 이점이 생기게 된다.

Claims (2)

  1. 챔버 몸체;
    상기 챔버 몸체내의 하부와 기계적으로 연결된 캐소드;
    상기 챔버 몸체 상부와 기계적으로 연결된 탑 리드;
    상기 챔버 몸체와 상기 탑 리드가 기계적으로 결합되는 곳에 삽입되어 열전달을 차단하는 절연체;
    상기 탑 리드를 가열하기 위한 히터;
    상기 탑 리드와 연결되어 가스를 공급하는 가스 공급관;
    상기 탑 리드와 상기 챔버 몸체 사이에서 공급된 가스를 분산시키는 G.D.P;
    상기 챔버 몸체의 온도를 조절하는 열 교환 장치;를 갖는 것을 특징으로 하는 열전달을 차단하는 절연체를 갖는 건식 에칭 장비.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 절연체는 테프론, 고무 및 세라믹으로 구성된 군에서 선택한 하나인 것을 특징으로 하는 열전달을 차단하는 절연체를 갖는 건식 에칭 장비.
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