JPS61141125A - イオン注入方法 - Google Patents
イオン注入方法Info
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- JPS61141125A JPS61141125A JP26341484A JP26341484A JPS61141125A JP S61141125 A JPS61141125 A JP S61141125A JP 26341484 A JP26341484 A JP 26341484A JP 26341484 A JP26341484 A JP 26341484A JP S61141125 A JPS61141125 A JP S61141125A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体IC(集積回路2基体にイオン注入装
置を用いて部分的に不純物を注入する方法に関し、特に
イオン注入の際に必要となるイオン注入マスクの製造方
法に関する。
置を用いて部分的に不純物を注入する方法に関し、特に
イオン注入の際に必要となるイオン注入マスクの製造方
法に関する。
半導体ICにおいて、トランジスタ領域、例えばM08
トランジスタにおいてはソース、ドレーン、ゲート領域
等に不純物全選択的に拡散する工程が必要となる。この
時、イオン注入用マスク層全形放し、選択性を持たせる
必要かめる。
トランジスタにおいてはソース、ドレーン、ゲート領域
等に不純物全選択的に拡散する工程が必要となる。この
時、イオン注入用マスク層全形放し、選択性を持たせる
必要かめる。
従来、イオン注入用マスク層として、イオン注入のイオ
ンを透過させない充分な厚さの7オトレジスト膜を形成
し、そのレジスト膜にパターン會形成しており、シリコ
ン基板へのイオン打込みにおける選択性を持たせている
が、当然の事ながらそのフォトレジストにはイオン注入
でイオンが注入される。
ンを透過させない充分な厚さの7オトレジスト膜を形成
し、そのレジスト膜にパターン會形成しており、シリコ
ン基板へのイオン打込みにおける選択性を持たせている
が、当然の事ながらそのフォトレジストにはイオン注入
でイオンが注入される。
このため、イオンが、注入され几7オトレジストは硬化
することになり、不要となり7t7オトレジストを除去
する時、酸素グ2ズマ法等を用いなければならず、その
時間に長時間を要すると言う欠点がめっ几。
することになり、不要となり7t7オトレジストを除去
する時、酸素グ2ズマ法等を用いなければならず、その
時間に長時間を要すると言う欠点がめっ几。
この発明は、下地構造が持つ段差部によるマスク性の低
下を防止するように不要にマスクNk厚くすることなく
、微細加工が可能で、かつ簡単な方法でマスク層を除去
するために、フォトレジスト層上に無機絶縁膜(好まし
くは、酸化硅素膜)を形成し、この絶縁膜お工ひフォト
レジスト膜をバターニングし友もの金イオン注入用のマ
スクとすることを特徴とする。
下を防止するように不要にマスクNk厚くすることなく
、微細加工が可能で、かつ簡単な方法でマスク層を除去
するために、フォトレジスト層上に無機絶縁膜(好まし
くは、酸化硅素膜)を形成し、この絶縁膜お工ひフォト
レジスト膜をバターニングし友もの金イオン注入用のマ
スクとすることを特徴とする。
以下、本発明を実施例klとに説明する。
第1図乃至第5図は本発明の一実施例を示す工程図であ
り、特にシリコンゲートMOf9トランジスタのソース
、ドレインの形成に不発F#Jt−適用したものである
。第1図において、シリコン基板1に、熱酸化法でシリ
コン酸化膜2を形成する。次いで、化学的気相成長法に
よりポリシリコン層tα4〜α8μm程度形成した後、
ポリシリコン層をバターニングし、ポリシリコンゲート
電極領域3會形成する。
り、特にシリコンゲートMOf9トランジスタのソース
、ドレインの形成に不発F#Jt−適用したものである
。第1図において、シリコン基板1に、熱酸化法でシリ
コン酸化膜2を形成する。次いで、化学的気相成長法に
よりポリシリコン層tα4〜α8μm程度形成した後、
ポリシリコン層をバターニングし、ポリシリコンゲート
電極領域3會形成する。
第2図において、ポリシリコン/i#30段差部を充分
覆うことができる膜厚の第1層フォトレジスト4t−塗
布する。通常、ポリシリコン層3の厚さに0.2μm程
加えた膜厚とする。次いで、フォトレジストに含まれて
いる溶剤を約90℃でベークし。
覆うことができる膜厚の第1層フォトレジスト4t−塗
布する。通常、ポリシリコン層3の厚さに0.2μm程
加えた膜厚とする。次いで、フォトレジストに含まれて
いる溶剤を約90℃でベークし。
蒸発させる。次にアルコールを主成分とする有機溶剤に
溶解し次酸化硅素を主取分とする酸化硅素柔被膜量布液
を塗布し、使用するイオン注入エネルギー及びドーズ量
に応じて、打込まれるイオンに対し充分マスク性のある
膜厚0.6〜LOμmの酸化硅素被膜5t−形成する。
溶解し次酸化硅素を主取分とする酸化硅素柔被膜量布液
を塗布し、使用するイオン注入エネルギー及びドーズ量
に応じて、打込まれるイオンに対し充分マスク性のある
膜厚0.6〜LOμmの酸化硅素被膜5t−形成する。
次罠酸化硅素柔被膜5中に含まれている溶剤を蒸発させ
、固化させる為、300℃〜400℃のオープン中で3
0分間ベーキングする。次にその表面に第2層フォトレ
ジスト6を第1NIfフオトレジスト4とほぼ同一膜厚
以下で塗布をシ90℃の空気雰囲気で30分間ぺ一りす
る。
、固化させる為、300℃〜400℃のオープン中で3
0分間ベーキングする。次にその表面に第2層フォトレ
ジスト6を第1NIfフオトレジスト4とほぼ同一膜厚
以下で塗布をシ90℃の空気雰囲気で30分間ぺ一りす
る。
第3図において、パターンの形成されたフォトマスクを
マスクにして第2層フォトレジストに紫 ゛外線を
当て現像することにエフwJz層フォトレジスト6にパ
ターンを形成する。次に、フロン(CF4)ガスを用い
て酸化硅素被膜5をドライエツチングし、バターニング
する。次に酸化硅素被膜5t−マスクに第1層フォトレ
ジスト4t4’に酸素(02ノガス等を用いたドライエ
ツチング法にエフ、バターニングする。この時表面に塗
布された第2/ii7オトレジスト6は第1層フォトレ
ジスト會バターニングする時、同時に除去される。
マスクにして第2層フォトレジストに紫 ゛外線を
当て現像することにエフwJz層フォトレジスト6にパ
ターンを形成する。次に、フロン(CF4)ガスを用い
て酸化硅素被膜5をドライエツチングし、バターニング
する。次に酸化硅素被膜5t−マスクに第1層フォトレ
ジスト4t4’に酸素(02ノガス等を用いたドライエ
ツチング法にエフ、バターニングする。この時表面に塗
布された第2/ii7オトレジスト6は第1層フォトレ
ジスト會バターニングする時、同時に除去される。
この様にして第4図の構造ができ上がり、次に1リテボ
等のイオン注入装置音用いて高ドーズ量のイオン7t−
シリコン酸化JI2r通してシリコン基板1に注入し、
ソース、ドレインの拡散層8t−形成する。この時、同
時に酸化硅素被膜5にもイオンが注入される。i@5図
において、酸化硅素被膜5に一除去するために約1チ希
ふっ酸水溶液で1分エツチングし、酸化硅素被膜を除去
し友後、フェノール系有機溶剤を主成分とするフォトレ
ジスト剥離剤に浸して第1層7オトレジス)4t−除去
する。
等のイオン注入装置音用いて高ドーズ量のイオン7t−
シリコン酸化JI2r通してシリコン基板1に注入し、
ソース、ドレインの拡散層8t−形成する。この時、同
時に酸化硅素被膜5にもイオンが注入される。i@5図
において、酸化硅素被膜5に一除去するために約1チ希
ふっ酸水溶液で1分エツチングし、酸化硅素被膜を除去
し友後、フェノール系有機溶剤を主成分とするフォトレ
ジスト剥離剤に浸して第1層7オトレジス)4t−除去
する。
以上説明した様に本発明は、イオン注入マスクとして製
造した第1層フォトレジスト膜4及びイオン注入し几イ
オンに対しマスク性が確保できる酸化硅素被膜5及び第
2層フォトレジスト膜6を用いることにより、イオン注
入マスクとして用い九醗化硅素被膜5を希ふっ酸水溶液
で、マ次第1層フォトレジスト4は7工ノール系有機溶
剤金主成分とするフォトレジスト剥離剤上用いて夫々除
でき、酸素(02)ガスを用い友プラズマ剥離法による
長時間の除去を行なわなくとも簡単な方法でイオン注入
マスク層を除去できる。またレジストt−2層に分離し
、第2層フォトレジストヲ、従来INのみで行なってい
た時の7オトレジスト膜厚(約12μm)よシ充分に薄
くできるのでパターンの微細加工ができる効果がある。
造した第1層フォトレジスト膜4及びイオン注入し几イ
オンに対しマスク性が確保できる酸化硅素被膜5及び第
2層フォトレジスト膜6を用いることにより、イオン注
入マスクとして用い九醗化硅素被膜5を希ふっ酸水溶液
で、マ次第1層フォトレジスト4は7工ノール系有機溶
剤金主成分とするフォトレジスト剥離剤上用いて夫々除
でき、酸素(02)ガスを用い友プラズマ剥離法による
長時間の除去を行なわなくとも簡単な方法でイオン注入
マスク層を除去できる。またレジストt−2層に分離し
、第2層フォトレジストヲ、従来INのみで行なってい
た時の7オトレジスト膜厚(約12μm)よシ充分に薄
くできるのでパターンの微細加工ができる効果がある。
以上のとおり、本発明によれば、庄産性、微細加工に優
れたイオン注入法が提供される。
れたイオン注入法が提供される。
第1図から第5図は本発明の一実施例を示す工程の断面
図である。 1・・・シリコン基板、2・・・シリコン酸化膜、3・
・・ポリシリコン層、4・・・第1層フォトレジスト、
5・・・酸化硅素被膜、6・・・第2層フォトレジスト
、7・・・イオン、8・・・拡散湘 第1図 第2図 第3図
図である。 1・・・シリコン基板、2・・・シリコン酸化膜、3・
・・ポリシリコン層、4・・・第1層フォトレジスト、
5・・・酸化硅素被膜、6・・・第2層フォトレジスト
、7・・・イオン、8・・・拡散湘 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 半導体層上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、前記
フォトレジスト膜上に無機絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜および前記フォトレジストに膜をパターニング
する工程と、パターニングされた絶縁膜をマスクとして
前記半導体層に不純物をイオン注入法する工程とを有す
ることを特徴とするイオン注入方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26341484A JPS61141125A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | イオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26341484A JPS61141125A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | イオン注入方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61141125A true JPS61141125A (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=17389161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26341484A Pending JPS61141125A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | イオン注入方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61141125A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011103323A1 (en) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Self-aligned ion implantation for ibc solar cells |
CN103489774A (zh) * | 2012-06-12 | 2014-01-01 | 无锡华润上华科技有限公司 | 半导体器件中氧化层的形成方法 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP26341484A patent/JPS61141125A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011103323A1 (en) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Self-aligned ion implantation for ibc solar cells |
US8735234B2 (en) | 2010-02-18 | 2014-05-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Self-aligned ion implantation for IBC solar cells |
CN103489774A (zh) * | 2012-06-12 | 2014-01-01 | 无锡华润上华科技有限公司 | 半导体器件中氧化层的形成方法 |
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