JP2591644B2 - ホトレジストの剥離液 - Google Patents
ホトレジストの剥離液Info
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- JP2591644B2 JP2591644B2 JP63054896A JP5489688A JP2591644B2 JP 2591644 B2 JP2591644 B2 JP 2591644B2 JP 63054896 A JP63054896 A JP 63054896A JP 5489688 A JP5489688 A JP 5489688A JP 2591644 B2 JP2591644 B2 JP 2591644B2
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はホトレジストの剥離液に関し、さらに詳しく
はアクリル系樹脂を含有する光重合型ホトレジストおる
いはフェノール系樹脂を含有するポジ型ホトレジストの
剥離液に関する。
はアクリル系樹脂を含有する光重合型ホトレジストおる
いはフェノール系樹脂を含有するポジ型ホトレジストの
剥離液に関する。
従来、アクリル系樹脂を含有する光重合型のホトレジ
ストはプリント基板、半導体基板およびその他の電子部
品の製造において、エッチングレジスト、はんだレジス
ト、めっきレジスト等の保護被膜として広く利用されて
いる。
ストはプリント基板、半導体基板およびその他の電子部
品の製造において、エッチングレジスト、はんだレジス
ト、めっきレジスト等の保護被膜として広く利用されて
いる。
一般的にアクリル系樹脂を含有する光重合型ホトレジ
ストを利用した製造工程は、まず基板上にホトレジスト
を塗布、乾燥した後、所望のパターンのネガマスクを介
して紫外線等の活性光線を照射し、現像処理してパター
ンを形成せしめ、これを保護被膜として基板に対し選択
的にエッチング、めっきなどの処理を行った後、保護被
膜として残ったホトレジストを溶剤で剥離している。
ストを利用した製造工程は、まず基板上にホトレジスト
を塗布、乾燥した後、所望のパターンのネガマスクを介
して紫外線等の活性光線を照射し、現像処理してパター
ンを形成せしめ、これを保護被膜として基板に対し選択
的にエッチング、めっきなどの処理を行った後、保護被
膜として残ったホトレジストを溶剤で剥離している。
レジストパターンを剥離するための溶剤としては、ト
リクロロエチレン、塩化メチレン等の塩素系有機溶剤が
用いられている。
リクロロエチレン、塩化メチレン等の塩素系有機溶剤が
用いられている。
しかしながら、これらの溶剤を剥離液として用いた場
合、紫外線等の活性光線によって硬化したホトレジスト
は該剥離液によって溶解するのではなく、膨潤せしめて
チップ状に剥離させるものである。このため剥離したチ
ップ状のホトレジストが基板に再付着したり、剥離でき
ずに基板上に残査として残るなどの問題があり、不良品
発生の原因となっている。
合、紫外線等の活性光線によって硬化したホトレジスト
は該剥離液によって溶解するのではなく、膨潤せしめて
チップ状に剥離させるものである。このため剥離したチ
ップ状のホトレジストが基板に再付着したり、剥離でき
ずに基板上に残査として残るなどの問題があり、不良品
発生の原因となっている。
また使用済の剥離液中にはチップ状のホトレジストが
浮遊しているため、そのまま再使用することができず、
経済的にも不利である。
浮遊しているため、そのまま再使用することができず、
経済的にも不利である。
このような理由から基板上に形成されたホトレジスト
を完全に溶解除去できる剥離液が望まれているが、いま
だ有効なものは提案されていない。
を完全に溶解除去できる剥離液が望まれているが、いま
だ有効なものは提案されていない。
本発明者らはこれらの問題を解決すべく鋭意研究を重
ねた結果、第四級アンモニウム塩と特定の有機溶剤とか
ら成る溶液を剥離液として使用することによりホトレジ
ストを溶解除去することができるという知見に基づき本
発明を成すに至った。
ねた結果、第四級アンモニウム塩と特定の有機溶剤とか
ら成る溶液を剥離液として使用することによりホトレジ
ストを溶解除去することができるという知見に基づき本
発明を成すに至った。
すなわち本発明はa.アルコール系溶剤、b.ハロゲン系
溶剤、エーテル系溶剤および芳香族系溶剤の中から選ば
れた少なくとも１種およびc.第四級アンモニウム塩から
成るホトレジストの剥離液である。
溶剤、エーテル系溶剤および芳香族系溶剤の中から選ば
れた少なくとも１種およびc.第四級アンモニウム塩から
成るホトレジストの剥離液である。
本発明に用いられる第四級アンモニウム塩はそのまま
用いてもよいし、水溶液またはメタノール、エタノール
などの低級アルコール溶液として使用してもよい。この
ときの溶媒は本発明で使用する他の有機溶剤との相溶性
を考慮して適宜選択される。また第四級アンモニウム塩
の配合割合は本発明の剥離液中に0.1〜25重量％配合さ
れることが望ましい。配合割合が0.1重量％未満ではホ
トレジストの完全溶解には不十分であり、25重量％を超
えれば不経済である。このような第四級アンモニウム塩
としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイ
ド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロ
キサイド（コリン）、テトラヒドロキシエチルアンモニ
ウムハイドロキサイド、モノメチルトリヒドロキシエチ
ルアンモニウムハイドロキサイドを挙げることができ
る。
用いてもよいし、水溶液またはメタノール、エタノール
などの低級アルコール溶液として使用してもよい。この
ときの溶媒は本発明で使用する他の有機溶剤との相溶性
を考慮して適宜選択される。また第四級アンモニウム塩
の配合割合は本発明の剥離液中に0.1〜25重量％配合さ
れることが望ましい。配合割合が0.1重量％未満ではホ
トレジストの完全溶解には不十分であり、25重量％を超
えれば不経済である。このような第四級アンモニウム塩
としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイ
ド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロ
キサイド（コリン）、テトラヒドロキシエチルアンモニ
ウムハイドロキサイド、モノメチルトリヒドロキシエチ
ルアンモニウムハイドロキサイドを挙げることができ
る。
本発明において用いられるアルコール系溶剤としては
メタノール、エタノール、プロパノール、３−メチル−
３−メトキシブタノール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルな
どがある。上記アルコール系溶剤は前記第四級アンモニ
ウム塩を溶解させるための溶媒と同一であっても何らさ
しつかえない。
メタノール、エタノール、プロパノール、３−メチル−
３−メトキシブタノール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルな
どがある。上記アルコール系溶剤は前記第四級アンモニ
ウム塩を溶解させるための溶媒と同一であっても何らさ
しつかえない。
アルコール系溶媒は１種または２種以上混合しても使
用できる。配合割合は本発明の剥離液中に35〜80重量％
配合されることが望ましい。この範囲をはずれるとホト
レジストを完全に溶解することが困難である。
用できる。配合割合は本発明の剥離液中に35〜80重量％
配合されることが望ましい。この範囲をはずれるとホト
レジストを完全に溶解することが困難である。
本発明に用いられるハロゲン系溶剤としては、−ジク
ロロベンゼン、テトラクロロエチレン、トリクロロエチ
レン、塩化メチレン、1,1,1−トリクロロエタン、クロ
ロベンゼン、1,2,4−トリクロロベンゼン、ブロモベン
ゼン、ｏ−ジブロモベンゼン、ｐ−クロロトルエン、ｍ
−クロロトルエンなどがある。また必要に応じ上記ハロ
ゲン系溶剤にエーテル系溶剤、芳香族系溶剤を代用また
は併用することができるし、ハロゲン系溶剤を２種以上
混合して用いてもよい。
ロロベンゼン、テトラクロロエチレン、トリクロロエチ
レン、塩化メチレン、1,1,1−トリクロロエタン、クロ
ロベンゼン、1,2,4−トリクロロベンゼン、ブロモベン
ゼン、ｏ−ジブロモベンゼン、ｐ−クロロトルエン、ｍ
−クロロトルエンなどがある。また必要に応じ上記ハロ
ゲン系溶剤にエーテル系溶剤、芳香族系溶剤を代用また
は併用することができるし、ハロゲン系溶剤を２種以上
混合して用いてもよい。
本発明に用いられる芳香族系溶剤としては、ｏ−ジク
ロロベンゼン、ベンジルアルコール、キシレン、ベンゼ
ン、トルエン、エチルベンゼン、ｐ−クレゾール、アミ
ルベンゼン、ナフタリン、スワゾール（丸善石油社製商
品名、トリまたはテトラメチルベンゼン、アルキルトル
エン、分岐アルキルベンゼン、シメン、ジエチルベンゼ
ン、ナフタリン、モノおよびジメチルナフタリンなどの
混合物）などがある。
ロロベンゼン、ベンジルアルコール、キシレン、ベンゼ
ン、トルエン、エチルベンゼン、ｐ−クレゾール、アミ
ルベンゼン、ナフタリン、スワゾール（丸善石油社製商
品名、トリまたはテトラメチルベンゼン、アルキルトル
エン、分岐アルキルベンゼン、シメン、ジエチルベンゼ
ン、ナフタリン、モノおよびジメチルナフタリンなどの
混合物）などがある。
またエーテル系溶剤としては、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチ
レグリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジブチルエーテルなどがあ
る。
ドロフラン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチ
レグリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジブチルエーテルなどがあ
る。
ハロゲン系溶剤、エーテル系溶剤および芳香族系溶剤
は、本発明の剥離液中に10〜35重量％配合することが望
ましい。配合割合がこの範囲をはずれるとホトレジスト
を完全に溶解除去することが困難となる。
は、本発明の剥離液中に10〜35重量％配合することが望
ましい。配合割合がこの範囲をはずれるとホトレジスト
を完全に溶解除去することが困難となる。
また第四級アンモニウム塩またはその水溶液とアルコ
ール系溶剤のみの組合わせや、またはその水溶液とハロ
ゲン系溶剤、エーテル系溶剤または芳香族系溶剤のみの
組合わせ、あるいはアルコール系溶剤とハロゲン系溶
剤、エーテル系溶剤または芳香族系溶剤のみの組合わせ
では、基板上に形成されたホトレジストは膨潤して剥離
するので溶解による剥離ができないので好ましくない。
ール系溶剤のみの組合わせや、またはその水溶液とハロ
ゲン系溶剤、エーテル系溶剤または芳香族系溶剤のみの
組合わせ、あるいはアルコール系溶剤とハロゲン系溶
剤、エーテル系溶剤または芳香族系溶剤のみの組合わせ
では、基板上に形成されたホトレジストは膨潤して剥離
するので溶解による剥離ができないので好ましくない。
本発明の剥離液には必要があれば界面活性剤などの添
加剤を使用することができる。
加剤を使用することができる。
本発明の剥離液は、特にアクリル系樹脂を含有する光
重合型ホトレジストあるいはフェノール系樹脂を含有す
るポジ型ホトレジストの剥離に適している。このような
ホトレジストとしては、例えばアクリル酸、メタクリル
酸、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチ
ルアクリレート、エチルメタクリレート、ヒドロキシエ
チルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、
プロピルアクリレート、プロピルメタクリレート、ヒド
ロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタ
クリレート、グリシジルアクリレート、グリシジルメタ
クリレート、ブチルアミノエチルアクリレート、ブチル
アミノエチルメタクリレート、ジブロモプロピルアクリ
レート、ジブロモプロピルメタクリレート、アクリルア
ミド、メタクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリルなどから選ばれた１種より成る重合体あるい
は２種以上を組合わせて得られる共重合体を主体樹脂と
し、これに光重合性単量体、光重合開始剤を配合して成
る光重合型ホトレジストを挙げることができ、前記主体
樹脂は、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ビニル
トルエン、ブタジエン、マレイン酸などと組合わせた共
重合体であってもよい。また熱重合禁止剤、酸化防止
剤、消泡剤、染料、顔料、フィラーなどが添加されてい
ても何らさしつかえない。他方、ポジ型ホトレジストと
してはナフトキノンジアジド基を含有する化合物とフェ
ノールノボラックとを配合して成るホトレジストを挙げ
ることができる。
重合型ホトレジストあるいはフェノール系樹脂を含有す
るポジ型ホトレジストの剥離に適している。このような
ホトレジストとしては、例えばアクリル酸、メタクリル
酸、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチ
ルアクリレート、エチルメタクリレート、ヒドロキシエ
チルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、
プロピルアクリレート、プロピルメタクリレート、ヒド
ロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタ
クリレート、グリシジルアクリレート、グリシジルメタ
クリレート、ブチルアミノエチルアクリレート、ブチル
アミノエチルメタクリレート、ジブロモプロピルアクリ
レート、ジブロモプロピルメタクリレート、アクリルア
ミド、メタクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリルなどから選ばれた１種より成る重合体あるい
は２種以上を組合わせて得られる共重合体を主体樹脂と
し、これに光重合性単量体、光重合開始剤を配合して成
る光重合型ホトレジストを挙げることができ、前記主体
樹脂は、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ビニル
トルエン、ブタジエン、マレイン酸などと組合わせた共
重合体であってもよい。また熱重合禁止剤、酸化防止
剤、消泡剤、染料、顔料、フィラーなどが添加されてい
ても何らさしつかえない。他方、ポジ型ホトレジストと
してはナフトキノンジアジド基を含有する化合物とフェ
ノールノボラックとを配合して成るホトレジストを挙げ
ることができる。
本発明の剥離液を使用するには、まず基体上に設けら
れた光重合型ホトレジストまたはポジ型ホトレジスト被
膜にホトマスクパターンを介して活性光線、すなわち該
ホトレジストを感光させる紫外線を選択的に照射する。
そうすると前者の光重合型ホトレジストにあっては、紫
外線非照射部が、他方後者のポジ型ホトレジストにあっ
ては、照射部がそれぞれに適した現像液の作用によって
溶解除去されて所望のレジストパターンを形成する。し
かるのち、レジストパターンで被覆されずに裸出してい
る基体に対してめっき処理、あるいはエッチング処理が
なされる。かかる処理に続いて基体上に形成されている
レジストパターンを本発明の剥離液により溶解剥離す
る。この溶解剥離処理は一般的に浸漬法により行うのが
効率的かつ経済的である。浸漬法により行うには、バッ
ト中に本発明の剥離液を入れ、この中にホトレジストが
披着している被処理体を入れ、好ましくは剥離液を揺動
させながらホトレジストを基体から溶解剥離する。この
ときの処理温度は40〜70℃が好ましく、この範囲の温度
で処理すると、使用するホトレジストの種類、ホトレジ
ストの厚さによっても相違するが約５〜30分で溶解剥離
することができる。
れた光重合型ホトレジストまたはポジ型ホトレジスト被
膜にホトマスクパターンを介して活性光線、すなわち該
ホトレジストを感光させる紫外線を選択的に照射する。
そうすると前者の光重合型ホトレジストにあっては、紫
外線非照射部が、他方後者のポジ型ホトレジストにあっ
ては、照射部がそれぞれに適した現像液の作用によって
溶解除去されて所望のレジストパターンを形成する。し
かるのち、レジストパターンで被覆されずに裸出してい
る基体に対してめっき処理、あるいはエッチング処理が
なされる。かかる処理に続いて基体上に形成されている
レジストパターンを本発明の剥離液により溶解剥離す
る。この溶解剥離処理は一般的に浸漬法により行うのが
効率的かつ経済的である。浸漬法により行うには、バッ
ト中に本発明の剥離液を入れ、この中にホトレジストが
披着している被処理体を入れ、好ましくは剥離液を揺動
させながらホトレジストを基体から溶解剥離する。この
ときの処理温度は40〜70℃が好ましく、この範囲の温度
で処理すると、使用するホトレジストの種類、ホトレジ
ストの厚さによっても相違するが約５〜30分で溶解剥離
することができる。
以下に実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明す
る。
る。
実施例１〜28 アクリル系樹脂を含有する光重合型ホトレジストとし
て、 メチルメタクリレート／ブチルメタクリレート／ヒドロ
キシプロピルメタクリレート （70/20/10重量部）の分子量約50,000の共重合体 100重量部 テトラエチレングリコールジアクリレート 25 トリメチロールプロパントリアクリレート ５ 2,2−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン ５
（チバガイギー社製イルガキュア651） ジエチルチオキサントン ３ エチレングリコールモノエチルエーテル 250 より成る組成物を調製した。
て、 メチルメタクリレート／ブチルメタクリレート／ヒドロ
キシプロピルメタクリレート （70/20/10重量部）の分子量約50,000の共重合体 100重量部 テトラエチレングリコールジアクリレート 25 トリメチロールプロパントリアクリレート ５ 2,2−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン ５
（チバガイギー社製イルガキュア651） ジエチルチオキサントン ３ エチレングリコールモノエチルエーテル 250 より成る組成物を調製した。
この組成物を全面に金が蒸着されたシリコンウエハー
上にスピンコーターを用いて、回転速度800rpmで塗布し
た。
上にスピンコーターを用いて、回転速度800rpmで塗布し
た。
80℃に保持されたオーブン乾燥器中で20分間乾燥し、
膜厚30μｍのホトレジスト被膜が形成されたシリコンウ
エハーを得た。
膜厚30μｍのホトレジスト被膜が形成されたシリコンウ
エハーを得た。
次に所望のネガマスクを介して、キャノン社製PLA−5
01Bを用いて600mJ/m2の紫外線を照射した後、未照射部
を1,1,1−トリクロロエタンで現像し、乾燥してホトレ
ジストパターンの形成されたシリコンウエハーを得た。
01Bを用いて600mJ/m2の紫外線を照射した後、未照射部
を1,1,1−トリクロロエタンで現像し、乾燥してホトレ
ジストパターンの形成されたシリコンウエハーを得た。
さらに、このシリコンウエハーを、非シアン系金めっ
き浴中で電気めっきを行い、厚さ30μｍの金めっきが形
成されたシリコンウエハーを得た。
き浴中で電気めっきを行い、厚さ30μｍの金めっきが形
成されたシリコンウエハーを得た。
前記金めっきが形成されたシリコンウエハーを、以下
に示す組成の剥離液に浸漬し、レジストパターンの剥離
を行った。結果を第１表に示す。
に示す組成の剥離液に浸漬し、レジストパターンの剥離
を行った。結果を第１表に示す。
実施例29,30 フェノール系樹脂を含有するポジ型ホトレジストOFPR
−800（東京応化工業社製）をシリコンウエハー上にス
ピンコーターを用いて回転塗布した。これを110℃に保
持されたホットプレート上に載置し、90秒間乾燥し、膜
厚1.6μｍのホトレジスト被膜が形成されたシリコンウ
エハーを得た。
−800（東京応化工業社製）をシリコンウエハー上にス
ピンコーターを用いて回転塗布した。これを110℃に保
持されたホットプレート上に載置し、90秒間乾燥し、膜
厚1.6μｍのホトレジスト被膜が形成されたシリコンウ
エハーを得た。
次に所望のポジマスクを介して、紫外線照射し、照射
部を指定現像液で現像し、150℃で10分間ポストベーク
を行った。
部を指定現像液で現像し、150℃で10分間ポストベーク
を行った。
前記処理を施したシリコンウエハーを、以下に示す組
成の剥離液に浸漬し、レジストパターンの剥離を行っ
た。その結果を第１表に示す。
成の剥離液に浸漬し、レジストパターンの剥離を行っ
た。その結果を第１表に示す。
実施例31,32,比較例１〜10 フェノール系樹脂を含有するポジ型ホトレジストであ
るPMER PRF−1200SNC（東京応化工業社製）をシリコン
ウエハー上にスピンコーターを用いて回転塗布し、80℃
に保持されたオーブン中で溶媒を蒸発除去したホトレジ
スト被膜を形成した。続いて実施例11に準じ、指定現像
液を使用してレジストパターンを形成後140℃で10分間
ポストベークを行った。
るPMER PRF−1200SNC（東京応化工業社製）をシリコン
ウエハー上にスピンコーターを用いて回転塗布し、80℃
に保持されたオーブン中で溶媒を蒸発除去したホトレジ
スト被膜を形成した。続いて実施例11に準じ、指定現像
液を使用してレジストパターンを形成後140℃で10分間
ポストベークを行った。
かかる処理を施したホトレジストを次に示す組成から
成る剥離液中に浸漬し、剥離液を十分かきまぜながらホ
トレジストを溶解剥離した。
成る剥離液中に浸漬し、剥離液を十分かきまぜながらホ
トレジストを溶解剥離した。
実施例33〜40 アクリル系樹脂を含有する光重合型ホトレジストとし
て、 メチルメタクリレート／ブチルメタクリレート／ヒド
ロキシプロピルメタクリレート （70/20/10重量部）の分子量約50,000の共重合体 100重量部 テトラエチレングリコールジアクリレート 25 トリメチロールプロパントリアクリレート ５ 2,2−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン ５ （チバガイギー社製イルガキュア651） ジエチルチオキサントン ３ エチレングリコールモノエチルエーテル 250 より成る組成物を調製した。
て、 メチルメタクリレート／ブチルメタクリレート／ヒド
ロキシプロピルメタクリレート （70/20/10重量部）の分子量約50,000の共重合体 100重量部 テトラエチレングリコールジアクリレート 25 トリメチロールプロパントリアクリレート ５ 2,2−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン ５ （チバガイギー社製イルガキュア651） ジエチルチオキサントン ３ エチレングリコールモノエチルエーテル 250 より成る組成物を調製した。
全面に金が蒸着されたシリコンウエハー上に上記組成
物をスピンコーターを用いて、回転速度800rpmで塗布し
た。
物をスピンコーターを用いて、回転速度800rpmで塗布し
た。
80℃に保持されたオーブン乾燥器中で20分間乾燥し、
膜厚30μｍのホトレジスト被膜が形成されたシリコンウ
エハーを得た。
膜厚30μｍのホトレジスト被膜が形成されたシリコンウ
エハーを得た。
次に所望のネガマスクを介して、キャノン社製PLA−5
01Bを用いて600mJ/m2の紫外線を照射した後、未照射部
を1,1,1−トリクロロエタンで現像し、乾燥してホトレ
ジストパターンの形成されたシリコンウエハーを得た。
01Bを用いて600mJ/m2の紫外線を照射した後、未照射部
を1,1,1−トリクロロエタンで現像し、乾燥してホトレ
ジストパターンの形成されたシリコンウエハーを得た。
さらに、このシリコンウエハーを非シアン系金めっき
浴中で電気めっきを行い、厚さ30μｍの金めっきが形成
されたシリコンウエハーを得た。
浴中で電気めっきを行い、厚さ30μｍの金めっきが形成
されたシリコンウエハーを得た。
前記金めっきが形成されたシリコンウエハーを、以下
に示す組成の剥離液に浸漬し、レジストパターンの剥離
を行った。結果を第１表に示す。
に示す組成の剥離液に浸漬し、レジストパターンの剥離
を行った。結果を第１表に示す。
実施例41,42 フェノール系樹脂を含有するポジ型ホトレジストOFPR
−800（東京応化工業社製）をシリコンウエハー上にス
ピンコーターを用いて回転塗布した。これを110℃に保
持されたホットプレート上に載置し、90秒間乾燥し、膜
厚1.6μｍのホトレジスト被膜が形成されたシリコンウ
エハーを得た。
−800（東京応化工業社製）をシリコンウエハー上にス
ピンコーターを用いて回転塗布した。これを110℃に保
持されたホットプレート上に載置し、90秒間乾燥し、膜
厚1.6μｍのホトレジスト被膜が形成されたシリコンウ
エハーを得た。
次に所望のポジマスクを介して、紫外線照射し、照射
部を指定現像液で現像し、150℃で10分間ポストベーク
を行った。
部を指定現像液で現像し、150℃で10分間ポストベーク
を行った。
前記処理を施したシリコンウエハーを、以下に示す組
成の剥離液に浸漬し、レジストパターンの剥離を行っ
た。その結果を第１表に示す。
成の剥離液に浸漬し、レジストパターンの剥離を行っ
た。その結果を第１表に示す。
実施例43,44、比較例11〜13 フェノール系樹脂を含有するポジ型ホトレジストであ
るPMER PRF−1200SNC（東京応化工業社製）をシリコン
ウエハー上にスピンコーターを用いて回転塗布し、80℃
に保持されたオーブン中で溶媒を蒸発除去しホトレジス
ト被膜を形成した。続いて実施例９に準じ、指定現像液
を使用してレジストパターンを形成後140℃で10分間ポ
ストベークを行った。
るPMER PRF−1200SNC（東京応化工業社製）をシリコン
ウエハー上にスピンコーターを用いて回転塗布し、80℃
に保持されたオーブン中で溶媒を蒸発除去しホトレジス
ト被膜を形成した。続いて実施例９に準じ、指定現像液
を使用してレジストパターンを形成後140℃で10分間ポ
ストベークを行った。
かかる処理を施したホトレジストを次に示す組成から
成る剥離液中に浸漬し、剥離液を十分かきまぜながらホ
トレジストを溶解剥離した。
成る剥離液中に浸漬し、剥離液を十分かきまぜながらホ
トレジストを溶解剥離した。
〔発明の効果〕 本発明の剥離液によれば、レジストパターンを完全に
溶解して剥離できるため、不良品の発生の心配がない。
溶解して剥離できるため、不良品の発生の心配がない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−20947（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−20946（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−292641（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−163941（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−147736（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−90850（ＪＰ，Ａ) 特公 昭41−20252（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】a. アルコール系溶剤 b. ハロゲン系溶剤、エーテル系溶剤および芳香族系溶
剤の中から選ばれた少なくとも１種および c. 第四級アンモニウム塩 から成るホトレジストの剥離液
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19883830440 DE3830440C2 (de) | 1987-09-09 | 1988-09-07 | Entfernerlösung für Fotoresists |
| US07/504,070 US5185235A (en) | 1987-09-09 | 1990-03-30 | Remover solution for photoresist |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5410187 | 1987-03-11 | ||
| JP62-224109 | 1987-09-09 | ||
| JP22410987 | 1987-09-09 | ||
| JP62-54101 | 1987-09-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158444A JPH01158444A (ja) | 1989-06-21 |
| JP2591644B2 true JP2591644B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=26394840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054896A Expired - Lifetime JP2591644B2 (ja) | 1987-03-11 | 1988-03-10 | ホトレジストの剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591644B2 (ja) |
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| TW200634448A (en) * | 2005-02-09 | 2006-10-01 | Showa Denko Kk | Photosensitive composition removing liquid |
| WO2007029767A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ホトリソグラフィ用洗浄剤およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法 |
| WO2010073430A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 神戸天然物化学株式会社 | 低含水量のフォトレジスト剥離液用濃縮液の製造方法 |
| WO2014104192A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 富士フイルム株式会社 | レジスト除去液およびレジスト剥離方法 |
| KR102012464B1 (ko) * | 2013-09-06 | 2019-08-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 평판표시장치의 제조방법 |
| JP6100669B2 (ja) * | 2013-10-11 | 2017-03-22 | Ｊｘエネルギー株式会社 | 洗浄液組成物 |
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| JPS5990850A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-25 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの剥離液 |
| JPS60147736A (ja) * | 1984-01-11 | 1985-08-03 | Hitachi Chem Co Ltd | フエノ−ル系樹脂含有感光性組成物の剥離液 |
| JPS6120946A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-29 | Asahi Glass Co Ltd | フォトレジスト剥離用組成物 |
| JPS6120947A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-29 | Asahi Glass Co Ltd | フォトレジスト剥離剤 |
| JPS61292641A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | Hoechst Japan Kk | ホトレジスト用処理液 |
-
1988
- 1988-03-10 JP JP63054896A patent/JP2591644B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH01158444A (ja) | 1989-06-21 |
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