KR970023867A - 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자의 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고하는 기술적 과제
폴리 사이드 구조의 게이트 전극 형성 수행시 금속 실리사이드의 표면이 평탄하지 않아 포토레지스트 패턴 형성이 어려울 뿐만아니라 게이트 전극 형성도 용이하지 않다는 문제점이 발생함.
3. 발명의 해결방법의 요지
비정질 실리콘과 금속을 반응시켜 입자구조가 조밀하여 평탄화된 금속 실리사이드를 형성시킴으로써 게이트 전극형성이 용이한 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법을 제공하고자함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 제조, 특히 반도체 소자의 게이트전극형성에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 한 실시예에 따라 제조된 게이트 전극을 도시한 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법에 있어서, 소자분리막이 형성된 반도체 기판 상에 게이트 산화막, 게이트 전극용 폴리실리콘, 비정질 실리콘, 소정의 금속층을 차례로 형성하는 단계와, 열처리 공정을 수행하여 상기 비정질 실리콘과 상기 금속을 반응시켜 금속 실리 사이드를 형성하는 단계와, 게이트 전극을 형성하기 위한 소정의 포토레지스트 패턴을 형성한후 상기 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 금속 실리 사이드와 상기 게이트 전극용 폴리실리콘을 차례로 식각하여 게이트 전극을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속은 티타늄 또는 텅스텐인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950034292A KR970023867A (ko) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950034292A KR970023867A (ko) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023867A true KR970023867A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66582488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950034292A KR970023867A (ko) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023867A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100379107B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2003-04-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에서 폴리사이드 구조물의 형성 방법 |
-
1995
- 1995-10-06 KR KR1019950034292A patent/KR970023867A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100379107B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2003-04-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에서 폴리사이드 구조물의 형성 방법 |
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