JPH0393233A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0393233A JPH0393233A JP23078789A JP23078789A JPH0393233A JP H0393233 A JPH0393233 A JP H0393233A JP 23078789 A JP23078789 A JP 23078789A JP 23078789 A JP23078789 A JP 23078789A JP H0393233 A JPH0393233 A JP H0393233A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- -1 arsenic ions Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 6
- HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N arsenic(5+) Chemical compound [As+5] HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N hydrochloric acid Substances Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- SYHGEUNFJIGTRX-UHFFFAOYSA-N methylenedioxypyrovalerone Chemical compound C=1C=C2OCOC2=CC=1C(=O)C(CCC)N1CCCC1 SYHGEUNFJIGTRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、OS型容量素子
の製造方法に関する. 〔従来の技術〕 特にM 従来技術によるMOS型容量素子の製造方法を、第3図
(a)〜(d)を参照して説明する。
の製造方法に関する. 〔従来の技術〕 特にM 従来技術によるMOS型容量素子の製造方法を、第3図
(a)〜(d)を参照して説明する。
はじめに第3図(a)に示すように、シリコン基板1の
表面にLOCOS法番こより、フィールド酸fヒfll
2を形威したのち、熱酸化により犠牲酸化シリコン膜3
を形成する。
表面にLOCOS法番こより、フィールド酸fヒfll
2を形威したのち、熱酸化により犠牲酸化シリコン膜3
を形成する。
M O S − F E Tを形成するときは、ここで
V丁制御のための・イオン注入などの処理が施される。
V丁制御のための・イオン注入などの処理が施される。
つぎに第3図(b)に示すように、ウェットエッチング
により犠牲酸化膜3を除去する。
により犠牲酸化膜3を除去する。
つぎに第3図(C)に示すように、熱酸化によりゲート
酸に膜4を形成する。
酸に膜4を形成する。
つぎに第3図(d)に示すように、ポリシリコン膜から
なるゲート電極5を形成する.〔発明が解決しようとす
る課題〕 従来技術によるMOS型容量素子の製造方法は、誘電体
膜の耐圧特性、あるいはTDDB(Time DCpe
ndent Dielectric Ilreakdo
wn )特性に関して、基板の欠陥や汚染などの影響を
受け易い.特にゲート酸化膜の形成前にドライエッチ〉
・グプロセス(酸化膜ドライエッチング〉、イオン注入
プロセスを多用すると、シリコン基板にダメージを与え
ることにより格子欠陥が発生し、そこに重金属がトラッ
プされ、のちに形成したゲート酸化膜の初期特性および
信頼性を著しく劣化させる。
なるゲート電極5を形成する.〔発明が解決しようとす
る課題〕 従来技術によるMOS型容量素子の製造方法は、誘電体
膜の耐圧特性、あるいはTDDB(Time DCpe
ndent Dielectric Ilreakdo
wn )特性に関して、基板の欠陥や汚染などの影響を
受け易い.特にゲート酸化膜の形成前にドライエッチ〉
・グプロセス(酸化膜ドライエッチング〉、イオン注入
プロセスを多用すると、シリコン基板にダメージを与え
ることにより格子欠陥が発生し、そこに重金属がトラッ
プされ、のちに形成したゲート酸化膜の初期特性および
信頼性を著しく劣化させる。
半導体集積回路の高速化、高集積化に伴ない、製造プロ
セスが複雑化してきているため、シリコン基板にダメー
ジを与え易いプロセスを使わざるを禮なくなって来てお
り、さらに酸1ヒ膜も薄くなっている。
セスが複雑化してきているため、シリコン基板にダメー
ジを与え易いプロセスを使わざるを禮なくなって来てお
り、さらに酸1ヒ膜も薄くなっている。
このような状況のもとで、従来技術による薄膜形戊法は
、素子パターンの微細化、高集積化に際し、歩留り低下
および信頼性低下という問題をかかえている。
、素子パターンの微細化、高集積化に際し、歩留り低下
および信頼性低下という問題をかかえている。
本発明の目的は重金属汚染を完全に除いて、MOS型容
量素子の耐圧特性やTDDB特性を改善するものである
。
量素子の耐圧特性やTDDB特性を改善するものである
。
〔実施例〕
本発明の第1の実施例について、第1図(a)へ・(d
)を参照して説明する。
)を参照して説明する。
はじめに第1図(a)に示すように、シリコン基板1の
表面にLOCOS法により、フィールド酸化膜2を形成
したのち、熱酸化により犠牲酸化シリコン膜3を形成す
る. MOS−FETを形成するときは、ここでVT制御のた
めにほう素(”B”)−{オン注入などの処理が施され
る。 つぎに第1図(b)に示すように、ウェットエッ
チングにより犠牲酸化膜3を除去し、全面にひ素イオン
(7′AS+)をエネルギー10keV、注入量《ドー
ス)5xlO”crn−2注入する. このときひ素イオンの飛程は100人である。
表面にLOCOS法により、フィールド酸化膜2を形成
したのち、熱酸化により犠牲酸化シリコン膜3を形成す
る. MOS−FETを形成するときは、ここでVT制御のた
めにほう素(”B”)−{オン注入などの処理が施され
る。 つぎに第1図(b)に示すように、ウェットエッ
チングにより犠牲酸化膜3を除去し、全面にひ素イオン
(7′AS+)をエネルギー10keV、注入量《ドー
ス)5xlO”crn−2注入する. このときひ素イオンの飛程は100人である。
つぎに窒素(N2)雰囲気、800℃で60分熱処理を
行ない、ひ素イオンの飛程近くの深さのところに重金属
をゲッタリングする。
行ない、ひ素イオンの飛程近くの深さのところに重金属
をゲッタリングする。
つぎに第1図(c)に示すように、等方性のドライエッ
チングによってシリコン基板を500人の深さまでエッ
チングして、ジυコンと共にひ素イオンおよび重金属汚
染を除去する。
チングによってシリコン基板を500人の深さまでエッ
チングして、ジυコンと共にひ素イオンおよび重金属汚
染を除去する。
サラニ硫酸(H2 SO4 ) 処理)−塩酸( HC
1)ト過酸化水素(H202)処理を連続して行ない
、シリコンエッチングで除去しきれなかった重金属を完
全にエッチング除去する。
1)ト過酸化水素(H202)処理を連続して行ない
、シリコンエッチングで除去しきれなかった重金属を完
全にエッチング除去する。
つぎに第1図(d)に示すように、熟酸化によりゲート
酸化膜4を形成してから、ポリシリコン膜からなるゲー
ト電極5を形成する. つぎに本発明の第2の実施例として、DRAMのトレン
チを用いた容量部の形成について、第2図<a)〜(f
)を参照して説明する.はじめに第2図(a)に示すよ
うに、シリコン基板1の表面にLOCOS法により、フ
ィールド酸化膜2を形成する。
酸化膜4を形成してから、ポリシリコン膜からなるゲー
ト電極5を形成する. つぎに本発明の第2の実施例として、DRAMのトレン
チを用いた容量部の形成について、第2図<a)〜(f
)を参照して説明する.はじめに第2図(a)に示すよ
うに、シリコン基板1の表面にLOCOS法により、フ
ィールド酸化膜2を形成する。
つぎに第2図(b)に示すように、フォトレジストをマ
スクとしたドライエッチングにより、シリコン基板1に
トレンチ4を形成する.トレ〉・チのHi−C化(ソフ
トエラ一対策のため、静電容量を大きくすること)を行
なう場合、1・レンチの底面および側面をN+型にする
ため、ひ素・イオン( 75A S+ )をエネルギー
1 00ke\r、注入i(ドース) 1 ’;< 1
0 ”c m−2斜め(注入角度30゛〉回転イオン
注入する. つぎに第2図(c)に示すように、熱処理してN+型拡
散層3を形成する. 従来技術ではここで容量膜を形或するが、本実施例では
以下に述べるようなゲッタリング工程を追加する。
スクとしたドライエッチングにより、シリコン基板1に
トレンチ4を形成する.トレ〉・チのHi−C化(ソフ
トエラ一対策のため、静電容量を大きくすること)を行
なう場合、1・レンチの底面および側面をN+型にする
ため、ひ素・イオン( 75A S+ )をエネルギー
1 00ke\r、注入i(ドース) 1 ’;< 1
0 ”c m−2斜め(注入角度30゛〉回転イオン
注入する. つぎに第2図(c)に示すように、熱処理してN+型拡
散層3を形成する. 従来技術ではここで容量膜を形或するが、本実施例では
以下に述べるようなゲッタリング工程を追加する。
つぎに第2図(d)に示すように、ひ素イオ〉・( 7
!iAs+ )をエネルギー10keV、注入量(ドー
ス) 5 7. 1 0 ”c m−2斜め(注入角度
30”)回転イオン注入する. つぎに窒素(N2)雰囲気、SOO℃で60分熱処理を
行ない、ひ素イオンの飛程近く《この場合50〜100
人〉の深さのところに重金属をゲッタリングする. つぎに第2図(e)に示すように、等方性ドライエッチ
ングによりシリコン基板を約500人エッチングしてか
ら、H2SO4処理とHCt7+H202処理とを連続
して行ない、重金属汚染を完全に除去する. つぎに第2図(f)に示すように、熱酸化により容量酸
化シリコン膜5を形成してから、埋め込みポリシリコン
からなる容量電極6を形成して、DRAMセル用トレン
チ容量部が完成する。
!iAs+ )をエネルギー10keV、注入量(ドー
ス) 5 7. 1 0 ”c m−2斜め(注入角度
30”)回転イオン注入する. つぎに窒素(N2)雰囲気、SOO℃で60分熱処理を
行ない、ひ素イオンの飛程近く《この場合50〜100
人〉の深さのところに重金属をゲッタリングする. つぎに第2図(e)に示すように、等方性ドライエッチ
ングによりシリコン基板を約500人エッチングしてか
ら、H2SO4処理とHCt7+H202処理とを連続
して行ない、重金属汚染を完全に除去する. つぎに第2図(f)に示すように、熱酸化により容量酸
化シリコン膜5を形成してから、埋め込みポリシリコン
からなる容量電極6を形成して、DRAMセル用トレン
チ容量部が完成する。
(発明の効果〕
本発明において、MOS容量薄膜形或前に素子領域のシ
リコン基板を露出し、ひ素イオンを注入する。
リコン基板を露出し、ひ素イオンを注入する。
熱処理によってシリコン基板中の重金属汚染をひ素イオ
ンの飛程付近にゲッタリングし、シリコ〉′エノチング
および酸処理で、この重金属を完全に除去することがで
きた. こうして形成された熱酸化膜による容量素子は耐圧分布
やTDDB特性が非常に良好なものが得られる。
ンの飛程付近にゲッタリングし、シリコ〉′エノチング
および酸処理で、この重金属を完全に除去することがで
きた. こうして形成された熱酸化膜による容量素子は耐圧分布
やTDDB特性が非常に良好なものが得られる。
素子パター〉・の微48I(ヒに伴ない、製造プロセス
が複雑化し、シリコン基板のダメージおよび重金属の汚
染が増加している。
が複雑化し、シリコン基板のダメージおよび重金属の汚
染が増加している。
なおかつソフトエラ一対策のための静電容量の増大や、
高速fヒのための薄い酸化膜が要請されている。
高速fヒのための薄い酸化膜が要請されている。
本発明により初期特性が優れ、歩留りが良好で、信頼度
の高いMOS容量薄膜を形或以前のプロセスの影響を受
けないで、安定して形戊することができた。
の高いMOS容量薄膜を形或以前のプロセスの影響を受
けないで、安定して形戊することができた。
第1図(a)〜(d)は本発明の第1の実施例による、
MOS型容量薄膜形成法を示す断面図、第2図(a)〜
(f)は本発明の第2の実施例による、DRAMセルの
トレンチを用いた容量部の形成法を示す断面図、第3図
(a)〜(d)は従来技術による、MOS型容量薄膜形
成法を示す断面図である。 1・・・シリコン基板、2・・・フィールド酸化膜、3
・・・N+型拡散層、4・・・トレンチ、5・・・容量
酸fヒシリコン膜、6・・・容量電極。
MOS型容量薄膜形成法を示す断面図、第2図(a)〜
(f)は本発明の第2の実施例による、DRAMセルの
トレンチを用いた容量部の形成法を示す断面図、第3図
(a)〜(d)は従来技術による、MOS型容量薄膜形
成法を示す断面図である。 1・・・シリコン基板、2・・・フィールド酸化膜、3
・・・N+型拡散層、4・・・トレンチ、5・・・容量
酸fヒシリコン膜、6・・・容量電極。
Claims (1)
- MOS型容量素子の製造工程において、シリコン基板表
面の素子領域のシリコン基板を露出する工程と、高濃度
のひ素イオン注入を行なう工程と、熱処理を行なってか
らひ素イオンの飛程以上の深さまで半導体基板を全面エ
ッチングする工程と、酸による前処理工程と、熱酸化法
によるゲート酸化膜形成工程を有する半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23078789A JPH0393233A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23078789A JPH0393233A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0393233A true JPH0393233A (ja) | 1991-04-18 |
Family
ID=16913264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23078789A Pending JPH0393233A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0393233A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6251712B1 (en) | 1995-03-27 | 2001-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of using phosphorous to getter crystallization catalyst in a p-type device |
US6279982B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-08-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Vehicle seat storing device |
KR20040023876A (ko) * | 2002-09-12 | 2004-03-20 | 기아자동차주식회사 | 리어시트 폴딩구조 |
WO2014168233A1 (ja) | 2013-04-12 | 2014-10-16 | 本田技研工業株式会社 | 車両用シート装置 |
-
1989
- 1989-09-05 JP JP23078789A patent/JPH0393233A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6251712B1 (en) | 1995-03-27 | 2001-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of using phosphorous to getter crystallization catalyst in a p-type device |
US6518102B1 (en) * | 1995-03-27 | 2003-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing transistor semiconductor devices with step of annealing to getter metal with phosphorous |
US6855580B2 (en) * | 1995-03-27 | 2005-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6279982B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-08-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Vehicle seat storing device |
KR20040023876A (ko) * | 2002-09-12 | 2004-03-20 | 기아자동차주식회사 | 리어시트 폴딩구조 |
WO2014168233A1 (ja) | 2013-04-12 | 2014-10-16 | 本田技研工業株式会社 | 車両用シート装置 |
US9643519B2 (en) | 2013-04-12 | 2017-05-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Vehicular seat device |
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