JPS629630A - レジストの除去方法 - Google Patents
レジストの除去方法Info
- Publication number
- JPS629630A JPS629630A JP14944485A JP14944485A JPS629630A JP S629630 A JPS629630 A JP S629630A JP 14944485 A JP14944485 A JP 14944485A JP 14944485 A JP14944485 A JP 14944485A JP S629630 A JPS629630 A JP S629630A
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- JP
- Japan
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- organic solvent
- water
- resist
- hydrogen peroxide
- soluble organic
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子や半導体の製造におけるリソグラ
フィ一工程において電子線照射後、現像、エツチング等
の工程を経た不要のレジスト、特にネガ型電子線レジス
トを支持体上表面から除去する方法に関する。
フィ一工程において電子線照射後、現像、エツチング等
の工程を経た不要のレジスト、特にネガ型電子線レジス
トを支持体上表面から除去する方法に関する。
従来、半導体や半導体素子の製造工程においてはフォト
レジストを保護膜として使用し金属や絶縁膜あるいは半
導体をエツチングしたり、ドーピング等による不純物の
導入等を行ない微細加工が行われている。
レジストを保護膜として使用し金属や絶縁膜あるいは半
導体をエツチングしたり、ドーピング等による不純物の
導入等を行ない微細加工が行われている。
また、この際に使用される原図マスク（フォトマスク）
の製造工程でもフォトレジストを保護膜として使用して
エツチングが行われる。
の製造工程でもフォトレジストを保護膜として使用して
エツチングが行われる。
このようにリソグラフィー技術は半導体の製造工程にお
いて極めて重要な技術であり半導体の集積度の向上に伴
い、最近では解像度の高いポジ型のフォトレジスト、た
とえば、０ＦＰＲ−８００（東京応化製）やＡＺ−１３
５０Ｊ （シラプレー社製）などが−触的によく利用さ
れている。
いて極めて重要な技術であり半導体の集積度の向上に伴
い、最近では解像度の高いポジ型のフォトレジスト、た
とえば、０ＦＰＲ−８００（東京応化製）やＡＺ−１３
５０Ｊ （シラプレー社製）などが−触的によく利用さ
れている。
さらに極めて集積度の高いサブミクロンの微細加工を必
要とする半導体の製造や原図マスクの製造工程では電子
線感応型のレジスト（以下、ＥＢレジストと言う）が用
いられるようになって来ている。
要とする半導体の製造や原図マスクの製造工程では電子
線感応型のレジスト（以下、ＥＢレジストと言う）が用
いられるようになって来ている。
半導体素子や半導体の製造におけるリソグラフィ一工程
において電子線照射後、現像、エツチング等の工程にお
いて、レジストにより半導体基板上に所望のパターンを
形成した後、あるいはフォトマスク基板上にエツチング
により所望のパターンを形成した後の不要のレジスト膜
は基板上から除去される。
において電子線照射後、現像、エツチング等の工程にお
いて、レジストにより半導体基板上に所望のパターンを
形成した後、あるいはフォトマスク基板上にエツチング
により所望のパターンを形成した後の不要のレジスト膜
は基板上から除去される。
従来、このレジストの除去方法としてはレジストの種類
により数多くの方法が行われている。
により数多くの方法が行われている。
ところで、ネガ型ＥＢレジストには種々のタイプのもの
があるが、ポリグリシジルアクリレート系、あるい“は
ポリグリシジルアクリレート共重合体系のものの剥離除
去には一般に過酸化水素−硫酸系の混酸を利用する方法
、あるいは酸素プラズマにより灰化する方法が知られて
いる。
があるが、ポリグリシジルアクリレート系、あるい“は
ポリグリシジルアクリレート共重合体系のものの剥離除
去には一般に過酸化水素−硫酸系の混酸を利用する方法
、あるいは酸素プラズマにより灰化する方法が知られて
いる。
しかしながら、過酸化水素−硫酸系の混酸による場合は
、剥離除去の性能は優れているが、過酸化水素の分解に
より液寿命が短いという欠点がある上に金属を蒸着した
フォトマスクなどの場合には金属が腐食される造険性も
ある。一方、酸素プラズマによる場合は、ウェット式と
異なり廃液の処理が必要でないなどの利点はあるが、装
置が高価な上に処理時間が長く、処理能率が低い欠点が
ある。
、剥離除去の性能は優れているが、過酸化水素の分解に
より液寿命が短いという欠点がある上に金属を蒸着した
フォトマスクなどの場合には金属が腐食される造険性も
ある。一方、酸素プラズマによる場合は、ウェット式と
異なり廃液の処理が必要でないなどの利点はあるが、装
置が高価な上に処理時間が長く、処理能率が低い欠点が
ある。
本発明は、上記の如き事情に鑑み、半導体基板あるいは
マスク基板上のネガ型ＥＢレジスト皮膜をウェット方式
により、短時間に剥離除去する方法および薬剤を提供す
るにある。
マスク基板上のネガ型ＥＢレジスト皮膜をウェット方式
により、短時間に剥離除去する方法および薬剤を提供す
るにある。
本発明者らは薬剤を使用するウェット式によるレジスト
の除去につき種々検討した結果、過酸化水素と特定の有
機溶媒とを用いて処理することにより、過酸化水素の分
解が従来に認められた程大きくな（、しかも金属の腐食
が認められず短時間で効率よ（剥離、除去することがで
きることを見出した。
の除去につき種々検討した結果、過酸化水素と特定の有
機溶媒とを用いて処理することにより、過酸化水素の分
解が従来に認められた程大きくな（、しかも金属の腐食
が認められず短時間で効率よ（剥離、除去することがで
きることを見出した。
すなわち、本発明は、フォトマスクまたは半導体素子上
に所要パターンを形成したのち不要のレジストを除去す
るに際し、過酸化水素および水溶性有機溶媒と接触させ
ることを特徴とするレジストの除去方法に関する。
に所要パターンを形成したのち不要のレジストを除去す
るに際し、過酸化水素および水溶性有機溶媒と接触させ
ることを特徴とするレジストの除去方法に関する。
本発明において処理の対象とされるネガ型ＥＢレジスト
はポリグリシジルアクリレート系、あるいはポリグリシ
ジルアクリレート共重合体系のものであ−って、たとえ
ば東京応化■から市販されている０ＥＢＲ−１００、凸
版印刷−から市販されているＣＯＰなどがある。
はポリグリシジルアクリレート系、あるいはポリグリシ
ジルアクリレート共重合体系のものであ−って、たとえ
ば東京応化■から市販されている０ＥＢＲ−１００、凸
版印刷−から市販されているＣＯＰなどがある。
また本発明において使用される過酸化水素は通常３０〜
８０％のもので、好ましくは５０〜７０％のものである
。
８０％のもので、好ましくは５０〜７０％のものである
。
水溶性有機溶媒としては、水を２０％（重ｉｔ）以上溶
解する有機溶媒が使用され、このようなものとしては、
たとえばジメチルスルフォオキシド（ＤＭＳＯと略ス。
解する有機溶媒が使用され、このようなものとしては、
たとえばジメチルスルフォオキシド（ＤＭＳＯと略ス。
）、エチレングリコール、ジエチレングリコール、イソ
プロパツール、セロソルブなどが好適である。該水溶性
有機溶媒の水の溶解性が低い場合は、レジストを剥離、
除去した後純水でリンスする工程が短時間で容易に行え
ず、有機溶媒が残留し易く好ましくない。また、後述す
るように過酸化水素との混合物として使用する場合過酸
化水素との相溶性にも問題を生じる。
プロパツール、セロソルブなどが好適である。該水溶性
有機溶媒の水の溶解性が低い場合は、レジストを剥離、
除去した後純水でリンスする工程が短時間で容易に行え
ず、有機溶媒が残留し易く好ましくない。また、後述す
るように過酸化水素との混合物として使用する場合過酸
化水素との相溶性にも問題を生じる。
本発明の方法は過酸化水素および水溶性有機溶媒に接触
させるのであるが、この処理の方法は、まず過酸化水素
に接触した後、水溶性有機溶媒に接触させる方法（二段
処理方法）、あるいは過酸化水素と水溶性有機溶媒との
混合物に接触させる方法がある前者の場合、過酸化水素
との接触条件は、５０〜１５０℃で３〜３０分であり、
水溶性有機溶媒との接触条件は常温から溶媒の沸点まで
の間の温度で１分以上、１〜３０分程度でよい。また、
後者の場合過酸化水素と水溶性有機溶媒との混合比は、
）＋２０□７水溶性有機溶媒（重量比）＝２／８〜８／
２であり３／７〜７／３が好ましく、接触条件は、５０
〜１５０℃で３〜３０分である。
させるのであるが、この処理の方法は、まず過酸化水素
に接触した後、水溶性有機溶媒に接触させる方法（二段
処理方法）、あるいは過酸化水素と水溶性有機溶媒との
混合物に接触させる方法がある前者の場合、過酸化水素
との接触条件は、５０〜１５０℃で３〜３０分であり、
水溶性有機溶媒との接触条件は常温から溶媒の沸点まで
の間の温度で１分以上、１〜３０分程度でよい。また、
後者の場合過酸化水素と水溶性有機溶媒との混合比は、
）＋２０□７水溶性有機溶媒（重量比）＝２／８〜８／
２であり３／７〜７／３が好ましく、接触条件は、５０
〜１５０℃で３〜３０分である。
本発明の方法によれば、従来の硫酸−過酸化水素系混酸
のような、フォトマスク上の金属層（クロム層）の腐食
あるいは半導体基板上のアルミ層などの金属を腐食する
ことなく短時間に容易にレジストを剥離、除去できる。
のような、フォトマスク上の金属層（クロム層）の腐食
あるいは半導体基板上のアルミ層などの金属を腐食する
ことなく短時間に容易にレジストを剥離、除去できる。
また、使用する剥離液は水溶液性であり、レジストの剥
離、除去後のリンスは単に純水を用いればよく取扱が容
易であり、さらに使用する剥離液は危険性も極めて低い
。
離、除去後のリンスは単に純水を用いればよく取扱が容
易であり、さらに使用する剥離液は危険性も極めて低い
。
次に本発明の実施例を示す。
実施例 １
クロムを蒸着したガラス基板上に東京応化■から市販さ
れているネガ型ＥＢレジスト０ＥＢＲ−１００を塗布し
てプリベーキング処理を施した後、電子線照射を行った
のち現像を行ってレジストパターンを形成したフォトマ
スクを準備し、このマスク上のレジストパターンを９０
℃に保った６０％過酸化水素溶液に１０分間浸漬した後
、２５℃のジメチルスルフオキシド（ＤＭＳＯ）溶液に
１分間浸漬し、次いで純水でリンスした。マスク表面を
微粉干渉顕微鏡（Ｘ１５０〜ｘ１０００）で観察したと
ころ、レジストパターンが完全に除去されており、レジ
ストの残存は全く認られず、またガラス板上のクロムの
剥離も全く認られなかった。
れているネガ型ＥＢレジスト０ＥＢＲ−１００を塗布し
てプリベーキング処理を施した後、電子線照射を行った
のち現像を行ってレジストパターンを形成したフォトマ
スクを準備し、このマスク上のレジストパターンを９０
℃に保った６０％過酸化水素溶液に１０分間浸漬した後
、２５℃のジメチルスルフオキシド（ＤＭＳＯ）溶液に
１分間浸漬し、次いで純水でリンスした。マスク表面を
微粉干渉顕微鏡（Ｘ１５０〜ｘ１０００）で観察したと
ころ、レジストパターンが完全に除去されており、レジ
ストの残存は全く認られず、またガラス板上のクロムの
剥離も全く認られなかった。
実施例 ２
実施例１に用いたと同様なフォトマスクを、下記の表に
示した剥離液に浸漬し、実施例１の方法に準じて処理し
、剥離の状態を調べた。
示した剥離液に浸漬し、実施例１の方法に準じて処理し
、剥離の状態を調べた。
表 １
比較例 １
実施例１に用いたと同様なフォトマスクを３０％ＨｔＯ
ｔ／ Ｃｏｎｃ、Ｈ＊ＳＯ＊” １ ／ ２の混合液か
らなる５０’Ｃの剥離液に１０分間浸漬したのち純水で
リンスし、マスク表面の状態を調べた。レジストパター
ンは剥離したが、金属クロムパターンの一部がガラス板
から剥離する現象が認られた。
ｔ／ Ｃｏｎｃ、Ｈ＊ＳＯ＊” １ ／ ２の混合液か
らなる５０’Ｃの剥離液に１０分間浸漬したのち純水で
リンスし、マスク表面の状態を調べた。レジストパター
ンは剥離したが、金属クロムパターンの一部がガラス板
から剥離する現象が認られた。
比較例 ２
実施例１に用いたと同様なフォトマスクを１００℃の６
０％１１１０！に１０分間浸漬したのち純水でリンスし
、マスク表面の状態を調べた。その結果はぼ全面的にレ
ジストパターンが残存した。
０％１１１０！に１０分間浸漬したのち純水でリンスし
、マスク表面の状態を調べた。その結果はぼ全面的にレ
ジストパターンが残存した。
Claims (1)
- フォトマスクまたは半導体素子上に所要パターンを形成
したのち不要のレジストを除去するに際し、過酸化水素
および水溶性有機溶媒と接触させることを特徴とするレ
ジストの除去方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14944485A JPS629630A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | レジストの除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14944485A JPS629630A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | レジストの除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629630A true JPS629630A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15475248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14944485A Pending JPS629630A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | レジストの除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415740A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Resist removing solution |
| JPH02981A (ja) * | 1988-02-25 | 1990-01-05 | Hoya Corp | 感光性樹脂用剥離液及びこれを用いる感光性樹脂の剥離方法 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP14944485A patent/JPS629630A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415740A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Resist removing solution |
| JPH02981A (ja) * | 1988-02-25 | 1990-01-05 | Hoya Corp | 感光性樹脂用剥離液及びこれを用いる感光性樹脂の剥離方法 |
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