JPS58171823A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58171823A JPS58171823A JP5489082A JP5489082A JPS58171823A JP S58171823 A JPS58171823 A JP S58171823A JP 5489082 A JP5489082 A JP 5489082A JP 5489082 A JP5489082 A JP 5489082A JP S58171823 A JPS58171823 A JP S58171823A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- semiconductor substrate
- opening
- reactive ion
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 241000272814 Anser sp. Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、トランジスタ、ダイオード、集積回路などの
半導体装置の製造の際、これら装置の半導体基板上の絶
縁膜に開口を設ける工程を含む製造方法に関する。
半導体装置の製造の際、これら装置の半導体基板上の絶
縁膜に開口を設ける工程を含む製造方法に関する。
近年、トランジスタ、ダイオード、集積回路などの半導
体装置素子の像側化に伴い、半導体基板上の絶＃膜にフ
ォトエツチング工程によって開口を設ける際、反応性イ
オンエツチングを利用することが盛んになってきた。こ
の理由は、反応性イオンエツチングの持つ、すぐれた加
工１１度にあることは首うまでもない、しかしながら、
反応性イオンエツチングを実際の素子製造工程、たとえ
ばトランジスタ素子の電極形成用の開口の形成に適用し
た場合、ＰＮ接合逆方向漏洩電流が増大するという欠点
があった。この原因としては、反応性イオンエツチング
装置のエツチング室を構成している金属が、反応性イオ
ンによってエツチングさｎ１プラズマ中に発生した自己
バイアスによって加速さｎて半導体基板内に導入され、
キャリアの発生、再結合中心となることが考えられる。
体装置素子の像側化に伴い、半導体基板上の絶＃膜にフ
ォトエツチング工程によって開口を設ける際、反応性イ
オンエツチングを利用することが盛んになってきた。こ
の理由は、反応性イオンエツチングの持つ、すぐれた加
工１１度にあることは首うまでもない、しかしながら、
反応性イオンエツチングを実際の素子製造工程、たとえ
ばトランジスタ素子の電極形成用の開口の形成に適用し
た場合、ＰＮ接合逆方向漏洩電流が増大するという欠点
があった。この原因としては、反応性イオンエツチング
装置のエツチング室を構成している金属が、反応性イオ
ンによってエツチングさｎ１プラズマ中に発生した自己
バイアスによって加速さｎて半導体基板内に導入され、
キャリアの発生、再結合中心となることが考えられる。
本発明の目的は、このような反応性イオンエツチングに
伴なう欠点をなくシ、良好な素子特性を与えることので
きる半導体装置の製造方法を提供するにある。
伴なう欠点をなくシ、良好な素子特性を与えることので
きる半導体装置の製造方法を提供するにある。
本発明方法は、半導体基板上の絶縁膜に反応性イオンエ
ツチングを用いたフォトエツチングによシ開口を設ける
工程と、この開口内に露出した半導体基板面に陽極酸化
によシ酸化Ｍｔ−形成する工程と、＃酸化膜を溶解する
水溶液中で曲記酸化膜を除去する工程とを含む構成を有
する。
ツチングを用いたフォトエツチングによシ開口を設ける
工程と、この開口内に露出した半導体基板面に陽極酸化
によシ酸化Ｍｔ−形成する工程と、＃酸化膜を溶解する
水溶液中で曲記酸化膜を除去する工程とを含む構成を有
する。
本発明方法によ多素子特性の劣化が防止できるのは、反
応性イオンエツチングによシ半導体基板表面に導入さｎ
た汚染金属が陽極酸化の酸化膜にとシ込ま１、この酸化
膜を除去することくより半導体基板表面が清浄化され、
！まためと考えられる。
応性イオンエツチングによシ半導体基板表面に導入さｎ
た汚染金属が陽極酸化の酸化膜にとシ込ま１、この酸化
膜を除去することくより半導体基板表面が清浄化され、
！まためと考えられる。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図ないし第４図は、本発明の一実施例に係る半導体
基板上の絶縁膜に電極取出しの開口を設ける工程を説明
するための工程順の断面図である。
基板上の絶縁膜に電極取出しの開口を設ける工程を説明
するための工程順の断面図である。
まず、第１図に示すように、半導体基板、例えば所望の
ＰＮ接合（図示せず）が形成されたシリコン基板１の上
面ＫＦｉ酸化シリコン膜２が形成されている。つぎに第
２図に示すように、フォトレジスト３を塗布し、フォト
マスクを用いて無光を行い、フォトレジスト３に開口を
形成する。次にプラズマ中で発生した反応性イオンビー
ム４を照射し、酸化膜２に開口を形成する。用いるエツ
チングガスとしては、酸化シリコン膜をエツチングする
場合にはＣＦ、にＨｌを添加したもの岬が適当であり、
印加する高量波電圧は数百〜ｔＫＶ程度、４だ周波数は
ｌ０ＭＨ４２程度が適当である。こうして、絶縁膜２中
に開口が形成される。次に、第３図に示す様に、露出し
た半導体基板上に陽極酸化によって酸化膜５を形成する
。酸化膜の厚さは数百１程度４ｎば良い。このようにし
て、半導体基板表面の汚染金属は酸化Ｗ５中にとシ込ま
れる。次に酸化膜５を溶解する水溶液、例えば７ツ化水
素酸溶液に浸し、第４図に示すように酸化膜５を除去し
、開口の形成工程を終了する。
ＰＮ接合（図示せず）が形成されたシリコン基板１の上
面ＫＦｉ酸化シリコン膜２が形成されている。つぎに第
２図に示すように、フォトレジスト３を塗布し、フォト
マスクを用いて無光を行い、フォトレジスト３に開口を
形成する。次にプラズマ中で発生した反応性イオンビー
ム４を照射し、酸化膜２に開口を形成する。用いるエツ
チングガスとしては、酸化シリコン膜をエツチングする
場合にはＣＦ、にＨｌを添加したもの岬が適当であり、
印加する高量波電圧は数百〜ｔＫＶ程度、４だ周波数は
ｌ０ＭＨ４２程度が適当である。こうして、絶縁膜２中
に開口が形成される。次に、第３図に示す様に、露出し
た半導体基板上に陽極酸化によって酸化膜５を形成する
。酸化膜の厚さは数百１程度４ｎば良い。このようにし
て、半導体基板表面の汚染金属は酸化Ｗ５中にとシ込ま
れる。次に酸化膜５を溶解する水溶液、例えば７ツ化水
素酸溶液に浸し、第４図に示すように酸化膜５を除去し
、開口の形成工程を終了する。
このようにして、反応性イオンビームエツチングに伴な
う表面汚染金属は取り除かれているので、素子特性の劣
化なしに１加工糖度の高い微細な開口を形成することが
できる。
う表面汚染金属は取り除かれているので、素子特性の劣
化なしに１加工糖度の高い微細な開口を形成することが
できる。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例に係る製造工程
順の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化シリコ
ン膜、３・・・・・・フォトレジスト、４・・・・・・
反応性イオンビーム、５・・・・・・陽極酸化による酸
化膜。 鵠 ７ （２） 衿 ２図 Ｚ ３ 図 Ｚ ４ 図
順の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化シリコ
ン膜、３・・・・・・フォトレジスト、４・・・・・・
反応性イオンビーム、５・・・・・・陽極酸化による酸
化膜。 鵠 ７ （２） 衿 ２図 Ｚ ３ 図 Ｚ ４ 図
Claims (1)
- 半導体基板上の絶縁膜に反応性イオンエツチングを用い
たフォトエツチング工程により開口を設ける工程と、ｗ
Ｉ開口内に露出した半導体基板に陽極酸化により酸化膜
を形成する工程と、し酸化膜を溶解する水溶液中で前記
酸化膜を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5489082A JPS58171823A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5489082A JPS58171823A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171823A true JPS58171823A (ja) | 1983-10-08 |
Family
ID=12983181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5489082A Pending JPS58171823A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171823A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6481381A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-04-02 JP JP5489082A patent/JPS58171823A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6481381A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2581268B2 (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| US5288660A (en) | Method for forming self-aligned t-shaped transistor electrode | |
| JPS62271435A (ja) | レジストの剥離方法 | |
| JP2003068667A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58171823A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1174192A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08316121A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0364758A (ja) | フォトレジスト剥離方法 | |
| US3482974A (en) | Method of plating gold films onto oxide-free silicon substrates | |
| JPS58220429A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58143527A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2618545B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JP2008244323A (ja) | ステンシルマスク | |
| JPS58132927A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP3532972B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS6222263B2 (ja) | ||
| KR960013781B1 (ko) | 필드산화막 제조방법 | |
| JPH07321117A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JPH03276627A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63182817A (ja) | 現像処理方法 | |
| JPS61141125A (ja) | イオン注入方法 | |
| JPS61134015A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5918639A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6273744A (ja) | 金属配線パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6045019A (ja) | 半導体装置の製造方法 |