JP2552074B2 - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents
電子デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JP2552074B2 JP2552074B2 JP5077503A JP7750393A JP2552074B2 JP 2552074 B2 JP2552074 B2 JP 2552074B2 JP 5077503 A JP5077503 A JP 5077503A JP 7750393 A JP7750393 A JP 7750393A JP 2552074 B2 JP2552074 B2 JP 2552074B2
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- JP
- Japan
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- photoresist
- coating
- metal layer
- mixture
- methylpyrrolidone
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイスの製造方
法に使用される溶剤に関し、特にフォトレジストの剥離
に用いられる溶剤に関する。
法に使用される溶剤に関し、特にフォトレジストの剥離
に用いられる溶剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路装置の組立法の一つに多数の集
積回路をセラミック基板上に支持し、ハイブリッド集積
回路と名付けられたアセンブリを形成する方法がある。
ハイブリッド集積回路の基板上で金属導電体パターンの
パターン化に用いるフォトレジストとして時により電気
泳動レジストを用いることが有利である。電気泳動レジ
ストは通常は有機化学物質で、ポリメチルメタクリレー
トをベースとし、電気メッキプロセスによって金属上に
堆積される。このようなレジストはフォトリソグラフィ
ーの精細度が高い、また物理的強靱度が高いといった利
点を持つ。前記の金属層をマスクキングおよびエッチン
グし、導電体のパターンを形成した後、フォトレジスト
剥離溶剤を用いて電気泳動マスクを除去しなければなら
ない。電気泳動レジスト用に普通に用いられている剥離
溶剤は２％ＫＯＨに溶解した、メトキシエタノールで、
これはおもにグリコールエーテル成分からなる。残念な
がら、グリコールエーテルは有毒な催奇形物質であり、
有害な廃液と有害な大気汚染物質とを生じる。
積回路をセラミック基板上に支持し、ハイブリッド集積
回路と名付けられたアセンブリを形成する方法がある。
ハイブリッド集積回路の基板上で金属導電体パターンの
パターン化に用いるフォトレジストとして時により電気
泳動レジストを用いることが有利である。電気泳動レジ
ストは通常は有機化学物質で、ポリメチルメタクリレー
トをベースとし、電気メッキプロセスによって金属上に
堆積される。このようなレジストはフォトリソグラフィ
ーの精細度が高い、また物理的強靱度が高いといった利
点を持つ。前記の金属層をマスクキングおよびエッチン
グし、導電体のパターンを形成した後、フォトレジスト
剥離溶剤を用いて電気泳動マスクを除去しなければなら
ない。電気泳動レジスト用に普通に用いられている剥離
溶剤は２％ＫＯＨに溶解した、メトキシエタノールで、
これはおもにグリコールエーテル成分からなる。残念な
がら、グリコールエーテルは有毒な催奇形物質であり、
有害な廃液と有害な大気汚染物質とを生じる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】グリコエーテルをベー
スとした溶剤の代替は簡単には見つからない。というの
も硬化した電気泳動レジストは多くの溶剤に対し耐性が
あり、従って、代替溶剤の多くは使用するのが難しく、
あるいは使用しても利点がないのである。例えば、高温
での塗布が必要な代替溶剤があるが、これは有害な熱ス
トレスを引き起こすおそれがある。また別の代替溶剤は
ハイブリッド集積回路基板の一部に使われるかもしれな
いポリマーを損傷する。また他の代替溶剤は比較的低い
引火点を持つため危険である。
スとした溶剤の代替は簡単には見つからない。というの
も硬化した電気泳動レジストは多くの溶剤に対し耐性が
あり、従って、代替溶剤の多くは使用するのが難しく、
あるいは使用しても利点がないのである。例えば、高温
での塗布が必要な代替溶剤があるが、これは有害な熱ス
トレスを引き起こすおそれがある。また別の代替溶剤は
ハイブリッド集積回路基板の一部に使われるかもしれな
いポリマーを損傷する。また他の代替溶剤は比較的低い
引火点を持つため危険である。
【０００４】従って、本発明の目的は、電気泳動フォト
レジストを剥離するためのグリコールエーテルをベース
とした溶剤にとって代わる安全で効果的な代替溶剤を提
供することである。
レジストを剥離するためのグリコールエーテルをベース
とした溶剤にとって代わる安全で効果的な代替溶剤を提
供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明においては、アミ
ド溶剤、好ましくは環状アミドとフッ素含有有機酸の混
合物がフォトレジスト剥離剤として用いられている。前
記の混合物はその毒性、温度およびその他の特性の点か
ら、グリコエーテルをベースとした剥離溶剤の代替とし
て好ましい。
ド溶剤、好ましくは環状アミドとフッ素含有有機酸の混
合物がフォトレジスト剥離剤として用いられている。前
記の混合物はその毒性、温度およびその他の特性の点か
ら、グリコエーテルをベースとした剥離溶剤の代替とし
て好ましい。
【０００６】
【実施例】図１に、一表面上にポリマー被覆１１を持つ
セラミック基板１０からなるハイブリッド集積回路の一
部が示されている。金属層１２は前記のポリマー被覆の
上にあり、さらにフォトレジストの層１３によって覆わ
れている。このフォトレジスト１３は具体的には、電気
メッキプロセスによって堆積された電気泳動フォトレジ
ストであり、例えばポリメチルメタクリレートをベース
としたポリマーフォトレジストなどで、マサチューセッ
ツ、ニュートンにあるシプリー社から商標名シプリーＸ
Ｐ８９４５として市販されているフォトレジスト等であ
る。
セラミック基板１０からなるハイブリッド集積回路の一
部が示されている。金属層１２は前記のポリマー被覆の
上にあり、さらにフォトレジストの層１３によって覆わ
れている。このフォトレジスト１３は具体的には、電気
メッキプロセスによって堆積された電気泳動フォトレジ
ストであり、例えばポリメチルメタクリレートをベース
としたポリマーフォトレジストなどで、マサチューセッ
ツ、ニュートンにあるシプリー社から商標名シプリーＸ
Ｐ８９４５として市販されているフォトレジスト等であ
る。
【０００７】フォトレジスト被覆１３の上方に、不透明
領域１６を持つフォトリソグラフィーマスク１５がおか
れる。フォトレジスト１３はネガ型と呼ばれる、光に露
光されなかった部分が最終的に現像を通じて除去される
ものである。従って、マスク１５の透明部分（これは矢
印の示すように光が透過する部分であるが）の形状が、
所望の金属層１２の形状に対応するようになっている。
光に露光されると、前記のフォトレジスト層１３のその
部分は硬化し、それによってその部分は物理的に硬くな
り、現像プロセスに対する耐性が生じる。
領域１６を持つフォトリソグラフィーマスク１５がおか
れる。フォトレジスト１３はネガ型と呼ばれる、光に露
光されなかった部分が最終的に現像を通じて除去される
ものである。従って、マスク１５の透明部分（これは矢
印の示すように光が透過する部分であるが）の形状が、
所望の金属層１２の形状に対応するようになっている。
光に露光されると、前記のフォトレジスト層１３のその
部分は硬化し、それによってその部分は物理的に硬くな
り、現像プロセスに対する耐性が生じる。
【０００８】図２では、フォトレジスト層１３の未硬化
部分、すなわち、光に露光しなかった部分がこのフォト
レジストの現像プロセスを通じて除去されている。通常
の現像剤は乳酸水溶液からなる。現像された層１３は次
いでマスクとして作用し、前記の金属層１２の選択的エ
ッチングが行なわれる。すなわち、前記の金属層の露光
部分は公知の方法で金属エッチャントと接触され、エッ
チングによって除去され、開口部１７を金属層中に形成
する。前記の金属層１２の選択的エッチングの後、硬化
されたフォトレジストマスク１３は好ましくは図３に示
す浴中で除去される。
部分、すなわち、光に露光しなかった部分がこのフォト
レジストの現像プロセスを通じて除去されている。通常
の現像剤は乳酸水溶液からなる。現像された層１３は次
いでマスクとして作用し、前記の金属層１２の選択的エ
ッチングが行なわれる。すなわち、前記の金属層の露光
部分は公知の方法で金属エッチャントと接触され、エッ
チングによって除去され、開口部１７を金属層中に形成
する。前記の金属層１２の選択的エッチングの後、硬化
されたフォトレジストマスク１３は好ましくは図３に示
す浴中で除去される。
【０００９】本発明において、図３の浴１９は0.2-50%
のフッ素含有有機酸、１％未満の腐食防止剤、および50
-99.8%のアミド溶剤、好ましくは環状アミドからなって
いる。この浴の液体はポンプ２０によって循環されてお
り、複数のノズル２１による撹拌は硬化されたフォトレ
ジスト被覆１３の除去を助けている。レジストコーティ
ング１３を形成しているこの型の電気泳動レジストはか
なり強靱なので、それが利点でもあるのだが、効果的な
溶剤を用いないと硬化後の除去が困難となる。
のフッ素含有有機酸、１％未満の腐食防止剤、および50
-99.8%のアミド溶剤、好ましくは環状アミドからなって
いる。この浴の液体はポンプ２０によって循環されてお
り、複数のノズル２１による撹拌は硬化されたフォトレ
ジスト被覆１３の除去を助けている。レジストコーティ
ング１３を形成しているこの型の電気泳動レジストはか
なり強靱なので、それが利点でもあるのだが、効果的な
溶剤を用いないと硬化後の除去が困難となる。
【００１０】前記のアミド溶剤は好ましくは、引火点が
華氏１８７度（８６度Ｃ）であるＮーメチルピロリドン
である。その他に使用できる溶剤としてはジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、およびＮーシクロヘ
キシルピロリドンがあり、それぞれ引火点は華氏１３６
度（５８度Ｃ）、１５８度（７０度Ｃ）および２９３度
（１４５度Ｃ）である。この引火点は火花の存在の元で
の発火温度であり、この温度が充分に高いことが、火災
事故や爆発事故を防ぐ上で重要なのである。上述のアミ
ド溶剤の全ては、実際のプロダクションラインで使用す
るのに充分高い引火点を持っている。
華氏１８７度（８６度Ｃ）であるＮーメチルピロリドン
である。その他に使用できる溶剤としてはジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、およびＮーシクロヘ
キシルピロリドンがあり、それぞれ引火点は華氏１３６
度（５８度Ｃ）、１５８度（７０度Ｃ）および２９３度
（１４５度Ｃ）である。この引火点は火花の存在の元で
の発火温度であり、この温度が充分に高いことが、火災
事故や爆発事故を防ぐ上で重要なのである。上述のアミ
ド溶剤の全ては、実際のプロダクションラインで使用す
るのに充分高い引火点を持っている。
【００１１】前記のフッ素含有酸としては好ましくはト
リフルオロ酢酸が上げられる。トリフルオロメタンスル
ホン酸もまた代替として使用できる。このトリフルオロ
酢酸のＬＤ５０（５０％致死量）は２００ミリグラムで
あり、Ｎ-メチルピロリドンのＬＤ５０は、４２００ミ
リグラムである。上にあげた他のアミド溶剤のこのＬＤ
５０数もまた充分低く、有用な低毒性を形成している。
この比較的揮発性のあるフッ素含有有機酸はアミドと共
に錯体を形成するが、この錯体は酸アミド混合物の総揮
発性を大きく減少させる。その結果、この混合物は有害
な大気汚染物質を形成しない。前記の腐食防止剤は３ー
アミノー５ーアルキルー１、２、４ートリアゾール、メ
ルカプトベンゾチアゾール、メルカプトベンズイミダゾ
ールおよび／またはベンゾトリアゾールで、これが前記
の混合物に占める割合はその１％未満である。これらの
成分のすべては公知の腐食防止剤である。
リフルオロ酢酸が上げられる。トリフルオロメタンスル
ホン酸もまた代替として使用できる。このトリフルオロ
酢酸のＬＤ５０（５０％致死量）は２００ミリグラムで
あり、Ｎ-メチルピロリドンのＬＤ５０は、４２００ミ
リグラムである。上にあげた他のアミド溶剤のこのＬＤ
５０数もまた充分低く、有用な低毒性を形成している。
この比較的揮発性のあるフッ素含有有機酸はアミドと共
に錯体を形成するが、この錯体は酸アミド混合物の総揮
発性を大きく減少させる。その結果、この混合物は有害
な大気汚染物質を形成しない。前記の腐食防止剤は３ー
アミノー５ーアルキルー１、２、４ートリアゾール、メ
ルカプトベンゾチアゾール、メルカプトベンズイミダゾ
ールおよび／またはベンゾトリアゾールで、これが前記
の混合物に占める割合はその１％未満である。これらの
成分のすべては公知の腐食防止剤である。
【００１２】発明者の実験で用いたポリマーコーティン
グ１１は１９８６年７月２２日に特許されたスモールの
米国特許第４、６０１、９７４号に記載されているタイ
プのトリアジンをベースとしたポリマーであった。フォ
トレジスト剥離剤がポリマーコーティング１１に対して
大きな損傷を与えないことが重要であった。この点と上
記に述べた様々な要求性能とを鑑み、発明者は本発明の
好ましい形態がトリフルオロ酢酸、Ｎーメチルピロリド
ンおよび１％以下の２ーメルカプトベンズイミダゾール
からなる腐食防止剤の混合物から構成されるものである
と決定した。厚さが１５から３０ミクロンである、上述
の型のフォトレジスト被覆を剥離するうえでの、様々な
剥離剤混合物の有効性を表Ｉに示す。 表Ｉの左側に剥離が行なわれた温度を示す。ＴＦＡ／Ｎ
ＭＰの列にはトリフルオロ酢酸のＮーメチルピロリドン
に対する割合が示されている。このプロセスがやや温度
に依存していることが見て取れるが、有害なほどの高温
は必要とされず、またテストされた全ての割合におい
て、剥離時間（分）は短く有用であることが分かる。
グ１１は１９８６年７月２２日に特許されたスモールの
米国特許第４、６０１、９７４号に記載されているタイ
プのトリアジンをベースとしたポリマーであった。フォ
トレジスト剥離剤がポリマーコーティング１１に対して
大きな損傷を与えないことが重要であった。この点と上
記に述べた様々な要求性能とを鑑み、発明者は本発明の
好ましい形態がトリフルオロ酢酸、Ｎーメチルピロリド
ンおよび１％以下の２ーメルカプトベンズイミダゾール
からなる腐食防止剤の混合物から構成されるものである
と決定した。厚さが１５から３０ミクロンである、上述
の型のフォトレジスト被覆を剥離するうえでの、様々な
剥離剤混合物の有効性を表Ｉに示す。 表Ｉの左側に剥離が行なわれた温度を示す。ＴＦＡ／Ｎ
ＭＰの列にはトリフルオロ酢酸のＮーメチルピロリドン
に対する割合が示されている。このプロセスがやや温度
に依存していることが見て取れるが、有害なほどの高温
は必要とされず、またテストされた全ての割合におい
て、剥離時間（分）は短く有用であることが分かる。
【００１３】前記の好ましい２ーメルカプトベンズイミ
ダソール（２ーＭＢＩ）の腐食抑制効果はこの２ーＭＢ
Ｉを含む浴のなかに1cm2の金属を1milの厚みの銅メッキ
で被覆した金属片を浸漬することによって分析した。表
ＩＩに腐食抑制における２ーＭＢＩの有効性を示す。 表 ＩＩ ２ーＭＢＩ（％） 0 0.05 0.1 0.2 0.3 （銅濃度）PPM 1時間 22 5.3 4.6 5.2 5.6 （銅濃度）PPM 3時間 52 14 14 16 19 完全溶解時間 （時間） 7 20 28 24 24 この表は、わずかに0.1%または0.2%の２ーＭＢＩでも、
浴にさらされることにより生じる銅の濃度を大きく減少
させる上で、その浴中での腐食防止作用がかなり有効で
あることを示している。たとえば0.1%の２ーＭＢＩにお
いて前記の浴に１時間浸漬した後の浴の銅濃度はわずか
に4PPMであった。
ダソール（２ーＭＢＩ）の腐食抑制効果はこの２ーＭＢ
Ｉを含む浴のなかに1cm2の金属を1milの厚みの銅メッキ
で被覆した金属片を浸漬することによって分析した。表
ＩＩに腐食抑制における２ーＭＢＩの有効性を示す。 表 ＩＩ ２ーＭＢＩ（％） 0 0.05 0.1 0.2 0.3 （銅濃度）PPM 1時間 22 5.3 4.6 5.2 5.6 （銅濃度）PPM 3時間 52 14 14 16 19 完全溶解時間 （時間） 7 20 28 24 24 この表は、わずかに0.1%または0.2%の２ーＭＢＩでも、
浴にさらされることにより生じる銅の濃度を大きく減少
させる上で、その浴中での腐食防止作用がかなり有効で
あることを示している。たとえば0.1%の２ーＭＢＩにお
いて前記の浴に１時間浸漬した後の浴の銅濃度はわずか
に4PPMであった。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、電気泳動フォトレジストを剥
離するためのグリコールエーテルをベースとした溶剤に
とって代わる安全で効果的な代替溶剤を提供する。これ
はアミド溶剤、好ましくは環状アミドとフッ素含有有機
酸の混合物で、その毒性、温度およびその他の特性の点
から、グリコールエーテルをベースとした剥離溶剤の代
替として有用である。
離するためのグリコールエーテルをベースとした溶剤に
とって代わる安全で効果的な代替溶剤を提供する。これ
はアミド溶剤、好ましくは環状アミドとフッ素含有有機
酸の混合物で、その毒性、温度およびその他の特性の点
から、グリコールエーテルをベースとした剥離溶剤の代
替として有用である。
【図１】本発明のハイブリッド集積回路の製造方法の第
１段階を示す図である。
１段階を示す図である。
【図２】本発明のハイブリッド集積回路の製造方法の第
２段階を示す図である。
２段階を示す図である。
【図３】本発明のハイブリッド集積回路の製造方法の第
３段階を示す図である。
３段階を示す図である。
【符号の説明】 １０ セラミック基板 １１ ポリマーコーティング（被覆） １２ 金属層 １３ フォトレジストマスク １５ フォトリソグラフィーマスク １６ 不透明領域 １７ 開口部 １９ 浴 ２０ ポンプ ２１ ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−105949（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−135352（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−81949（ＪＰ，Ａ) 特公 平３−74827（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (10)
- 【請求項１】 基板（１０）の一部をフォトレジストコ
ーティング（１３）で被覆するステップ（図１）と、 前記フォトレジストコーテイングを化学線で選択的（１
５、１６）に露光するステップ（図１）と、 前記フォトレジストコーティングを前記の化学線への選
択的露光に従って現像するステップ（図１）と、 前記の現像したフォトレジストコーティングをマスクと
して用いて、その下の基板の一部に選択的反応させるス
テップ（図２）と、 からなる電子デバイスの製造方法において、 前記のエッチングされたフォトレジストコーティング
（１３）を、０．２ー５０％のフッ素含有有機酸と、１
％以下の腐食防止剤と、５０ー９９．８％のアミド溶剤
とからなる混合物に浸漬することにより、前記フォトレ
ジストコーティング（１３）を除去する、 ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 前記フォトレジスト（１３）が、電気泳
動フォトレジストであることを特徴とする請求項１の方
法。 - 【請求項３】 前記基板（１０）が固体上にポリマー被
覆（１１）を有し、前記ポリマー被覆上に金属層（１
２）を被覆したものであり、 前記のフォトレジスト（１３）が前記の金属層（１２）
上に被覆されていることを特徴とする、請求項１の方
法。 - 【請求項４】 前記の基板上の選択的反応ステップが、
前記の金属層（１２）を選択的にエッチングするステッ
プからなることを特徴とする請求項３の方法。 - 【請求項５】 前記フッ素含有有機酸が、トリフルオロ
酢酸からなることを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項６】 前記アミド溶剤が、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、Ｎーメチルピロリドンおよ
びＮーシクロヘキシルピロリドンからなる群から選択さ
れることを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項７】 前記アミド溶剤が、Ｎーメチルピロリド
ンからなることを特徴とする請求項６の方法。 - 【請求項８】 前記混合物が０．２ー５０％のトリフル
オロ酢酸と、１％未満の腐食防止剤と、５０−９９．８
％のＮーメチルピロリドンからなることを特徴とする請
求項７の方法。 - 【請求項９】 前記腐食防止剤が、２ーメルカプトベン
ズイミダゾールからなることを特徴とする請求項８の方
法。 - 【請求項１０】 前記ポリマー被覆（１１）が、トリア
ジンをベースとしたポリマーであり、前記フォトレジス
トマスク（１３）が、ポリメチルメタクリレートをベー
スとしたポリマーであることを特徴とする請求項１の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/874,472 US5236552A (en) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | Photoresist stripping method |
| US874472 | 1992-04-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661615A JPH0661615A (ja) | 1994-03-04 |
| JP2552074B2 true JP2552074B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=25363865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5077503A Expired - Fee Related JP2552074B2 (ja) | 1992-04-13 | 1993-03-12 | 電子デバイスの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5236552A (ja) |
| EP (1) | EP0566286B1 (ja) |
| JP (1) | JP2552074B2 (ja) |
| DE (1) | DE69300317T2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE9304878U1 (ja) * | 1993-03-31 | 1993-06-09 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt, De | |
| US5378315A (en) * | 1993-12-09 | 1995-01-03 | Xerox Corporation | Removing imaging member layers from a substrate |
| US5907791A (en) * | 1996-04-25 | 1999-05-25 | Lucent Technologies Inc. | Method of making semiconductor devices by patterning a wafer having a non-planar surface |
| US7534752B2 (en) * | 1996-07-03 | 2009-05-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
| US6323168B1 (en) * | 1996-07-03 | 2001-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
| WO1998028395A1 (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Advanced Chemical Systems International, Inc. | Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates |
| US6248704B1 (en) * | 1999-05-03 | 2001-06-19 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
| US6207350B1 (en) | 2000-01-18 | 2001-03-27 | Headway Technologies, Inc. | Corrosion inhibitor for NiCu for high performance writers |
| US7384900B2 (en) | 2003-08-27 | 2008-06-10 | Lg Display Co., Ltd. | Composition and method for removing copper-compatible resist |
| US8338087B2 (en) * | 2004-03-03 | 2012-12-25 | Advanced Technology Materials, Inc | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
| US20080254218A1 (en) * | 2007-04-16 | 2008-10-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal Precursor Solutions For Chemical Vapor Deposition |
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