JPH07146563A - ホトレジスト剥離方法 - Google Patents
ホトレジスト剥離方法Info
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- JPH07146563A JPH07146563A JP6164919A JP16491994A JPH07146563A JP H07146563 A JPH07146563 A JP H07146563A JP 6164919 A JP6164919 A JP 6164919A JP 16491994 A JP16491994 A JP 16491994A JP H07146563 A JPH07146563 A JP H07146563A
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- glycol monomethyl
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の製造方法において、水酸化テト
ラメチルアンモニウム五水和物のジメチルスルホキシド
溶液が持つホトレジスト剥離作用を強化する。 【構成】 ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
を加えることにより、水酸化テトラメチルアンモニウム
五水和物のジメチルスルホキシドに対する溶解度が大き
く増加し、それによってジメチルスルホキシド中にこれ
まで最大で２％しか溶解しなかった水酸化テトラメチル
アンモニウム五水和物が、１２％まで溶解するようにな
り、この溶液の持つホトレジスト剥離能力が強化され
る。特に、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
の濃度が１０％から３０％の間である時、剥離率が高ま
ると同時に剥離能力も大きく引き上げられる。例えば、
剥離能力は１リットルあたりの処理基板数換算で３９枚
から１３７枚へと増加する。
ラメチルアンモニウム五水和物のジメチルスルホキシド
溶液が持つホトレジスト剥離作用を強化する。 【構成】 ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
を加えることにより、水酸化テトラメチルアンモニウム
五水和物のジメチルスルホキシドに対する溶解度が大き
く増加し、それによってジメチルスルホキシド中にこれ
まで最大で２％しか溶解しなかった水酸化テトラメチル
アンモニウム五水和物が、１２％まで溶解するようにな
り、この溶液の持つホトレジスト剥離能力が強化され
る。特に、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
の濃度が１０％から３０％の間である時、剥離率が高ま
ると同時に剥離能力も大きく引き上げられる。例えば、
剥離能力は１リットルあたりの処理基板数換算で３９枚
から１３７枚へと増加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、溶剤に関し、特にホト
レジストを剥離するのに用いる溶剤に関する。
レジストを剥離するのに用いる溶剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子デバイス製造法における一つ
のステップに、ホトリソグラフィーを用いたマスキング
とエッチングによる基板上の導電体パターンの形成があ
る。このステップにおいては、金属層上に設けられたホ
トレジストの皮膜を、所望の導電体パターンが規定され
たマスクを通して化学線に選択露光させる。このホトレ
ジスト膜を現像し、導電体のエッチング領域を規定する
開口部を持つマスクを形成する。
のステップに、ホトリソグラフィーを用いたマスキング
とエッチングによる基板上の導電体パターンの形成があ
る。このステップにおいては、金属層上に設けられたホ
トレジストの皮膜を、所望の導電体パターンが規定され
たマスクを通して化学線に選択露光させる。このホトレ
ジスト膜を現像し、導電体のエッチング領域を規定する
開口部を持つマスクを形成する。
【０００３】集積回路装置を組み立てる方法の一つに、
多数の集積回路を一つのセラミック基板上に集め、ハイ
ブリッド集積回路と呼ばれるアセンブリを形成する方法
がある。ハイブリッド集積回路の基板上の金属導電体パ
ターンのパターニングにはホトレジストとして電気泳動
レジストを使用することが時として好ましい。電気泳動
レジストは通常有機薬品であり、普通はポリメチルメタ
クリレートをベースとしており、電気メッキ過程によっ
て金属皮膜上に堆積される。このようなレジストを使用
する利点は、ホトリソグラフィーの高精度と物理的な高
強度である。金属層のマスキングならびにエッチングに
より導電体パターンを形成したのち、この電気泳動マス
クはホトレジスト剥離溶剤を用いて剥離しなくてはなら
ない。
多数の集積回路を一つのセラミック基板上に集め、ハイ
ブリッド集積回路と呼ばれるアセンブリを形成する方法
がある。ハイブリッド集積回路の基板上の金属導電体パ
ターンのパターニングにはホトレジストとして電気泳動
レジストを使用することが時として好ましい。電気泳動
レジストは通常有機薬品であり、普通はポリメチルメタ
クリレートをベースとしており、電気メッキ過程によっ
て金属皮膜上に堆積される。このようなレジストを使用
する利点は、ホトリソグラフィーの高精度と物理的な高
強度である。金属層のマスキングならびにエッチングに
より導電体パターンを形成したのち、この電気泳動マス
クはホトレジスト剥離溶剤を用いて剥離しなくてはなら
ない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ホトレジスト剥離溶剤
すなわち「剥離剤」は多くの異なる要件を満たすことが
必要である。現像した電気泳動レジストは、特にそれが
チタンの表面に被覆されている場合、剥離はとりわけ困
難である。チタン−銅−チタン金属層はハイブリッド集
積回路上の導電体としてしばしば使用されているため、
効果的な剥離は困難になっている。ジメチルスルホキシ
ドを担体とする水酸化テトラメチルアンモニウム五水和
物はこの目的に有効であることが知られており、またこ
の物質は、ホトレジスト剥離溶剤に求められるその他の
要求も満たすものである。が、残念ながらこれが持つ剥
離能力はかなり低い。すなわち縦横が１１．４ｃｍと
９．５ｃｍの大きさの基板の処理を行なう場合、まるま
る１ガロン（３．６）の剥離剤を用いて、これが剥離力
を失うまでに処理できる基板の枚数はたったの１４０枚
なのである。剥離溶剤は、その剥離能力を向上すること
ができれば、はるかにより商業的に実用的なものとなる
であろう。
すなわち「剥離剤」は多くの異なる要件を満たすことが
必要である。現像した電気泳動レジストは、特にそれが
チタンの表面に被覆されている場合、剥離はとりわけ困
難である。チタン−銅−チタン金属層はハイブリッド集
積回路上の導電体としてしばしば使用されているため、
効果的な剥離は困難になっている。ジメチルスルホキシ
ドを担体とする水酸化テトラメチルアンモニウム五水和
物はこの目的に有効であることが知られており、またこ
の物質は、ホトレジスト剥離溶剤に求められるその他の
要求も満たすものである。が、残念ながらこれが持つ剥
離能力はかなり低い。すなわち縦横が１１．４ｃｍと
９．５ｃｍの大きさの基板の処理を行なう場合、まるま
る１ガロン（３．６）の剥離剤を用いて、これが剥離力
を失うまでに処理できる基板の枚数はたったの１４０枚
なのである。剥離溶剤は、その剥離能力を向上すること
ができれば、はるかにより商業的に実用的なものとなる
であろう。
【０００５】。
【課題を解決しようとする手段】本発明においては、ジ
プロピレングリコールモノメチルエーテルを添加するこ
とにより、ジメチルスルホキシドに対する水酸化テトラ
メチルアンモニウム五水和物の溶解度が大きく向上す
る。これにより通常ジメチルスルホキシドに溶解する水
酸化テトラエチルアンモニウムの量が最大で２％であっ
たものが、１２％にまで引き上げられ、それによって、
この溶液の持つホトレジスト剥離性能が強化される。特
に、ジプロピレンモノメチルエーテルの濃度が１０から
３０％の範囲にある時、高剥離率と大きく増加した剥離
能力の両方が得られる。例えば、剥離能力は１ガロンあ
たりの基板枚数で１４０枚から６００枚へと大きく増加
する。
プロピレングリコールモノメチルエーテルを添加するこ
とにより、ジメチルスルホキシドに対する水酸化テトラ
メチルアンモニウム五水和物の溶解度が大きく向上す
る。これにより通常ジメチルスルホキシドに溶解する水
酸化テトラエチルアンモニウムの量が最大で２％であっ
たものが、１２％にまで引き上げられ、それによって、
この溶液の持つホトレジスト剥離性能が強化される。特
に、ジプロピレンモノメチルエーテルの濃度が１０から
３０％の範囲にある時、高剥離率と大きく増加した剥離
能力の両方が得られる。例えば、剥離能力は１ガロンあ
たりの基板枚数で１４０枚から６００枚へと大きく増加
する。
【０００６】
【実施例】図１に、説明のために、一つの表面上にポリ
マー皮膜１１が形成された、セラミック基板１０からな
るハイブリッド集積回路の一部を示す。金属層１２がこ
のポリマー皮膜の上に設けられ、その上がさらにホトレ
ジストの層１３で覆われている。このホトレジスト１３
は例えば電気メッキプロセスによって堆積された電気泳
動銅ホトレジストであり、一例をあげると、マサチュー
セッツ州、ニュートンにあるシプリー社から発売されて
いるシプリーＸＰ８９４５（商標）として知られている
ポリメチルメタクリレートをベースとしたポリマーホト
レジストなどであってよい。
マー皮膜１１が形成された、セラミック基板１０からな
るハイブリッド集積回路の一部を示す。金属層１２がこ
のポリマー皮膜の上に設けられ、その上がさらにホトレ
ジストの層１３で覆われている。このホトレジスト１３
は例えば電気メッキプロセスによって堆積された電気泳
動銅ホトレジストであり、一例をあげると、マサチュー
セッツ州、ニュートンにあるシプリー社から発売されて
いるシプリーＸＰ８９４５（商標）として知られている
ポリメチルメタクリレートをベースとしたポリマーホト
レジストなどであってよい。
【０００７】ホトレジスト皮膜１３の上方に不透明領域
１６を持つホトリソグラフ用マスク１５が置かれる。ホ
トレジスト１３はネガ型といわれるもので、露光されな
かった部分が最終的に現像によって除去されるものであ
る。したがって、矢印で示すように光が透過するマスク
１５の透明部分が、金属層１２の規定されるべき所望の
形に対応した形を持つようになっている。ホトレジスト
層１３中で光に露光した部分は硬化し、それによって物
理的に硬質となり、現像に対する耐性を持つ。
１６を持つホトリソグラフ用マスク１５が置かれる。ホ
トレジスト１３はネガ型といわれるもので、露光されな
かった部分が最終的に現像によって除去されるものであ
る。したがって、矢印で示すように光が透過するマスク
１５の透明部分が、金属層１２の規定されるべき所望の
形に対応した形を持つようになっている。ホトレジスト
層１３中で光に露光した部分は硬化し、それによって物
理的に硬質となり、現像に対する耐性を持つ。
【０００８】図２において、ホトレジスト層１３の未硬
化部分、つまり露光しなかった部分がホトレジストの現
像の工程の間に除去される。通常の現像剤は乳酸水溶液
からなる。現像された層１３が、前記の金属層１２を選
択的にエッチングするために用いられるマスクとなる。
つまり、金属層１２のうちの露出した部分は公知の方法
で金属エッチャントと接触し、エッチングによって除去
されるが、他の部分のの金属層はそのまま残され、金属
層に開口部１７が作られる。この金属層１２の選択的エ
ッチングの後、硬化されたホトレジストマスク１３が図
３に示すように好ましくは処理槽中で剥離される。
化部分、つまり露光しなかった部分がホトレジストの現
像の工程の間に除去される。通常の現像剤は乳酸水溶液
からなる。現像された層１３が、前記の金属層１２を選
択的にエッチングするために用いられるマスクとなる。
つまり、金属層１２のうちの露出した部分は公知の方法
で金属エッチャントと接触し、エッチングによって除去
されるが、他の部分のの金属層はそのまま残され、金属
層に開口部１７が作られる。この金属層１２の選択的エ
ッチングの後、硬化されたホトレジストマスク１３が図
３に示すように好ましくは処理槽中で剥離される。
【０００９】図３の処理槽１９は、ジメチルスルホキシ
ド中に水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物を溶解
した、公知の剥離溶剤からなるものである。この剥離溶
剤は、金属層１２の上部表面が硬化した電気泳動レジス
ト１３に対し特に接着性のあるチタンである場合でも有
効である。さらに、この溶剤はポリマー１１に対して比
較的反応性を持たず、したがってポリマー１１を損傷し
ない。私が行なったすべての実験において、ポリマー層
１１には１９８６年７月２２日に付与されたスモールの
米国特許第４、６０１、９７４号に記載されている型の
トリアジンベースのポリマーを用いた。水酸化テトラメ
チルアンモニウム五水和物は、引火点、環境および健康
に対する危険特性を持つが、そのためホトレジスト剥離
溶剤としての用途に実用されている。
ド中に水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物を溶解
した、公知の剥離溶剤からなるものである。この剥離溶
剤は、金属層１２の上部表面が硬化した電気泳動レジス
ト１３に対し特に接着性のあるチタンである場合でも有
効である。さらに、この溶剤はポリマー１１に対して比
較的反応性を持たず、したがってポリマー１１を損傷し
ない。私が行なったすべての実験において、ポリマー層
１１には１９８６年７月２２日に付与されたスモールの
米国特許第４、６０１、９７４号に記載されている型の
トリアジンベースのポリマーを用いた。水酸化テトラメ
チルアンモニウム五水和物は、引火点、環境および健康
に対する危険特性を持つが、そのためホトレジスト剥離
溶剤としての用途に実用されている。
【００１０】ジメチルスルホキシドに溶解した水酸化テ
トラメチルアンモニウム五水和物の剥離溶剤としての問
題はその処理能力がかなり限られていることである。こ
のため、剥離溶剤１ガロンでは１１．４ｃｍｘ９．５ｃ
ｍの大きさの基板がたった１４０枚しか処理できない。
本発明に従い、水酸化テトラメチルアンモミウムのジメ
チルスルホキシドにおける溶解性を強化する作用を持つ
ジプロピレングリコールモノメチルエーテルを加えるこ
とにより、この剥離能力が飛躍的に増加することがわか
った。好ましくは十分なジプロピレングリコールモノメ
チルエーテルと水酸化テトラメチルアンモニウム五水和
物を前記の市販されている溶液に加え、溶液の約２１％
がジプロピレングリコールモノメチルエーテルであり、
約９．７％が水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物
となるようにするべきである。このように添加すること
により、処理槽１９の剥離能力は使用する剥離剤１ガロ
ンにつき基板枚数で１４０枚から６００枚に増加する。
トラメチルアンモニウム五水和物の剥離溶剤としての問
題はその処理能力がかなり限られていることである。こ
のため、剥離溶剤１ガロンでは１１．４ｃｍｘ９．５ｃ
ｍの大きさの基板がたった１４０枚しか処理できない。
本発明に従い、水酸化テトラメチルアンモミウムのジメ
チルスルホキシドにおける溶解性を強化する作用を持つ
ジプロピレングリコールモノメチルエーテルを加えるこ
とにより、この剥離能力が飛躍的に増加することがわか
った。好ましくは十分なジプロピレングリコールモノメ
チルエーテルと水酸化テトラメチルアンモニウム五水和
物を前記の市販されている溶液に加え、溶液の約２１％
がジプロピレングリコールモノメチルエーテルであり、
約９．７％が水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物
となるようにするべきである。このように添加すること
により、処理槽１９の剥離能力は使用する剥離剤１ガロ
ンにつき基板枚数で１４０枚から６００枚に増加する。
【００１１】この改良混合物において効力が強化されて
いる理由はジプロピレングリコールモノメチルエーテル
が共溶剤として作用し、それによりジメチルスルホキシ
ドにおける水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物の
溶解度が飛躍的に増加するためであると思われる。その
結果、そうでない場合に比較し、水酸化テトラメチルア
ンモニウム五水和物がより多く溶液に含まれ、硬化した
ホトレジストとの作用に関与することができる。本発明
は、しかし、私が実験により発見したことに基づくもの
であり、どのような特定の作用理論に限定されるもので
もない。私の実験によれば、大きな利益を得るために
は、さらにこの混合物の少なくとも１０％がジプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルでなければならず、ま
た剥離率が下がるのを避けるためには、このジプロピレ
ングリコールモノメチルエーテル成分は３０％以下でな
ければならないことが示されている。最も有効なジプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルの範囲は前述の通
り、１５から２７％の範囲であり、好ましくは約２１％
である。
いる理由はジプロピレングリコールモノメチルエーテル
が共溶剤として作用し、それによりジメチルスルホキシ
ドにおける水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物の
溶解度が飛躍的に増加するためであると思われる。その
結果、そうでない場合に比較し、水酸化テトラメチルア
ンモニウム五水和物がより多く溶液に含まれ、硬化した
ホトレジストとの作用に関与することができる。本発明
は、しかし、私が実験により発見したことに基づくもの
であり、どのような特定の作用理論に限定されるもので
もない。私の実験によれば、大きな利益を得るために
は、さらにこの混合物の少なくとも１０％がジプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルでなければならず、ま
た剥離率が下がるのを避けるためには、このジプロピレ
ングリコールモノメチルエーテル成分は３０％以下でな
ければならないことが示されている。最も有効なジプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルの範囲は前述の通
り、１５から２７％の範囲であり、好ましくは約２１％
である。
【００１２】溶液中に溶解することのできる水酸化テト
ラメチルアンモニウム五水和物の量は使用するジプロピ
レングリコールモノメチルエーテルの量の関数である。
もし２１％のジプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルが使用されるとこの溶液の約９．７％は水酸化テトラ
メチルアンモニウム五水和物となろう。もしこの溶液の
３０％がジプロピレングリコールモノメチルエーテルで
あれば、約１２％が水酸化テトラメチルアンモニウム五
水和物となろう。ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル成分が存在しなければ、ジメチルスルホキシドに
は約２％の水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物が
溶解するだけになるだろう。
ラメチルアンモニウム五水和物の量は使用するジプロピ
レングリコールモノメチルエーテルの量の関数である。
もし２１％のジプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルが使用されるとこの溶液の約９．７％は水酸化テトラ
メチルアンモニウム五水和物となろう。もしこの溶液の
３０％がジプロピレングリコールモノメチルエーテルで
あれば、約１２％が水酸化テトラメチルアンモニウム五
水和物となろう。ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル成分が存在しなければ、ジメチルスルホキシドに
は約２％の水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物が
溶解するだけになるだろう。
【００１３】実験に使用した金属層１２は上部表面がチ
タン、下部表面がチタンで中間部分が銅である、ＴＣＴ
（チタン−銅−チタン）層と呼ばれるものを使用した。
硬化したホトレジスト１３は、通常使用されるその他の
金属表面に比べて、チタンの表面に対し、より大きな付
着力を持つため、前述の私の同時係続出願のホトレジス
ト剥離剤は実用的でないことがわかった。
タン、下部表面がチタンで中間部分が銅である、ＴＣＴ
（チタン−銅−チタン）層と呼ばれるものを使用した。
硬化したホトレジスト１３は、通常使用されるその他の
金属表面に比べて、チタンの表面に対し、より大きな付
着力を持つため、前述の私の同時係続出願のホトレジス
ト剥離剤は実用的でないことがわかった。
【００１４】この剥離剤において、ホトレジストを除去
するための有効成分は水酸化テトラメチルアンモニウム
である。最も実用的な供給源としては水酸化テトラメチ
ルアンモニウム五水和物があり、これは重量で約５０％
が水分である。注意していただきたいのは、純粋な水酸
化テトラメチルアンモニウムも上に述べたように使用す
ることができ、その場合重量による有効率は水酸化テト
ラメチルアンモニウム五水和物の２倍になる。つまり、
重量％で４％の水酸化テトラメチルアンモニウムの溶液
は約８％の水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物の
溶液と同じ剥離能力をもつということである。本発明を
用いなければ、この剥離剤は約１％の水酸化テトラメチ
ルアンモニウムしか含有できないが、本発明により、水
酸化テトラメチルアンモニウムの含有率は６％まで高め
られる。
するための有効成分は水酸化テトラメチルアンモニウム
である。最も実用的な供給源としては水酸化テトラメチ
ルアンモニウム五水和物があり、これは重量で約５０％
が水分である。注意していただきたいのは、純粋な水酸
化テトラメチルアンモニウムも上に述べたように使用す
ることができ、その場合重量による有効率は水酸化テト
ラメチルアンモニウム五水和物の２倍になる。つまり、
重量％で４％の水酸化テトラメチルアンモニウムの溶液
は約８％の水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物の
溶液と同じ剥離能力をもつということである。本発明を
用いなければ、この剥離剤は約１％の水酸化テトラメチ
ルアンモニウムしか含有できないが、本発明により、水
酸化テトラメチルアンモニウムの含有率は６％まで高め
られる。
【００１５】本発明はＡＴ＆Ｔにより製造されている製
品に用いられている特定の種類の電気泳動ホトレジスト
の剥離に用いられたが、その他の様々なホトレジストが
このホトレジストに化学的に十分近いものであり、それ
らに対してもこれまで述べた溶剤の剥離作用は有効であ
る。ポリマー１１に記載されたもの以外にも様々な下部
ポリマーを使用することができ、またポリマー層を使用
しなくてもよい。本発明は選択的処理を行なう領域を規
定するためにホトリソグラフィーが用いられるすべての
場合に有用であり、ここで金属層１２のエッチングとい
うのは単に一つの例にすぎない。本発明は特にチタン−
銅−チタンからなる金属層に対してとりわけ有効である
ものの、本発明はその他の金属層と共に使用することも
でき、あるいは金属層を使用しないホトリソグラフィー
に使用することもできる。
品に用いられている特定の種類の電気泳動ホトレジスト
の剥離に用いられたが、その他の様々なホトレジストが
このホトレジストに化学的に十分近いものであり、それ
らに対してもこれまで述べた溶剤の剥離作用は有効であ
る。ポリマー１１に記載されたもの以外にも様々な下部
ポリマーを使用することができ、またポリマー層を使用
しなくてもよい。本発明は選択的処理を行なう領域を規
定するためにホトリソグラフィーが用いられるすべての
場合に有用であり、ここで金属層１２のエッチングとい
うのは単に一つの例にすぎない。本発明は特にチタン−
銅−チタンからなる金属層に対してとりわけ有効である
ものの、本発明はその他の金属層と共に使用することも
でき、あるいは金属層を使用しないホトリソグラフィー
に使用することもできる。
【００１６】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明は、ジプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルを添加することによ
り、ジメチルスルホキシドに対する水酸化テトラメチル
アンモニウム五水和物の溶解度を大きく向上させ、それ
によって、この溶液の持つホトレジスト剥離性能を強化
するものである。例えば、剥離能力は１ガロンあたりの
基板枚数で１４０枚から６００枚に増加する。
ングリコールモノメチルエーテルを添加することによ
り、ジメチルスルホキシドに対する水酸化テトラメチル
アンモニウム五水和物の溶解度を大きく向上させ、それ
によって、この溶液の持つホトレジスト剥離性能を強化
するものである。例えば、剥離能力は１ガロンあたりの
基板枚数で１４０枚から６００枚に増加する。
【図１】ハイブリッド集積回路の一部を製造工程の順に
示す図である。
示す図である。
【図２】ハイブリッド集積回路の一部を製造工程の順に
示す図である。
示す図である。
【図３】ハイブリッド集積回路の一部を製造工程の順に
示す図である。
示す図である。
１０ セラミック基板 １１ ポリマー皮膜 １２ 金属層 １３ ホトレジスト皮膜 １５ ホトリソグラフィー用マスク １６ 不透明領域 １７ 開口部 １９ 処理槽
Claims (8)
- 【請求項１】 基板（１０）の一部をホトレジスト皮膜
（１３）で被覆するステップと、 前記のホトレジストを化学線に選択的に露光させるステ
ップと、 前記の化学線照射に対する選択的な露光にしたがって、
そのホトレジスト皮膜を現像するステップと、 その下の基板の一部に選択的操作を行なうために、前記
の現像されたホトレジスト皮膜をマスクとして使用する
ステップと、 前記の現像されたホトレジスト皮膜を水酸化テトラメチ
ルアンモニウムとジメチルスルホキシドからなる溶液に
さらすことにより、この皮膜を剥離するステップと、か
らなる電子デバイスの製造方法において、 前記の溶液にジプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルを含有させ、 前記の溶液における水酸化テトラメチルアンモニウムの
割合をジプロピレングリコールモノメチルエーテルを含
有しない時よりも増加させる、ことを特徴とする電子デ
バイスの製造方法。 - 【請求項２】 前記のホトレジストが、電気泳動ホトレ
ジストであることを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項３】 前記の基板が固体上に金属の皮膜（１
２）をもつものからなり、前記のホトレジストがこの金
属層の上に被覆されていることを特徴とする請求項１の
方法。 - 【請求項４】 前記の基板に対して行われる選択的操作
が、前記の金属皮膜を選択的にエッチングするステップ
からなることを特徴とする請求項３の方法。 - 【請求項５】 前記の金属の上部表面が、チタンからな
ることを特徴とする請求項４の方法。 - 【請求項６】 前記の溶液が、ジプロピレングリコール
モノメチルエーテルを１０から３０％含有することを特
徴とする請求項１の方法。 - 【請求項７】 前記のホトレジストが電気泳動ホトレジ
ストであり、金属層（１２）の上に被覆されていること
をを特徴とする請求項６の方法。 - 【請求項８】 前記の金属層がポリマー層の上に被覆さ
れ、このポリマー層がトリアジンベースのポリマーであ
り、 前記のホトレジストが、ポリメチルメタクリレートベー
スのポリマーであることを特徴とする請求項７の方法。
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