JPH01202819A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01202819A JPH01202819A JP2720188A JP2720188A JPH01202819A JP H01202819 A JPH01202819 A JP H01202819A JP 2720188 A JP2720188 A JP 2720188A JP 2720188 A JP2720188 A JP 2720188A JP H01202819 A JPH01202819 A JP H01202819A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属配線を有する半導体基板表面上のフォト
リソグラフィ技術に用いたレジストを除去する工程を含
む半導体装置の製造方法に関する。
リソグラフィ技術に用いたレジストを除去する工程を含
む半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程にフォトリソグラフィ法を用いる
場合、使用したレジストの除去は従来酸素プラズマによ
る灰化法により行われている。しかし、フォトレジスト
膜をマスクにして高濃度のイオン注入処理やりアクティ
ブ・イオン・エツチング （ＲＩ Ｅ）処理されている
場合、完全に除去することは困難である。０３プラズマ
による処理の際にＣＦオガスを数％添加するとレジスト
を除去し易（なることが知られている。ところが、この
場合でもレジストの処理内容によっては、完全に除去す
ることはできない、このため一般には、レジスト灰化後
に硫酸と過酸化水素の混合液や発煙硝酸（濃硝酸）など
により洗浄処理を行いレジストの残渣を完全に除去して
いる。
場合、使用したレジストの除去は従来酸素プラズマによ
る灰化法により行われている。しかし、フォトレジスト
膜をマスクにして高濃度のイオン注入処理やりアクティ
ブ・イオン・エツチング （ＲＩ Ｅ）処理されている
場合、完全に除去することは困難である。０３プラズマ
による処理の際にＣＦオガスを数％添加するとレジスト
を除去し易（なることが知られている。ところが、この
場合でもレジストの処理内容によっては、完全に除去す
ることはできない、このため一般には、レジスト灰化後
に硫酸と過酸化水素の混合液や発煙硝酸（濃硝酸）など
により洗浄処理を行いレジストの残渣を完全に除去して
いる。
ところが、レジストが残っている半導体基板の他の位置
に金属配線が露出している場合には、酸による洗浄処理
の際に金属がエツチングされるという問題がある。ただ
し発煙硝酸の場合は金属配線があっても金属層表面は酸
化し不動体になるので、その後反応が進まないため問題
はないが、薬品の取り扱いが難しいこと、液の寿命が短
いことなどの問題があった。
に金属配線が露出している場合には、酸による洗浄処理
の際に金属がエツチングされるという問題がある。ただ
し発煙硝酸の場合は金属配線があっても金属層表面は酸
化し不動体になるので、その後反応が進まないため問題
はないが、薬品の取り扱いが難しいこと、液の寿命が短
いことなどの問題があった。
本発明の課題は、上述の問題を排除し、取り扱いの厄介
な濃硝酸を用いないで金属配線が露出している場合にも
金属をエツチングすることなくイオン注入処理やＲＩＥ
処理されたあとのレジストを除去することのできる半導
体装置を提供することにある。
な濃硝酸を用いないで金属配線が露出している場合にも
金属をエツチングすることなくイオン注入処理やＲＩＥ
処理されたあとのレジストを除去することのできる半導
体装置を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明の方法は、レジス
ト灰化後６０％以上、８５％以下の硝酸水溶液により短
時間洗浄処理してレジストを完全に除去するものとする
。
ト灰化後６０％以上、８５％以下の硝酸水溶液により短
時間洗浄処理してレジストを完全に除去するものとする
。
発煙硝酸より濃度の低い硝酸を用い短時間で処理するこ
とにより、実質的に配線金属と反応を起こすことなく、
レジストを除去することが可能である。
とにより、実質的に配線金属と反応を起こすことなく、
レジストを除去することが可能である。
第１図はこの発明の一実施例を示すもので、図示しない
シリコン基板上の酸化膜３の上に設けられたｋｌｆｆ、
ｎ２のパターン形成後の状態である。下地酸化膜３上の
Ｍ蒸着層をドライエツチングした後、エツチングのマス
クとして使用したフォトレジスト膜１がＡ７ｆｆｉ腺２
上に残っている。このレジストを０８プラズマにより灰
化するとり配ｖＡ２上にレジストの残渣が残る。このレ
ジスト残渣を除去するため６１％の硝酸（ＨＮＯｓ）水
溶液に１５秒間浸したのち３分間以上の純水洗浄を行い
乾燥する。この場合、硝酸の温度は室温とし特に制御す
る必要はない、一般に６１％の硝酸水溶液はＭと反応を
起こすが、短時間処理であるため実質上の問題はない。
シリコン基板上の酸化膜３の上に設けられたｋｌｆｆ、
ｎ２のパターン形成後の状態である。下地酸化膜３上の
Ｍ蒸着層をドライエツチングした後、エツチングのマス
クとして使用したフォトレジスト膜１がＡ７ｆｆｉ腺２
上に残っている。このレジストを０８プラズマにより灰
化するとり配ｖＡ２上にレジストの残渣が残る。このレ
ジスト残渣を除去するため６１％の硝酸（ＨＮＯｓ）水
溶液に１５秒間浸したのち３分間以上の純水洗浄を行い
乾燥する。この場合、硝酸の温度は室温とし特に制御す
る必要はない、一般に６１％の硝酸水溶液はＭと反応を
起こすが、短時間処理であるため実質上の問題はない。
第２図は別の実施例を示すもので、Ｍ＆！線２上２上縁
膜３のパターン形成後の状態であり、多層配線の場合の
眉間絶縁膜のドライエツチング後などに相当する。Ｖ＆
！線２上２上化膜３をドライエツチング後、エツチング
のマスクとして使用したレジスト膜１が酸化膜３上に残
っている。このレジストを０．プラズマにより灰化する
と、酸化膜３上にレジストの残渣が残る。このレジスト
の残渣は、上記の例と同様に６１％の硝酸水溶液で除去
することができる。
膜３のパターン形成後の状態であり、多層配線の場合の
眉間絶縁膜のドライエツチング後などに相当する。Ｖ＆
！線２上２上化膜３をドライエツチング後、エツチング
のマスクとして使用したレジスト膜１が酸化膜３上に残
っている。このレジストを０．プラズマにより灰化する
と、酸化膜３上にレジストの残渣が残る。このレジスト
の残渣は、上記の例と同様に６１％の硝酸水溶液で除去
することができる。
上記の実施例では６１％の硝酸水溶液を用いたが、発煙
硝酸より濃度の低い８５％以下の硝酸水溶液を用い、浸
漬時間を濃度が高いほど短くしても同様にレジストを完
全に除去できる。また、配線金属がＭ以外のＭ合金ある
いは高融点金属である場合、絶縁膜に酸化膜以外のりん
ガラス （ＲＳ Ｇ）あるいは窒化膜などの他の材料を
用いた場合にも同様に実施できる。
硝酸より濃度の低い８５％以下の硝酸水溶液を用い、浸
漬時間を濃度が高いほど短くしても同様にレジストを完
全に除去できる。また、配線金属がＭ以外のＭ合金ある
いは高融点金属である場合、絶縁膜に酸化膜以外のりん
ガラス （ＲＳ Ｇ）あるいは窒化膜などの他の材料を
用いた場合にも同様に実施できる。
本発明によれば、レジスト灰化後の残渣を発煙硝酸より
薄い硝酸を用い、しかも金属と反応の進まない短時間の
処理で除去することにより、金属配線が露出していても
処理可能である。８５％以下の硝酸水溶液は取り扱いが
容易であるばかりでなく、液の寿命が長く、価格も安い
ので極めて有利である。
薄い硝酸を用い、しかも金属と反応の進まない短時間の
処理で除去することにより、金属配線が露出していても
処理可能である。８５％以下の硝酸水溶液は取り扱いが
容易であるばかりでなく、液の寿命が長く、価格も安い
ので極めて有利である。
第１図は本発明の一実施例が行われる半導体装置の要部
断面図、第２図は別の実施例が行われる半導体装置の要
部断面図である。 １：フォトレジスト膜、２：Ａ７配線、３：酸化第２図
断面図、第２図は別の実施例が行われる半導体装置の要
部断面図である。 １：フォトレジスト膜、２：Ａ７配線、３：酸化第２図
Claims (1)
- （１）フォトリソグラフィ技術を用いる半導体装置の製
造方法において、レジスト灰化後６０％以上、８５％以
下の硝酸水溶液により短時間洗浄処理をしてレジストを
完全に除去することを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2720188A JPH01202819A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2720188A JPH01202819A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01202819A true JPH01202819A (ja) | 1989-08-15 |
Family
ID=12214480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2720188A Pending JPH01202819A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01202819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5868854A (en) * | 1989-02-27 | 1999-02-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing samples |
-
1988
- 1988-02-08 JP JP2720188A patent/JPH01202819A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5868854A (en) * | 1989-02-27 | 1999-02-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing samples |
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