JPH1174192A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1174192A JPH1174192A JP10125016A JP12501698A JPH1174192A JP H1174192 A JPH1174192 A JP H1174192A JP 10125016 A JP10125016 A JP 10125016A JP 12501698 A JP12501698 A JP 12501698A JP H1174192 A JPH1174192 A JP H1174192A
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトレジストの除去とそれに続く洗浄工程
に要する時間を短縮させて生産性を高めることができる
とともに、洗浄効果が向上し製品の信頼度を向上させる
ことができる半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 半導体基板１０にウェル１２を形成した
後、イオン注入マスクとして使用したフォトレジストを
N2ガス及びO2ガスを混合させた混合ガスを利用して乾式
エッチング工程で除去する。その後、25重量％ないし35
重量％のIPA(Isopropyl Alcohol)、2.0 重量％ないし4.
0 重量％のH2O2、0.05重量％ないし0.25重量％のHF及び
残量の脱イオン水を混合させて製造した洗浄用組成物を
利用して半導体基板１０の洗浄を行い、同時に半導体基
板１０上の自然酸化膜１３及び汚染源１４を除去する。
に要する時間を短縮させて生産性を高めることができる
とともに、洗浄効果が向上し製品の信頼度を向上させる
ことができる半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 半導体基板１０にウェル１２を形成した
後、イオン注入マスクとして使用したフォトレジストを
N2ガス及びO2ガスを混合させた混合ガスを利用して乾式
エッチング工程で除去する。その後、25重量％ないし35
重量％のIPA(Isopropyl Alcohol)、2.0 重量％ないし4.
0 重量％のH2O2、0.05重量％ないし0.25重量％のHF及び
残量の脱イオン水を混合させて製造した洗浄用組成物を
利用して半導体基板１０の洗浄を行い、同時に半導体基
板１０上の自然酸化膜１３及び汚染源１４を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関するもので、より詳しくは乾式エッチング工程で
フォトレジストを除去した後、IPA （Isopropyl Alcoho
l ）、H2O2、HF及び脱イオン水を混合させた洗浄用組成
物を用いて洗浄工程を行う半導体装置の製造方法に関す
るものである。
法に関するもので、より詳しくは乾式エッチング工程で
フォトレジストを除去した後、IPA （Isopropyl Alcoho
l ）、H2O2、HF及び脱イオン水を混合させた洗浄用組成
物を用いて洗浄工程を行う半導体装置の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体装置の製造では、ウェル形
成工程またはコンタクホール形成工程などの遂行時に、
フォトレジストの写真エッチング工程（露光現像工程）
を行う。即ち、下地上にフォトレジストを塗布した後、
前記写真エッチング工程の遂行によってフォトレジスト
の所定の領域を除去することにより、前記ウェルまたは
コンタクホール等が形成される下地の所定の領域を選択
的に露出させる。そして、その露出した所定の領域にウ
ェルまたはコンタクホール等を形成した後、前記フォト
レジストを除去する工程を行い、さらに半導体基板等の
表面を洗浄する洗浄工程を行う。
成工程またはコンタクホール形成工程などの遂行時に、
フォトレジストの写真エッチング工程（露光現像工程）
を行う。即ち、下地上にフォトレジストを塗布した後、
前記写真エッチング工程の遂行によってフォトレジスト
の所定の領域を除去することにより、前記ウェルまたは
コンタクホール等が形成される下地の所定の領域を選択
的に露出させる。そして、その露出した所定の領域にウ
ェルまたはコンタクホール等を形成した後、前記フォト
レジストを除去する工程を行い、さらに半導体基板等の
表面を洗浄する洗浄工程を行う。
【０００３】ここで、従来、前記フォトレジストの除去
は、まずエッチングガスを用いた乾式エッチング工程で
所定の温度で硬化したフォトレジストの表面を除去した
後、H2SO4 または標準洗浄液（Standard Chemical ：NH
4OH2、H2O2、 H2Oの混合物であり、以下「SC−1 」と記
す）等のケミカルを利用して前記フォトレジストを完全
に除去した。即ち、従来は、ガスを用いた乾式エッチン
グ工程及びケミカルを用いた湿式エッチング工程の２つ
を用いて前記フォトレジストを除去した。
は、まずエッチングガスを用いた乾式エッチング工程で
所定の温度で硬化したフォトレジストの表面を除去した
後、H2SO4 または標準洗浄液（Standard Chemical ：NH
4OH2、H2O2、 H2Oの混合物であり、以下「SC−1 」と記
す）等のケミカルを利用して前記フォトレジストを完全
に除去した。即ち、従来は、ガスを用いた乾式エッチン
グ工程及びケミカルを用いた湿式エッチング工程の２つ
を用いて前記フォトレジストを除去した。
【０００４】また、前記洗浄工程は、前記フォトレジス
トが除去された半導体基板等の表面に残留する汚染物ま
たは前記半導体基板等の表面に成長した自然酸化膜等を
除去するために行うものであるが、この洗浄工程は120
℃に加熱されたH2SO4 を洗浄液に用いて、あるいは前記
SC−1 またはHF等を洗浄液に用いて実施した。即ち、従
来は、洗浄される下地等の種類によって洗浄液を選択し
て工程を行った。
トが除去された半導体基板等の表面に残留する汚染物ま
たは前記半導体基板等の表面に成長した自然酸化膜等を
除去するために行うものであるが、この洗浄工程は120
℃に加熱されたH2SO4 を洗浄液に用いて、あるいは前記
SC−1 またはHF等を洗浄液に用いて実施した。即ち、従
来は、洗浄される下地等の種類によって洗浄液を選択し
て工程を行った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
フォトレジストを用いた工程の後の前記フォトレジスト
の除去及びこれに続く洗浄工程が非常に複雑で、これら
フォトレジスト除去及び洗浄工程に要する時間が長くか
かるので、生産性が低下するという問題点があった。
フォトレジストを用いた工程の後の前記フォトレジスト
の除去及びこれに続く洗浄工程が非常に複雑で、これら
フォトレジスト除去及び洗浄工程に要する時間が長くか
かるので、生産性が低下するという問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、フォトレジスト除去及び
洗浄工程に要する時間を短縮させて生産性を向上させる
ことができるともに、洗浄効果を増大させ製品の信頼度
を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供
することにある。
洗浄工程に要する時間を短縮させて生産性を向上させる
ことができるともに、洗浄効果を増大させ製品の信頼度
を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し上記目
的を達成するために本発明による半導体装置の製造方法
は、写真エッチング工程を行った後、半導体基板上に残
留するフォトレジストを乾式エッチング工程によって除
去する工程と、前記フォトレジストが除去された半導体
基板を25重量％ないし35重量％のIPA （Isopropyl Alco
hol ）、2.0 重量％ないし4.0 重量％のH2O2、0.05重量
％ないし0.25重量％のHF及び残量の脱イオン水を混合さ
せて製造した洗浄用組成物を用いて洗浄する工程とを備
えてなることを特徴とする。前記乾式エッチング工程は
N2ガス及びO2ガスを混合させた混合ガスを用いて行われ
ることが望ましい。前記乾式エッチング工程は50秒ない
し3600秒の時間行われることが望ましい。前記洗浄用組
成物は、脱イオン水、100%の純粋IPA 、30％に希釈され
たH2O2及び50％に希釈されたHFを順次に混合して製造さ
れることが望ましい。前記洗浄は20℃ないし30℃の温度
の前記洗浄用組成物を用いて行われることが望ましい。
前記洗浄用組成物を用いた洗浄工程は60秒ないし600 秒
の時間行われることが望ましい。
的を達成するために本発明による半導体装置の製造方法
は、写真エッチング工程を行った後、半導体基板上に残
留するフォトレジストを乾式エッチング工程によって除
去する工程と、前記フォトレジストが除去された半導体
基板を25重量％ないし35重量％のIPA （Isopropyl Alco
hol ）、2.0 重量％ないし4.0 重量％のH2O2、0.05重量
％ないし0.25重量％のHF及び残量の脱イオン水を混合さ
せて製造した洗浄用組成物を用いて洗浄する工程とを備
えてなることを特徴とする。前記乾式エッチング工程は
N2ガス及びO2ガスを混合させた混合ガスを用いて行われ
ることが望ましい。前記乾式エッチング工程は50秒ない
し3600秒の時間行われることが望ましい。前記洗浄用組
成物は、脱イオン水、100%の純粋IPA 、30％に希釈され
たH2O2及び50％に希釈されたHFを順次に混合して製造さ
れることが望ましい。前記洗浄は20℃ないし30℃の温度
の前記洗浄用組成物を用いて行われることが望ましい。
前記洗浄用組成物を用いた洗浄工程は60秒ないし600 秒
の時間行われることが望ましい。
【０００８】本発明の他の半導体装置の製造方法は、半
導体基板上にフォトレジストを塗布した後、写真エッチ
ング工程を行って所定の領域のフォトレジストを除去す
る工程と、前記フォトレジストの除去で露出した半導体
基板の所定の領域に不純物を注入してウェルを形成する
工程と、前記半導体基板上に残留するフォトレジストを
乾式エッチング工程によって除去する工程と、前記フォ
トレジストが除去された半導体基板の表面を25重量％な
いし35重量％のIPA 、2.0 重量％ないし4.0 重量％のH2
O2、0.05重量％ないし0.25重量％のHF及び残量の脱イオ
ン水を混合させて製造した洗浄用組成物を用いて洗浄す
る工程とを備えてなることを特徴とする。前記乾式エッ
チング工程はN2ガス及びO2ガスを混合させた混合ガスを
用いて50秒ないし3600秒の時間行われることが望まし
い。前記洗浄は30重量％のIPA 、3 重量％のH2O2、0.2
重量％のHF及び残量の脱イオン水を混合させて製造した
洗浄用組成物を用いて行われることが望ましい。前記洗
浄は20℃ないし30℃の温度の前記洗浄用組成物を用いて
60秒ないし600秒の時間行われることが望ましい。
導体基板上にフォトレジストを塗布した後、写真エッチ
ング工程を行って所定の領域のフォトレジストを除去す
る工程と、前記フォトレジストの除去で露出した半導体
基板の所定の領域に不純物を注入してウェルを形成する
工程と、前記半導体基板上に残留するフォトレジストを
乾式エッチング工程によって除去する工程と、前記フォ
トレジストが除去された半導体基板の表面を25重量％な
いし35重量％のIPA 、2.0 重量％ないし4.0 重量％のH2
O2、0.05重量％ないし0.25重量％のHF及び残量の脱イオ
ン水を混合させて製造した洗浄用組成物を用いて洗浄す
る工程とを備えてなることを特徴とする。前記乾式エッ
チング工程はN2ガス及びO2ガスを混合させた混合ガスを
用いて50秒ないし3600秒の時間行われることが望まし
い。前記洗浄は30重量％のIPA 、3 重量％のH2O2、0.2
重量％のHF及び残量の脱イオン水を混合させて製造した
洗浄用組成物を用いて行われることが望ましい。前記洗
浄は20℃ないし30℃の温度の前記洗浄用組成物を用いて
60秒ないし600秒の時間行われることが望ましい。
【０００９】本発明のさらに他の半導体装置の製造方法
は、絶縁膜が既に形成された半導体基板上にフォトレジ
ストを塗布した後、写真エッチング工程を行って所定の
領域のフォトレジストを除去する工程と、前記フォトレ
ジストの除去で露出した絶縁膜をエッチングしてコンタ
クトホールを形成する工程と、前記絶縁膜上に残留する
フォトレジストを乾式エッチング工程を用いて除去する
工程と、前記フォトレジストが除去された絶縁膜の表面
を含む半導体基板の表面を25重量％ないし35重量％のIP
A 、2.0 重量％ないし4.0 重量％のH2O2、0.05重量％な
いし0.25重量％のHF及び残量の脱イオン水を混合させて
製造した洗浄用組成物を用いて洗浄する工程とを備えて
なることを特徴とする。前記乾式エッチング工程はN2ガ
ス及びO2ガスを混合させた混合ガスを用いて50秒ないし
3600秒の時間行われることが望ましい。前記洗浄は30重
量％のIPA 、3 重量％のH2O2、0.2 重量％のHF及び残量
の脱イオン水を混合させて製造した洗浄用組成物を用い
て行われることが望ましい。前記洗浄は20℃ないし30℃
の温度の前記洗浄用組成物を用いて60秒ないし600秒の
時間行われることが望ましい。
は、絶縁膜が既に形成された半導体基板上にフォトレジ
ストを塗布した後、写真エッチング工程を行って所定の
領域のフォトレジストを除去する工程と、前記フォトレ
ジストの除去で露出した絶縁膜をエッチングしてコンタ
クトホールを形成する工程と、前記絶縁膜上に残留する
フォトレジストを乾式エッチング工程を用いて除去する
工程と、前記フォトレジストが除去された絶縁膜の表面
を含む半導体基板の表面を25重量％ないし35重量％のIP
A 、2.0 重量％ないし4.0 重量％のH2O2、0.05重量％な
いし0.25重量％のHF及び残量の脱イオン水を混合させて
製造した洗浄用組成物を用いて洗浄する工程とを備えて
なることを特徴とする。前記乾式エッチング工程はN2ガ
ス及びO2ガスを混合させた混合ガスを用いて50秒ないし
3600秒の時間行われることが望ましい。前記洗浄は30重
量％のIPA 、3 重量％のH2O2、0.2 重量％のHF及び残量
の脱イオン水を混合させて製造した洗浄用組成物を用い
て行われることが望ましい。前記洗浄は20℃ないし30℃
の温度の前記洗浄用組成物を用いて60秒ないし600秒の
時間行われることが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を添付図
面を参照して詳細に説明する。図１ないし図３は本発明
による半導体装置の製造方法の第１の実施の形態を示す
断面図である。この第１の実施の形態は、半導体基板の
所定の領域にウェルを形成した後、ウェル形成時にイオ
ン注入マスクとして利用したフォトレジストを除去し、
さらに洗浄工程を実施する場合である。
面を参照して詳細に説明する。図１ないし図３は本発明
による半導体装置の製造方法の第１の実施の形態を示す
断面図である。この第１の実施の形態は、半導体基板の
所定の領域にウェルを形成した後、ウェル形成時にイオ
ン注入マスクとして利用したフォトレジストを除去し、
さらに洗浄工程を実施する場合である。
【００１１】第１の実施の形態では、まず、図１に示す
ように、半導体基板10上にフォトレジスト11を塗布した
後、写真エッチング工程を行ってフォトレジスト11の所
定の領域を除去し、これにより露出した半導体基板10の
所定領域に残存フォトレジスト11をマスクとして不純物
イオン注入を行うことにより、半導体基板10の所定の領
域にウェル12を形成する。
ように、半導体基板10上にフォトレジスト11を塗布した
後、写真エッチング工程を行ってフォトレジスト11の所
定の領域を除去し、これにより露出した半導体基板10の
所定領域に残存フォトレジスト11をマスクとして不純物
イオン注入を行うことにより、半導体基板10の所定の領
域にウェル12を形成する。
【００１２】その後、イオン注入マスクとして利用した
フォトレジスト11を図２に示すように除去する。図２で
は、このフォトレジスト11の除去時、半導体基板10の表
面に成長する自然酸化膜13及び汚染源14等が残留する状
態を示す。ここで、前記フォトレジスト11の除去は乾式
エッチング工程で行われ、この乾式エッチング工程はN2
ガス及びO2ガスを混合させた混合ガスを利用して工程が
遂行される。また、乾式エッチング工程はエッチング設
備によって多少差はあるが、50秒ないし3600秒の時間行
われ、この第１の実施の形態では55秒ないし3000秒の時
間実施された。
フォトレジスト11を図２に示すように除去する。図２で
は、このフォトレジスト11の除去時、半導体基板10の表
面に成長する自然酸化膜13及び汚染源14等が残留する状
態を示す。ここで、前記フォトレジスト11の除去は乾式
エッチング工程で行われ、この乾式エッチング工程はN2
ガス及びO2ガスを混合させた混合ガスを利用して工程が
遂行される。また、乾式エッチング工程はエッチング設
備によって多少差はあるが、50秒ないし3600秒の時間行
われ、この第１の実施の形態では55秒ないし3000秒の時
間実施された。
【００１３】続いて、洗浄工程を行って半導体基板10の
表面を洗浄すると同時に、半導体基板10上に成長してい
る自然酸化膜13及び金属成分やイオン成分等の汚染源14
を図３に示すように除去する。ここで、洗浄は、25重量
％ないし35重量％のIPA 、2.0 重量％ないし4.0 重量％
のH2O2、0.05重量％ないし0.25重量％のHF及び残量の脱
イオン水を順次に混合させて製造した洗浄用組成物を用
いて行うこととし、この第１の実施の形態では30重量％
のIPA 、3.0 重量％のH2O2、0.2 重量％のHF及び残量の
脱イオン水を混合させて製造した洗浄用組成物を使用し
た。この際、洗浄用組成物は、脱イオン水、100%の純粋
IPA 、30％に希釈されたH2O2及び50％に希釈されたHFを
順次に混合して製造される。また、洗浄工程は20℃ない
し30℃の温度の前記洗浄用組成物を用いて60秒ないし60
0 秒の時間行うこととし、この第１の実施の形態では20
℃の温度の前記洗浄用組成物を利用して300 秒実施し
た。このような洗浄工程は、次に半導体基板10上に円滑
にかつ均一に膜などを形成するために行われる。
表面を洗浄すると同時に、半導体基板10上に成長してい
る自然酸化膜13及び金属成分やイオン成分等の汚染源14
を図３に示すように除去する。ここで、洗浄は、25重量
％ないし35重量％のIPA 、2.0 重量％ないし4.0 重量％
のH2O2、0.05重量％ないし0.25重量％のHF及び残量の脱
イオン水を順次に混合させて製造した洗浄用組成物を用
いて行うこととし、この第１の実施の形態では30重量％
のIPA 、3.0 重量％のH2O2、0.2 重量％のHF及び残量の
脱イオン水を混合させて製造した洗浄用組成物を使用し
た。この際、洗浄用組成物は、脱イオン水、100%の純粋
IPA 、30％に希釈されたH2O2及び50％に希釈されたHFを
順次に混合して製造される。また、洗浄工程は20℃ない
し30℃の温度の前記洗浄用組成物を用いて60秒ないし60
0 秒の時間行うこととし、この第１の実施の形態では20
℃の温度の前記洗浄用組成物を利用して300 秒実施し
た。このような洗浄工程は、次に半導体基板10上に円滑
にかつ均一に膜などを形成するために行われる。
【００１４】以上のようにして洗浄が行われた半導体基
板10に対して、洗浄結果の分析を行った。分析は、AAS
（Atomic Absortion Spectroscophy）を利用して金属成
分等を分析し、かつHPIC（High Performance Ion Chrom
atography ）を利用してイオン成分等を分析した。
板10に対して、洗浄結果の分析を行った。分析は、AAS
（Atomic Absortion Spectroscophy）を利用して金属成
分等を分析し、かつHPIC（High Performance Ion Chrom
atography ）を利用してイオン成分等を分析した。
【００１５】表１は、上記分析結果（本発明、分析結
果）と、従来の洗浄液を利用して洗浄を行った場合の分
析結果（従来、分析結果）を示す。
果）と、従来の洗浄液を利用して洗浄を行った場合の分
析結果（従来、分析結果）を示す。
【表１】
【００１６】表１から分かるように、本発明の洗浄用組
成物を利用した洗浄工程は、金属成分及びイオン成分等
が顕著に激減し、従来の洗浄液に比較して洗浄効果が優
れていることが分かる。また、本発明の洗浄用組成物を
利用した洗浄工程は、洗浄効率も向上する。また、本発
明の第１の実施の形態によれば、上記洗浄前に行われる
フォトレジスト11の除去工程も乾式エッチングのみで行
われており、簡単になる。したがって、上記のような本
発明の第１の実施の形態によれば、フォトレジストの除
去と次の洗浄工程の遂行に要する時間を短縮させ、生産
性を向上させることができるとともに、洗浄効果を増大
させ製品の信頼度を向上させることができる。
成物を利用した洗浄工程は、金属成分及びイオン成分等
が顕著に激減し、従来の洗浄液に比較して洗浄効果が優
れていることが分かる。また、本発明の洗浄用組成物を
利用した洗浄工程は、洗浄効率も向上する。また、本発
明の第１の実施の形態によれば、上記洗浄前に行われる
フォトレジスト11の除去工程も乾式エッチングのみで行
われており、簡単になる。したがって、上記のような本
発明の第１の実施の形態によれば、フォトレジストの除
去と次の洗浄工程の遂行に要する時間を短縮させ、生産
性を向上させることができるとともに、洗浄効果を増大
させ製品の信頼度を向上させることができる。
【００１７】図４ないし図６は本発明の第２の実施の形
態を示す断面図である。この第２の実施の形態は、半導
体基板上の絶縁膜にコンタクトホールを形成した後、エ
ッチングマスクとして利用したフォトレジストを除去
し、さらに洗浄工程を実施する場合である。
態を示す断面図である。この第２の実施の形態は、半導
体基板上の絶縁膜にコンタクトホールを形成した後、エ
ッチングマスクとして利用したフォトレジストを除去
し、さらに洗浄工程を実施する場合である。
【００１８】この第２の実施の形態では、まず図４に示
すように、半導体基板20上に絶縁膜21を形成し、その上
にフォトレジスト22を塗布し、写真エッチング工程を行
って所定の領域のフォトレジスト22を除去した後、この
フォトレジスト22の除去で露出した絶縁膜21を残存フォ
トレジスト22をマスクとしてエッチングして、該絶縁膜
21にコンタクトホール23を形成する。
すように、半導体基板20上に絶縁膜21を形成し、その上
にフォトレジスト22を塗布し、写真エッチング工程を行
って所定の領域のフォトレジスト22を除去した後、この
フォトレジスト22の除去で露出した絶縁膜21を残存フォ
トレジスト22をマスクとしてエッチングして、該絶縁膜
21にコンタクトホール23を形成する。
【００１９】その後、図５に示すように、エッチングマ
スクとして利用したフォトレジスト22を除去する。図５
には、このフォトレジスト22の除去時に半導体基板20の
表面に自然酸化膜24が形成され、さらに基板20上や絶縁
膜21上に汚染源25が残留する状態を示す。ここで、フォ
トレジスト22の除去工程は、前述した第１の実施の形態
と同一条件の乾式エッチング工程で行われる。
スクとして利用したフォトレジスト22を除去する。図５
には、このフォトレジスト22の除去時に半導体基板20の
表面に自然酸化膜24が形成され、さらに基板20上や絶縁
膜21上に汚染源25が残留する状態を示す。ここで、フォ
トレジスト22の除去工程は、前述した第１の実施の形態
と同一条件の乾式エッチング工程で行われる。
【００２０】続けて、洗浄工程を行うことにより、半導
体基板20及び絶縁膜21の表面を洗浄すると同時に、半導
体基板20の表面に形成された自然酸化膜24を図６に示す
ように除去し、同時に基板20上や絶縁膜21上に残留する
汚染源25を除去する。ここで、洗浄工程は、前述した第
１の実施の形態と同一の洗浄用組成物及び工程条件で遂
行させる。この洗浄工程によれば、半導体基板20の表面
及び絶縁膜21の表面を同時に洗浄することができる。そ
して、洗浄工程の結果を分析すると、TOC(Total Organ
Corbon) が従来の12.08ppmから7.59ppm に減るという良
好な結果が得られた。
体基板20及び絶縁膜21の表面を洗浄すると同時に、半導
体基板20の表面に形成された自然酸化膜24を図６に示す
ように除去し、同時に基板20上や絶縁膜21上に残留する
汚染源25を除去する。ここで、洗浄工程は、前述した第
１の実施の形態と同一の洗浄用組成物及び工程条件で遂
行させる。この洗浄工程によれば、半導体基板20の表面
及び絶縁膜21の表面を同時に洗浄することができる。そ
して、洗浄工程の結果を分析すると、TOC(Total Organ
Corbon) が従来の12.08ppmから7.59ppm に減るという良
好な結果が得られた。
【００２１】したがって、本発明の第２の実施の形態に
おいても、洗浄効果を高めて製品の信頼度を向上させる
ことができる。また、第２の実施の形態においても、洗
浄効率が良く、しかもフォトレジストの除去は乾式エッ
チングのみで、工程の遂行に要する時間を短縮させるこ
とができるから、生産性を向上させることができる。
おいても、洗浄効果を高めて製品の信頼度を向上させる
ことができる。また、第２の実施の形態においても、洗
浄効率が良く、しかもフォトレジストの除去は乾式エッ
チングのみで、工程の遂行に要する時間を短縮させるこ
とができるから、生産性を向上させることができる。
【００２２】さらに、本発明の洗浄用組成物は、HFの濃
度を調節することによって、下部膜を異にする洗浄工程
に効果的に利用することができる。
度を調節することによって、下部膜を異にする洗浄工程
に効果的に利用することができる。
【００２３】以上本発明の実施の形態について詳細に説
明したが、本発明は、本発明の技術思想範囲内で多様な
変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白な
ことであり、このような変形及び修正が特許請求の範囲
に属することは当然なことである。
明したが、本発明は、本発明の技術思想範囲内で多様な
変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白な
ことであり、このような変形及び修正が特許請求の範囲
に属することは当然なことである。
【００２４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の半導
体装置の製造方法によれば、フォトレジストの除去とそ
れに続く洗浄工程に要する時間を短縮することができ生
産性を高めることができるとともに、洗浄効果が向上し
製品の信頼度を向上させることができる。
体装置の製造方法によれば、フォトレジストの除去とそ
れに続く洗浄工程に要する時間を短縮することができ生
産性を高めることができるとともに、洗浄効果が向上し
製品の信頼度を向上させることができる。
【図１】本発明による半導体装置の製造方法の第１の実
施の形態を示す断面図。
施の形態を示す断面図。
【図２】本発明による半導体装置の製造方法の第１の実
施の形態を示す断面図。
施の形態を示す断面図。
【図３】本発明による半導体装置の製造方法の第１の実
施の形態を示す断面図。
施の形態を示す断面図。
【図４】本発明による半導体装置の製造方法の第２の実
施の形態を示す断面図。
施の形態を示す断面図。
【図５】本発明による半導体装置の製造方法の第２の実
施の形態を示す断面図。
施の形態を示す断面図。
【図６】本発明による半導体装置の製造方法の第２の実
施の形態を示す断面図。
施の形態を示す断面図。
１０ 半導体基板 １２ ウェル １３ 自然酸化膜 １４ 汚染源
Claims (14)
- 【請求項１】 写真エッチング工程を行った後、半導体
基板上に残留するフォトレジストを乾式エッチング工程
によって除去する工程と、 前記フォトレジストが除去された半導体基板を25重量％
ないし35重量％のIPA（Isopropyl Alcohol ）、2.0 重
量％ないし4.0 重量％のH2O2、0.05重量％ないし0.25重
量％のHF及び残量の脱イオン水を混合させて製造した洗
浄用組成物を用いて洗浄する工程とを備えてなることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記乾式エッチング工程はN2ガス及びO2
ガスを混合させた混合ガスを用いて行われることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記乾式エッチング工程は50秒ないし36
00秒の時間行われることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記洗浄用組成物は、脱イオン水、100%
の純粋IPA 、30％に希釈されたH2O2及び50％に希釈され
たHFを順次に混合して製造されることを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記洗浄は20℃ないし30℃の温度の前記
洗浄用組成物を用いて行われることを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記洗浄用組成物を用いた洗浄工程は60
秒ないし600 秒の時間行われることを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 半導体基板上にフォトレジストを塗布し
た後、写真エッチング工程を行って所定の領域のフォト
レジストを除去する工程と、 前記フォトレジストの除去で露出した半導体基板の所定
の領域に不純物を注入してウェルを形成する工程と、 前記半導体基板上に残留するフォトレジストを乾式エッ
チング工程によって除去する工程と、 前記フォトレジストが除去された半導体基板の表面を25
重量％ないし35重量％のIPA 、2.0 重量％ないし4.0 重
量％のH2O2、0.05重量％ないし0.25重量％のHF及び残量
の脱イオン水を混合させて製造した洗浄用組成物を用い
て洗浄する工程とを備えてなることを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記乾式エッチング工程はN2ガス及びO2
ガスを混合させた混合ガスを用いて50秒ないし3600秒の
時間行われることを特徴とする請求項７記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項９】 前記洗浄は30重量％のIPA 、3 重量％の
H2O2、0.2 重量％のHF及び残量の脱イオン水を混合させ
て製造した洗浄用組成物を用いて行われることを特徴と
する請求項７記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記洗浄は20℃ないし30℃の温度の前
記洗浄用組成物を用いて60秒ないし600 秒の時間行われ
ることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１１】 絶縁膜が既に形成された半導体基板上
にフォトレジストを塗布した後、写真エッチング工程を
行って所定の領域のフォトレジストを除去する工程と、 前記フォトレジストの除去で露出した絶縁膜をエッチン
グしてコンタクトホールを形成する工程と、 前記絶縁膜上に残留するフォトレジストを乾式エッチン
グ工程を用いて除去する工程と、 前記フォトレジストが除去された絶縁膜の表面を含む半
導体基板の表面を25重量％ないし35重量％のIPA 、2.0
重量％ないし4.0 重量％のH2O2、0.05重量％ないし0.25
重量％のHF及び残量の脱イオン水を混合させて製造した
洗浄用組成物を用いて洗浄する工程とを備えてなること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記乾式エッチング工程はN2ガス及び
O2ガスを混合させた混合ガスを用いて50秒ないし3600秒
の時間行われることを特徴とする請求項１１記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記洗浄は30重量％のIPA 、3 重量％
のH2O2、0.2 重量％のHF及び残量の脱イオン水を混合さ
せて製造した洗浄用組成物を用いて行われることを特徴
とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記洗浄は20℃ないし30℃の温度の前
記洗浄用組成物を用いて60秒ないし600 秒の時間行われ
ることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造
方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| KR1997P-39308 | 1997-08-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174192A true JPH1174192A (ja) | 1999-03-16 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12501698A Expired - Fee Related JP3492196B2 (ja) | 1997-08-19 | 1998-05-07 | 半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6071827A (ja) |
| JP (1) | JP3492196B2 (ja) |
| KR (1) | KR100253087B1 (ja) |
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| KR100366624B1 (ko) * | 2000-07-19 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 반사 방지막을 이용하는 반도체 소자 제조방법 |
| US6572010B2 (en) * | 2001-06-12 | 2003-06-03 | Applied Materials Inc. | Integrated solder bump deposition apparatus and method |
| KR100442293B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-07-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 패턴 형성방법 |
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| KR100734669B1 (ko) * | 2003-08-08 | 2007-07-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 및 그 장치 |
| CN100555580C (zh) * | 2005-04-04 | 2009-10-28 | 马林克罗特贝克公司 | 前段工序中用于清洁离子注入的光致抗蚀剂的组合物 |
| KR101979601B1 (ko) * | 2016-06-02 | 2019-05-20 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| CN112652518B (zh) * | 2019-10-11 | 2023-04-28 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 一种半导体器件的形成方法 |
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| US5783495A (en) * | 1995-11-13 | 1998-07-21 | Micron Technology, Inc. | Method of wafer cleaning, and system and cleaning solution regarding same |
-
1997
- 1997-08-19 KR KR1019970039308A patent/KR100253087B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-04-22 TW TW087106182A patent/TW382753B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-07 JP JP12501698A patent/JP3492196B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-18 US US09/136,139 patent/US6071827A/en not_active Expired - Fee Related
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