JPS61141125A - イオン注入方法 - Google Patents
イオン注入方法Info
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- JPS61141125A JPS61141125A JP26341484A JP26341484A JPS61141125A JP S61141125 A JPS61141125 A JP S61141125A JP 26341484 A JP26341484 A JP 26341484A JP 26341484 A JP26341484 A JP 26341484A JP S61141125 A JPS61141125 A JP S61141125A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ＩＣ（集積回路２基体にイオン注入装
置を用いて部分的に不純物を注入する方法に関し、特に
イオン注入の際に必要となるイオン注入マスクの製造方
法に関する。
置を用いて部分的に不純物を注入する方法に関し、特に
イオン注入の際に必要となるイオン注入マスクの製造方
法に関する。
半導体ＩＣにおいて、トランジスタ領域、例えばＭ０８
トランジスタにおいてはソース、ドレーン、ゲート領域
等に不純物全選択的に拡散する工程が必要となる。この
時、イオン注入用マスク層全形放し、選択性を持たせる
必要かめる。
トランジスタにおいてはソース、ドレーン、ゲート領域
等に不純物全選択的に拡散する工程が必要となる。この
時、イオン注入用マスク層全形放し、選択性を持たせる
必要かめる。
従来、イオン注入用マスク層として、イオン注入のイオ
ンを透過させない充分な厚さの７オトレジスト膜を形成
し、そのレジスト膜にパターン會形成しており、シリコ
ン基板へのイオン打込みにおける選択性を持たせている
が、当然の事ながらそのフォトレジストにはイオン注入
でイオンが注入される。
ンを透過させない充分な厚さの７オトレジスト膜を形成
し、そのレジスト膜にパターン會形成しており、シリコ
ン基板へのイオン打込みにおける選択性を持たせている
が、当然の事ながらそのフォトレジストにはイオン注入
でイオンが注入される。
このため、イオンが、注入され几７オトレジストは硬化
することになり、不要となり７ｔ７オトレジストを除去
する時、酸素グ２ズマ法等を用いなければならず、その
時間に長時間を要すると言う欠点がめっ几。
することになり、不要となり７ｔ７オトレジストを除去
する時、酸素グ２ズマ法等を用いなければならず、その
時間に長時間を要すると言う欠点がめっ几。
この発明は、下地構造が持つ段差部によるマスク性の低
下を防止するように不要にマスクＮｋ厚くすることなく
、微細加工が可能で、かつ簡単な方法でマスク層を除去
するために、フォトレジスト層上に無機絶縁膜（好まし
くは、酸化硅素膜）を形成し、この絶縁膜お工ひフォト
レジスト膜をバターニングし友もの金イオン注入用のマ
スクとすることを特徴とする。
下を防止するように不要にマスクＮｋ厚くすることなく
、微細加工が可能で、かつ簡単な方法でマスク層を除去
するために、フォトレジスト層上に無機絶縁膜（好まし
くは、酸化硅素膜）を形成し、この絶縁膜お工ひフォト
レジスト膜をバターニングし友もの金イオン注入用のマ
スクとすることを特徴とする。
以下、本発明を実施例ｋｌとに説明する。
第１図乃至第５図は本発明の一実施例を示す工程図であ
り、特にシリコンゲートＭＯｆ９トランジスタのソース
、ドレインの形成に不発Ｆ＃Ｊｔ−適用したものである
。第１図において、シリコン基板１に、熱酸化法でシリ
コン酸化膜２を形成する。次いで、化学的気相成長法に
よりポリシリコン層ｔα４〜α８μｍ程度形成した後、
ポリシリコン層をバターニングし、ポリシリコンゲート
電極領域３會形成する。
り、特にシリコンゲートＭＯｆ９トランジスタのソース
、ドレインの形成に不発Ｆ＃Ｊｔ−適用したものである
。第１図において、シリコン基板１に、熱酸化法でシリ
コン酸化膜２を形成する。次いで、化学的気相成長法に
よりポリシリコン層ｔα４〜α８μｍ程度形成した後、
ポリシリコン層をバターニングし、ポリシリコンゲート
電極領域３會形成する。
第２図において、ポリシリコン／ｉ＃３０段差部を充分
覆うことができる膜厚の第１層フォトレジスト４ｔ−塗
布する。通常、ポリシリコン層３の厚さに０．２μｍ程
加えた膜厚とする。次いで、フォトレジストに含まれて
いる溶剤を約９０℃でベークし。
覆うことができる膜厚の第１層フォトレジスト４ｔ−塗
布する。通常、ポリシリコン層３の厚さに０．２μｍ程
加えた膜厚とする。次いで、フォトレジストに含まれて
いる溶剤を約９０℃でベークし。
蒸発させる。次にアルコールを主成分とする有機溶剤に
溶解し次酸化硅素を主取分とする酸化硅素柔被膜量布液
を塗布し、使用するイオン注入エネルギー及びドーズ量
に応じて、打込まれるイオンに対し充分マスク性のある
膜厚０．６〜ＬＯμｍの酸化硅素被膜５ｔ−形成する。
溶解し次酸化硅素を主取分とする酸化硅素柔被膜量布液
を塗布し、使用するイオン注入エネルギー及びドーズ量
に応じて、打込まれるイオンに対し充分マスク性のある
膜厚０．６〜ＬＯμｍの酸化硅素被膜５ｔ−形成する。
次罠酸化硅素柔被膜５中に含まれている溶剤を蒸発させ
、固化させる為、３００℃〜４００℃のオープン中で３
０分間ベーキングする。次にその表面に第２層フォトレ
ジスト６を第１ＮＩｆフオトレジスト４とほぼ同一膜厚
以下で塗布をシ９０℃の空気雰囲気で３０分間ぺ一りす
る。
、固化させる為、３００℃〜４００℃のオープン中で３
０分間ベーキングする。次にその表面に第２層フォトレ
ジスト６を第１ＮＩｆフオトレジスト４とほぼ同一膜厚
以下で塗布をシ９０℃の空気雰囲気で３０分間ぺ一りす
る。
第３図において、パターンの形成されたフォトマスクを
マスクにして第２層フォトレジストに紫 ゛外線を
当て現像することにエフｗＪｚ層フォトレジスト６にパ
ターンを形成する。次に、フロン（ＣＦ４）ガスを用い
て酸化硅素被膜５をドライエツチングし、バターニング
する。次に酸化硅素被膜５ｔ−マスクに第１層フォトレ
ジスト４ｔ４’に酸素（０２ノガス等を用いたドライエ
ツチング法にエフ、バターニングする。この時表面に塗
布された第２／ｉｉ７オトレジスト６は第１層フォトレ
ジスト會バターニングする時、同時に除去される。
マスクにして第２層フォトレジストに紫 ゛外線を
当て現像することにエフｗＪｚ層フォトレジスト６にパ
ターンを形成する。次に、フロン（ＣＦ４）ガスを用い
て酸化硅素被膜５をドライエツチングし、バターニング
する。次に酸化硅素被膜５ｔ−マスクに第１層フォトレ
ジスト４ｔ４’に酸素（０２ノガス等を用いたドライエ
ツチング法にエフ、バターニングする。この時表面に塗
布された第２／ｉｉ７オトレジスト６は第１層フォトレ
ジスト會バターニングする時、同時に除去される。
この様にして第４図の構造ができ上がり、次に１リテボ
等のイオン注入装置音用いて高ドーズ量のイオン７ｔ−
シリコン酸化ＪＩ２ｒ通してシリコン基板１に注入し、
ソース、ドレインの拡散層８ｔ−形成する。この時、同
時に酸化硅素被膜５にもイオンが注入される。ｉ＠５図
において、酸化硅素被膜５に一除去するために約１チ希
ふっ酸水溶液で１分エツチングし、酸化硅素被膜を除去
し友後、フェノール系有機溶剤を主成分とするフォトレ
ジスト剥離剤に浸して第１層７オトレジス）４ｔ−除去
する。
等のイオン注入装置音用いて高ドーズ量のイオン７ｔ−
シリコン酸化ＪＩ２ｒ通してシリコン基板１に注入し、
ソース、ドレインの拡散層８ｔ−形成する。この時、同
時に酸化硅素被膜５にもイオンが注入される。ｉ＠５図
において、酸化硅素被膜５に一除去するために約１チ希
ふっ酸水溶液で１分エツチングし、酸化硅素被膜を除去
し友後、フェノール系有機溶剤を主成分とするフォトレ
ジスト剥離剤に浸して第１層７オトレジス）４ｔ−除去
する。
以上説明した様に本発明は、イオン注入マスクとして製
造した第１層フォトレジスト膜４及びイオン注入し几イ
オンに対しマスク性が確保できる酸化硅素被膜５及び第
２層フォトレジスト膜６を用いることにより、イオン注
入マスクとして用い九醗化硅素被膜５を希ふっ酸水溶液
で、マ次第１層フォトレジスト４は７工ノール系有機溶
剤金主成分とするフォトレジスト剥離剤上用いて夫々除
でき、酸素（０２）ガスを用い友プラズマ剥離法による
長時間の除去を行なわなくとも簡単な方法でイオン注入
マスク層を除去できる。またレジストｔ−２層に分離し
、第２層フォトレジストヲ、従来ＩＮのみで行なってい
た時の７オトレジスト膜厚（約１２μｍ）よシ充分に薄
くできるのでパターンの微細加工ができる効果がある。
造した第１層フォトレジスト膜４及びイオン注入し几イ
オンに対しマスク性が確保できる酸化硅素被膜５及び第
２層フォトレジスト膜６を用いることにより、イオン注
入マスクとして用い九醗化硅素被膜５を希ふっ酸水溶液
で、マ次第１層フォトレジスト４は７工ノール系有機溶
剤金主成分とするフォトレジスト剥離剤上用いて夫々除
でき、酸素（０２）ガスを用い友プラズマ剥離法による
長時間の除去を行なわなくとも簡単な方法でイオン注入
マスク層を除去できる。またレジストｔ−２層に分離し
、第２層フォトレジストヲ、従来ＩＮのみで行なってい
た時の７オトレジスト膜厚（約１２μｍ）よシ充分に薄
くできるのでパターンの微細加工ができる効果がある。
以上のとおり、本発明によれば、庄産性、微細加工に優
れたイオン注入法が提供される。
れたイオン注入法が提供される。
第１図から第５図は本発明の一実施例を示す工程の断面
図である。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・ポリシリコン層、４・・・第１層フォトレジスト、
５・・・酸化硅素被膜、６・・・第２層フォトレジスト
、７・・・イオン、８・・・拡散湘 第１図 第２図 第３図
図である。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・ポリシリコン層、４・・・第１層フォトレジスト、
５・・・酸化硅素被膜、６・・・第２層フォトレジスト
、７・・・イオン、８・・・拡散湘 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 半導体層上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、前記
フォトレジスト膜上に無機絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜および前記フォトレジストに膜をパターニング
する工程と、パターニングされた絶縁膜をマスクとして
前記半導体層に不純物をイオン注入法する工程とを有す
ることを特徴とするイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26341484A JPS61141125A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | イオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26341484A JPS61141125A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | イオン注入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141125A true JPS61141125A (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=17389161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26341484A Pending JPS61141125A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | イオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61141125A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011103323A1 (en) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Self-aligned ion implantation for ibc solar cells |
| CN103489774A (zh) * | 2012-06-12 | 2014-01-01 | 无锡华润上华科技有限公司 | 半导体器件中氧化层的形成方法 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP26341484A patent/JPS61141125A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011103323A1 (en) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Self-aligned ion implantation for ibc solar cells |
| US8735234B2 (en) | 2010-02-18 | 2014-05-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Self-aligned ion implantation for IBC solar cells |
| CN103489774A (zh) * | 2012-06-12 | 2014-01-01 | 无锡华润上华科技有限公司 | 半导体器件中氧化层的形成方法 |
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