JPS61134015A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61134015A JPS61134015A JP25607384A JP25607384A JPS61134015A JP S61134015 A JPS61134015 A JP S61134015A JP 25607384 A JP25607384 A JP 25607384A JP 25607384 A JP25607384 A JP 25607384A JP S61134015 A JPS61134015 A JP S61134015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion
- film
- spin
- oxygen plasma
- oxidizing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半纏体クエーハＩＣ液伏の拡散源を塗布し、
熱処理によって前記不純物を前記ウェーハ内に拡散する
。いわゆるスピンオン拡散法による不純物拡散工程を含
む半導体装置の製造方法に関する。
熱処理によって前記不純物を前記ウェーハ内に拡散する
。いわゆるスピンオン拡散法による不純物拡散工程を含
む半導体装置の製造方法に関する。
半導体ワエーハに、８ｂ、Ａｓなどの不純物拡散源を形
成するための簡易な方法として、スピ７オンノース迩布
によるスピンオン拡散法がある０スピンオン拡敢法す二
、スピンオン慮布前の半導体ヮエーハの表面の汚れ罠敏
感に反応し、ａセット等の外観異常が発生しゃすい０こ
のため、スピンオン拡散法における％酸化膜の拡散パタ
ーン形成のための７オトリングラフイエ程のレジスト剥
離には、有機薬品による剥離よりも、一層レシスト除去
効果の大きな酸素グラズマによる灰化剥離方法が有利で
ある。
成するための簡易な方法として、スピ７オンノース迩布
によるスピンオン拡散法がある０スピンオン拡敢法す二
、スピンオン慮布前の半導体ヮエーハの表面の汚れ罠敏
感に反応し、ａセット等の外観異常が発生しゃすい０こ
のため、スピンオン拡散法における％酸化膜の拡散パタ
ーン形成のための７オトリングラフイエ程のレジスト剥
離には、有機薬品による剥離よりも、一層レシスト除去
効果の大きな酸素グラズマによる灰化剥離方法が有利で
ある。
しかしながら、この酸素プラズマによるレジスト剥離は
、その剥離過程で、シリコンの露出した被拡散部分表面
に２５Ｘ前後の酸化性被膜を形成する。この酸素プラズ
マによって生じた薄い酸化性被膜は、ボロン、リン等の
ガス拡散やイオン注入に対してはほとんど障害とはなシ
得ないが、スピンオン拡散に対しては拡散層抵抗が高く
なり問題である。
、その剥離過程で、シリコンの露出した被拡散部分表面
に２５Ｘ前後の酸化性被膜を形成する。この酸素プラズ
マによって生じた薄い酸化性被膜は、ボロン、リン等の
ガス拡散やイオン注入に対してはほとんど障害とはなシ
得ないが、スピンオン拡散に対しては拡散層抵抗が高く
なり問題である。
上記スピンオン拡散において、酸素プラズマによるフォ
トレジスト剥離工程で生じる拡散面上の酸化性被膜によ
る拡散障害に対し、本発明では、前記酸素グラズマによ
るフォトレジスト剥離に続いて７ツ酸処理を行い、前記
拡散面上の酸化性被膜を取り除く。
トレジスト剥離工程で生じる拡散面上の酸化性被膜によ
る拡散障害に対し、本発明では、前記酸素グラズマによ
るフォトレジスト剥離に続いて７ツ酸処理を行い、前記
拡散面上の酸化性被膜を取り除く。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例に係る酸化性被
膜除去を説明するための工程順の断面図である。まず第
１図に示すように、半導体ウェーハ１の表面に絶縁性の
岐化膜２を形成し、フォトエツチングによシフオドレジ
スト膜３をマスクとして、拡散部の酸化膜２を選択的に
除去して窓をあける。つぎに、残りのレジスト膜３を酸
素グラズマにより灰化除去して第２図のようにする。こ
の際、酸素プラズマに晒される拡散窓の部分には２５Ａ
程度の酸化性被膜４が形成される。この酸化性被膜を七
のままにしてスピンオン拡散を行うと、有機薬品、また
は硝酸−硫酸ボイルによりレジスト剥離を行った場合に
比べて、例えば、Ｓｂのスピンオン拡散では、約５％拡
散層抵抗が向くなる。機素プラズマ剥離を採用した場合
のこの拡散層抵抗の上昇は、酸素プラズマにより生じた
鹸化性被膜が、スピンオン拡散源（対してバリアとして
働くためであるが、この東北性被膜は、フッ酸系の薬品
、例えば、５０チフッ化水素酸：純水＝１：１０溶液３
０秒程度の処理により容易に除去可能である。第３図は
このようにして酸化性被膜４を除去して拡散面５を蕗出
させた状態を示すものである。
膜除去を説明するための工程順の断面図である。まず第
１図に示すように、半導体ウェーハ１の表面に絶縁性の
岐化膜２を形成し、フォトエツチングによシフオドレジ
スト膜３をマスクとして、拡散部の酸化膜２を選択的に
除去して窓をあける。つぎに、残りのレジスト膜３を酸
素グラズマにより灰化除去して第２図のようにする。こ
の際、酸素プラズマに晒される拡散窓の部分には２５Ａ
程度の酸化性被膜４が形成される。この酸化性被膜を七
のままにしてスピンオン拡散を行うと、有機薬品、また
は硝酸−硫酸ボイルによりレジスト剥離を行った場合に
比べて、例えば、Ｓｂのスピンオン拡散では、約５％拡
散層抵抗が向くなる。機素プラズマ剥離を採用した場合
のこの拡散層抵抗の上昇は、酸素プラズマにより生じた
鹸化性被膜が、スピンオン拡散源（対してバリアとして
働くためであるが、この東北性被膜は、フッ酸系の薬品
、例えば、５０チフッ化水素酸：純水＝１：１０溶液３
０秒程度の処理により容易に除去可能である。第３図は
このようにして酸化性被膜４を除去して拡散面５を蕗出
させた状態を示すものである。
本発明によれば、上に述べたように、酸素グラズマによ
るフォトレジスト剥離の際に生ずる酸化性被膜を、フッ
酸系薬品によシ除去することにより、スピンオン拡散の
層抵抗上昇を回避することができ、フォトリングラフィ
工程のレジスト剥離に酸素グラダマ法を何の障害もなし
に適用できるようになる。
るフォトレジスト剥離の際に生ずる酸化性被膜を、フッ
酸系薬品によシ除去することにより、スピンオン拡散の
層抵抗上昇を回避することができ、フォトリングラフィ
工程のレジスト剥離に酸素グラダマ法を何の障害もなし
に適用できるようになる。
第１〜第３図は、本発明の一実施例【係るフォトレジス
ト除去を工程順に示したＩｌｒ面図である。 １・・・・・半導体ウェー・・、２・・・・・酸化膜、
３・・・・・・フォトレジヌト膜、４・・ 酸化性被膜
、５・・・・・拡散窓あけ面。 第１ 図 第２図 １？、３’７
ト除去を工程順に示したＩｌｒ面図である。 １・・・・・半導体ウェー・・、２・・・・・酸化膜、
３・・・・・・フォトレジヌト膜、４・・ 酸化性被膜
、５・・・・・拡散窓あけ面。 第１ 図 第２図 １？、３’７
Claims (1)
- 半導体ウェーハの一主面上の酸化膜の上にフォトレジ
ストのパターンを形成し、このフォトレジストのパター
ンをマスクとして前記酸化膜に拡散窓をあけ、つぎに前
記残りのフォトレジストを除去後前記窓あけ部に不純物
拡散源を塗布し、しかる後熱処理によって前記不純物を
前記ウェーハ内に拡散することを含む半導体装置の製造
方法において、前記フォトレジストの除去には酸素プラ
ズマを用い、前記フォトレジスト除去後にフッ酸処理を
行って、前記フォトレジスト除去に伴なって前記窓あけ
部に形成された酸化性被膜を除去することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25607384A JPS61134015A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25607384A JPS61134015A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134015A true JPS61134015A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17287514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25607384A Pending JPS61134015A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134015A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744402A (en) * | 1994-11-30 | 1998-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor devices |
-
1984
- 1984-12-04 JP JP25607384A patent/JPS61134015A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744402A (en) * | 1994-11-30 | 1998-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02100326A (ja) | 高耐圧ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPS62271435A (ja) | レジストの剥離方法 | |
| US6713397B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JPS61134015A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3767493A (en) | Two-step photo-etching method for semiconductors | |
| KR100255665B1 (ko) | 단일 반도체 기판에 상이한 두께의 게이트 산화막 구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법 | |
| JPS62125633A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6119133A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0124636B1 (ko) | 포토레지스트 제거방법 | |
| JPH0122731B2 (ja) | ||
| JPS61141125A (ja) | イオン注入方法 | |
| JP2002094069A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP3740792B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06326101A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2817226B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH088262A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR960013781B1 (ko) | 필드산화막 제조방법 | |
| JPH01202819A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03276627A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60233824A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JPS6041243A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100252859B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPS58171823A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59179149A (ja) | ＩｎＰ陽極酸化膜のエツチング方法 | |
| JPS63284861A (ja) | 半導体装置の製造方法 |